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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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Thermostat B-1009N 90°С Produktcode: 48205
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Lieblingsprodukt
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Sang |
Sicherungen > Thermosicherungen Funktionsbeschreibung: Термостат нормально замкнутий 90°C, 250V,2A Strom: 2 А Spannung: 250 V Temperatur: 90°C Тип: Відновлюється |
auf Bestellung 779 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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AOTF9N90 | ALPHA&OMEGA |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FQP9N90C | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 2.8A Power dissipation: 205W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQP9N90C | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 2.8A Power dissipation: 205W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FQP9N90C | onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 1682 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQPF9N90CT | onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 2587 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TSA9N90M | TRUESEMI |
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 9A; 1,4Ohm; 30V; 130W; -55°C~150°C; Substitute: 2SK3878; TSA9N90M TO-3P TTSA9N90M Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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WMP09N90C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 900V; 4.8A; Idm: 16A; 85W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 4.8A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 85W Case: TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.37Ω Mounting: THT Gate charge: 18nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 692 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQA9N90 |
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auf Bestellung 5620 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
FQA9N90-F109 | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 4944 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
FQA9N90C | FSC |
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auf Bestellung 5800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FQA9N90C | FAIRCHILD |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
FQPF9N90C | FAIRCHIL |
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auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
IXFN39N90 | IXYS |
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auf Bestellung 59 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
SLW9N90C |
auf Bestellung 12368 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
SSF9N90A |
auf Bestellung 6798 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
SSH9N90 |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
SSH9N90A |
auf Bestellung 6880 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
TK09N90A |
auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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WFW9N90 |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
Транзистор польовий FQPF9N90CT 8A 900V N-ch TO-220F |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
2SK3878(STA1,E,S) | Toshiba |
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 1,3Ohm; 9A; 150W; -55°C ~ 150°C; 2SK3878(F); 2SK3878(STA1,E,S); TSA9N90M; TSA9N9OM; 2SK3878(STA1.E.S); podobny do STW11NK100Z; 2SK3878 TOSHIBA T2SK3878 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2SK3878(STA1,E,S) | Toshiba | Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 1,3Ohm; 9A; 150W; -55°C ~ 150°C; 2SK3878(F); 2SK3878(STA1,E,S); TSA9N90M; TSA9N9OM; 2SK3878(STA1.E.S); podobny do STW11NK100Z; 2SK3878 TOSHIBA T2SK3878 |
auf Bestellung 475 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
FQA9N90C (Transistor polar N-Kanal) Produktcode: 48853
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Lieblingsprodukt
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ON |
![]() Gehäuse: TO-3PN Uds,V: 900 V Idd,A: 9 А Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm ZCODE: 8541290090 |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
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FQP9N90C Produktcode: 117719
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Lieblingsprodukt
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Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
FQPF9N90C Transistor Produktcode: 44576
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Lieblingsprodukt
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2 |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
FQPF9N90CT Produktcode: 148086
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Lieblingsprodukt
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Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
AOK9N90 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; Idm: 34A; 368W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 9A Pulsed drain current: 34A Power dissipation: 368W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
AOK9N90 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; Idm: 34A; 368W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 9A Pulsed drain current: 34A Power dissipation: 368W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 240 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
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AOTF9N90 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 6A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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FQPF9N90CT | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 2.8A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 68W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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FQPF9N90CT | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 2.8A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 68W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IXFE39N90 | IXYS |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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XM-B9N9-0404D | Quantic X-Microwave | RF Switch ICs Switches, ADRF5020BCCZNSMT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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XM-C9N9-0404D | Quantic X-Microwave | RF Development Tools Mixers, ML1-0110HSM-1 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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XR-B9N9-0404D | Quantic X-Microwave | RF Switch ICs Switches, ADRF5020BCCZNSMT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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XR-C9N9-0404D | Quantic X-Microwave | RF Development Tools Mixers, ML1-0110HSM-1 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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AOTF9N90 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 6A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
Thermostat B-1009N 90°С Produktcode: 48205
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: Sang
Sicherungen > Thermosicherungen
Funktionsbeschreibung: Термостат нормально замкнутий 90°C, 250V,2A
Strom: 2 А
Spannung: 250 V
Temperatur: 90°C
Тип: Відновлюється
Sicherungen > Thermosicherungen
Funktionsbeschreibung: Термостат нормально замкнутий 90°C, 250V,2A
Strom: 2 А
Spannung: 250 V
Temperatur: 90°C
Тип: Відновлюється
auf Bestellung 779 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 1.68 EUR |
AOTF9N90 |
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Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 1,3Ohm; 9A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF9N90 TAOTF9n90
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 1,3Ohm; 9A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF9N90 TAOTF9n90
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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10+ | 3.2 EUR |
FQP9N90C |
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Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 205W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 205W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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9+ | 7.95 EUR |
FQP9N90C |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 205W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 205W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
9+ | 7.95 EUR |
15+ | 4.76 EUR |
500+ | 3.02 EUR |
FQP9N90C |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 900V N-Channel Adv Q-FET C-Series
MOSFETs 900V N-Channel Adv Q-FET C-Series
auf Bestellung 1682 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 7.87 EUR |
10+ | 4.07 EUR |
100+ | 3.7 EUR |
500+ | 3.47 EUR |
1000+ | 3.34 EUR |
FQPF9N90CT |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 900V N-Chan Advance Q-FET C-Series
MOSFETs 900V N-Chan Advance Q-FET C-Series
auf Bestellung 2587 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 7.16 EUR |
10+ | 3.77 EUR |
100+ | 3.59 EUR |
500+ | 3.19 EUR |
1000+ | 3.13 EUR |
TSA9N90M |
Hersteller: TRUESEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 9A; 1,4Ohm; 30V; 130W; -55°C~150°C; Substitute: 2SK3878; TSA9N90M TO-3P TTSA9N90M
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 9A; 1,4Ohm; 30V; 130W; -55°C~150°C; Substitute: 2SK3878; TSA9N90M TO-3P TTSA9N90M
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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10+ | 3.75 EUR |
WMP09N90C2 |
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 900V; 4.8A; Idm: 16A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 85W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.37Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 900V; 4.8A; Idm: 16A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 85W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.37Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 692 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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76+ | 0.94 EUR |
84+ | 0.85 EUR |
93+ | 0.78 EUR |
96+ | 0.75 EUR |
98+ | 0.73 EUR |
160+ | 0.7 EUR |
FQA9N90-F109 |
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Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 4944 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FQA9N90C |
![]() |
Hersteller: FSC
TO-3 2010+
TO-3 2010+
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FQA9N90C |
![]() |
Hersteller: FAIRCHILD
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FQPF9N90C |
![]() |
Hersteller: FAIRCHIL
09+ QFP
09+ QFP
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXFN39N90 | ![]() |
Hersteller: IXYS
MODULE
MODULE
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SLW9N90C |
auf Bestellung 12368 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Транзистор польовий FQPF9N90CT 8A 900V N-ch TO-220F |
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SK3878(STA1,E,S) |
Hersteller: Toshiba
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 1,3Ohm; 9A; 150W; -55°C ~ 150°C; 2SK3878(F); 2SK3878(STA1,E,S); TSA9N90M; TSA9N9OM; 2SK3878(STA1.E.S); podobny do STW11NK100Z; 2SK3878 TOSHIBA T2SK3878
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 1,3Ohm; 9A; 150W; -55°C ~ 150°C; 2SK3878(F); 2SK3878(STA1,E,S); TSA9N90M; TSA9N9OM; 2SK3878(STA1.E.S); podobny do STW11NK100Z; 2SK3878 TOSHIBA T2SK3878
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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25+ | 6.09 EUR |
2SK3878(STA1,E,S) |
Hersteller: Toshiba
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 1,3Ohm; 9A; 150W; -55°C ~ 150°C; 2SK3878(F); 2SK3878(STA1,E,S); TSA9N90M; TSA9N9OM; 2SK3878(STA1.E.S); podobny do STW11NK100Z; 2SK3878 TOSHIBA T2SK3878
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 1,3Ohm; 9A; 150W; -55°C ~ 150°C; 2SK3878(F); 2SK3878(STA1,E,S); TSA9N90M; TSA9N9OM; 2SK3878(STA1.E.S); podobny do STW11NK100Z; 2SK3878 TOSHIBA T2SK3878
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FQA9N90C (Transistor polar N-Kanal) Produktcode: 48853
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: ON
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-3PN
Uds,V: 900 V
Idd,A: 9 А
Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
ZCODE: 8541290090
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-3PN
Uds,V: 900 V
Idd,A: 9 А
Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
ZCODE: 8541290090
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FQP9N90C Produktcode: 117719
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FQPF9N90C Transistor Produktcode: 44576
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Lieblingsprodukt
|
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FQPF9N90CT Produktcode: 148086
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOK9N90 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; Idm: 34A; 368W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 368W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; Idm: 34A; 368W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 368W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOK9N90 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; Idm: 34A; 368W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 368W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 240 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; Idm: 34A; 368W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 368W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 240 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
AOTF9N90 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
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Stück im Wert von UAH
FQPF9N90CT |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 68W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 68W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FQPF9N90CT |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 68W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 68W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFE39N90 |
![]() |
Hersteller: IXYS
MOSFET Modules 34 Amps 900V 0.22 Rds
MOSFET Modules 34 Amps 900V 0.22 Rds
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XM-B9N9-0404D |
Hersteller: Quantic X-Microwave
RF Switch ICs Switches, ADRF5020BCCZNSMT
RF Switch ICs Switches, ADRF5020BCCZNSMT
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XM-C9N9-0404D |
Hersteller: Quantic X-Microwave
RF Development Tools Mixers, ML1-0110HSM-1
RF Development Tools Mixers, ML1-0110HSM-1
Produkt ist nicht verfügbar
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XR-B9N9-0404D |
Hersteller: Quantic X-Microwave
RF Switch ICs Switches, ADRF5020BCCZNSMT
RF Switch ICs Switches, ADRF5020BCCZNSMT
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
XR-C9N9-0404D |
Hersteller: Quantic X-Microwave
RF Development Tools Mixers, ML1-0110HSM-1
RF Development Tools Mixers, ML1-0110HSM-1
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
AOTF9N90 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH