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Thermostat B-1009N 90°С Thermostat B-1009N 90°С
Produktcode: 48205
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Sang Sicherungen > Thermosicherungen
Funktionsbeschreibung: Термостат нормально замкнутий 90°C, 250V,2A
Strom: 2 А
Spannung: 250 V
Temperatur: 90°C
Тип: Відновлюється
auf Bestellung 791 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF9N90 ALPHA&OMEGA TO220F.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 1,3Ohm; 9A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF9N90 TAOTF9n90
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA9N90-F109 FQA9N90-F109 Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0003591058-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
117+4.33 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP9N90C FQP9N90C ONSEMI FQP9N90C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 205W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+4.66 EUR
22+3.32 EUR
23+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP9N90C FQP9N90C ONSEMI FQP9N90C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 205W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.66 EUR
22+3.32 EUR
23+3.13 EUR
500+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP9N90C FQP9N90C onsemi FAIRS46452-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 900V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
auf Bestellung 1002 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.20 EUR
50+4.26 EUR
100+3.88 EUR
500+3.21 EUR
1000+3.10 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP9N90C FQP9N90C onsemi / Fairchild FAIRS46452-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs 900V N-Channel Adv Q-FET C-Series
auf Bestellung 1829 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.13 EUR
50+4.19 EUR
100+3.84 EUR
250+3.82 EUR
500+3.20 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N90CT FQPF9N90CT onsemi FAIRS46452-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 900V 8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
auf Bestellung 1167 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.40 EUR
50+4.37 EUR
100+3.98 EUR
500+3.30 EUR
1000+3.20 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N90CT FQPF9N90CT onsemi / Fairchild FAIRS46452-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs 900V N-Chan Advance Q-FET C-Series
auf Bestellung 2913 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.99 EUR
10+6.56 EUR
25+4.08 EUR
100+3.70 EUR
250+3.63 EUR
500+3.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSA9N90M TRUESEMI Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 9A; 1,4Ohm; 30V; 130W; -55°C~150°C; Substitute: 2SK3878; TSA9N90M TO-3P TTSA9N90M
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.40 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMP09N90C2 WMP09N90C2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 900V; 4.8A; Idm: 16A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 85W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.37Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 702 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+1.09 EUR
74+0.97 EUR
92+0.78 EUR
98+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA9N90 FAIRS24244-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
auf Bestellung 5620 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA9N90-F109 ON Semiconductor ONSM-S-A0003591058-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
auf Bestellung 4944 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA9N90C FAIRCHILD FQA9N90C.pdf
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA9N90C FSC FQA9N90C.pdf TO-3 2010+
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N90C FAIRCHIL FAIRS46452-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 09+ QFP
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN39N90 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn39n90_datasheet.pdf.pdf description MODULE
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SLW9N90C
auf Bestellung 12368 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSF9N90A
auf Bestellung 6798 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSH9N90
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSH9N90A
auf Bestellung 6880 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK09N90A
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WFW9N90
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3878(STA1,E,S) Toshiba Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 1,3Ohm; 9A; 150W; -55°C ~ 150°C; 2SK3878(F); 2SK3878(STA1,E,S); TSA9N90M; TSA9N9OM; 2SK3878(STA1.E.S); podobny do STW11NK100Z; 2SK3878 TOSHIBA T2SK3878
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+6.52 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3878(STA1,E,S) Toshiba Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 1,3Ohm; 9A; 150W; -55°C ~ 150°C; 2SK3878(F); 2SK3878(STA1,E,S); TSA9N90M; TSA9N9OM; 2SK3878(STA1.E.S); podobny do STW11NK100Z; 2SK3878 TOSHIBA T2SK3878
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA9N90C (Transistor polar N-Kanal)
Produktcode: 48853
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ON fqa9n90c_f109-96052.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 900 V
Idd,A: 9 А
Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
ZCODE: 8541290090
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP9N90C FQP9N90C
Produktcode: 117719
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FAIRS46452-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N90C Transistor
Produktcode: 44576
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N90CT
Produktcode: 148086
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FAIRS46452-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOK9N90 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR TO247.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOK9N90 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR TO247.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOK9N90 AOK9N90 Alpha & Omega Semiconductor Inc. TO247.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 9A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 368W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF9N90 AOTF9N90 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOTF9N90-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF9N90 AOTF9N90 Alpha & Omega Semiconductor Inc. TO220F.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 9A TO220-3F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA9N90-F109 FQA9N90-F109 onsemi ONSM-S-A0003591058-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 900V 8.6A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA9N90C FQA9N90C onsemi FQA9N90C.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 9A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA9N90C-F109 FQA9N90C-F109 onsemi fqa9n90c_f109-d.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 9A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N90C FQPF9N90C onsemi FAIRS46452-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 900V 8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N90CT FQPF9N90CT ONSEMI FAIRS46452-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 68W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N90CT FQPF9N90CT ONSEMI FAIRS46452-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 68W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFE39N90 IXFE39N90 IXYS ixys_98920-1547059.pdf MOSFET Modules 34 Amps 900V 0.22 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFE39N90 IXFE39N90 IXYS Description: MOSFET N-CH 900V 34A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 580W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL39N90 IXFL39N90 IXYS Description: MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 580W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: ISOPLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN39N90 IXFN39N90 IXYS media-3323796.pdf description MOSFET Modules 39 Amps 900V 0.2 Rds
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN39N90 IXFN39N90 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn39n90_datasheet.pdf.pdf description Description: MOSFET N-CH 900V 39A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 390 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RWR89N90R9FRB12 RWR89N90R9FRB12 Vishay Dale rwrmil.pdf Description: RES 90.9 OHM 3W 1% WW AXIAL
Packaging: Bulk
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±1%
Features: Military, Moisture Resistant, Non-Inductive
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±20ppm/°C
Size / Dimension: 0.187" Dia x 0.560" L (4.75mm x 14.22mm)
Composition: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 250°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Failure Rate: R (0.01%)
Part Status: Active
Resistance: 90.9 Ohms
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RWR89N90R9FRBSL RWR89N90R9FRBSL Vishay Dale rwrmil.pdf Description: RES 90.9 OHM 3W 1% WW AXIAL
Packaging: Bulk
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±1%
Features: Military, Moisture Resistant, Non-Inductive
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±20ppm/°C
Size / Dimension: 0.187" Dia x 0.560" L (4.75mm x 14.22mm)
Composition: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 250°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Failure Rate: R (0.01%)
Part Status: Active
Resistance: 90.9 Ohms
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RWR89N90R9FRRSL RWR89N90R9FRRSL Vishay Dale rwrmil.pdf Description: RES 90.9 OHM 3W 1% WW AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±1%
Features: Military, Moisture Resistant, Non-Inductive
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±20ppm/°C
Size / Dimension: 0.187" Dia x 0.560" L (4.75mm x 14.22mm)
Composition: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 250°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Failure Rate: R (0.01%)
Part Status: Active
Resistance: 90.9 Ohms
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RWR89N90R9FSB12 RWR89N90R9FSB12 Vishay Dale rwrmil.pdf Description: RES 90.9 OHM 3W 1% WW AXIAL
Packaging: Bulk
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±1%
Features: Military, Moisture Resistant, Non-Inductive
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±20ppm/°C
Size / Dimension: 0.187" Dia x 0.560" L (4.75mm x 14.22mm)
Composition: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 250°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Failure Rate: S (0.001%)
Part Status: Active
Resistance: 90.9 Ohms
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RWR89N90R9FSBSL RWR89N90R9FSBSL Vishay Dale rwrmil.pdf Description: RES 90.9 OHM 3W 1% WW AXIAL
Packaging: Bulk
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±1%
Features: Military, Moisture Resistant, Non-Inductive
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±20ppm/°C
Size / Dimension: 0.187" Dia x 0.560" L (4.75mm x 14.22mm)
Composition: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 250°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Failure Rate: S (0.001%)
Part Status: Active
Resistance: 90.9 Ohms
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RWR89N90R9FSRSL RWR89N90R9FSRSL Vishay Dale rwrmil.pdf Description: RES 90.9 OHM 3W 1% WW AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±1%
Features: Military, Moisture Resistant, Non-Inductive
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±20ppm/°C
Size / Dimension: 0.187" Dia x 0.560" L (4.75mm x 14.22mm)
Composition: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 250°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Failure Rate: S (0.001%)
Part Status: Active
Resistance: 90.9 Ohms
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RWR89N90R9FSS70 RWR89N90R9FSS70 Vishay Dale rwrmil.pdf Description: RES 90.9 OHM 3W 1% WW AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±1%
Features: Military, Moisture Resistant, Non-Inductive
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±20ppm/°C
Size / Dimension: 0.187" Dia x 0.560" L (4.75mm x 14.22mm)
Composition: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 250°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Failure Rate: S (0.001%)
Part Status: Active
Resistance: 90.9 Ohms
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RWR89N90R9FSS73 RWR89N90R9FSS73 Vishay Dale rwrmil.pdf Description: RES 90.9 OHM 3W 1% WW AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±1%
Features: Military, Moisture Resistant, Non-Inductive
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±20ppm/°C
Size / Dimension: 0.187" Dia x 0.560" L (4.75mm x 14.22mm)
Composition: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 250°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Failure Rate: S (0.001%)
Part Status: Active
Resistance: 90.9 Ohms
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM9N90ECI C0G TSM9N90ECI C0G Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 900V 9A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM9N90ECZ C0G TSM9N90ECZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CHANNEL 900V 9A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XM-B9N9-0404D XM-B9N9-0404D Quantic X-Microwave RF Switch ICs Switches, ADRF5020BCCZNSMT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XM-C9N9-0404D XM-C9N9-0404D Quantic X-Microwave RF Mixer Mixers, ML1-0110HSM-1
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XR-B9N9-0404D XR-B9N9-0404D Quantic X-Microwave RF Switch ICs Switches, ADRF5020BCCZNSMT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XR-C9N9-0404D XR-C9N9-0404D Quantic X-Microwave RF Mixer Mixers, ML1-0110HSM-1
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Thermostat B-1009N 90°С
Produktcode: 48205
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Thermostat B-1009N 90°С
Hersteller: Sang
Sicherungen > Thermosicherungen
Funktionsbeschreibung: Термостат нормально замкнутий 90°C, 250V,2A
Strom: 2 А
Spannung: 250 V
Temperatur: 90°C
Тип: Відновлюється
auf Bestellung 791 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF9N90 TO220F.pdf
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 1,3Ohm; 9A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF9N90 TAOTF9n90
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA9N90-F109 ONSM-S-A0003591058-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQA9N90-F109
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
117+4.33 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP9N90C FQP9N90C.pdf
FQP9N90C
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 205W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.66 EUR
22+3.32 EUR
23+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP9N90C FQP9N90C.pdf
FQP9N90C
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 205W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.66 EUR
22+3.32 EUR
23+3.13 EUR
500+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP9N90C FAIRS46452-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQP9N90C
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 900V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
auf Bestellung 1002 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+8.20 EUR
50+4.26 EUR
100+3.88 EUR
500+3.21 EUR
1000+3.10 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP9N90C FAIRS46452-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQP9N90C
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 900V N-Channel Adv Q-FET C-Series
auf Bestellung 1829 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.13 EUR
50+4.19 EUR
100+3.84 EUR
250+3.82 EUR
500+3.20 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N90CT FAIRS46452-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQPF9N90CT
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 900V 8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
auf Bestellung 1167 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+8.40 EUR
50+4.37 EUR
100+3.98 EUR
500+3.30 EUR
1000+3.20 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N90CT FAIRS46452-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQPF9N90CT
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 900V N-Chan Advance Q-FET C-Series
auf Bestellung 2913 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.99 EUR
10+6.56 EUR
25+4.08 EUR
100+3.70 EUR
250+3.63 EUR
500+3.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSA9N90M
Hersteller: TRUESEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 9A; 1,4Ohm; 30V; 130W; -55°C~150°C; Substitute: 2SK3878; TSA9N90M TO-3P TTSA9N90M
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+4.40 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMP09N90C2
WMP09N90C2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 900V; 4.8A; Idm: 16A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 85W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.37Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 702 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
66+1.09 EUR
74+0.97 EUR
92+0.78 EUR
98+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA9N90 FAIRS24244-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
auf Bestellung 5620 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA9N90-F109 ONSM-S-A0003591058-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 4944 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA9N90C FQA9N90C.pdf
Hersteller: FAIRCHILD
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA9N90C FQA9N90C.pdf
Hersteller: FSC
TO-3 2010+
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N90C FAIRS46452-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: FAIRCHIL
09+ QFP
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN39N90 description littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn39n90_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
MODULE
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SLW9N90C
auf Bestellung 12368 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSF9N90A
auf Bestellung 6798 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSH9N90
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSH9N90A
auf Bestellung 6880 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK09N90A
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WFW9N90
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3878(STA1,E,S)
Hersteller: Toshiba
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 1,3Ohm; 9A; 150W; -55°C ~ 150°C; 2SK3878(F); 2SK3878(STA1,E,S); TSA9N90M; TSA9N9OM; 2SK3878(STA1.E.S); podobny do STW11NK100Z; 2SK3878 TOSHIBA T2SK3878
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+6.52 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3878(STA1,E,S)
Hersteller: Toshiba
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 1,3Ohm; 9A; 150W; -55°C ~ 150°C; 2SK3878(F); 2SK3878(STA1,E,S); TSA9N90M; TSA9N9OM; 2SK3878(STA1.E.S); podobny do STW11NK100Z; 2SK3878 TOSHIBA T2SK3878
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA9N90C (Transistor polar N-Kanal)
Produktcode: 48853
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fqa9n90c_f109-96052.pdf
Hersteller: ON
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 900 V
Idd,A: 9 А
Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
ZCODE: 8541290090
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP9N90C
Produktcode: 117719
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FAIRS46452-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQP9N90C
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N90C Transistor
Produktcode: 44576
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N90CT
Produktcode: 148086
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FAIRS46452-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOK9N90 TO247.pdf
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOK9N90 TO247.pdf
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOK9N90 TO247.pdf
AOK9N90
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 900V 9A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 368W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF9N90 AOTF9N90-DTE.pdf
AOTF9N90
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF9N90 TO220F.pdf
AOTF9N90
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 900V 9A TO220-3F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA9N90-F109 ONSM-S-A0003591058-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQA9N90-F109
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 900V 8.6A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA9N90C FQA9N90C.pdf
FQA9N90C
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 900V 9A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA9N90C-F109 fqa9n90c_f109-d.pdf
FQA9N90C-F109
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 900V 9A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N90C FAIRS46452-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQPF9N90C
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 900V 8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N90CT FAIRS46452-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQPF9N90CT
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 68W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N90CT FAIRS46452-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQPF9N90CT
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 68W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFE39N90 ixys_98920-1547059.pdf
IXFE39N90
Hersteller: IXYS
MOSFET Modules 34 Amps 900V 0.22 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFE39N90
IXFE39N90
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 900V 34A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 580W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFL39N90
IXFL39N90
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 580W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: ISOPLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN39N90 description media-3323796.pdf
IXFN39N90
Hersteller: IXYS
MOSFET Modules 39 Amps 900V 0.2 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN39N90 description littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn39n90_datasheet.pdf.pdf
IXFN39N90
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 900V 39A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 390 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RWR89N90R9FRB12 rwrmil.pdf
RWR89N90R9FRB12
Hersteller: Vishay Dale
Description: RES 90.9 OHM 3W 1% WW AXIAL
Packaging: Bulk
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±1%
Features: Military, Moisture Resistant, Non-Inductive
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±20ppm/°C
Size / Dimension: 0.187" Dia x 0.560" L (4.75mm x 14.22mm)
Composition: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 250°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Failure Rate: R (0.01%)
Part Status: Active
Resistance: 90.9 Ohms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RWR89N90R9FRBSL rwrmil.pdf
RWR89N90R9FRBSL
Hersteller: Vishay Dale
Description: RES 90.9 OHM 3W 1% WW AXIAL
Packaging: Bulk
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±1%
Features: Military, Moisture Resistant, Non-Inductive
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±20ppm/°C
Size / Dimension: 0.187" Dia x 0.560" L (4.75mm x 14.22mm)
Composition: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 250°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Failure Rate: R (0.01%)
Part Status: Active
Resistance: 90.9 Ohms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RWR89N90R9FRRSL rwrmil.pdf
RWR89N90R9FRRSL
Hersteller: Vishay Dale
Description: RES 90.9 OHM 3W 1% WW AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±1%
Features: Military, Moisture Resistant, Non-Inductive
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±20ppm/°C
Size / Dimension: 0.187" Dia x 0.560" L (4.75mm x 14.22mm)
Composition: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 250°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Failure Rate: R (0.01%)
Part Status: Active
Resistance: 90.9 Ohms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RWR89N90R9FSB12 rwrmil.pdf
RWR89N90R9FSB12
Hersteller: Vishay Dale
Description: RES 90.9 OHM 3W 1% WW AXIAL
Packaging: Bulk
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±1%
Features: Military, Moisture Resistant, Non-Inductive
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±20ppm/°C
Size / Dimension: 0.187" Dia x 0.560" L (4.75mm x 14.22mm)
Composition: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 250°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Failure Rate: S (0.001%)
Part Status: Active
Resistance: 90.9 Ohms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RWR89N90R9FSBSL rwrmil.pdf
RWR89N90R9FSBSL
Hersteller: Vishay Dale
Description: RES 90.9 OHM 3W 1% WW AXIAL
Packaging: Bulk
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±1%
Features: Military, Moisture Resistant, Non-Inductive
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±20ppm/°C
Size / Dimension: 0.187" Dia x 0.560" L (4.75mm x 14.22mm)
Composition: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 250°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Failure Rate: S (0.001%)
Part Status: Active
Resistance: 90.9 Ohms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RWR89N90R9FSRSL rwrmil.pdf
RWR89N90R9FSRSL
Hersteller: Vishay Dale
Description: RES 90.9 OHM 3W 1% WW AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±1%
Features: Military, Moisture Resistant, Non-Inductive
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±20ppm/°C
Size / Dimension: 0.187" Dia x 0.560" L (4.75mm x 14.22mm)
Composition: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 250°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Failure Rate: S (0.001%)
Part Status: Active
Resistance: 90.9 Ohms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RWR89N90R9FSS70 rwrmil.pdf
RWR89N90R9FSS70
Hersteller: Vishay Dale
Description: RES 90.9 OHM 3W 1% WW AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±1%
Features: Military, Moisture Resistant, Non-Inductive
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±20ppm/°C
Size / Dimension: 0.187" Dia x 0.560" L (4.75mm x 14.22mm)
Composition: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 250°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Failure Rate: S (0.001%)
Part Status: Active
Resistance: 90.9 Ohms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RWR89N90R9FSS73 rwrmil.pdf
RWR89N90R9FSS73
Hersteller: Vishay Dale
Description: RES 90.9 OHM 3W 1% WW AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±1%
Features: Military, Moisture Resistant, Non-Inductive
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±20ppm/°C
Size / Dimension: 0.187" Dia x 0.560" L (4.75mm x 14.22mm)
Composition: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 250°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Failure Rate: S (0.001%)
Part Status: Active
Resistance: 90.9 Ohms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM9N90ECI C0G
TSM9N90ECI C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 900V 9A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM9N90ECZ C0G
TSM9N90ECZ C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 900V 9A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XM-B9N9-0404D
XM-B9N9-0404D
Hersteller: Quantic X-Microwave
RF Switch ICs Switches, ADRF5020BCCZNSMT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XM-C9N9-0404D
XM-C9N9-0404D
Hersteller: Quantic X-Microwave
RF Mixer Mixers, ML1-0110HSM-1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XR-B9N9-0404D
XR-B9N9-0404D
Hersteller: Quantic X-Microwave
RF Switch ICs Switches, ADRF5020BCCZNSMT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XR-C9N9-0404D
XR-C9N9-0404D
Hersteller: Quantic X-Microwave
RF Mixer Mixers, ML1-0110HSM-1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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