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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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Thermostat B-1009N 90°С Thermostat B-1009N 90°С
Produktcode: 48205
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Sang Sicherungen > Thermosicherungen
Funktionsbeschreibung: Термостат нормально замкнутий 90°C, 250V,2A
Strom: 2 А
Spannung: 250 V
Temperatur: 90°C
Тип: Відновлюється
auf Bestellung 779 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF9N90 ALPHA&OMEGA TO220F.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 1,3Ohm; 9A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF9N90 TAOTF9n90
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP9N90C FQP9N90C ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781982A790889E259&compId=FQP9N90C.pdf?ci_sign=b4df4717521c00833dc3a554ff86d71aff9eadfa Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 205W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+7.95 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP9N90C FQP9N90C ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781982A790889E259&compId=FQP9N90C.pdf?ci_sign=b4df4717521c00833dc3a554ff86d71aff9eadfa Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 205W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+7.95 EUR
15+4.76 EUR
500+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP9N90C FQP9N90C onsemi / Fairchild fqpf9n90c-d.pdf MOSFETs 900V N-Channel Adv Q-FET C-Series
auf Bestellung 1682 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.87 EUR
10+4.07 EUR
100+3.7 EUR
500+3.47 EUR
1000+3.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N90CT FQPF9N90CT onsemi / Fairchild FQPF9N90C-D.PDF MOSFETs 900V N-Chan Advance Q-FET C-Series
auf Bestellung 2587 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.16 EUR
10+3.77 EUR
100+3.59 EUR
500+3.19 EUR
1000+3.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSA9N90M TRUESEMI Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 9A; 1,4Ohm; 30V; 130W; -55°C~150°C; Substitute: 2SK3878; TSA9N90M TO-3P TTSA9N90M
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMP09N90C2 WMP09N90C2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 900V; 4.8A; Idm: 16A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 85W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.37Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 692 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+0.94 EUR
84+0.85 EUR
93+0.78 EUR
96+0.75 EUR
98+0.73 EUR
160+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA9N90 FAIRS24244-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
auf Bestellung 5620 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA9N90-F109 ON Semiconductor FQA9N90_F109-D.PDF fqa9n90_f109-d.pdf
auf Bestellung 4944 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA9N90C FSC FQA9N90C.pdf TO-3 2010+
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA9N90C FAIRCHILD FQA9N90C.pdf
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N90C FAIRCHIL fqpf9n90c-d.pdf 09+ QFP
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN39N90 IXYS description MODULE
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SLW9N90C
auf Bestellung 12368 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSF9N90A
auf Bestellung 6798 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSH9N90
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSH9N90A
auf Bestellung 6880 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK09N90A
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WFW9N90
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор польовий FQPF9N90CT 8A 900V N-ch TO-220F
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3878(STA1,E,S) Toshiba Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 1,3Ohm; 9A; 150W; -55°C ~ 150°C; 2SK3878(F); 2SK3878(STA1,E,S); TSA9N90M; TSA9N9OM; 2SK3878(STA1.E.S); podobny do STW11NK100Z; 2SK3878 TOSHIBA T2SK3878
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+6.09 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3878(STA1,E,S) Toshiba Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 1,3Ohm; 9A; 150W; -55°C ~ 150°C; 2SK3878(F); 2SK3878(STA1,E,S); TSA9N90M; TSA9N9OM; 2SK3878(STA1.E.S); podobny do STW11NK100Z; 2SK3878 TOSHIBA T2SK3878
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA9N90C (Transistor polar N-Kanal)
Produktcode: 48853
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ON fqa9n90c_f109-96052.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-3PN
Uds,V: 900 V
Idd,A: 9 А
Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
ZCODE: 8541290090
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP9N90C FQP9N90C
Produktcode: 117719
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fqpf9n90c-d.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N90C Transistor
Produktcode: 44576
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N90CT
Produktcode: 148086
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FQPF9N90C-D.PDF Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOK9N90 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR TO247.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; Idm: 34A; 368W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 368W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOK9N90 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR TO247.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; Idm: 34A; 368W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 368W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 240 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF9N90 AOTF9N90 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F356F76D912A50&compId=AOTF9N90-DTE.pdf?ci_sign=74fe4310a3aa6f03c9fcec7e9dce36d9b48cce92 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N90CT FQPF9N90CT ONSEMI FQPF9N90C-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 68W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N90CT FQPF9N90CT ONSEMI FQPF9N90C-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 68W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFE39N90 IXFE39N90 IXYS ixys_98920-1547059.pdf MOSFET Modules 34 Amps 900V 0.22 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XM-B9N9-0404D XM-B9N9-0404D Quantic X-Microwave RF Switch ICs Switches, ADRF5020BCCZNSMT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XM-C9N9-0404D XM-C9N9-0404D Quantic X-Microwave RF Development Tools Mixers, ML1-0110HSM-1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XR-B9N9-0404D XR-B9N9-0404D Quantic X-Microwave RF Switch ICs Switches, ADRF5020BCCZNSMT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XR-C9N9-0404D XR-C9N9-0404D Quantic X-Microwave RF Development Tools Mixers, ML1-0110HSM-1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF9N90 AOTF9N90 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F356F76D912A50&compId=AOTF9N90-DTE.pdf?ci_sign=74fe4310a3aa6f03c9fcec7e9dce36d9b48cce92 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Thermostat B-1009N 90°С
Produktcode: 48205
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Thermostat B-1009N 90°С
Hersteller: Sang
Sicherungen > Thermosicherungen
Funktionsbeschreibung: Термостат нормально замкнутий 90°C, 250V,2A
Strom: 2 А
Spannung: 250 V
Temperatur: 90°C
Тип: Відновлюється
auf Bestellung 779 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF9N90 TO220F.pdf
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 1,3Ohm; 9A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF9N90 TAOTF9n90
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP9N90C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781982A790889E259&compId=FQP9N90C.pdf?ci_sign=b4df4717521c00833dc3a554ff86d71aff9eadfa
FQP9N90C
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 205W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
9+7.95 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP9N90C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781982A790889E259&compId=FQP9N90C.pdf?ci_sign=b4df4717521c00833dc3a554ff86d71aff9eadfa
FQP9N90C
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 205W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+7.95 EUR
15+4.76 EUR
500+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP9N90C fqpf9n90c-d.pdf
FQP9N90C
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 900V N-Channel Adv Q-FET C-Series
auf Bestellung 1682 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.87 EUR
10+4.07 EUR
100+3.7 EUR
500+3.47 EUR
1000+3.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N90CT FQPF9N90C-D.PDF
FQPF9N90CT
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 900V N-Chan Advance Q-FET C-Series
auf Bestellung 2587 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.16 EUR
10+3.77 EUR
100+3.59 EUR
500+3.19 EUR
1000+3.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSA9N90M
Hersteller: TRUESEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 9A; 1,4Ohm; 30V; 130W; -55°C~150°C; Substitute: 2SK3878; TSA9N90M TO-3P TTSA9N90M
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMP09N90C2
WMP09N90C2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 900V; 4.8A; Idm: 16A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 85W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.37Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 692 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
84+0.85 EUR
93+0.78 EUR
96+0.75 EUR
98+0.73 EUR
160+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA9N90 FAIRS24244-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
auf Bestellung 5620 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA9N90-F109 FQA9N90_F109-D.PDF fqa9n90_f109-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 4944 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA9N90C FQA9N90C.pdf
Hersteller: FSC
TO-3 2010+
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA9N90C FQA9N90C.pdf
Hersteller: FAIRCHILD
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N90C fqpf9n90c-d.pdf
Hersteller: FAIRCHIL
09+ QFP
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN39N90 description
Hersteller: IXYS
MODULE
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SLW9N90C
auf Bestellung 12368 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSF9N90A
auf Bestellung 6798 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSH9N90
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSH9N90A
auf Bestellung 6880 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK09N90A
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WFW9N90
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор польовий FQPF9N90CT 8A 900V N-ch TO-220F
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3878(STA1,E,S)
Hersteller: Toshiba
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 1,3Ohm; 9A; 150W; -55°C ~ 150°C; 2SK3878(F); 2SK3878(STA1,E,S); TSA9N90M; TSA9N9OM; 2SK3878(STA1.E.S); podobny do STW11NK100Z; 2SK3878 TOSHIBA T2SK3878
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2SK3878(STA1,E,S)
Hersteller: Toshiba
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 1,3Ohm; 9A; 150W; -55°C ~ 150°C; 2SK3878(F); 2SK3878(STA1,E,S); TSA9N90M; TSA9N9OM; 2SK3878(STA1.E.S); podobny do STW11NK100Z; 2SK3878 TOSHIBA T2SK3878
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FQA9N90C (Transistor polar N-Kanal)
Produktcode: 48853
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fqa9n90c_f109-96052.pdf
Hersteller: ON
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-3PN
Uds,V: 900 V
Idd,A: 9 А
Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
ZCODE: 8541290090
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FQP9N90C
Produktcode: 117719
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fqpf9n90c-d.pdf
FQP9N90C
Transistoren > MOSFET N-CH
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FQPF9N90C Transistor
Produktcode: 44576
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FQPF9N90CT
Produktcode: 148086
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FQPF9N90C-D.PDF
Transistoren > MOSFET N-CH
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AOK9N90 TO247.pdf
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; Idm: 34A; 368W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 368W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOK9N90 TO247.pdf
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; Idm: 34A; 368W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 368W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 240 Stücke
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AOTF9N90 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F356F76D912A50&compId=AOTF9N90-DTE.pdf?ci_sign=74fe4310a3aa6f03c9fcec7e9dce36d9b48cce92
AOTF9N90
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
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FQPF9N90CT FQPF9N90C-D.PDF
FQPF9N90CT
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 68W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N90CT FQPF9N90C-D.PDF
FQPF9N90CT
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 68W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFE39N90 ixys_98920-1547059.pdf
IXFE39N90
Hersteller: IXYS
MOSFET Modules 34 Amps 900V 0.22 Rds
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XM-B9N9-0404D
XM-B9N9-0404D
Hersteller: Quantic X-Microwave
RF Switch ICs Switches, ADRF5020BCCZNSMT
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XM-C9N9-0404D
XM-C9N9-0404D
Hersteller: Quantic X-Microwave
RF Development Tools Mixers, ML1-0110HSM-1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XR-B9N9-0404D
XR-B9N9-0404D
Hersteller: Quantic X-Microwave
RF Switch ICs Switches, ADRF5020BCCZNSMT
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XR-C9N9-0404D
XR-C9N9-0404D
Hersteller: Quantic X-Microwave
RF Development Tools Mixers, ML1-0110HSM-1
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AOTF9N90 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F356F76D912A50&compId=AOTF9N90-DTE.pdf?ci_sign=74fe4310a3aa6f03c9fcec7e9dce36d9b48cce92
AOTF9N90
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH