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BD139-16 (Bipolartransistor NPN) BD139-16 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 32641
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ST BD139-datasheet.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-32
Uceo,V: 80
Ucbo,V: 80
Ic,A: 01.05.2015
h21: 100
ZCODE: SMD
auf Bestellung 425 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.42 EUR
10+0.29 EUR
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BD139-16 BD139-16 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0472188447BF1A6F5005056AB5A8F&compId=BD139-10-STMicroelectronics.pdf?ci_sign=6a8d1aea861bc39a3676cb4f48e95f2306074693 description Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
auf Bestellung 2586 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+0.6 EUR
199+0.36 EUR
264+0.27 EUR
295+0.24 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
2000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 120
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BD139-16 ARK bd139.pdf description Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW SOT32-3 BD139-16 TBD13916 c
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
150+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 150
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BD139-16 ST bd139.pdf description Transistor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; Replacement: BD140-16; BD139-16ST; BD 139-16; BD139-16 STM; BD139-16 TBD13916
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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BD139-16 LGE bd139.pdf description Tranzystor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD139-16ST; BD139-16/FSC; BD139-16-CDI; BD139-16 TBD13916 LGE
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 200
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BD139-16 ST bd139.pdf description Transistor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; Replacement: BD140-16; BD139-16ST; BD 139-16; BD139-16 STM; BD139-16 TBD13916
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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BD139-16 LGE bd139.pdf description Tranzystor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD139-16ST; BD139-16/FSC; BD139-16-CDI; BD139-16 TBD13916 LGE
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
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200+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 200
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BD139-16 JSMicro Semiconductor bd139.pdf description Transistor NPN; 250; 8W; 100V; 1,5A; 190MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD13916S; BD13916STU; BD139-16-CDI; BD139-16 JSMICRO TBD13916 JSM
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 200
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BD139-16 YFW bd139.pdf description Transistor NPN; 250; 12,5W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Substitute: BD13916S; BD13916STU; BD139-16-CDI; BD139-16 TO126 YFW TBD13916 YFW
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 200
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BD139-16 ST bd139.pdf description Transistor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; Replacement: BD140-16; BD139-16ST; BD 139-16; BD139-16 STM; BD139-16 TBD13916
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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BD139-16 JSMSEMI bd139.pdf description Transistor NPN; 250; 8W; 100V; 1,5A; 190MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD13916S; BD13916STU; BD139-16-CDI; BD139-16 JSMICRO TBD13916 JSM
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 200
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BD139-16 BD139-16 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0472188447BF1A6F5005056AB5A8F&compId=BD139-10-STMicroelectronics.pdf?ci_sign=6a8d1aea861bc39a3676cb4f48e95f2306074693 description Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2586 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
199+0.36 EUR
264+0.27 EUR
295+0.24 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
2000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 120
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BD139-16 BD139-16 STMicroelectronics bd139.pdf description Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Trnsistr
auf Bestellung 3133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.94 EUR
10+0.43 EUR
100+0.37 EUR
500+0.28 EUR
1000+0.25 EUR
2000+0.23 EUR
4000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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BD139-16 BD139-16 STMicroelectronics bd139.pdf description Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 17005 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+0.93 EUR
50+0.42 EUR
100+0.37 EUR
500+0.28 EUR
1000+0.25 EUR
2000+0.23 EUR
5000+0.2 EUR
10000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 19
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BD139-16 BD139-16 MULTICOMP PRO 4161949.pdf description Description: MULTICOMP PRO - BD139-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistor NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BD139-16 BD139-16 STMICROELECTRONICS 2307016.pdf description Description: STMICROELECTRONICS - BD139-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, SOT-32, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-32
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1613 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 BD139-16 STMicroelectronics cd0000122.pdf description Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 584045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
372+0.39 EUR
431+0.32 EUR
576+0.23 EUR
1000+0.18 EUR
2000+0.16 EUR
4000+0.13 EUR
10000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 372
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 BD139-16 STMicroelectronics cd0000122.pdf description Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 584079 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
168+0.86 EUR
371+0.38 EUR
431+0.31 EUR
576+0.22 EUR
1000+0.18 EUR
2000+0.15 EUR
4000+0.13 EUR
10000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 168
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13916STU BD13916STU ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBAEC24365A52760C7&compId=BD135_137_139.PDF?ci_sign=ed61a8e0a1d8f9b6d2a5b3d06ee2e35622c013db Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO126ISO
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 712 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+1.06 EUR
142+0.5 EUR
155+0.46 EUR
168+0.43 EUR
181+0.4 EUR
540+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13916STU BD13916STU ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBAEC24365A52760C7&compId=BD135_137_139.PDF?ci_sign=ed61a8e0a1d8f9b6d2a5b3d06ee2e35622c013db Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO126ISO
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 712 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
68+1.06 EUR
142+0.5 EUR
155+0.46 EUR
168+0.43 EUR
181+0.4 EUR
540+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13916STU BD13916STU onsemi BD135%2C137%2C139.pdf Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 14560 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.62 EUR
60+0.72 EUR
120+0.64 EUR
540+0.5 EUR
1020+0.46 EUR
2040+0.42 EUR
5040+0.38 EUR
10020+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13916STU BD13916STU onsemi / Fairchild BD139-D.PDF Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
auf Bestellung 5743 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.42 EUR
10+0.72 EUR
100+0.6 EUR
500+0.47 EUR
1000+0.43 EUR
1920+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13916STU BD13916STU ON Semiconductor bd139-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 1296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
254+0.57 EUR
286+0.49 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 254
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13916STU BD13916STU ON Semiconductor bd139-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 1920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1920+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1920
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13916STU BD13916STU ON Semiconductor bd139-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 1310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
166+0.87 EUR
254+0.55 EUR
286+0.47 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 166
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13916STU BD13916STU ON Semiconductor bd139-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 3159 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1920+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1920
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13916STU BD13916STU ON Semiconductor bd139-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 8450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
286+0.51 EUR
500+0.46 EUR
2000+0.4 EUR
3900+0.37 EUR
5800+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 286
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13916STU BD13916STU ON Semiconductor bd139-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 81875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1215+0.45 EUR
10000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1215
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13916STU BD13916STU ONSEMI ONSM-S-A0013178725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BD13916STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 STMicroelectronics bd139.pdf description Транзистор NPN; Ptot, Вт = 1,25; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; Тип монт. = вивідний; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА; Тексп, °С = -65...+150; SOT-32-3 (TO-126-3)
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16STU On Semiconductor/Fairchild TO-126ISO
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор BD139-16 CDIL Транзистор біполярний NPN TO126 Uceo=80V; Ic=1,5A; Pdmax=12,5W; hfe = 100...250
auf Bestellung 249 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+0.55 EUR
10+0.48 EUR
100+0.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор біполярний BD139-16 1.5A 80V NPN TO-126
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BD139.16 CDIL NPN 1,5A 80V 12,5W 100 < beta < 250 Replacement: BD139-16-CDI; TBD139.16; BD139-16 CDIL TBD13916cd
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
150+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 150
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139.16 CDIL NPN 1,5A 80V 12,5W 100 < beta < 250 Replacement: BD139-16-CDI; TBD139.16; BD139-16 CDIL TBD13916cd
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1130 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
150+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 150
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD140-16 ST bd139.pdf description PNP 1,5A 80V 12,5W BD139-16 BD140-16ST BD140-16 TBD14016
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD140-16 ST bd139.pdf description PNP 1,5A 80V 12,5W BD139-16 BD140-16ST BD140-16 TBD14016
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD140-16 ST bd139.pdf description PNP 1,5A 80V 12,5W BD139-16 BD140-16ST BD140-16 TBD14016
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Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO126
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
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Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO126
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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250+0.29 EUR
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BD140-16 ST bd139.pdf description PNP 1,5A 80V 12,5W BD139-16 BD140-16ST BD140-16 TBD14016
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BD139-16 BD139-16
Produktcode: 152947
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LGE bd139.pdf description Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-32
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
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BD139-16 (транзистор биполярный NPN) BD139-16 (транзистор биполярный NPN)
Produktcode: 182302
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CDIL Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-32
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
ZCODE: THT
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BD139-16STU (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 27206
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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BD139-16 onsemi / Fairchild bd139.pdf description Bipolar Transistors - BJT
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BD139-16 BD139-16 STMicroelectronics cd0000122.pdf description Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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BD13916 onsemi Bipolar Transistors - BJT NPN/1.5A/80V TO-126
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BD13916S BD13916S onsemi BD135%2C137%2C139.pdf Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
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BD13916STU BD13916STU ON Semiconductor bd139-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
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BD139-16 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 32641
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BD139-datasheet.pdf
BD139-16 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: ST
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-32
Uceo,V: 80
Ucbo,V: 80
Ic,A: 01.05.2015
h21: 100
ZCODE: SMD
auf Bestellung 425 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
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10+0.29 EUR
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BD139-16 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0472188447BF1A6F5005056AB5A8F&compId=BD139-10-STMicroelectronics.pdf?ci_sign=6a8d1aea861bc39a3676cb4f48e95f2306074693
BD139-16
Hersteller: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
auf Bestellung 2586 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.6 EUR
199+0.36 EUR
264+0.27 EUR
295+0.24 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
2000+0.15 EUR
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BD139-16 description bd139.pdf
Hersteller: ARK
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW SOT32-3 BD139-16 TBD13916 c
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 550 Stücke:
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150+0.22 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 description bd139.pdf
Hersteller: ST
Transistor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; Replacement: BD140-16; BD139-16ST; BD 139-16; BD139-16 STM; BD139-16 TBD13916
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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100+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 description bd139.pdf
Hersteller: LGE
Tranzystor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD139-16ST; BD139-16/FSC; BD139-16-CDI; BD139-16 TBD13916 LGE
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 description bd139.pdf
Hersteller: ST
Transistor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; Replacement: BD140-16; BD139-16ST; BD 139-16; BD139-16 STM; BD139-16 TBD13916
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 description bd139.pdf
Hersteller: LGE
Tranzystor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD139-16ST; BD139-16/FSC; BD139-16-CDI; BD139-16 TBD13916 LGE
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 description bd139.pdf
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor NPN; 250; 8W; 100V; 1,5A; 190MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD13916S; BD13916STU; BD139-16-CDI; BD139-16 JSMICRO TBD13916 JSM
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 description bd139.pdf
Hersteller: YFW
Transistor NPN; 250; 12,5W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Substitute: BD13916S; BD13916STU; BD139-16-CDI; BD139-16 TO126 YFW TBD13916 YFW
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 description bd139.pdf
Hersteller: ST
Transistor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; Replacement: BD140-16; BD139-16ST; BD 139-16; BD139-16 STM; BD139-16 TBD13916
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 description bd139.pdf
Hersteller: JSMSEMI
Transistor NPN; 250; 8W; 100V; 1,5A; 190MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD13916S; BD13916STU; BD139-16-CDI; BD139-16 JSMICRO TBD13916 JSM
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 200
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BD139-16 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0472188447BF1A6F5005056AB5A8F&compId=BD139-10-STMicroelectronics.pdf?ci_sign=6a8d1aea861bc39a3676cb4f48e95f2306074693
BD139-16
Hersteller: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2586 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.6 EUR
199+0.36 EUR
264+0.27 EUR
295+0.24 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
2000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 120
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BD139-16 description bd139.pdf
BD139-16
Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Trnsistr
auf Bestellung 3133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.94 EUR
10+0.43 EUR
100+0.37 EUR
500+0.28 EUR
1000+0.25 EUR
2000+0.23 EUR
4000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 description bd139.pdf
BD139-16
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 17005 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+0.93 EUR
50+0.42 EUR
100+0.37 EUR
500+0.28 EUR
1000+0.25 EUR
2000+0.23 EUR
5000+0.2 EUR
10000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 description 4161949.pdf
BD139-16
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - BD139-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistor NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 description 2307016.pdf
BD139-16
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - BD139-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, SOT-32, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-32
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1613 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 description cd0000122.pdf
BD139-16
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 584045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
372+0.39 EUR
431+0.32 EUR
576+0.23 EUR
1000+0.18 EUR
2000+0.16 EUR
4000+0.13 EUR
10000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 372
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 description cd0000122.pdf
BD139-16
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 584079 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
168+0.86 EUR
371+0.38 EUR
431+0.31 EUR
576+0.22 EUR
1000+0.18 EUR
2000+0.15 EUR
4000+0.13 EUR
10000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 168
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13916STU pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBAEC24365A52760C7&compId=BD135_137_139.PDF?ci_sign=ed61a8e0a1d8f9b6d2a5b3d06ee2e35622c013db
BD13916STU
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO126ISO
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 712 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
142+0.5 EUR
155+0.46 EUR
168+0.43 EUR
181+0.4 EUR
540+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 68
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BD13916STU pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBAEC24365A52760C7&compId=BD135_137_139.PDF?ci_sign=ed61a8e0a1d8f9b6d2a5b3d06ee2e35622c013db
BD13916STU
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO126ISO
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 712 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
142+0.5 EUR
155+0.46 EUR
168+0.43 EUR
181+0.4 EUR
540+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13916STU BD135%2C137%2C139.pdf
BD13916STU
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 14560 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+1.62 EUR
60+0.72 EUR
120+0.64 EUR
540+0.5 EUR
1020+0.46 EUR
2040+0.42 EUR
5040+0.38 EUR
10020+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13916STU BD139-D.PDF
BD13916STU
Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
auf Bestellung 5743 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.42 EUR
10+0.72 EUR
100+0.6 EUR
500+0.47 EUR
1000+0.43 EUR
1920+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13916STU bd139-d.pdf
BD13916STU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 1296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
254+0.57 EUR
286+0.49 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 254
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BD13916STU bd139-d.pdf
BD13916STU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 1920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1920+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1920
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13916STU bd139-d.pdf
BD13916STU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 1310 Stücke:
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166+0.87 EUR
254+0.55 EUR
286+0.47 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 166
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BD13916STU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
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1920+0.31 EUR
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BD13916STU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
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286+0.51 EUR
500+0.46 EUR
2000+0.4 EUR
3900+0.37 EUR
5800+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 286
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BD13916STU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 81875 Stücke:
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1215+0.45 EUR
10000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1215
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BD13916STU ONSM-S-A0013178725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BD13916STU
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD13916STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BD139-16 description bd139.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Транзистор NPN; Ptot, Вт = 1,25; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; Тип монт. = вивідний; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА; Тексп, °С = -65...+150; SOT-32-3 (TO-126-3)
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BD139-16STU
Hersteller: On Semiconductor/Fairchild
TO-126ISO
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Транзистор BD139-16
Hersteller: CDIL
Транзистор біполярний NPN TO126 Uceo=80V; Ic=1,5A; Pdmax=12,5W; hfe = 100...250
auf Bestellung 249 Stücke:
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1+0.55 EUR
10+0.48 EUR
100+0.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор біполярний BD139-16 1.5A 80V NPN TO-126
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139.16
Hersteller: CDIL
NPN 1,5A 80V 12,5W 100 < beta < 250 Replacement: BD139-16-CDI; TBD139.16; BD139-16 CDIL TBD13916cd
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 10000 Stücke:
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Anzahl Preis
150+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 150
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139.16
Hersteller: CDIL
NPN 1,5A 80V 12,5W 100 < beta < 250 Replacement: BD139-16-CDI; TBD139.16; BD139-16 CDIL TBD13916cd
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1130 Stücke:
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Anzahl Preis
150+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 150
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD140-16 description bd139.pdf
Hersteller: ST
PNP 1,5A 80V 12,5W BD139-16 BD140-16ST BD140-16 TBD14016
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
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Anzahl Preis
50+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD140-16 description bd139.pdf
Hersteller: ST
PNP 1,5A 80V 12,5W BD139-16 BD140-16ST BD140-16 TBD14016
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Anzahl Preis
100+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD140-16 description bd139.pdf
Hersteller: ST
PNP 1,5A 80V 12,5W BD139-16 BD140-16ST BD140-16 TBD14016
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
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50+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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TBD139.16 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE889D3EDF1CFBF13D1&compId=BD135_39.pdf?ci_sign=c851ede2e3c80379d748eb0bac4e1674d2059334
TBD139.16
Hersteller: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO126
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
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250+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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TBD139.16 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE889D3EDF1CFBF13D1&compId=BD135_39.pdf?ci_sign=c851ede2e3c80379d748eb0bac4e1674d2059334
TBD139.16
Hersteller: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO126
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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Anzahl Preis
250+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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BD140-16 description bd139.pdf
Hersteller: ST
PNP 1,5A 80V 12,5W BD139-16 BD140-16ST BD140-16 TBD14016
auf Bestellung 1000 Stücke:
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BD139-16
Produktcode: 152947
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description bd139.pdf
BD139-16
Hersteller: LGE
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-32
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
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BD139-16 (транзистор биполярный NPN)
Produktcode: 182302
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BD139-16 (транзистор биполярный NPN)
Hersteller: CDIL
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-32
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
ZCODE: THT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16STU (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 27206
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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BD139-16 description bd139.pdf
Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT
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BD139-16 description cd0000122.pdf
BD139-16
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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BD13916
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN/1.5A/80V TO-126
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BD13916S BD135%2C137%2C139.pdf
BD13916S
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
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BD13916STU bd139-d.pdf
BD13916STU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
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