Hersteller: ST
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-32
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 80 V
Kollektorstrom Ic, A: 1,5 A
Stromverstärkung h21: 100
Montage: SMD

Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; TO126
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Case: TO126
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Frequency: 50MHz

Hersteller: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz

Hersteller: LGE
Tranzystor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD139-16ST; BD139-16/FSC; BD139-16-CDI; BD139-16 TBD13916 LGE
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

Hersteller: LGE
Tranzystor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD139-16ST; BD139-16/FSC; BD139-16-CDI; BD139-16 TBD13916 LGE
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor NPN; 250; 8W; 100V; 1,5A; 190MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD13916S; BD13916STU; BD139-16-CDI; BD139-16 JSMICRO TBD13916 JSM
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

Hersteller: YFW
Transistor NPN; 250; 12,5W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Substitute: BD13916S; BD13916STU; BD139-16-CDI; BD139-16 TO126 YFW TBD13916 YFW
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

Hersteller: ST
Transistor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; Replacement: BD140-16; BD139-16ST; BD 139-16; BD139-16 STM; BD139-16 TBD13916
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

Hersteller: JSMSEMI
Transistor NPN; 250; 8W; 100V; 1,5A; 190MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD13916S; BD13916STU; BD139-16-CDI; BD139-16 JSMICRO TBD13916 JSM
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

Hersteller: ARK
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW SOT32-3 BD139-16 TBD13916 c
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

Hersteller: ST
Transistor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; Replacement: BD140-16; BD139-16ST; BD 139-16; BD139-16 STM; BD139-16 TBD13916
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

Hersteller: LGE
Tranzystor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD139-16ST; BD139-16/FSC; BD139-16-CDI; BD139-16 TBD13916 LGE
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

Hersteller: ST
Transistor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; Replacement: BD140-16; BD139-16ST; BD 139-16; BD139-16 STM; BD139-16 TBD13916
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W

Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Trnsistr

Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - BD139-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, SOT-32, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-32
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C

Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube

Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube

Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - BD139-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistor NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C

Hersteller: ONS/FAI
TO-126ISO Транзистори

Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil

Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO126ISO
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Kind of package: tube

Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W

Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil

Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube

Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube

Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD13916STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C

Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube

Hersteller: HT SEMI
Tranzystor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD140-16; BD139-16ST; BD 139-16; BD139-16 STM; BD139-16 TO126 HT SEMI TBD13916 HTSEMI
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

Hersteller: CDIL
NPN 1,5A 80V 12,5W 100 < beta < 250 Replacement: BD139-16-CDI; TBD139.16; BD139-16 CDIL TBD13916cd
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

Hersteller: ST
PNP 1,5A 80V 12,5W BD139-16 BD140-16ST BD140-16 TBD14016
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

Hersteller: ST
PNP 1,5A 80V 12,5W BD139-16 BD140-16ST BD140-16 TBD14016
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

Hersteller: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO126
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Kind of package: tube

Hersteller: LGE
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-32
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 80 В
Kollektorstrom Ic, A: 1,5 А

Hersteller: CDIL
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-32
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 80 В
Kollektorstrom Ic, A: 1,5 А
Montage: THT

Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube

Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN/1.5A/80V TO-126

Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W

Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube

Hersteller: STMicroelectronics
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,25, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, Тип монт. = вивідний, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-32-3 (TO-126-3) Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

Hersteller: LGE
NPN, bipolar, 80V, 1.5A, TO126 Транзистори

Hersteller: STM
TO-126 Транзистори

Hersteller: ONS/FAI
TO-126 Транзистори

Hersteller: CDIL
BD139-16-CDI BD139-16 NPN, bipolar, 80V, 1.5A, 12.5W, TO126 Транзистори

Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Транзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, hFE = 250 @ 150 мА, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 12,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний, ізольований,... Транзистори Корпус: TO-126ISO Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 60 Stücke

Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Транзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, hFE = 100 @ 15 мА, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 500 @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 1,25, Тексп, °C = -55,,,+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-126-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 60 Stücke

Hersteller: CDIL
Транзистор біполярний NPN TO126 Uceo=80V; Ic=1,5A; Pdmax=12,5W; hfe = 100...250 Транзистори біполярні

Hersteller: STM
Транз. Біпол. МП NPN SOT32 Uceo=80V; Ic=1,5A; Pdmax=12,5W; hfemin=25 Транзистори біполярні