Suchergebnisse für "FU9024" : 30
Art der Ansicht :
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFU9024PBF Produktcode: 49504
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Vishay |
![]() Gehäuse: TO-252 Uds,V: 60 Id,A: 8.8 Rds(on),Om: 10 Ciss, pF/Qg, nC: 570/19 /: THT |
auf Bestellung 280 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||
FU9024 | IR |
auf Bestellung 52000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FU9024N | IR |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IRFU9024N | Siliconix |
![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
IRFU9024N IRFU9024 | Siliconix |
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 280mOhm; 8,8A; 42W; -55°C ~ 150°C; IRFU9024 TIRFU9024 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRFU9024NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -11A Power dissipation: 38W Case: IPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.175Ω Mounting: THT Gate charge: 12.7nC Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1725 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFU9024NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -11A Power dissipation: 38W Case: IPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.175Ω Mounting: THT Gate charge: 12.7nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1725 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFU9024NPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
auf Bestellung 5421 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFU9024NPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
auf Bestellung 10193 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
IRFU9024NPBF | International Rectifier/Infineon |
![]() ![]() |
auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRFU9024PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -5.6A Power dissipation: 42W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 511 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFU9024PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -5.6A Power dissipation: 42W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 511 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFU9024PBF | Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2979 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFU9024PBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
auf Bestellung 3173 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
IRFU9024AOU413 | AO |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IRFU9024N | International Rectifier |
![]() ![]() |
auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IRFU9024N | IR |
![]() ![]() |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IRFU9024N | IR |
![]() ![]() |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IRFU9024PBF |
![]() |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
SFU9024 |
auf Bestellung 4543 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
SFU9024TU | FSC |
![]() |
auf Bestellung 10080 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
![]() |
IRFU9024N Produktcode: 28049
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() ![]() |
Produkt ist nicht verfügbar
|
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
![]() |
IRFU9024NPBF Produktcode: 31708
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
IR |
![]() ![]() Gehäuse: I-Pak Uds,V: 55 Id,A: 11 Rds(on),Om: 0.175 Ciss, pF/Qg, nC: 350/19 /: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|
||||||||||||||
![]() |
IRFU9024PBF Produktcode: 195135
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
JSMICRO |
![]() Gehäuse: TO-251 Uds,V: 60 V Id,A: 8,8 A Rds(on),Om: 0,28 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 570/19 /: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
|
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
660-083-NFU902-4 | Glenair |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
![]() |
IRFU9024 | Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
![]() |
IRFU9024N | Infineon Technologies |
![]() ![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
![]() |
SIHFU9024-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
IRFU9024PBF Produktcode: 49504
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Vishay
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-252
Uds,V: 60
Id,A: 8.8
Rds(on),Om: 10
Ciss, pF/Qg, nC: 570/19
/: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-252
Uds,V: 60
Id,A: 8.8
Rds(on),Om: 10
Ciss, pF/Qg, nC: 570/19
/: THT
auf Bestellung 280 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.57 EUR |
FU9024 |
Hersteller: IR
auf Bestellung 52000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FU9024N |
Hersteller: IR
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFU9024N | ![]() |
![]() |
Hersteller: Siliconix
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 280mOhm; 8,8A; 42W; -55°C ~ 150°C; IRFU9024 TIRFU9024
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 280mOhm; 8,8A; 42W; -55°C ~ 150°C; IRFU9024 TIRFU9024
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 0.96 EUR |
IRFU9024N IRFU9024 |
Hersteller: Siliconix
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 280mOhm; 8,8A; 42W; -55°C ~ 150°C; IRFU9024 TIRFU9024
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 280mOhm; 8,8A; 42W; -55°C ~ 150°C; IRFU9024 TIRFU9024
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
25+ | 1.23 EUR |
IRFU9024NPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
81+ | 0.89 EUR |
97+ | 0.74 EUR |
196+ | 0.37 EUR |
207+ | 0.35 EUR |
IRFU9024NPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1725 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
81+ | 0.89 EUR |
97+ | 0.74 EUR |
196+ | 0.37 EUR |
207+ | 0.35 EUR |
10050+ | 0.34 EUR |
IRFU9024NPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 11A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 55V 11A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 5421 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 2.31 EUR |
75+ | 1.01 EUR |
150+ | 0.90 EUR |
525+ | 0.75 EUR |
1050+ | 0.68 EUR |
2025+ | 0.62 EUR |
5025+ | 0.56 EUR |
IRFU9024NPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT P-Ch -55V -11A 175mOhm 12.7nC
MOSFETs MOSFT P-Ch -55V -11A 175mOhm 12.7nC
auf Bestellung 10193 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 0.97 EUR |
10+ | 0.83 EUR |
100+ | 0.74 EUR |
500+ | 0.69 EUR |
1000+ | 0.62 EUR |
3000+ | 0.55 EUR |
6000+ | 0.54 EUR |
IRFU9024NPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 11 А; Ptot, Вт = 38; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25; Qg, нКл = 19 @ 10 В; Rds = 175 мОм @ 6,6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; I-PAK
P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 11 А; Ptot, Вт = 38; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25; Qg, нКл = 19 @ 10 В; Rds = 175 мОм @ 6,6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; I-PAK
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 2.60 EUR |
10+ | 2.24 EUR |
100+ | 1.97 EUR |
IRFU9024PBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 511 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
38+ | 1.92 EUR |
75+ | 0.96 EUR |
186+ | 0.38 EUR |
197+ | 0.36 EUR |
IRFU9024PBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 511 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
38+ | 1.92 EUR |
75+ | 0.96 EUR |
186+ | 0.38 EUR |
197+ | 0.36 EUR |
IRFU9024PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 8.8A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 60V 8.8A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
auf Bestellung 2979 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 4.42 EUR |
75+ | 2.04 EUR |
150+ | 1.84 EUR |
525+ | 1.56 EUR |
1050+ | 1.44 EUR |
2025+ | 1.34 EUR |
IRFU9024PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs P-Chan 60V 8.8 Amp
MOSFETs P-Chan 60V 8.8 Amp
auf Bestellung 3173 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.78 EUR |
10+ | 1.65 EUR |
100+ | 1.41 EUR |
500+ | 1.25 EUR |
1000+ | 1.20 EUR |
IRFU9024AOU413 |
Hersteller: AO
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFU9024N | ![]() |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET -55V -11A 38W HEXFET IRFU9024N TIRFU9024n
P-MOSFET -55V -11A 38W HEXFET IRFU9024N TIRFU9024n
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFU9024N | ![]() |
![]() |
Hersteller: IR
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFU9024N | ![]() |
![]() |
Hersteller: IR
TO251 10+
TO251 10+
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFU9024PBF |
![]() |
IRFU9024PBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SFU9024TU |
![]() |
Hersteller: FSC
auf Bestellung 10080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFU9024N Produktcode: 28049
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFU9024NPBF Produktcode: 31708
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 55
Id,A: 11
Rds(on),Om: 0.175
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
/: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 55
Id,A: 11
Rds(on),Om: 0.175
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
/: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.53 EUR |
IRFU9024PBF Produktcode: 195135
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: JSMICRO
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-251
Uds,V: 60 V
Id,A: 8,8 A
Rds(on),Om: 0,28 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 570/19
/: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-251
Uds,V: 60 V
Id,A: 8,8 A
Rds(on),Om: 0,28 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 570/19
/: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
660-083-NFU902-4 |
![]() |
Hersteller: Glenair
Circular MIL Spec Tools, Hardware & Accessories 26+ start 3 weeks AOC
Circular MIL Spec Tools, Hardware & Accessories 26+ start 3 weeks AOC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFU9024 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 8.8A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 60V 8.8A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFU9024N | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 11A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 55V 11A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIHFU9024-GE3 |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs
MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH