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IRFU9024PBF IRFU9024PBF
Produktcode: 49504
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Vishay sihfr902.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-252
Uds,V: 60
Id,A: 8.8
Rds(on),Om: 10
Ciss, pF/Qg, nC: 570/19
/: THT
auf Bestellung 280 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FU9024 IR
auf Bestellung 52000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FU9024N IR
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024N Siliconix IRFR%2CU9024N.pdf description Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 280mOhm; 8,8A; 42W; -55°C ~ 150°C; IRFU9024 TIRFU9024
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024N IRFU9024 Siliconix Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 280mOhm; 8,8A; 42W; -55°C ~ 150°C; IRFU9024 TIRFU9024
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024NPBF IRFU9024NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr9024n.pdf description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+0.89 EUR
97+0.74 EUR
196+0.37 EUR
207+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024NPBF IRFU9024NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr9024n.pdf description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1725 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
81+0.89 EUR
97+0.74 EUR
196+0.37 EUR
207+0.35 EUR
10050+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024NPBF IRFU9024NPBF Infineon Technologies irfr9024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635f91d2132 description Description: MOSFET P-CH 55V 11A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 5421 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.31 EUR
75+1.01 EUR
150+0.90 EUR
525+0.75 EUR
1050+0.68 EUR
2025+0.62 EUR
5025+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024NPBF IRFU9024NPBF Infineon Technologies Infineon_IRFR9024N_DataSheet_v01_01_EN-3363169.pdf description MOSFETs MOSFT P-Ch -55V -11A 175mOhm 12.7nC
auf Bestellung 10193 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+0.97 EUR
10+0.83 EUR
100+0.74 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.62 EUR
3000+0.55 EUR
6000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024NPBF International Rectifier/Infineon irfr9024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635f91d2132 description P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 11 А; Ptot, Вт = 38; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25; Qg, нКл = 19 @ 10 В; Rds = 175 мОм @ 6,6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; I-PAK
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+2.60 EUR
10+2.24 EUR
100+1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024PBF IRFU9024PBF VISHAY IRFU9024PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 511 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+1.92 EUR
75+0.96 EUR
186+0.38 EUR
197+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024PBF IRFU9024PBF VISHAY IRFU9024PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 511 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.92 EUR
75+0.96 EUR
186+0.38 EUR
197+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024PBF IRFU9024PBF Vishay Siliconix sihfr902.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 8.8A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
auf Bestellung 2979 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.42 EUR
75+2.04 EUR
150+1.84 EUR
525+1.56 EUR
1050+1.44 EUR
2025+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024PBF IRFU9024PBF Vishay Semiconductors sihfr902.pdf MOSFETs P-Chan 60V 8.8 Amp
auf Bestellung 3173 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.78 EUR
10+1.65 EUR
100+1.41 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.20 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024AOU413 AO
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024N International Rectifier IRFR%2CU9024N.pdf description P-MOSFET -55V -11A 38W HEXFET IRFU9024N TIRFU9024n
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024N IR IRFR%2CU9024N.pdf description
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024N IR IRFR%2CU9024N.pdf description TO251 10+
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024PBF sihfr902.pdf IRFU9024PBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SFU9024
auf Bestellung 4543 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SFU9024TU FSC FAIRS20470-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
auf Bestellung 10080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024N IRFU9024N
Produktcode: 28049
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IRFR%2CU9024N.pdf description Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024NPBF IRFU9024NPBF
Produktcode: 31708
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IR irfr9024npbf.pdf description Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 55
Id,A: 11
Rds(on),Om: 0.175
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
/: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024PBF IRFU9024PBF
Produktcode: 195135
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JSMICRO sihfr902.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-251
Uds,V: 60 V
Id,A: 8,8 A
Rds(on),Om: 0,28 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 570/19
/: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
660-083-NFU902-4 Glenair 660_082_and_660_083-1665020.pdf Circular MIL Spec Tools, Hardware & Accessories 26+ start 3 weeks AOC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024 IRFU9024 Vishay Siliconix sihfr902.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 8.8A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024N IRFU9024N Infineon Technologies IRFR%2CU9024N.pdf description Description: MOSFET P-CH 55V 11A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFU9024-GE3 SIHFU9024-GE3 Vishay / Siliconix MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024PBF
Produktcode: 49504
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

sihfr902.pdf
IRFU9024PBF
Hersteller: Vishay
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-252
Uds,V: 60
Id,A: 8.8
Rds(on),Om: 10
Ciss, pF/Qg, nC: 570/19
/: THT
auf Bestellung 280 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FU9024
Hersteller: IR
auf Bestellung 52000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FU9024N
Hersteller: IR
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024N description IRFR%2CU9024N.pdf
Hersteller: Siliconix
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 280mOhm; 8,8A; 42W; -55°C ~ 150°C; IRFU9024 TIRFU9024
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024N IRFU9024
Hersteller: Siliconix
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 280mOhm; 8,8A; 42W; -55°C ~ 150°C; IRFU9024 TIRFU9024
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024NPBF description irfr9024n.pdf
IRFU9024NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
81+0.89 EUR
97+0.74 EUR
196+0.37 EUR
207+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024NPBF description irfr9024n.pdf
IRFU9024NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1725 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
81+0.89 EUR
97+0.74 EUR
196+0.37 EUR
207+0.35 EUR
10050+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024NPBF description irfr9024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635f91d2132
IRFU9024NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 11A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 5421 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.31 EUR
75+1.01 EUR
150+0.90 EUR
525+0.75 EUR
1050+0.68 EUR
2025+0.62 EUR
5025+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024NPBF description Infineon_IRFR9024N_DataSheet_v01_01_EN-3363169.pdf
IRFU9024NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT P-Ch -55V -11A 175mOhm 12.7nC
auf Bestellung 10193 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+0.97 EUR
10+0.83 EUR
100+0.74 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.62 EUR
3000+0.55 EUR
6000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024NPBF description irfr9024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635f91d2132
Hersteller: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 11 А; Ptot, Вт = 38; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25; Qg, нКл = 19 @ 10 В; Rds = 175 мОм @ 6,6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; I-PAK
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3+2.60 EUR
10+2.24 EUR
100+1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024PBF IRFU9024PBF.pdf
IRFU9024PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 511 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.92 EUR
75+0.96 EUR
186+0.38 EUR
197+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024PBF IRFU9024PBF.pdf
IRFU9024PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 511 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.92 EUR
75+0.96 EUR
186+0.38 EUR
197+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 38
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IRFU9024PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 8.8A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
auf Bestellung 2979 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+4.42 EUR
75+2.04 EUR
150+1.84 EUR
525+1.56 EUR
1050+1.44 EUR
2025+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IRFU9024PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs P-Chan 60V 8.8 Amp
auf Bestellung 3173 Stücke:
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Anzahl Preis
2+2.78 EUR
10+1.65 EUR
100+1.41 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.20 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IRFU9024AOU413
Hersteller: AO
auf Bestellung 5000 Stücke:
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Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET -55V -11A 38W HEXFET IRFU9024N TIRFU9024n
auf Bestellung 75 Stücke:
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Hersteller: IR
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Hersteller: IR
TO251 10+
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IRFU9024PBF Транзисторы HEXFET
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SFU9024
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SFU9024TU FAIRS20470-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: FSC
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IRFU9024N
Produktcode: 28049
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IRFU9024N
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IRFU9024NPBF
Produktcode: 31708
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IRFU9024NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 55
Id,A: 11
Rds(on),Om: 0.175
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
/: THT
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1+0.53 EUR
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IRFU9024PBF
Produktcode: 195135
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IRFU9024PBF
Hersteller: JSMICRO
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-251
Uds,V: 60 V
Id,A: 8,8 A
Rds(on),Om: 0,28 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 570/19
/: THT
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660-083-NFU902-4 660_082_and_660_083-1665020.pdf
Hersteller: Glenair
Circular MIL Spec Tools, Hardware & Accessories 26+ start 3 weeks AOC
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IRFU9024 sihfr902.pdf
IRFU9024
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 8.8A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
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IRFU9024N
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 11A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
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SIHFU9024-GE3
SIHFU9024-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs
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