Suchergebnisse für "IRF3808" : 10
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Stück im Wert von UAH
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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IRF3808PBF Produktcode: 33009
1
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Lieblingsprodukt
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IR |
  Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 V Drain-Strom Idd, A: 140 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,007 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5310/150 Montage: THT |
auf Bestellung: 12 St.
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| IRF3808-ML | MOSLEADER |
Transistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 4.5mOhm; 130A; 192W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3808; SP001563250; IRF3808-ML MOSLEADER TIRF3808 MOS Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF3808/PBF | IR |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| IRF3808L | IR | TO-262 |
auf Bestellung 1349 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| Транзистор польовий IRF3808PBF 140A 75V N-ch TO-220 |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3808S Produktcode: 48224
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Transistoren > MOSFET N-CH ZCODE: 8541290090 |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF3808SPBF Produktcode: 129658
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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IRF3808STRLPBF Produktcode: 148871
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Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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| IRF3808PBF | International Rectifier |
TO220 Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
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Транзистор польовий IRF3808SPBF Infineon | Infineon | Транз. Пол. ВП N-HEXFET D2PAK Udss=75V; Id=140A; Pdmax=330W; Rds=0,007 Ohm Транзистори польові |
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| IRF3808PBF Produktcode: 33009
1
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 V
Drain-Strom Idd, A: 140 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,007 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5310/150
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 V
Drain-Strom Idd, A: 140 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,007 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5310/150
Montage: THT
auf Bestellung: 12 St.
- 12 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.9 EUR |
| 10+ | 2.67 EUR |
| IRF3808-ML |
Hersteller: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 4.5mOhm; 130A; 192W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3808; SP001563250; IRF3808-ML MOSLEADER TIRF3808 MOS
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 4.5mOhm; 130A; 192W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3808; SP001563250; IRF3808-ML MOSLEADER TIRF3808 MOS
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 2.99 EUR |
| IRF3808/PBF |
Hersteller: IR
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| IRF3808L |
Hersteller: IR
TO-262
TO-262
auf Bestellung 1349 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Транзистор польовий IRF3808PBF 140A 75V N-ch TO-220 |
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRF3808S Produktcode: 48224
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| IRF3808SPBF Produktcode: 129658
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| IRF3808STRLPBF Produktcode: 148871
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| IRF3808PBF |
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Hersteller: International Rectifier
TO220 Транзистори
TO220 Транзистори
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| Транзистор польовий IRF3808SPBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ВП N-HEXFET D2PAK Udss=75V; Id=140A; Pdmax=330W; Rds=0,007 Ohm Транзистори польові
Транз. Пол. ВП N-HEXFET D2PAK Udss=75V; Id=140A; Pdmax=330W; Rds=0,007 Ohm Транзистори польові
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