Suchergebnisse für "IRF3808" : 43

Art der Ansicht :
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRF3808PBF IRF3808PBF
Produktcode: 33009
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

IR irf3808pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dff39e196a description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 75
Idd,A: 140
Rds(on), Ohm: 01.07.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 5310/150
JHGF: THT
auf Bestellung 61 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 4.5mOhm; 130A; 192W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3808; SP001563250; IRF3808-ML MOSLEADER TIRF3808 MOS
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.47 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBF IRF3808PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AE8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3808.pdf?ci_sign=9b75e9d1b7ae4216cd6e064857a08cfc6f4e1820 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+3.66 EUR
33+2.19 EUR
51+1.42 EUR
54+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBF IRF3808PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AE8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3808.pdf?ci_sign=9b75e9d1b7ae4216cd6e064857a08cfc6f4e1820 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.66 EUR
33+2.19 EUR
51+1.42 EUR
54+1.34 EUR
1000+1.3 EUR
1250+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBF IRF3808PBF Infineon Technologies irf3808pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dff39e196a description Description: MOSFET N-CH 75V 140A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 763 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5 EUR
50+2.51 EUR
100+2.27 EUR
500+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBF International Rectifier HiRel Products irf3808pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dff39e196a description Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
202+2.69 EUR
500+2.33 EUR
1000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 202
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBF IRF3808PBF Infineon Technologies infineonirf3808datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5054 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+4.46 EUR
68+2.07 EUR
100+1.77 EUR
500+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBF IRF3808PBF Infineon Technologies infineonirf3808datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5048 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+4.46 EUR
68+2.07 EUR
100+1.77 EUR
500+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBF IRF3808PBF Infineon Technologies infineonirf3808datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
202+2.69 EUR
500+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 202
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBF IRF3808PBF INFINEON 2043044.pdf description Description: INFINEON - IRF3808PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 140 A, 7000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 701 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBF IRF3808PBF Infineon Technologies infineonirf3808datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
202+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 202
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.05 EUR
23+3.22 EUR
43+1.69 EUR
45+1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 474 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.05 EUR
23+3.22 EUR
43+1.69 EUR
45+1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Infineon Technologies Infineon-IRF3808S-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 75V 105A 7mOhm 150nC
auf Bestellung 1110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.83 EUR
10+3.96 EUR
100+2.8 EUR
800+2.25 EUR
2400+2.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Infineon Technologies irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Description: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 463 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.81 EUR
10+3.94 EUR
100+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF INFINEON 1915327.pdf Description: INFINEON - IRF3808STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 106 A, 7000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2969 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Infineon Technologies infineonirf3808sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 476 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+2.07 EUR
71+1.97 EUR
72+1.87 EUR
100+1.77 EUR
250+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF INFINEON 1915327.pdf Description: INFINEON - IRF3808STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 106 A, 7000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2969 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Infineon Technologies infineonirf3808sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 476 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+2.07 EUR
71+1.97 EUR
72+1.87 EUR
100+1.77 EUR
250+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Infineon Technologies infineonirf3808sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Infineon Technologies infineonirf3808sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808/PBF IR
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808L IR TO-262
auf Bestellung 1349 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808SPBF International Rectifier Corporation irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc MOSFET N-CH, Udss=75V, Id=106A, D2PAK, -55 to + 175
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF3808 AUIRF3808 International Rectifier IRSDS12029-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1792 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
159+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 159
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор польовий IRF3808PBF 140A 75V N-ch TO-220
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407STRLPBF IRF1407STRLPBF Infineon Technologies Infineon_irf1407spbf_DS_v01_02_EN.pdf MOSFETs MOSFT 75V 100A 7.8mOhm 160nC
auf Bestellung 1218 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.47 EUR
10+2.43 EUR
100+1.78 EUR
800+1.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808S
Produktcode: 48224
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH
ZCODE: 8541290090
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808SPBF
Produktcode: 129658
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBF
Produktcode: 148871
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808LPBF IRF3808LPBF Infineon Technologies irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Description: MOSFET N-CH 75V 106A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBF IRF3808PBF Infineon Technologies infineonirf3808datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBF IRF3808PBF Infineon Technologies infineonirf3808datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBF IRF3808PBF Infineon Technologies Infineon_IRF3808_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 75V 140A 7mOhm 150nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808SPBF IRF3808SPBF Infineon Technologies irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Description: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Infineon Technologies irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Description: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Infineon Technologies infineonirf3808sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc IRF3808STRRPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRRPBF IRF3808STRRPBF Infineon Technologies irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Description: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF3808S AUIRF3808S Infineon Technologies AUIRF3808S.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBF
Produktcode: 33009
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

description irf3808pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dff39e196a
IRF3808PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 75
Idd,A: 140
Rds(on), Ohm: 01.07.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 5310/150
JHGF: THT
auf Bestellung 61 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808-ML
Hersteller: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 4.5mOhm; 130A; 192W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3808; SP001563250; IRF3808-ML MOSLEADER TIRF3808 MOS
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.47 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AE8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3808.pdf?ci_sign=9b75e9d1b7ae4216cd6e064857a08cfc6f4e1820
IRF3808PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.66 EUR
33+2.19 EUR
51+1.42 EUR
54+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AE8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3808.pdf?ci_sign=9b75e9d1b7ae4216cd6e064857a08cfc6f4e1820
IRF3808PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.66 EUR
33+2.19 EUR
51+1.42 EUR
54+1.34 EUR
1000+1.3 EUR
1250+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBF description irf3808pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dff39e196a
IRF3808PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 140A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 763 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5 EUR
50+2.51 EUR
100+2.27 EUR
500+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBF description irf3808pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dff39e196a
Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
202+2.69 EUR
500+2.33 EUR
1000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 202
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBF description infineonirf3808datasheetv0101en.pdf
IRF3808PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5054 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
33+4.46 EUR
68+2.07 EUR
100+1.77 EUR
500+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBF description infineonirf3808datasheetv0101en.pdf
IRF3808PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5048 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
33+4.46 EUR
68+2.07 EUR
100+1.77 EUR
500+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBF description infineonirf3808datasheetv0101en.pdf
IRF3808PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
202+2.69 EUR
500+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 202
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBF description 2043044.pdf
IRF3808PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3808PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 140 A, 7000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 701 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBF description infineonirf3808datasheetv0101en.pdf
IRF3808PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
202+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 202
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBF irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
IRF3808STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.05 EUR
23+3.22 EUR
43+1.69 EUR
45+1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBF irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
IRF3808STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 474 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.05 EUR
23+3.22 EUR
43+1.69 EUR
45+1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBF Infineon-IRF3808S-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF3808STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 105A 7mOhm 150nC
auf Bestellung 1110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.83 EUR
10+3.96 EUR
100+2.8 EUR
800+2.25 EUR
2400+2.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBF irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
IRF3808STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 463 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.81 EUR
10+3.94 EUR
100+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBF 1915327.pdf
IRF3808STRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3808STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 106 A, 7000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2969 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBF infineonirf3808sdatasheeten.pdf
IRF3808STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 476 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
70+2.07 EUR
71+1.97 EUR
72+1.87 EUR
100+1.77 EUR
250+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBF 1915327.pdf
IRF3808STRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3808STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 106 A, 7000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2969 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBF infineonirf3808sdatasheeten.pdf
IRF3808STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 476 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
70+2.07 EUR
71+1.97 EUR
72+1.87 EUR
100+1.77 EUR
250+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBF infineonirf3808sdatasheeten.pdf
IRF3808STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBF infineonirf3808sdatasheeten.pdf
IRF3808STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808/PBF
Hersteller: IR
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808L
Hersteller: IR
TO-262
auf Bestellung 1349 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808SPBF irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
Hersteller: International Rectifier Corporation
MOSFET N-CH, Udss=75V, Id=106A, D2PAK, -55 to + 175
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF3808 IRSDS12029-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRF3808
Hersteller: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1792 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
159+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 159
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор польовий IRF3808PBF 140A 75V N-ch TO-220
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407STRLPBF Infineon_irf1407spbf_DS_v01_02_EN.pdf
IRF1407STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 100A 7.8mOhm 160nC
auf Bestellung 1218 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.47 EUR
10+2.43 EUR
100+1.78 EUR
800+1.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808S
Produktcode: 48224
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH
ZCODE: 8541290090
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808SPBF
Produktcode: 129658
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBF
Produktcode: 148871
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808LPBF irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
IRF3808LPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 106A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBF description infineonirf3808datasheetv0101en.pdf
IRF3808PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBF description infineonirf3808datasheetv0101en.pdf
IRF3808PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBF description Infineon_IRF3808_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF3808PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 140A 7mOhm 150nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808SPBF irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
IRF3808SPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBF irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
IRF3808STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBF infineonirf3808sdatasheeten.pdf
IRF3808STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRRPBF irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF3808STRRPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRRPBF irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
IRF3808STRRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF3808S AUIRF3808S.pdf
AUIRF3808S
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH