Suchergebnisse für "IRF3808" : 38
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRF3808PBF Produktcode: 33009
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Lieblingsprodukt
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IR |
![]() ![]() Gehäuse: TO-220 Uds,V: 75 Idd,A: 140 Rds(on), Ohm: 01.07.2000 Ciss, pF/Qg, nC: 5310/150 JHGF: THT |
auf Bestellung 71 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF3808-ML | MOSLEADER |
Transistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 4.5mOhm; 130A; 192W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3808; SP001563250; IRF3808-ML MOSLEADER TIRF3808 MOS Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF3808PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 140A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Gate charge: 150nC |
auf Bestellung 481 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3808PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 140A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Gate charge: 150nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 481 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF3808PBF | International Rectifier HiRel Products |
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auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3808PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 730 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3808PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3808PBF | INFINEON |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 140A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 701 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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IRF3808PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 5254 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3808PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 5054 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3808PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3808STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 75A Pulsed drain current: 550A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 474 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3808STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 75A Pulsed drain current: 550A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 474 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF3808STRLPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1150 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF3808STRLPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3808STRLPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 11200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3808STRLPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3808STRLPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 476 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3808STRLPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 106A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2976 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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IRF3808STRLPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 7200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3808STRLPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 795 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3808STRLPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 476 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3808STRLPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 106A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2976 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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IRF3808STRLPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 11200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3808/PBF | IR |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
IRF3808L | IR | TO-262 |
auf Bestellung 1349 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
IRF3808STRLPBF | International Rectifier Corporation |
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auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
Транзистор польовий IRF3808PBF 140A 75V N-ch TO-220 |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
IRF3808S Produktcode: 48224
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Lieblingsprodukt
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Transistoren > MOSFET N-CH ZCODE: 8541290090 |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
IRF3808SPBF Produktcode: 129658
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Lieblingsprodukt
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Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
IRF3808STRLPBF Produktcode: 148871
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Lieblingsprodukt
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Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRF3808PBF | Infineon Technologies |
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IRF3808PBF | Infineon Technologies |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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IRF3808PBF | Infineon Technologies |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
IRF3808STRRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
IRF3808PBF Produktcode: 33009
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 75
Idd,A: 140
Rds(on), Ohm: 01.07.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 5310/150
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 75
Idd,A: 140
Rds(on), Ohm: 01.07.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 5310/150
JHGF: THT
auf Bestellung 71 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 1.68 EUR |
IRF3808-ML |
Hersteller: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 4.5mOhm; 130A; 192W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3808; SP001563250; IRF3808-ML MOSLEADER TIRF3808 MOS
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 4.5mOhm; 130A; 192W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3808; SP001563250; IRF3808-ML MOSLEADER TIRF3808 MOS
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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20+ | 2.45 EUR |
IRF3808PBF | ![]() |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
auf Bestellung 481 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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21+ | 3.49 EUR |
24+ | 3.02 EUR |
51+ | 1.42 EUR |
54+ | 1.34 EUR |
IRF3808PBF | ![]() |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 481 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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21+ | 3.49 EUR |
24+ | 3.02 EUR |
51+ | 1.42 EUR |
54+ | 1.34 EUR |
1000+ | 1.33 EUR |
IRF3808PBF | ![]() |
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Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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202+ | 2.66 EUR |
500+ | 2.31 EUR |
1000+ | 2.06 EUR |
IRF3808PBF | ![]() |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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86+ | 1.67 EUR |
IRF3808PBF | ![]() |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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202+ | 2.66 EUR |
IRF3808PBF | ![]() |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3808PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 140 A, 0.007 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF3808PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 140 A, 0.007 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 701 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF3808PBF | ![]() |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5254 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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34+ | 4.25 EUR |
63+ | 2.2 EUR |
100+ | 1.99 EUR |
500+ | 0.99 EUR |
IRF3808PBF | ![]() |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5054 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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33+ | 4.43 EUR |
67+ | 2.06 EUR |
100+ | 1.76 EUR |
500+ | 1 EUR |
IRF3808PBF | ![]() |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
202+ | 2.66 EUR |
500+ | 2.31 EUR |
IRF3808STRLPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
19+ | 3.95 EUR |
23+ | 3.12 EUR |
43+ | 1.69 EUR |
45+ | 1.6 EUR |
IRF3808STRLPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 474 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
19+ | 3.95 EUR |
23+ | 3.12 EUR |
43+ | 1.69 EUR |
45+ | 1.6 EUR |
800+ | 1.59 EUR |
IRF3808STRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 105A 7mOhm 150nC
MOSFETs MOSFT 75V 105A 7mOhm 150nC
auf Bestellung 1150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 5.74 EUR |
10+ | 3.96 EUR |
100+ | 2.8 EUR |
800+ | 2.25 EUR |
2400+ | 2.15 EUR |
IRF3808STRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
800+ | 1.87 EUR |
IRF3808STRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 11200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
800+ | 2.22 EUR |
IRF3808STRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
800+ | 2.08 EUR |
IRF3808STRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 476 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
82+ | 1.76 EUR |
83+ | 1.67 EUR |
84+ | 1.58 EUR |
100+ | 1.5 EUR |
250+ | 1.41 EUR |
IRF3808STRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3808STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 106 A, 0.007 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF3808STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 106 A, 0.007 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF3808STRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
800+ | 2.42 EUR |
1600+ | 2.01 EUR |
2400+ | 1.9 EUR |
IRF3808STRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
69+ | 2.07 EUR |
100+ | 1.98 EUR |
IRF3808STRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 476 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
72+ | 2 EUR |
73+ | 1.91 EUR |
74+ | 1.81 EUR |
100+ | 1.71 EUR |
250+ | 1.62 EUR |
IRF3808STRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3808STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 106 A, 0.007 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF3808STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 106 A, 0.007 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF3808STRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 11200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
800+ | 1.92 EUR |
IRF3808/PBF |
Hersteller: IR
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF3808L |
Hersteller: IR
TO-262
TO-262
auf Bestellung 1349 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF3808STRLPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier Corporation
IRF3808SPBF MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
IRF3808SPBF MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Транзистор польовий IRF3808PBF 140A 75V N-ch TO-220 |
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF3808S Produktcode: 48224
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IRF3808SPBF Produktcode: 129658
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IRF3808STRLPBF Produktcode: 148871
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Lieblingsprodukt
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Im Einkaufswagen
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IRF3808PBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF3808PBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF3808PBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 140A 7mOhm 150nC
MOSFETs MOSFT 75V 140A 7mOhm 150nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF3808STRRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF3808STRRPBF SMD N channel transistors
IRF3808STRRPBF SMD N channel transistors
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