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IRF7303PBF IRF7303PBF
Produktcode: 113419
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IR irf7303pbf-datasheet.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 30 V
Idd,A: 3,9 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Bem.: Два транзистори в одному корпусі
JHGF: SMD
auf Bestellung 155 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TR Infineon 2f0fac574746bc99cbc6f30a82b09efd.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7303; IRF7303TR; IRF7303 TIRF7303
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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IRF7303TR UMW 2f0fac574746bc99cbc6f30a82b09efd.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7303; IRF7303TR; SP001577432; SP001563422; IRF7303TR UMW TIRF7303 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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IRF7303TR Infineon 2f0fac574746bc99cbc6f30a82b09efd.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7303; IRF7303TR; IRF7303 TIRF7303
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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IRF7303TR IRF7303TR UMW 2f0fac574746bc99cbc6f30a82b09efd.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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IRF7303TRPBF IRF7303TRPBF Infineon Technologies irf7303pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 3095 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.32 EUR
13+1.43 EUR
100+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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IRF7303TRPBF IRF7303TRPBF Infineon Technologies irf7303.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 14355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
244+0.66 EUR
266+0.59 EUR
274+0.55 EUR
500+0.46 EUR
4000+0.43 EUR
8000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 244
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IRF7303TRPBF International Rectifier/Infineon irf7303pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc 2N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 4,9 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOICN-8
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+1.56 EUR
10+1.34 EUR
100+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IRF7303TRPBF IRF7303TRPBF Infineon Technologies irf7303.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBF IRF7303TRPBF Infineon Technologies irf7303.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBF IR irf7303pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=30V; Id=4,9A; Pdmax=2W; Rds=0,05 Ohm
auf Bestellung 1486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+3.08 EUR
10+2.73 EUR
100+2.48 EUR
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IRF7303TRPBFXTMA1 IRF7303TRPBFXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IRF7303-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
auf Bestellung 10696 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.32 EUR
12+1.47 EUR
100+0.97 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
2000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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IRF7303TRPBFXTMA1 IRF7303TRPBFXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IRF7303-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.59 EUR
8000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
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IRF7303TRPBFXTMA1 IRF7303TRPBFXTMA1 INFINEON 3732760.pdf Description: INFINEON - IRF7303TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2227 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBFXTMA1 IRF7303TRPBFXTMA1 INFINEON 3732760.pdf Description: INFINEON - IRF7303TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2227 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303 IRF description
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303 IOR description
auf Bestellung 6013 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303 IR description 05+ SOP-8;
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303 IOR description 09+
auf Bestellung 3618 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303 IR description 09+
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303 IOR description 09+ SO-8
auf Bestellung 7013 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303 IR description SO-8
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303 IR description
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303QPBF IR description
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF7303QTRPBF IOR IRF7303QPbF.pdf
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303QTRPBF IRF IRF7303QPbF.pdf 09+
auf Bestellung 80043 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBF International Rectifier Corporation irf7303pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc Сдвоенный HEXFET 5-ого поколения с N-CH и низким сопротивл. с-и 0,05 Ом U=-30 В I=4,9 А SOIC8
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Транзистор IRF7303; SO8
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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Транзистор IRF7303PBF
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Lieferzeit 18-25 Tag (e)
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Транзистор польовий IRF7303TRPBF 5.3A 30V N-ch SO8
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A25DN8TA ZXMN6A25DN8TA Diodes Incorporated ZXMN6A25DN8.pdf MOSFETs Dl 60V N-Chnl UMOS
auf Bestellung 3698 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.74 EUR
10+1.38 EUR
100+1.21 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303 IRF7303
Produktcode: 7928
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IR irf7303-datasheet.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 04.09.2015
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Bem.: 2N
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.70 EUR
10+0.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBF IRF7303TRPBF
Produktcode: 29858
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irf7303pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303PBF IRF7303PBF Infineon Technologies irf7303pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc description Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303QTRPBF IRF7303QTRPBF Infineon Technologies IRF7303QPbF.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TR IRF7303TR UMW 2f0fac574746bc99cbc6f30a82b09efd.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBF IRF7303TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7303pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBF IRF7303TRPBF Infineon Technologies irf7303pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBF IRF7303TRPBF Infineon Technologies irf7303.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7303.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBFXTMA1 IRF7303TRPBFXTMA1 Infineon Technologies Infineon_IRF7303_DataSheet_v01_01_EN-3223916.pdf MOSFETs PLANAR 40<-<100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBF IRF7303TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7303pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7303Q AUIRF7303Q Infineon Technologies AUIRF7303Q.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7303QTR AUIRF7303QTR Infineon Technologies AUIRF7303Q.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303PBF
Produktcode: 113419
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description irf7303pbf-datasheet.pdf
IRF7303PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 30 V
Idd,A: 3,9 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Bem.: Два транзистори в одному корпусі
JHGF: SMD
auf Bestellung 155 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TR 2f0fac574746bc99cbc6f30a82b09efd.pdf
Hersteller: Infineon
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7303; IRF7303TR; IRF7303 TIRF7303
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TR 2f0fac574746bc99cbc6f30a82b09efd.pdf
Hersteller: UMW
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7303; IRF7303TR; SP001577432; SP001563422; IRF7303TR UMW TIRF7303 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TR 2f0fac574746bc99cbc6f30a82b09efd.pdf
Hersteller: Infineon
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7303; IRF7303TR; IRF7303 TIRF7303
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 1781 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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IRF7303TR 2f0fac574746bc99cbc6f30a82b09efd.pdf
IRF7303TR
Hersteller: UMW
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBF irf7303pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc
IRF7303TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 3095 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.32 EUR
13+1.43 EUR
100+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBF irf7303.pdf
IRF7303TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 14355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
244+0.66 EUR
266+0.59 EUR
274+0.55 EUR
500+0.46 EUR
4000+0.43 EUR
8000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 244
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBF irf7303pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc
Hersteller: International Rectifier/Infineon
2N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 4,9 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOICN-8
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+1.56 EUR
10+1.34 EUR
100+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBF irf7303.pdf
IRF7303TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBF irf7303.pdf
IRF7303TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBF irf7303pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc
Hersteller: IR
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=30V; Id=4,9A; Pdmax=2W; Rds=0,05 Ohm
auf Bestellung 1486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.08 EUR
10+2.73 EUR
100+2.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBFXTMA1 Infineon-IRF7303-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc
IRF7303TRPBFXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
auf Bestellung 10696 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.32 EUR
12+1.47 EUR
100+0.97 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
2000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBFXTMA1 Infineon-IRF7303-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc
IRF7303TRPBFXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.59 EUR
8000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBFXTMA1 3732760.pdf
IRF7303TRPBFXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7303TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2227 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBFXTMA1 3732760.pdf
IRF7303TRPBFXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7303TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2227 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303 description
Hersteller: IRF
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303 description
Hersteller: IOR
auf Bestellung 6013 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303 description
Hersteller: IR
05+ SOP-8;
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303 description
Hersteller: IOR
09+
auf Bestellung 3618 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303 description
Hersteller: IR
09+
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303 description
Hersteller: IOR
09+ SO-8
auf Bestellung 7013 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303 description
Hersteller: IR
SO-8
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303 description
Hersteller: IR
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303QPBF description
Hersteller: IR
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303QTRPBF IRF7303QPbF.pdf
Hersteller: IOR
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303QTRPBF IRF7303QPbF.pdf
Hersteller: IRF
09+
auf Bestellung 80043 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBF irf7303pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc
Hersteller: International Rectifier Corporation
Сдвоенный HEXFET 5-ого поколения с N-CH и низким сопротивл. с-и 0,05 Ом U=-30 В I=4,9 А SOIC8
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор IRF7303; SO8
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор IRF7303PBF
auf Bestellung 655 Stücke:
Lieferzeit 18-25 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор польовий IRF7303TRPBF 5.3A 30V N-ch SO8
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A25DN8TA ZXMN6A25DN8.pdf
ZXMN6A25DN8TA
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs Dl 60V N-Chnl UMOS
auf Bestellung 3698 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.74 EUR
10+1.38 EUR
100+1.21 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303
Produktcode: 7928
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description irf7303-datasheet.pdf
IRF7303
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 04.09.2015
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Bem.: 2N
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl Preis
1+0.70 EUR
10+0.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBF
Produktcode: 29858
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irf7303pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc
IRF7303TRPBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303PBF description irf7303pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc
IRF7303PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303QTRPBF IRF7303QPbF.pdf
IRF7303QTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TR 2f0fac574746bc99cbc6f30a82b09efd.pdf
IRF7303TR
Hersteller: UMW
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBF irf7303pbf.pdf
IRF7303TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBF irf7303pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc
IRF7303TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBF irf7303.pdf
IRF7303TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBFXTMA1 irf7303.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBFXTMA1 Infineon_IRF7303_DataSheet_v01_01_EN-3223916.pdf
IRF7303TRPBFXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs PLANAR 40<-<100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBF irf7303pbf.pdf
IRF7303TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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AUIRF7303Q AUIRF7303Q.pdf
AUIRF7303Q
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7303QTR AUIRF7303Q.pdf
AUIRF7303QTR
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
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