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IRF7341TRPBF IRF7341TRPBF
Produktcode: 25204
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IR IRF7341.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 55
Idd,A: 04.07.2015
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 740/24
Bem.: 2N
JHGF: SMD
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IRF7341 IRF7341 JSMicro Semiconductor TIRF7341_JSM_JSMICRO_0001.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 6,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341 JSMICRO TIRF7341 JSM
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IRF7341 IRF7341 SLKOR TIRF7341_SLK_SLKOR_0001.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 45mOhm; 5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341 SLKOR TIRF7341 SLK
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IRF7341GTRPBF IRF7341GTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7341gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f63e9b1b5f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 178 Stücke:
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28+2.6 EUR
35+2.09 EUR
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IRF7341GTRPBF IRF7341GTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7341G_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs PLANAR FET
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IRF7341GTRPBF IRF7341GTRPBF INFINEON IRSDS19144-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7341GTRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRF7341GTRPBF IRF7341GTRPBF Infineon Technologies infineonirf7341gdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC T/R
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4000+1.91 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
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IRF7341GTRPBF IRF7341GTRPBF INFINEON IRSDS19144-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7341GTRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2824 Stücke:
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IRF7341TR IRF7341TR UMW TIRF7341_UMW_UMW_0001.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 55V; 20V; 45mOhm; 4,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341TR UMW TIRF7341 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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IRF7341TR IRF7341TR JGSEMI TIRF7341_UMW_UMW_0001.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 50mOhm; 6A; 1,5W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341TR JGSEMI TIRF7341 JGS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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50+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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IRF7341TR IRF7341TR International Rectifier TIRF7341_UMW_UMW_0001.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 4,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341 TIRF7341
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IRF7341TR-HXY 4828. HXY MOSFET Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 48mOhm; 6,5A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; HXY4828S (IRF7341TR) HXY MOSFET TIRF7341 HXY
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50+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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IRF7341TRPBF IRF7341TRPBF Infineon Technologies irf7341.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
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103+1.4 EUR
108+1.29 EUR
250+1.19 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 103
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IRF7341TRPBF IRF7341TRPBF Infineon Technologies irf7341.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
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333+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 333
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IRF7341TRPBFXTMA1 IRF7341TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.7A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.7A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1673 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+1.3 EUR
89+0.81 EUR
134+0.54 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 55
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IRF7341TRPBFXTMA1 IRF7341TRPBFXTMA1 Infineon Technologies Infineon_IRF7341_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs PLANAR FET
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2+2.08 EUR
10+1.24 EUR
100+0.86 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.56 EUR
4000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IRF7341TRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7341.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
870+0.62 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 870
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IRF7341TRPBFXTMA1 IRF7341TRPBFXTMA1 INFINEON 3980139.pdf Description: INFINEON - IRF7341TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 55 V, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4064 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7341.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 180000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
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IRF7341TRPBFXTMA1 IRF7341TRPBFXTMA1 INFINEON 3980139.pdf Description: INFINEON - IRF7341TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 55 V, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4064 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7341.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+1.75 EUR
128+1.09 EUR
130+1.04 EUR
192+0.68 EUR
250+0.64 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 83
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7341.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+1.13 EUR
130+1.08 EUR
192+0.7 EUR
250+0.67 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 128
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IRF7341 IR SO-8
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341ITRPBF IR
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341Q IR SO-8
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341QPBF IR description
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341QTR
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341QTRPB
auf Bestellung 3080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TR f37a0ee898830db7a6e80c72738a1d95.pdf
auf Bestellung 16549 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор IRF7341PBF Infineon Транз. Пол. ММ 2 N-Channel (Dual) MOSFET SOIC8 Udss=55V; Id=4,7A; Pdmax=2W; Rds=50 mOhm @ 4.7A, 10V
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A09DN8TA ZXMN6A09DN8TA Diodes Incorporated ZXMN6A09DN8.pdf MOSFETs Dl 60V N-Chnl UMOS
auf Bestellung 1298 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.07 EUR
10+2.55 EUR
100+1.81 EUR
500+1.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341PBF IRF7341PBF
Produktcode: 26458
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IR IRF7341PBF.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 55
Idd,A: 04.07.2015
Rds(on), Ohm: 0.050
Ciss, pF/Qg, nC: 740/24
Bem.: 2N
JHGF: SMD
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1+0.7 EUR
10+0.57 EUR
100+0.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341QPBF
Produktcode: 85128
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description
8542 39 90 00
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341GTRPBF IRF7341GTRPBF Infineon Technologies infineonirf7341gdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBF IRF7341TRPBF Infineon Technologies irf7341.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
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IRF7341TRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7341.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341 International Rectifier irf7341.pdf MOSFET 2N-CH 55V 4.7A SOIC-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IRF7341GTRPBF Infineon irf7341gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f63e9b1b5f Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 5,1А; SO8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IRF7341PBF International Rectifier/Infineon irf7341pbf.pdf 2N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 4,7 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 740 @ 25, Qg, нКл = 36 @ 10 В, Rds = 50 мОм @ 4,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим:
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
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IRF7341PBF International Rectifier irf7341.pdf MOSFET 2N-CH 55V 4.7A SOIC-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBF International Rectifier/Infineon irf7341pbf.pdf description 2N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 4,7 A, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 740 @ 25, Qg, нКл = 36 @ 10 В, Rds = 50 мОм @ 4,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим:
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBF IRF7341TRPBF International Rectifier irf7341.pdf description MOSFET 2N-CH 55V 4.7A SOIC-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBF IRF7341TR International Rectifier irf7341.pdf SO-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBFXTMA1 Infineon infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63 N-MOSFET;польовий;55В;4,7А;SO8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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AUIRF7341QTR AUIRF7341QTR INFINEON TECHNOLOGIES auirf7341q.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 55V; 5.1A; 2.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 2.4W
Gate charge: 29nC
Gate-source voltage: ±20V
Technology: HEXFET®
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7341QTR International Rectifier auirf7341q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad364513dc MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBF
Produktcode: 25204
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
description IRF7341.pdf
IRF7341TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 55
Idd,A: 04.07.2015
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 740/24
Bem.: 2N
JHGF: SMD
auf Bestellung 226 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.48 EUR
10+0.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341 TIRF7341_JSM_JSMICRO_0001.pdf
IRF7341
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 6,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341 JSMICRO TIRF7341 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
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50+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341 TIRF7341_SLK_SLKOR_0001.pdf
IRF7341
Hersteller: SLKOR
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 45mOhm; 5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341 SLKOR TIRF7341 SLK
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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100+0.43 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341GTRPBF irf7341gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f63e9b1b5f
IRF7341GTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.6 EUR
35+2.09 EUR
39+1.84 EUR
54+1.34 EUR
100+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341GTRPBF Infineon_IRF7341G_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF7341GTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs PLANAR FET
auf Bestellung 23947 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.1 EUR
10+2.34 EUR
100+1.71 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.37 EUR
2000+1.35 EUR
4000+1.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341GTRPBF IRSDS19144-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7341GTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7341GTRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2824 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341GTRPBF infineonirf7341gdatasheetv0101en.pdf
IRF7341GTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 68000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+1.91 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341GTRPBF IRSDS19144-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7341GTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7341GTRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2824 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TR TIRF7341_UMW_UMW_0001.pdf
IRF7341TR
Hersteller: UMW
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 55V; 20V; 45mOhm; 4,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341TR UMW TIRF7341 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TR TIRF7341_UMW_UMW_0001.pdf
IRF7341TR
Hersteller: JGSEMI
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 50mOhm; 6A; 1,5W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341TR JGSEMI TIRF7341 JGS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TR TIRF7341_UMW_UMW_0001.pdf
IRF7341TR
Hersteller: International Rectifier
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 4,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341 TIRF7341
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 86 Stücke:
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50+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TR-HXY 4828.
Hersteller: HXY MOSFET
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 48mOhm; 6,5A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; HXY4828S (IRF7341TR) HXY MOSFET TIRF7341 HXY
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBF description irf7341.pdf
IRF7341TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
103+1.4 EUR
108+1.29 EUR
250+1.19 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBF description irf7341.pdf
IRF7341TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 3766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
333+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 333
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBFXTMA1 infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63
IRF7341TRPBFXTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.7A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.7A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1673 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.3 EUR
89+0.81 EUR
134+0.54 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBFXTMA1 Infineon_IRF7341_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF7341TRPBFXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs PLANAR FET
auf Bestellung 3747 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.08 EUR
10+1.24 EUR
100+0.86 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.56 EUR
4000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBFXTMA1 irf7341.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
870+0.62 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 870
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBFXTMA1 3980139.pdf
IRF7341TRPBFXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7341TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 55 V, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4064 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBFXTMA1 irf7341.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 180000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBFXTMA1 3980139.pdf
IRF7341TRPBFXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7341TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 55 V, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4064 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBFXTMA1 irf7341.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
83+1.75 EUR
128+1.09 EUR
130+1.04 EUR
192+0.68 EUR
250+0.64 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 83
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBFXTMA1 irf7341.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
128+1.13 EUR
130+1.08 EUR
192+0.7 EUR
250+0.67 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 128
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341
Hersteller: IR
SO-8
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341ITRPBF
Hersteller: IR
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341Q
Hersteller: IR
SO-8
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341QPBF description
Hersteller: IR
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341QTR
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341QTRPB
auf Bestellung 3080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TR f37a0ee898830db7a6e80c72738a1d95.pdf
auf Bestellung 16549 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор IRF7341PBF
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ММ 2 N-Channel (Dual) MOSFET SOIC8 Udss=55V; Id=4,7A; Pdmax=2W; Rds=50 mOhm @ 4.7A, 10V
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A09DN8TA ZXMN6A09DN8.pdf
ZXMN6A09DN8TA
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs Dl 60V N-Chnl UMOS
auf Bestellung 1298 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.07 EUR
10+2.55 EUR
100+1.81 EUR
500+1.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341PBF
Produktcode: 26458
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRF7341PBF.pdf
IRF7341PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 55
Idd,A: 04.07.2015
Rds(on), Ohm: 0.050
Ciss, pF/Qg, nC: 740/24
Bem.: 2N
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl Preis
1+0.7 EUR
10+0.57 EUR
100+0.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341QPBF
Produktcode: 85128
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
description

8542 39 90 00
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341GTRPBF infineonirf7341gdatasheetv0101en.pdf
IRF7341GTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBF description irf7341.pdf
IRF7341TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBFXTMA1 irf7341.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341 irf7341.pdf
Hersteller: International Rectifier
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A SOIC-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341GTRPBF irf7341gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f63e9b1b5f
Hersteller: Infineon
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 5,1А; SO8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341PBF irf7341pbf.pdf
Hersteller: International Rectifier/Infineon
2N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 4,7 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 740 @ 25, Qg, нКл = 36 @ 10 В, Rds = 50 мОм @ 4,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим:
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341PBF irf7341.pdf
Hersteller: International Rectifier
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A SOIC-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBF description irf7341pbf.pdf
Hersteller: International Rectifier/Infineon
2N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 4,7 A, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 740 @ 25, Qg, нКл = 36 @ 10 В, Rds = 50 мОм @ 4,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим:
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBF description irf7341.pdf
IRF7341TRPBF
Hersteller: International Rectifier
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A SOIC-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBF IRF7341TR irf7341.pdf
Hersteller: International Rectifier
SO-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBFXTMA1 infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63
Hersteller: Infineon
N-MOSFET;польовий;55В;4,7А;SO8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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AUIRF7341QTR auirf7341q.pdf
AUIRF7341QTR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 55V; 5.1A; 2.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 2.4W
Gate charge: 29nC
Gate-source voltage: ±20V
Technology: HEXFET®
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7341QTR auirf7341q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad364513dc
Hersteller: International Rectifier
MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH