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MJD117T4G MJD117T4G onsemi mjd112-d.pdf Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 13758 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.34 EUR
100+ 1 EUR
500+ 0.84 EUR
1000+ 0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 14
MJD117T4G MJD117T4G onsemi mjd112-d.pdf Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD117T4G MJD117T4G ONSEMI MJD112-D.PDF Description: ONSEMI - MJD117T4G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1763 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD117T4G MJD117T4G ONSEMI MJD112-D.PDF Description: ONSEMI - MJD117T4G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1763 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD117T4G MJD117T4G onsemi MJD112_D-2315625.pdf Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP
auf Bestellung 18975 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
27+1.96 EUR
31+ 1.7 EUR
100+ 1.18 EUR
500+ 0.99 EUR
1000+ 0.84 EUR
2500+ 0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 27
MJD117TF ONSEMI FAIRS18080-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MJD117TF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 24798 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD122 YFW MJD122.pdf description darl.NPN 5A 100V 20W MJD122 TO252 LGE TMJD122 lge
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 100
MJD122 MJD122 EVVO MJD122.pdf description Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 2498 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.76 EUR
100+ 0.56 EUR
500+ 0.44 EUR
1000+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 24
MJD122 TO252 SMD MJD122 TO252 SMD LUGUANG ELECTRONIC MJD122.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.5W; TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.5W
Case: TO252
Current gain: 100...12000
Mounting: SMD
auf Bestellung 1045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
260+0.28 EUR
350+ 0.21 EUR
435+ 0.17 EUR
455+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 260
MJD122 TO252 SMD MJD122 TO252 SMD LUGUANG ELECTRONIC MJD122.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.5W; TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.5W
Case: TO252
Current gain: 100...12000
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 1045 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
260+0.28 EUR
350+ 0.21 EUR
435+ 0.17 EUR
455+ 0.16 EUR
3000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 260
MJD122-1 MJD122-1 STMicroelectronics MJD122-1_T4%2C%20MJD127-1_T4.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 8A TO251
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 2784 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.6 EUR
150+ 1.27 EUR
525+ 1.08 EUR
1050+ 0.88 EUR
2025+ 0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 11
MJD122-1 MJD122-1 STMICROELECTRONICS SGSTS20619-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - MJD122-1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 8 A, 20 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Verlustleistung, NPN: 20W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 8A
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2987 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD122-1 MJD122-1 STMicroelectronics mjd122-1849838.pdf Darlington Transistors NPN PWR Darlington Int Anti Collector
auf Bestellung 4937 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
23+2.3 EUR
24+ 2.18 EUR
75+ 1.45 EUR
525+ 1.25 EUR
1050+ 0.97 EUR
5025+ 0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 23
MJD122-TP MJD122-TP Micro Commercial Co MJD122(DPAK).pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 53901 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.37 EUR
100+ 1.03 EUR
500+ 0.86 EUR
1000+ 0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 13
MJD122-TP MJD122-TP Micro Commercial Co MJD122(DPAK).pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD122-TP MJD122-TP Micro Commercial Components (MCC) MJD122(DPAK).pdf Bipolar Transistors - BJT TRANS NPN 100V 8A DPAK
auf Bestellung 18323 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
26+2.01 EUR
30+ 1.74 EUR
100+ 1.21 EUR
500+ 1.01 EUR
1000+ 0.86 EUR
2500+ 0.74 EUR
5000+ 0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 26
MJD122G MJD122G ONSEMI MJD122_MJD127.PDF Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Current gain: 300
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz
auf Bestellung 231 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+1.1 EUR
73+ 0.99 EUR
95+ 0.76 EUR
101+ 0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 65
MJD122G ON-Semicoductor mjd122-d.pdf darl.NPN 5A 100V 20W MJD122G, MJD122T4G, MJD122T4, MJD122TF, MJE122-TP MJD122T4 smd TMJD122t4
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 25
MJD122G MJD122G ONSEMI MJD122_MJD127.PDF Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Current gain: 300
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 231 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.1 EUR
73+ 0.99 EUR
95+ 0.76 EUR
101+ 0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 65
MJD122G MJD122G onsemi mjd122-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 4695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.72 EUR
150+ 1.37 EUR
525+ 1.16 EUR
1050+ 0.95 EUR
2025+ 0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 11
MJD122G MJD122G ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 1495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
169+0.93 EUR
197+ 0.77 EUR
525+ 0.69 EUR
1050+ 0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 169
MJD122G ONS mjd122-d.pdf Транз. Бипол. ММ NPN TO-252-3 (DPAK) Uceo=100V; Ic=8A; Pdmax=20W;
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+3.65 EUR
10+ 3.35 EUR
MJD122G MJD122G ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 1495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+1.24 EUR
169+ 0.89 EUR
197+ 0.74 EUR
525+ 0.66 EUR
1050+ 0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 127
MJD122G MJD122G ONSEMI ONSM-S-A0014930272-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD122G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 1.75 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.75W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1811 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD122G MJD122G ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 9030 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
182+0.86 EUR
207+ 0.73 EUR
525+ 0.66 EUR
1050+ 0.54 EUR
2700+ 0.51 EUR
5400+ 0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 182
MJD122G MJD122G ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 9042 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
145+1.08 EUR
182+ 0.83 EUR
207+ 0.7 EUR
525+ 0.64 EUR
1050+ 0.52 EUR
2700+ 0.49 EUR
5400+ 0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 145
MJD122G MJD122G onsemi MJD122_D-2315626.pdf Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power NPN
auf Bestellung 1599 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
24+2.17 EUR
75+ 1.44 EUR
525+ 1.28 EUR
1050+ 1.03 EUR
2700+ 0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 24
MJD122G MJD122G ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 9042 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD122G MJD122G ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 8025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1650+0.59 EUR
2700+ 0.57 EUR
5400+ 0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1650
MJD122T4 MJD122T4 STMicroelectronics mjd122.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 100...1000
Mounting: SMD
auf Bestellung 2742 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+1.09 EUR
74+ 0.98 EUR
76+ 0.95 EUR
92+ 0.78 EUR
203+ 0.35 EUR
215+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 66
MJD122T4 MJD122T4 STMicroelectronics mjd122.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 100...1000
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2742 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
66+1.09 EUR
74+ 0.98 EUR
76+ 0.95 EUR
92+ 0.78 EUR
203+ 0.35 EUR
215+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 66
MJD122T4 MJD122T4 STMicroelectronics en.CD00000829.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.32 EUR
100+ 0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 14
MJD122T4 MJD122T4 STMicroelectronics mjd122-1849838.pdf Darlington Transistors NPN Power Darlington
auf Bestellung 18700 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
27+1.93 EUR
31+ 1.68 EUR
100+ 1.16 EUR
500+ 0.98 EUR
1000+ 0.83 EUR
2500+ 0.75 EUR
5000+ 0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 27
MJD122T4 MJD122T4 STMicroelectronics cd0000082.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2187 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
188+0.83 EUR
206+ 0.73 EUR
262+ 0.55 EUR
500+ 0.47 EUR
1000+ 0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 188
MJD122T4 MJD122T4 STMicroelectronics cd0000082.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2187 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD122T4G MJD122T4G onsemi mjd122-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.55 EUR
100+ 1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 12
MJD122T4G MJD122T4G onsemi MJD122_D-2315626.pdf Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power NPN
auf Bestellung 273 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
24+2.25 EUR
26+ 2 EUR
100+ 1.36 EUR
500+ 1.16 EUR
1000+ 0.99 EUR
2500+ 0.87 EUR
5000+ 0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 24
MJD122T4G MJD122T4G ONSEMI 1744688.pdf Description: ONSEMI - MJD122T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 8A
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 20919 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD122T4G ONS mjd122-d.pdf Транз. Бипол. ММ NPN TO-252-3 (DPAK) Uceo=100V; Ic=8A; Pdmax=20W;
auf Bestellung 2 Stücke:
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1+5.58 EUR
10+ 4.46 EUR
MJD122T4G MJD122T4G ONSEMI 1744688.pdf Description: ONSEMI - MJD122T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 8A
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 20919 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD127 LGE MJD127-5272.pdf PNP 8A 100V 20W MJD127G MJD127TF MJD127T4G MJD127T4 MJD127-TP MJD127-LGE MJD127 TMJD127
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 100
MJD127 MJD127 EVVO MJD127-5272.pdf Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 2498 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.76 EUR
100+ 0.56 EUR
500+ 0.44 EUR
1000+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 24
MJD127 TO252 SMD MJD127 TO252 SMD LUGUANG ELECTRONIC MJD127.pdf Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.5W; TO252
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.5W
Case: TO252
Current gain: 100...12000
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 2475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
245+0.29 EUR
350+ 0.21 EUR
435+ 0.17 EUR
460+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 245
MJD127 TO252 SMD MJD127 TO252 SMD LUGUANG ELECTRONIC MJD127.pdf Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.5W; TO252
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.5W
Case: TO252
Current gain: 100...12000
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2475 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
245+0.29 EUR
350+ 0.21 EUR
435+ 0.17 EUR
460+ 0.16 EUR
3000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 245
MJD127-TP Micro Commercial Components (MCC) MJD127(DPAK).pdf Bipolar Transistors - BJT TRANS PNP 100V 8A DPAK
auf Bestellung 6883 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
25+2.15 EUR
28+ 1.86 EUR
100+ 1.29 EUR
500+ 1.08 EUR
1000+ 0.92 EUR
2500+ 0.8 EUR
5000+ 0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 25
MJD127G MJD127G ONSEMI MJD122_MJD127.PDF Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 100...12000
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz
auf Bestellung 339 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+1.14 EUR
69+ 1.05 EUR
91+ 0.79 EUR
97+ 0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 63
MJD127G MJD127G ONSEMI MJD122_MJD127.PDF Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 100...12000
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 339 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
63+1.14 EUR
69+ 1.05 EUR
91+ 0.79 EUR
97+ 0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 63
MJD127G MJD127G onsemi mjd122-d.pdf Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 7530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.83 EUR
150+ 1.46 EUR
525+ 1.24 EUR
1050+ 1.01 EUR
2025+ 0.95 EUR
5025+ 0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 10
MJD127G ONS mjd122-d.pdf Транз. Бипол. ММ PNP TO-252-3 (DPAK) Uceo=100V; Ic=8A; Pdmax=20W;
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+3.65 EUR
10+ 3.35 EUR
MJD127G MJD127G ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD127G MJD127G ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 3358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD127G MJD127G onsemi MJD122_D-2315626.pdf Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power PNP
auf Bestellung 5454 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
20+2.68 EUR
21+ 2.54 EUR
75+ 1.37 EUR
525+ 1.25 EUR
1050+ 1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 20
MJD127G MJD127G ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 3358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+1.39 EUR
121+ 1.25 EUR
171+ 0.85 EUR
525+ 0.73 EUR
1050+ 0.57 EUR
2700+ 0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 113
MJD127G MJD127G ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD127G MJD127G ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 3354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
121+1.3 EUR
171+ 0.88 EUR
525+ 0.76 EUR
1050+ 0.59 EUR
2700+ 0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 121
MJD127G MJD127G ONSEMI ONSM-S-A0014930272-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD127G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 1.75 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.75W
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD127T4 MJD127T4 STMicroelectronics MJD122_MJD127.pdf Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 2088 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
146+0.49 EUR
167+ 0.43 EUR
243+ 0.29 EUR
258+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 146
MJD127T4 MJD127T4 STMicroelectronics en.CD00000829.pdf Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 1909 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.25 EUR
100+ 0.94 EUR
500+ 0.78 EUR
1000+ 0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 15
MJD127T4 MJD127T4 STMicroelectronics en.CD00000829.pdf Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 1909 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
MJD127T4 MJD127T4 STMicroelectronics mjd122-1849838.pdf Darlington Transistors PNP Power Darlington
auf Bestellung 3687 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
29+1.84 EUR
33+ 1.59 EUR
100+ 1.1 EUR
500+ 0.92 EUR
1000+ 0.78 EUR
2500+ 0.75 EUR
5000+ 0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 29
MJD117T4G mjd112-d.pdf
MJD117T4G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 13758 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
14+1.34 EUR
100+ 1 EUR
500+ 0.84 EUR
1000+ 0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 14
MJD117T4G mjd112-d.pdf
MJD117T4G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD117T4G MJD112-D.PDF
MJD117T4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD117T4G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1763 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD117T4G MJD112-D.PDF
MJD117T4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD117T4G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1763 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD117T4G MJD112_D-2315625.pdf
MJD117T4G
Hersteller: onsemi
Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP
auf Bestellung 18975 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
27+1.96 EUR
31+ 1.7 EUR
100+ 1.18 EUR
500+ 0.99 EUR
1000+ 0.84 EUR
2500+ 0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 27
MJD117TF FAIRS18080-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD117TF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 24798 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD122 description MJD122.pdf
Hersteller: YFW
darl.NPN 5A 100V 20W MJD122 TO252 LGE TMJD122 lge
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
100+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 100
MJD122 description MJD122.pdf
MJD122
Hersteller: EVVO
Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 2498 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
24+0.76 EUR
100+ 0.56 EUR
500+ 0.44 EUR
1000+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 24
MJD122 TO252 SMD MJD122.pdf
MJD122 TO252 SMD
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.5W; TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.5W
Case: TO252
Current gain: 100...12000
Mounting: SMD
auf Bestellung 1045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
260+0.28 EUR
350+ 0.21 EUR
435+ 0.17 EUR
455+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 260
MJD122 TO252 SMD MJD122.pdf
MJD122 TO252 SMD
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.5W; TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.5W
Case: TO252
Current gain: 100...12000
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 1045 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
260+0.28 EUR
350+ 0.21 EUR
435+ 0.17 EUR
455+ 0.16 EUR
3000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 260
MJD122-1 MJD122-1_T4%2C%20MJD127-1_T4.pdf
MJD122-1
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN DARL 100V 8A TO251
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 2784 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
11+1.6 EUR
150+ 1.27 EUR
525+ 1.08 EUR
1050+ 0.88 EUR
2025+ 0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 11
MJD122-1 SGSTS20619-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
MJD122-1
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - MJD122-1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 8 A, 20 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Verlustleistung, NPN: 20W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 8A
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2987 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD122-1 mjd122-1849838.pdf
MJD122-1
Hersteller: STMicroelectronics
Darlington Transistors NPN PWR Darlington Int Anti Collector
auf Bestellung 4937 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
23+2.3 EUR
24+ 2.18 EUR
75+ 1.45 EUR
525+ 1.25 EUR
1050+ 0.97 EUR
5025+ 0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 23
MJD122-TP MJD122(DPAK).pdf
MJD122-TP
Hersteller: Micro Commercial Co
Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 53901 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
13+1.37 EUR
100+ 1.03 EUR
500+ 0.86 EUR
1000+ 0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 13
MJD122-TP MJD122(DPAK).pdf
MJD122-TP
Hersteller: Micro Commercial Co
Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD122-TP MJD122(DPAK).pdf
MJD122-TP
Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
Bipolar Transistors - BJT TRANS NPN 100V 8A DPAK
auf Bestellung 18323 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
26+2.01 EUR
30+ 1.74 EUR
100+ 1.21 EUR
500+ 1.01 EUR
1000+ 0.86 EUR
2500+ 0.74 EUR
5000+ 0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 26
MJD122G MJD122_MJD127.PDF
MJD122G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Current gain: 300
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz
auf Bestellung 231 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
65+1.1 EUR
73+ 0.99 EUR
95+ 0.76 EUR
101+ 0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 65
MJD122G mjd122-d.pdf
Hersteller: ON-Semicoductor
darl.NPN 5A 100V 20W MJD122G, MJD122T4G, MJD122T4, MJD122TF, MJE122-TP MJD122T4 smd TMJD122t4
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
25+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 25
MJD122G MJD122_MJD127.PDF
MJD122G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Current gain: 300
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 231 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
65+1.1 EUR
73+ 0.99 EUR
95+ 0.76 EUR
101+ 0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 65
MJD122G mjd122-d.pdf
MJD122G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 4695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
11+1.72 EUR
150+ 1.37 EUR
525+ 1.16 EUR
1050+ 0.95 EUR
2025+ 0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 11
MJD122G mjd122-d.pdf
MJD122G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 1495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
169+0.93 EUR
197+ 0.77 EUR
525+ 0.69 EUR
1050+ 0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 169
MJD122G mjd122-d.pdf
Hersteller: ONS
Транз. Бипол. ММ NPN TO-252-3 (DPAK) Uceo=100V; Ic=8A; Pdmax=20W;
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+3.65 EUR
10+ 3.35 EUR
MJD122G mjd122-d.pdf
MJD122G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 1495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
127+1.24 EUR
169+ 0.89 EUR
197+ 0.74 EUR
525+ 0.66 EUR
1050+ 0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 127
MJD122G ONSM-S-A0014930272-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD122G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD122G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 1.75 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.75W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1811 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD122G mjd122-d.pdf
MJD122G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 9030 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
182+0.86 EUR
207+ 0.73 EUR
525+ 0.66 EUR
1050+ 0.54 EUR
2700+ 0.51 EUR
5400+ 0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 182
MJD122G mjd122-d.pdf
MJD122G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 9042 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
145+1.08 EUR
182+ 0.83 EUR
207+ 0.7 EUR
525+ 0.64 EUR
1050+ 0.52 EUR
2700+ 0.49 EUR
5400+ 0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 145
MJD122G MJD122_D-2315626.pdf
MJD122G
Hersteller: onsemi
Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power NPN
auf Bestellung 1599 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
24+2.17 EUR
75+ 1.44 EUR
525+ 1.28 EUR
1050+ 1.03 EUR
2700+ 0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 24
MJD122G mjd122-d.pdf
MJD122G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 9042 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD122G mjd122-d.pdf
MJD122G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 8025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1650+0.59 EUR
2700+ 0.57 EUR
5400+ 0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1650
MJD122T4 mjd122.pdf
MJD122T4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 100...1000
Mounting: SMD
auf Bestellung 2742 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
66+1.09 EUR
74+ 0.98 EUR
76+ 0.95 EUR
92+ 0.78 EUR
203+ 0.35 EUR
215+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 66
MJD122T4 mjd122.pdf
MJD122T4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 100...1000
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2742 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
66+1.09 EUR
74+ 0.98 EUR
76+ 0.95 EUR
92+ 0.78 EUR
203+ 0.35 EUR
215+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 66
MJD122T4 en.CD00000829.pdf
MJD122T4
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
14+1.32 EUR
100+ 0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 14
MJD122T4 mjd122-1849838.pdf
MJD122T4
Hersteller: STMicroelectronics
Darlington Transistors NPN Power Darlington
auf Bestellung 18700 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
27+1.93 EUR
31+ 1.68 EUR
100+ 1.16 EUR
500+ 0.98 EUR
1000+ 0.83 EUR
2500+ 0.75 EUR
5000+ 0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 27
MJD122T4 cd0000082.pdf
MJD122T4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2187 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
188+0.83 EUR
206+ 0.73 EUR
262+ 0.55 EUR
500+ 0.47 EUR
1000+ 0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 188
MJD122T4 cd0000082.pdf
MJD122T4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2187 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD122T4G mjd122-d.pdf
MJD122T4G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
12+1.55 EUR
100+ 1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 12
MJD122T4G MJD122_D-2315626.pdf
MJD122T4G
Hersteller: onsemi
Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power NPN
auf Bestellung 273 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
24+2.25 EUR
26+ 2 EUR
100+ 1.36 EUR
500+ 1.16 EUR
1000+ 0.99 EUR
2500+ 0.87 EUR
5000+ 0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 24
MJD122T4G 1744688.pdf
MJD122T4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD122T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 8A
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 20919 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD122T4G mjd122-d.pdf
Hersteller: ONS
Транз. Бипол. ММ NPN TO-252-3 (DPAK) Uceo=100V; Ic=8A; Pdmax=20W;
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+5.58 EUR
10+ 4.46 EUR
MJD122T4G 1744688.pdf
MJD122T4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD122T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 8A
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 20919 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD127 MJD127-5272.pdf
Hersteller: LGE
PNP 8A 100V 20W MJD127G MJD127TF MJD127T4G MJD127T4 MJD127-TP MJD127-LGE MJD127 TMJD127
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
100+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 100
MJD127 MJD127-5272.pdf
MJD127
Hersteller: EVVO
Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 2498 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
24+0.76 EUR
100+ 0.56 EUR
500+ 0.44 EUR
1000+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 24
MJD127 TO252 SMD MJD127.pdf
MJD127 TO252 SMD
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.5W; TO252
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.5W
Case: TO252
Current gain: 100...12000
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 2475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
245+0.29 EUR
350+ 0.21 EUR
435+ 0.17 EUR
460+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 245
MJD127 TO252 SMD MJD127.pdf
MJD127 TO252 SMD
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.5W; TO252
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.5W
Case: TO252
Current gain: 100...12000
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2475 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
245+0.29 EUR
350+ 0.21 EUR
435+ 0.17 EUR
460+ 0.16 EUR
3000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 245
MJD127-TP MJD127(DPAK).pdf
Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
Bipolar Transistors - BJT TRANS PNP 100V 8A DPAK
auf Bestellung 6883 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
25+2.15 EUR
28+ 1.86 EUR
100+ 1.29 EUR
500+ 1.08 EUR
1000+ 0.92 EUR
2500+ 0.8 EUR
5000+ 0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 25
MJD127G MJD122_MJD127.PDF
MJD127G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 100...12000
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz
auf Bestellung 339 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
63+1.14 EUR
69+ 1.05 EUR
91+ 0.79 EUR
97+ 0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 63
MJD127G MJD122_MJD127.PDF
MJD127G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 100...12000
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 339 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
63+1.14 EUR
69+ 1.05 EUR
91+ 0.79 EUR
97+ 0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 63
MJD127G mjd122-d.pdf
MJD127G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 7530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+1.83 EUR
150+ 1.46 EUR
525+ 1.24 EUR
1050+ 1.01 EUR
2025+ 0.95 EUR
5025+ 0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 10
MJD127G mjd122-d.pdf
Hersteller: ONS
Транз. Бипол. ММ PNP TO-252-3 (DPAK) Uceo=100V; Ic=8A; Pdmax=20W;
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+3.65 EUR
10+ 3.35 EUR
MJD127G mjd122-d.pdf
MJD127G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD127G mjd122-d.pdf
MJD127G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 3358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD127G MJD122_D-2315626.pdf
MJD127G
Hersteller: onsemi
Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power PNP
auf Bestellung 5454 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+2.68 EUR
21+ 2.54 EUR
75+ 1.37 EUR
525+ 1.25 EUR
1050+ 1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 20
MJD127G mjd122-d.pdf
MJD127G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 3358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
113+1.39 EUR
121+ 1.25 EUR
171+ 0.85 EUR
525+ 0.73 EUR
1050+ 0.57 EUR
2700+ 0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 113
MJD127G mjd122-d.pdf
MJD127G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD127G mjd122-d.pdf
MJD127G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 3354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
121+1.3 EUR
171+ 0.88 EUR
525+ 0.76 EUR
1050+ 0.59 EUR
2700+ 0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 121
MJD127G ONSM-S-A0014930272-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD127G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD127G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 1.75 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.75W
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD127T4 MJD122_MJD127.pdf
MJD127T4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 2088 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
146+0.49 EUR
167+ 0.43 EUR
243+ 0.29 EUR
258+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 146
MJD127T4 en.CD00000829.pdf
MJD127T4
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 1909 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
15+1.25 EUR
100+ 0.94 EUR
500+ 0.78 EUR
1000+ 0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 15
MJD127T4 en.CD00000829.pdf
MJD127T4
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 1909 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
MJD127T4 mjd122-1849838.pdf
MJD127T4
Hersteller: STMicroelectronics
Darlington Transistors PNP Power Darlington
auf Bestellung 3687 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
29+1.84 EUR
33+ 1.59 EUR
100+ 1.1 EUR
500+ 0.92 EUR
1000+ 0.78 EUR
2500+ 0.75 EUR
5000+ 0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 29
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