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STP3N80K5 STP3N80K5 STMicroelectronics en.DM00090304.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.48 EUR
50+ 2 EUR
100+ 1.65 EUR
500+ 1.4 EUR
1000+ 1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 8
STP3N80K5 STP3N80K5 STMicroelectronics std3n80k5-955671.pdf MOSFET N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte
auf Bestellung 999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.8 EUR
10+ 1.55 EUR
100+ 1.37 EUR
250+ 1.36 EUR
500+ 1.23 EUR
1000+ 1.14 EUR
2000+ 1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STP3N80K5 STP3N80K5 STMICROELECTRONICS 2371905.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP3N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
auf Bestellung 405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STP3NK50Z STP3NK50Z STMicroelectronics stp3nk50z-1851510.pdf MOSFET N-channel 500 V, 2.8 Ohm typ 2.3 A SuperMESH Power MOSFET
auf Bestellung 592 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.18 EUR
10+ 1.02 EUR
100+ 0.71 EUR
500+ 0.6 EUR
1000+ 0.51 EUR
2000+ 0.46 EUR
5000+ 0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3
STP3NK50Z STP3NK50Z STMicroelectronics stp3nk50z.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 2.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 1.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
auf Bestellung 2931 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.27 EUR
50+ 1.05 EUR
100+ 0.77 EUR
500+ 0.64 EUR
1000+ 0.54 EUR
2000+ 0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 14
STP3NK50Z STP3NK50Z STMicroelectronics 1528371268548535dm000.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STP3NK50Z STP3NK50Z STMICROELECTRONICS 2367748.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP3NK50Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.3 A, 2.8 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
auf Bestellung 2569 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STP3NK60Z STP3NK60Z STMicroelectronics STP3NK60Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.51A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+1.39 EUR
94+ 0.77 EUR
115+ 0.62 EUR
133+ 0.54 EUR
141+ 0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 52
STP3NK60Z STP3NK60Z STMicroelectronics STP3NK60Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.51A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.39 EUR
94+ 0.77 EUR
115+ 0.62 EUR
133+ 0.54 EUR
141+ 0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 52
STP3NK60Z STP3NK60Z STMicroelectronics stb3nk60zt4-1850082.pdf MOSFET N-Ch 600 Volt 2.4 A Zener SuperMESH
auf Bestellung 1988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.45 EUR
10+ 1.58 EUR
100+ 1.39 EUR
250+ 1.37 EUR
500+ 1.22 EUR
1000+ 1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STP3NK60Z STP3NK60Z STMicroelectronics en.CD00003099.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 25 V
auf Bestellung 5678 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.48 EUR
50+ 2 EUR
100+ 1.65 EUR
500+ 1.4 EUR
1000+ 1.18 EUR
2000+ 1.12 EUR
5000+ 1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 8
STP3NK60Z STP3NK60Z STMicroelectronics en.cd00003099.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STP3NK60Z STP3NK60Z STMicroelectronics en.cd00003099.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+1.47 EUR
120+ 1.26 EUR
250+ 1.16 EUR
500+ 1.04 EUR
1000+ 0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 107
STP3NK60Z STP3NK60Z STMicroelectronics en.cd00003099.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+2.26 EUR
106+ 1.43 EUR
119+ 1.23 EUR
250+ 1.13 EUR
500+ 1.01 EUR
1000+ 0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 70
STP3NK60ZFP STP3NK60ZFP STMicroelectronics STP3NK60Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.51A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 41
STP3NK60ZFP STP3NK60ZFP STMicroelectronics STP3NK60Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.51A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
41+1.74 EUR
50+ 1.43 EUR
70+ 1.02 EUR
250+ 0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 41
STP3NK60ZFP ST en.CD00003099.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP STP3NK60ZFP TSTP3NK60zfp
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 20
STP3NK60ZFP STP3NK60ZFP STMicroelectronics en.CD00003099.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 25 V
auf Bestellung 953 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.82 EUR
50+ 2.26 EUR
100+ 1.86 EUR
500+ 1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 7
STP3NK60ZFP STP3NK60ZFP STMicroelectronics stb3nk60zt4-1850082.pdf MOSFET N-Ch, 600V-3.3ohms Zener SuperMESH 2.4A
auf Bestellung 867 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.8 EUR
10+ 2.25 EUR
100+ 1.85 EUR
250+ 1.81 EUR
500+ 1.55 EUR
1000+ 1.32 EUR
2000+ 1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STP3NK60ZFP STP3NK60ZFP STMICROELECTRONICS SGST-S-A0006184986-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP3NK60ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.4 A, 3.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 609 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STP3NK60ZFP STP3NK60ZFP STMicroelectronics en.cd00003099.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 2888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STP3NK60ZFP STP3NK60ZFP STMicroelectronics en.cd00003099.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 2884 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+1.59 EUR
131+ 1.15 EUR
250+ 1.1 EUR
500+ 1.05 EUR
1000+ 0.93 EUR
2000+ 0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 99
STP3NK60ZFP STP3NK60ZFP STMicroelectronics en.cd00003099.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 2888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+1.86 EUR
98+ 1.55 EUR
129+ 1.13 EUR
250+ 1.07 EUR
500+ 1.03 EUR
1000+ 0.9 EUR
2000+ 0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 84
STP3NK80Z STP3NK80Z STMicroelectronics STF3NK80Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STP3NK80Z STP3NK80Z STMicroelectronics STF3NK80Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
3+ 23.84 EUR
10+ 7.15 EUR
29+ 2.46 EUR
50+ 1.43 EUR
78+ 0.92 EUR
250+ 0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STP3NK80Z ST en.CD00003377.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 4,5Ohm; 2,5A; 70W; -55°C ~ 150°C; STP3NK80Z TSTP3NK80Z
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 50
STP3NK80Z STP3NK80Z STMicroelectronics en.CD00003377.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
auf Bestellung 981 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.83 EUR
50+ 2.28 EUR
100+ 1.88 EUR
500+ 1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 7
STP3NK80Z STP3NK80Z STMicroelectronics en.CD00003377.pdf MOSFET N-Ch 800 Volt 2.5A Zener SuperMESH
auf Bestellung 1367 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.82 EUR
10+ 2.2 EUR
100+ 1.81 EUR
250+ 1.78 EUR
500+ 1.55 EUR
1000+ 1.37 EUR
2000+ 1.23 EUR
STP3NK80Z STP3NK80Z STMicroelectronics 1846634588064042cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1513 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+1.4 EUR
127+ 1.19 EUR
500+ 1.05 EUR
1000+ 0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 112
STP3NK80Z STP3NK80Z STMicroelectronics 1846634588064042cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STP3NK80Z STP3NK80Z STMICROELECTRONICS SGST-S-A0003061510-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP3NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 4.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 913 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STP3NK80Z STP3NK80Z STMicroelectronics 1846634588064042cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+1.65 EUR
111+ 1.37 EUR
126+ 1.16 EUR
500+ 1.02 EUR
1000+ 0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 95
STP3NK90Z STP3NK90Z STMicroelectronics STP3NK90Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.89A; 90W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.89A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+1.2 EUR
73+ 0.99 EUR
85+ 0.84 EUR
92+ 0.78 EUR
94+ 0.76 EUR
97+ 0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 60
STP3NK90Z STP3NK90Z STMicroelectronics STP3NK90Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.89A; 90W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.89A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
60+1.2 EUR
73+ 0.99 EUR
85+ 0.84 EUR
92+ 0.78 EUR
94+ 0.76 EUR
97+ 0.74 EUR
250+ 0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 60
STP3NK90Z ST en.CD00003170.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 4,8Ohm; 3A; 90W; -55°C ~ 150°C; STP3NK90Z TSTP3NK90Z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 20
STP3NK90Z STP3NK90Z STMicroelectronics std3nk90zt4-1850732.pdf MOSFET N-Ch 900 Volt 3 Amp Zener SuperMESH
auf Bestellung 1323 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.29 EUR
10+ 2.25 EUR
100+ 1.99 EUR
500+ 1.76 EUR
1000+ 1.72 EUR
STP3NK90Z STP3NK90Z STMicroelectronics en.CD00003170.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
auf Bestellung 355 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.31 EUR
50+ 2.66 EUR
100+ 2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 6
STP3NK90Z STP3NK90Z STMicroelectronics en.cd00003170.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+1.53 EUR
112+ 1.35 EUR
500+ 1.21 EUR
1000+ 0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 102
STP3NK90Z STP3NK90Z STMicroelectronics en.cd00003170.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+1.94 EUR
101+ 1.5 EUR
111+ 1.32 EUR
500+ 1.18 EUR
1000+ 0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 81
STP3NK90Z STP3NK90Z STMICROELECTRONICS SGST-S-A0006332150-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP3NK90Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 3 A, 4.1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.1ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 1029 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STP3NK90Z STP3NK90Z STMicroelectronics en.cd00003170.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STP3NK90ZFP STP3NK90ZFP STMicroelectronics STP3NK90Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.89A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.89A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 597 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+1.24 EUR
61+ 1.19 EUR
66+ 1.09 EUR
104+ 0.69 EUR
110+ 0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 58
STP3NK90ZFP STP3NK90ZFP STMicroelectronics STP3NK90Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.89A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.89A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 597 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
58+1.24 EUR
61+ 1.19 EUR
66+ 1.09 EUR
104+ 0.69 EUR
110+ 0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 58
STP3NK90ZFP ST en.CD00003170.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 4,8Ohm; 3A; 25W; -55°C ~ 150°C; STP3NK90ZFP TSTP3NK90ZFP
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 20
STP3NK90ZFP STP3NK90ZFP STMicroelectronics en.CD00003170.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 3A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.25 EUR
50+ 1.81 EUR
100+ 1.44 EUR
500+ 1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 8
STP3NK90ZFP STP3NK90ZFP STMicroelectronics std3nk90zt4-1850732.pdf MOSFET N-channel 900 V, 4.1 Ohm typ 3 A SuperMESH Power MOSFET
auf Bestellung 2128 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.59 EUR
10+ 1.36 EUR
100+ 1.18 EUR
500+ 1.08 EUR
1000+ 0.93 EUR
2000+ 0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STP3NK90ZFP STP3NK90ZFP STMicroelectronics en.cd00003170.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
147+1.06 EUR
232+ 0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 147
STP3NK90ZFP STP3NK90ZFP STMICROELECTRONICS 2309894.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP3NK90ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 3 A, 4.8 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.8ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 2283 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STP3NK90ZFP STP3NK90ZFP STMicroelectronics en.cd00003170.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
147+1.07 EUR
233+ 0.65 EUR
500+ 0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 147
STP3NK90ZFP STMicroelectronics en.cd00003170.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STP3NK90ZFP STP3NK90ZFP STMicroelectronics en.cd00003170.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
131+1.2 EUR
147+ 1.03 EUR
233+ 0.62 EUR
500+ 0.59 EUR
1000+ 0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 131
STP3NK90ZFP STP3NK90ZFP STMicroelectronics en.cd00003170.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 327 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+1.21 EUR
146+ 1.04 EUR
229+ 0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 130
STP3NK90ZFP STP3NK90ZFP STMicroelectronics en.cd00003170.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 327 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STP300NH02L en.CD00152783.pdf
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STP3015L
auf Bestellung 18530 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STP3020
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STP3020L ST TO-220
auf Bestellung 830 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STP3035QFP SUN 02+
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STP3035QFP Sun 1997
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STP3045
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STP3N80K5 en.DM00090304.pdf
STP3N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
8+2.48 EUR
50+ 2 EUR
100+ 1.65 EUR
500+ 1.4 EUR
1000+ 1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 8
STP3N80K5 std3n80k5-955671.pdf
STP3N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte
auf Bestellung 999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+1.8 EUR
10+ 1.55 EUR
100+ 1.37 EUR
250+ 1.36 EUR
500+ 1.23 EUR
1000+ 1.14 EUR
2000+ 1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STP3N80K5 2371905.pdf
STP3N80K5
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP3N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
auf Bestellung 405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STP3NK50Z stp3nk50z-1851510.pdf
STP3NK50Z
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 500 V, 2.8 Ohm typ 2.3 A SuperMESH Power MOSFET
auf Bestellung 592 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+1.18 EUR
10+ 1.02 EUR
100+ 0.71 EUR
500+ 0.6 EUR
1000+ 0.51 EUR
2000+ 0.46 EUR
5000+ 0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3
STP3NK50Z stp3nk50z.pdf
STP3NK50Z
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 2.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 1.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
auf Bestellung 2931 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
14+1.27 EUR
50+ 1.05 EUR
100+ 0.77 EUR
500+ 0.64 EUR
1000+ 0.54 EUR
2000+ 0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 14
STP3NK50Z 1528371268548535dm000.pdf
STP3NK50Z
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 2.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STP3NK50Z 2367748.pdf
STP3NK50Z
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP3NK50Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.3 A, 2.8 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
auf Bestellung 2569 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STP3NK60Z STP3NK60Z.pdf
STP3NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.51A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
52+1.39 EUR
94+ 0.77 EUR
115+ 0.62 EUR
133+ 0.54 EUR
141+ 0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 52
STP3NK60Z STP3NK60Z.pdf
STP3NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.51A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
52+1.39 EUR
94+ 0.77 EUR
115+ 0.62 EUR
133+ 0.54 EUR
141+ 0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 52
STP3NK60Z stb3nk60zt4-1850082.pdf
STP3NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 600 Volt 2.4 A Zener SuperMESH
auf Bestellung 1988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+2.45 EUR
10+ 1.58 EUR
100+ 1.39 EUR
250+ 1.37 EUR
500+ 1.22 EUR
1000+ 1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STP3NK60Z en.CD00003099.pdf
STP3NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 25 V
auf Bestellung 5678 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
8+2.48 EUR
50+ 2 EUR
100+ 1.65 EUR
500+ 1.4 EUR
1000+ 1.18 EUR
2000+ 1.12 EUR
5000+ 1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 8
STP3NK60Z en.cd00003099.pdf
STP3NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STP3NK60Z en.cd00003099.pdf
STP3NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
107+1.47 EUR
120+ 1.26 EUR
250+ 1.16 EUR
500+ 1.04 EUR
1000+ 0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 107
STP3NK60Z en.cd00003099.pdf
STP3NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
70+2.26 EUR
106+ 1.43 EUR
119+ 1.23 EUR
250+ 1.13 EUR
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1000+ 0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 70
STP3NK60ZFP STP3NK60Z.pdf
STP3NK60ZFP
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.51A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
41+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 41
STP3NK60ZFP STP3NK60Z.pdf
STP3NK60ZFP
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.51A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
41+1.74 EUR
50+ 1.43 EUR
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250+ 0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 41
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Hersteller: ST
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP STP3NK60ZFP TSTP3NK60zfp
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 20
STP3NK60ZFP en.CD00003099.pdf
STP3NK60ZFP
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 25 V
auf Bestellung 953 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+2.82 EUR
50+ 2.26 EUR
100+ 1.86 EUR
500+ 1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 7
STP3NK60ZFP stb3nk60zt4-1850082.pdf
STP3NK60ZFP
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch, 600V-3.3ohms Zener SuperMESH 2.4A
auf Bestellung 867 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+2.8 EUR
10+ 2.25 EUR
100+ 1.85 EUR
250+ 1.81 EUR
500+ 1.55 EUR
1000+ 1.32 EUR
2000+ 1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STP3NK60ZFP SGST-S-A0006184986-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STP3NK60ZFP
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP3NK60ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.4 A, 3.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 609 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STP3NK60ZFP en.cd00003099.pdf
STP3NK60ZFP
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 2888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STP3NK60ZFP en.cd00003099.pdf
STP3NK60ZFP
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 2884 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
99+1.59 EUR
131+ 1.15 EUR
250+ 1.1 EUR
500+ 1.05 EUR
1000+ 0.93 EUR
2000+ 0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 99
STP3NK60ZFP en.cd00003099.pdf
STP3NK60ZFP
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 2888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
84+1.86 EUR
98+ 1.55 EUR
129+ 1.13 EUR
250+ 1.07 EUR
500+ 1.03 EUR
1000+ 0.9 EUR
2000+ 0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 84
STP3NK80Z STF3NK80Z.pdf
STP3NK80Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STP3NK80Z STF3NK80Z.pdf
STP3NK80Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+35.75 EUR
3+ 23.84 EUR
10+ 7.15 EUR
29+ 2.46 EUR
50+ 1.43 EUR
78+ 0.92 EUR
250+ 0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STP3NK80Z en.CD00003377.pdf
Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 4,5Ohm; 2,5A; 70W; -55°C ~ 150°C; STP3NK80Z TSTP3NK80Z
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
50+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 50
STP3NK80Z en.CD00003377.pdf
STP3NK80Z
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
auf Bestellung 981 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+2.83 EUR
50+ 2.28 EUR
100+ 1.88 EUR
500+ 1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 7
STP3NK80Z en.CD00003377.pdf
STP3NK80Z
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 800 Volt 2.5A Zener SuperMESH
auf Bestellung 1367 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+2.82 EUR
10+ 2.2 EUR
100+ 1.81 EUR
250+ 1.78 EUR
500+ 1.55 EUR
1000+ 1.37 EUR
2000+ 1.23 EUR
STP3NK80Z 1846634588064042cd000.pdf
STP3NK80Z
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1513 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
112+1.4 EUR
127+ 1.19 EUR
500+ 1.05 EUR
1000+ 0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 112
STP3NK80Z 1846634588064042cd000.pdf
STP3NK80Z
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STP3NK80Z SGST-S-A0003061510-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STP3NK80Z
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP3NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 4.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 913 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STP3NK80Z 1846634588064042cd000.pdf
STP3NK80Z
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
95+1.65 EUR
111+ 1.37 EUR
126+ 1.16 EUR
500+ 1.02 EUR
1000+ 0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 95
STP3NK90Z STP3NK90Z.pdf
STP3NK90Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.89A; 90W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.89A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
60+1.2 EUR
73+ 0.99 EUR
85+ 0.84 EUR
92+ 0.78 EUR
94+ 0.76 EUR
97+ 0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 60
STP3NK90Z STP3NK90Z.pdf
STP3NK90Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.89A; 90W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.89A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
60+1.2 EUR
73+ 0.99 EUR
85+ 0.84 EUR
92+ 0.78 EUR
94+ 0.76 EUR
97+ 0.74 EUR
250+ 0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 60
STP3NK90Z en.CD00003170.pdf
Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 4,8Ohm; 3A; 90W; -55°C ~ 150°C; STP3NK90Z TSTP3NK90Z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 20
STP3NK90Z std3nk90zt4-1850732.pdf
STP3NK90Z
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 900 Volt 3 Amp Zener SuperMESH
auf Bestellung 1323 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+3.29 EUR
10+ 2.25 EUR
100+ 1.99 EUR
500+ 1.76 EUR
1000+ 1.72 EUR
STP3NK90Z en.CD00003170.pdf
STP3NK90Z
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
auf Bestellung 355 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+3.31 EUR
50+ 2.66 EUR
100+ 2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 6
STP3NK90Z en.cd00003170.pdf
STP3NK90Z
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
102+1.53 EUR
112+ 1.35 EUR
500+ 1.21 EUR
1000+ 0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 102
STP3NK90Z en.cd00003170.pdf
STP3NK90Z
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
81+1.94 EUR
101+ 1.5 EUR
111+ 1.32 EUR
500+ 1.18 EUR
1000+ 0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 81
STP3NK90Z SGST-S-A0006332150-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STP3NK90Z
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP3NK90Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 3 A, 4.1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.1ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 1029 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STP3NK90Z en.cd00003170.pdf
STP3NK90Z
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STP3NK90ZFP STP3NK90Z.pdf
STP3NK90ZFP
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.89A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.89A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 597 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
58+1.24 EUR
61+ 1.19 EUR
66+ 1.09 EUR
104+ 0.69 EUR
110+ 0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 58
STP3NK90ZFP STP3NK90Z.pdf
STP3NK90ZFP
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.89A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.89A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 597 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
58+1.24 EUR
61+ 1.19 EUR
66+ 1.09 EUR
104+ 0.69 EUR
110+ 0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 58
STP3NK90ZFP en.CD00003170.pdf
Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 4,8Ohm; 3A; 25W; -55°C ~ 150°C; STP3NK90ZFP TSTP3NK90ZFP
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 20
STP3NK90ZFP en.CD00003170.pdf
STP3NK90ZFP
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 3A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
8+2.25 EUR
50+ 1.81 EUR
100+ 1.44 EUR
500+ 1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 8
STP3NK90ZFP std3nk90zt4-1850732.pdf
STP3NK90ZFP
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 900 V, 4.1 Ohm typ 3 A SuperMESH Power MOSFET
auf Bestellung 2128 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+1.59 EUR
10+ 1.36 EUR
100+ 1.18 EUR
500+ 1.08 EUR
1000+ 0.93 EUR
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STP3NK90ZFP
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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STP3NK90ZFP
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP3NK90ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 3 A, 4.8 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.8ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
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Hersteller: STMicroelectronics
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233+ 0.62 EUR
500+ 0.59 EUR
1000+ 0.54 EUR
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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146+ 1.04 EUR
229+ 0.64 EUR
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STP3015L
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STP3020
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STP3020L
Hersteller: ST
TO-220
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STP3035QFP
Hersteller: SUN
02+
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STP3035QFP
Hersteller: Sun
1997
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STP3045
auf Bestellung 69 Stücke:
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