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IRF7341TRPBF IRF7341TRPBF
Produktcode: 25204
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IR IRF7341.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 55
Idd,A: 04.07.2015
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 740/24
Bem.: 2N
JHGF: SMD
auf Bestellung 69 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 200 Stück:
200 Stück - erwartet 26.10.2025
1+0.48 EUR
10+0.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
F7341 IOR 01+ SOP
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
F7341Q IOR 09+ SOP8
auf Bestellung 1017 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341 SLKOR Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 45mOhm; 5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341 SLKOR TIRF7341 SLK
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341 SLKOR Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 45mOhm; 5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341 SLKOR TIRF7341 SLK
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341 JSMicro Semiconductor Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 6,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341 JSMICRO TIRF7341 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341GTRPBF IRF7341GTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7341gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f63e9b1b5f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3163 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+2.47 EUR
41+1.74 EUR
69+1.04 EUR
73+0.99 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341GTRPBF IRF7341GTRPBF Infineon Technologies irf7341gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f63e9b1b5f Description: MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341GTRPBF IRF7341GTRPBF Infineon Technologies irf7341gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f63e9b1b5f Description: MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 6687 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.4 EUR
10+1.99 EUR
100+1.66 EUR
500+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341GTRPBF IRF7341GTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7341G_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs PLANAR 40<-<100V
auf Bestellung 30918 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.4 EUR
10+1.97 EUR
100+1.65 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.35 EUR
2000+1.24 EUR
4000+1.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TR International Rectifier f37a0ee898830db7a6e80c72738a1d95.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 4,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341 TIRF7341
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 323 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TR JGSEMI f37a0ee898830db7a6e80c72738a1d95.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 50mOhm; 6A; 1,5W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341TR JGSEMI TIRF7341 JGS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TR UMW f37a0ee898830db7a6e80c72738a1d95.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 55V; 20V; 45mOhm; 4,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341TR UMW TIRF7341 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TR-HXY 4828. HXY MOSFET Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 48mOhm; 6,5A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; HXY4828S (IRF7341TR) HXY MOSFET TIRF7341 HXY
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBF IRF7341TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63 description Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 19793 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.94 EUR
15+1.21 EUR
100+0.8 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.57 EUR
2000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBF IRF7341TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63 description Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 18800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.48 EUR
8000+0.44 EUR
12000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.7A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.7A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+1.56 EUR
72+1 EUR
205+0.35 EUR
217+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBFXTMA1 IRF7341TRPBFXTMA1 Infineon Technologies Infineon_IRF7341_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs PLANAR 40<-<100V
auf Bestellung 3134 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.2 EUR
10+1.41 EUR
100+0.96 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
2000+0.63 EUR
4000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBFXTMA1 IRF7341TRPBFXTMA1 Infineon Technologies infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63 Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.58 EUR
8000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBFXTMA1 IRF7341TRPBFXTMA1 Infineon Technologies infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63 Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
auf Bestellung 36266 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.15 EUR
13+1.37 EUR
100+0.93 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
2000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMWIRF7341TR UMWIRF7341TR UMW f37a0ee898830db7a6e80c72738a1d95.pdf Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 2867 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.71 EUR
17+1.07 EUR
100+0.7 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор IRF7341PBF Infineon Транз. Пол. ММ 2 N-Channel (Dual) MOSFET SOIC8 Udss=55V; Id=4,7A; Pdmax=2W; Rds=50 mOhm @ 4.7A, 10V
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+6.88 EUR
10+6.19 EUR
100+5.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341 IOR
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341 IR 07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341 IOR 09+
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341 IR 09+
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341 IOR 09+ SO-8
auf Bestellung 1078 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341 IR SO-8
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341 IR 05+ SOP-8;
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341ITRPBF IR
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341Q IR
auf Bestellung 12520 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341Q IR 07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341Q IR SO-8
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341QPBF IR description
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341QTR
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341QTRPB
auf Bestellung 3080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TR f37a0ee898830db7a6e80c72738a1d95.pdf
auf Bestellung 16549 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341PBF IRF7341PBF
Produktcode: 26458
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IR IRF7341PBF.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 55
Idd,A: 04.07.2015
Rds(on), Ohm: 0.050
Ciss, pF/Qg, nC: 740/24
Bem.: 2N
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.7 EUR
10+0.57 EUR
100+0.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341QPBF
Produktcode: 85128
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description
8542 39 90 00
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7341Q AUIRF7341Q Infineon Technologies auirf7341q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad364513dc Description: MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7341QTR AUIRF7341QTR INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D743AF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7341q.pdf?ci_sign=6bea7d23124b569e130ea828412fdc252f1025d0 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 55V; 5.1A; 2.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 2.4W
Gate charge: 29nC
Gate-source voltage: ±20V
Technology: HEXFET®
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7341QTR AUIRF7341QTR Infineon Technologies auirf7341q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad364513dc Description: MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FMP300FBF73-412K FMP300FBF73-412K YAGEO YAGEO-FMP_DATASHEET Description: RES 412K OHM 1% 3W AXIAL
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±1%
Features: Flame Proof, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.197" Dia x 0.610" L (5.00mm x 15.50mm)
Composition: Metal Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Part Status: Active
Resistance: 412 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FMP300FBF73-412R FMP300FBF73-412R YAGEO YAGEO-FMP_DATASHEET Description: RES 412 OHM 1% 3W AXIAL
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±1%
Features: Flame Proof, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.197" Dia x 0.610" L (5.00mm x 15.50mm)
Composition: Metal Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Part Status: Active
Resistance: 412 Ohms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FMP300FBF73-41K2 FMP300FBF73-41K2 YAGEO YAGEO-FMP_DATASHEET Description: RES 41.2K OHM 1% 3W AXIAL
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±1%
Features: Flame Proof, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.197" Dia x 0.610" L (5.00mm x 15.50mm)
Composition: Metal Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Part Status: Active
Resistance: 41.2 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FMP300FBF73-41R2 FMP300FBF73-41R2 YAGEO YAGEO-FMP_DATASHEET Description: RES 41.2 OHM 1% 3W AXIAL
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±1%
Features: Flame Proof, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.197" Dia x 0.610" L (5.00mm x 15.50mm)
Composition: Metal Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Part Status: Active
Resistance: 41.2 Ohms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FMP300FRF73-412K FMP300FRF73-412K YAGEO YAGEO-FMP_DATASHEET Description: RES 412K OHM 1% 3W AXIAL
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±1%
Features: Flame Proof, Safety
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.197" Dia x 0.610" L (5.00mm x 15.50mm)
Composition: Metal Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Part Status: Active
Resistance: 412 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FMP300FRF73-412R FMP300FRF73-412R YAGEO YAGEO-FMP_DATASHEET Description: RES 412 OHM 1% 3W AXIAL
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±1%
Features: Flame Proof, Safety
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.197" Dia x 0.610" L (5.00mm x 15.50mm)
Composition: Metal Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Part Status: Active
Resistance: 412 Ohms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FMP300FRF73-41K2 FMP300FRF73-41K2 YAGEO YAGEO-FMP_DATASHEET Description: RES 41.2K OHM 1% 3W AXIAL
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±1%
Features: Flame Proof, Safety
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.197" Dia x 0.610" L (5.00mm x 15.50mm)
Composition: Metal Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Part Status: Active
Resistance: 41.2 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FMP300FRF73-41R2 FMP300FRF73-41R2 YAGEO YAGEO-FMP_DATASHEET Description: RES 41.2 OHM 1% 3W AXIAL
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±1%
Features: Flame Proof, Safety
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.197" Dia x 0.610" L (5.00mm x 15.50mm)
Composition: Metal Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Part Status: Active
Resistance: 41.2 Ohms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FMP300FTF73-412K FMP300FTF73-412K YAGEO YAGEO-FMP_DATASHEET Description: RES 412K OHM 1% 3W AXIAL
Packaging: Tape & Box (TB)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±1%
Features: Flame Proof, Safety
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.197" Dia x 0.610" L (5.00mm x 15.50mm)
Composition: Metal Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Part Status: Active
Resistance: 412 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FMP300FTF73-412R FMP300FTF73-412R YAGEO YAGEO-FMP_DATASHEET Description: RES 412 OHM 1% 3W AXIAL
Packaging: Tape & Box (TB)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±1%
Features: Flame Proof, Safety
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.197" Dia x 0.610" L (5.00mm x 15.50mm)
Composition: Metal Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Part Status: Active
Resistance: 412 Ohms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FMP300FTF73-41K2 FMP300FTF73-41K2 YAGEO YAGEO-FMP_DATASHEET Description: RES 41.2K OHM 1% 3W AXIAL
Packaging: Tape & Box (TB)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±1%
Features: Flame Proof, Safety
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.197" Dia x 0.610" L (5.00mm x 15.50mm)
Composition: Metal Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Part Status: Active
Resistance: 41.2 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FMP300FTF73-41R2 FMP300FTF73-41R2 YAGEO YAGEO-FMP_DATASHEET Description: RES 41.2 OHM 1% 3W AXIAL
Packaging: Tape & Box (TB)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±1%
Features: Flame Proof, Safety
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.197" Dia x 0.610" L (5.00mm x 15.50mm)
Composition: Metal Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Part Status: Active
Resistance: 41.2 Ohms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341PBF IRF7341PBF Infineon Technologies infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63 Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MFR100FRF73-412K MFR100FRF73-412K YAGEO YAGEO-MFR_DATASHEET.pdf Description: RES 412K OHM 1% 1W AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 1W
Tolerance: ±1%
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.177" Dia x 0.453" L (4.50mm x 11.50mm)
Composition: Metal Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Part Status: Active
Resistance: 412 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MFR100FRF73-412R MFR100FRF73-412R YAGEO YAGEO-MFR_DATASHEET.pdf Description: RES 412 OHM 1% 1W AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 1W
Tolerance: ±1%
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.177" Dia x 0.453" L (4.50mm x 11.50mm)
Composition: Metal Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Part Status: Active
Resistance: 412 Ohms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MFR100FRF73-41K2 MFR100FRF73-41K2 YAGEO YAGEO-MFR_DATASHEET.pdf Description: RES 41.2K OHM 1% 1W AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 1W
Tolerance: ±1%
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.177" Dia x 0.453" L (4.50mm x 11.50mm)
Composition: Metal Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Part Status: Active
Resistance: 41.2 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MFR100FRF73-41R2 MFR100FRF73-41R2 YAGEO YAGEO-MFR_DATASHEET.pdf Description: RES 41.2 OHM 1% 1W AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 1W
Tolerance: ±1%
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.177" Dia x 0.453" L (4.50mm x 11.50mm)
Composition: Metal Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Part Status: Active
Resistance: 41.2 Ohms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MFR100FTF73-412K MFR100FTF73-412K YAGEO YAGEO-MFR_DATASHEET.pdf Description: RES 412K OHM 1% 1W AXIAL
Packaging: Tape & Box (TB)
Power (Watts): 1W
Tolerance: ±1%
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.177" Dia x 0.453" L (4.50mm x 11.50mm)
Composition: Metal Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Part Status: Active
Resistance: 412 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBF
Produktcode: 25204
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description IRF7341.pdf
IRF7341TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 55
Idd,A: 04.07.2015
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 740/24
Bem.: 2N
JHGF: SMD
auf Bestellung 69 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 200 Stück:
200 Stück - erwartet 26.10.2025
Anzahl Preis
1+0.48 EUR
10+0.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
F7341
Hersteller: IOR
01+ SOP
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
F7341Q
Hersteller: IOR
09+ SOP8
auf Bestellung 1017 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341
Hersteller: SLKOR
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 45mOhm; 5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341 SLKOR TIRF7341 SLK
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341
Hersteller: SLKOR
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 45mOhm; 5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341 SLKOR TIRF7341 SLK
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 6,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341 JSMICRO TIRF7341 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341GTRPBF irf7341gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f63e9b1b5f
IRF7341GTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3163 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.47 EUR
41+1.74 EUR
69+1.04 EUR
73+0.99 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341GTRPBF irf7341gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f63e9b1b5f
IRF7341GTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341GTRPBF irf7341gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f63e9b1b5f
IRF7341GTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 6687 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.4 EUR
10+1.99 EUR
100+1.66 EUR
500+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341GTRPBF Infineon_IRF7341G_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF7341GTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs PLANAR 40<-<100V
auf Bestellung 30918 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.4 EUR
10+1.97 EUR
100+1.65 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.35 EUR
2000+1.24 EUR
4000+1.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TR f37a0ee898830db7a6e80c72738a1d95.pdf
Hersteller: International Rectifier
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 4,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341 TIRF7341
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 323 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TR f37a0ee898830db7a6e80c72738a1d95.pdf
Hersteller: JGSEMI
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 50mOhm; 6A; 1,5W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341TR JGSEMI TIRF7341 JGS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TR f37a0ee898830db7a6e80c72738a1d95.pdf
Hersteller: UMW
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 55V; 20V; 45mOhm; 4,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341TR UMW TIRF7341 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TR-HXY 4828.
Hersteller: HXY MOSFET
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 48mOhm; 6,5A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; HXY4828S (IRF7341TR) HXY MOSFET TIRF7341 HXY
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBF description infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63
IRF7341TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 19793 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+1.94 EUR
15+1.21 EUR
100+0.8 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.57 EUR
2000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBF description infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63
IRF7341TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 18800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.48 EUR
8000+0.44 EUR
12000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBFXTMA1 infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.7A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.7A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.56 EUR
72+1 EUR
205+0.35 EUR
217+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBFXTMA1 Infineon_IRF7341_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF7341TRPBFXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs PLANAR 40<-<100V
auf Bestellung 3134 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.2 EUR
10+1.41 EUR
100+0.96 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
2000+0.63 EUR
4000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBFXTMA1 infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63
IRF7341TRPBFXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.58 EUR
8000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBFXTMA1 infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63
IRF7341TRPBFXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
auf Bestellung 36266 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+2.15 EUR
13+1.37 EUR
100+0.93 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
2000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMWIRF7341TR f37a0ee898830db7a6e80c72738a1d95.pdf
UMWIRF7341TR
Hersteller: UMW
Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 2867 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+1.71 EUR
17+1.07 EUR
100+0.7 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор IRF7341PBF
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ММ 2 N-Channel (Dual) MOSFET SOIC8 Udss=55V; Id=4,7A; Pdmax=2W; Rds=50 mOhm @ 4.7A, 10V
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.88 EUR
10+6.19 EUR
100+5.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341
Hersteller: IOR
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341
Hersteller: IR
07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341
Hersteller: IOR
09+
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341
Hersteller: IR
09+
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341
Hersteller: IOR
09+ SO-8
auf Bestellung 1078 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341
Hersteller: IR
SO-8
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341
Hersteller: IR
05+ SOP-8;
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341ITRPBF
Hersteller: IR
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341Q
Hersteller: IR
auf Bestellung 12520 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341Q
Hersteller: IR
07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341Q
Hersteller: IR
SO-8
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341QPBF description
Hersteller: IR
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341QTR
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341QTRPB
auf Bestellung 3080 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TR f37a0ee898830db7a6e80c72738a1d95.pdf
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341PBF
Produktcode: 26458
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IRF7341PBF.pdf
IRF7341PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 55
Idd,A: 04.07.2015
Rds(on), Ohm: 0.050
Ciss, pF/Qg, nC: 740/24
Bem.: 2N
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl Preis
1+0.7 EUR
10+0.57 EUR
100+0.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341QPBF
Produktcode: 85128
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8542 39 90 00
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7341Q auirf7341q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad364513dc
AUIRF7341Q
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7341QTR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D743AF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7341q.pdf?ci_sign=6bea7d23124b569e130ea828412fdc252f1025d0
AUIRF7341QTR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 55V; 5.1A; 2.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 2.4W
Gate charge: 29nC
Gate-source voltage: ±20V
Technology: HEXFET®
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7341QTR auirf7341q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad364513dc
AUIRF7341QTR
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FMP300FBF73-412K YAGEO-FMP_DATASHEET
FMP300FBF73-412K
Hersteller: YAGEO
Description: RES 412K OHM 1% 3W AXIAL
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±1%
Features: Flame Proof, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.197" Dia x 0.610" L (5.00mm x 15.50mm)
Composition: Metal Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Part Status: Active
Resistance: 412 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FMP300FBF73-412R YAGEO-FMP_DATASHEET
FMP300FBF73-412R
Hersteller: YAGEO
Description: RES 412 OHM 1% 3W AXIAL
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±1%
Features: Flame Proof, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.197" Dia x 0.610" L (5.00mm x 15.50mm)
Composition: Metal Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Part Status: Active
Resistance: 412 Ohms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FMP300FBF73-41K2 YAGEO-FMP_DATASHEET
FMP300FBF73-41K2
Hersteller: YAGEO
Description: RES 41.2K OHM 1% 3W AXIAL
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±1%
Features: Flame Proof, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.197" Dia x 0.610" L (5.00mm x 15.50mm)
Composition: Metal Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Part Status: Active
Resistance: 41.2 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FMP300FBF73-41R2 YAGEO-FMP_DATASHEET
FMP300FBF73-41R2
Hersteller: YAGEO
Description: RES 41.2 OHM 1% 3W AXIAL
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±1%
Features: Flame Proof, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.197" Dia x 0.610" L (5.00mm x 15.50mm)
Composition: Metal Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Part Status: Active
Resistance: 41.2 Ohms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FMP300FRF73-412K YAGEO-FMP_DATASHEET
FMP300FRF73-412K
Hersteller: YAGEO
Description: RES 412K OHM 1% 3W AXIAL
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±1%
Features: Flame Proof, Safety
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.197" Dia x 0.610" L (5.00mm x 15.50mm)
Composition: Metal Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Part Status: Active
Resistance: 412 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FMP300FRF73-412R YAGEO-FMP_DATASHEET
FMP300FRF73-412R
Hersteller: YAGEO
Description: RES 412 OHM 1% 3W AXIAL
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±1%
Features: Flame Proof, Safety
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.197" Dia x 0.610" L (5.00mm x 15.50mm)
Composition: Metal Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Part Status: Active
Resistance: 412 Ohms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FMP300FRF73-41K2 YAGEO-FMP_DATASHEET
FMP300FRF73-41K2
Hersteller: YAGEO
Description: RES 41.2K OHM 1% 3W AXIAL
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±1%
Features: Flame Proof, Safety
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.197" Dia x 0.610" L (5.00mm x 15.50mm)
Composition: Metal Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Part Status: Active
Resistance: 41.2 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FMP300FRF73-41R2 YAGEO-FMP_DATASHEET
FMP300FRF73-41R2
Hersteller: YAGEO
Description: RES 41.2 OHM 1% 3W AXIAL
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±1%
Features: Flame Proof, Safety
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.197" Dia x 0.610" L (5.00mm x 15.50mm)
Composition: Metal Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Part Status: Active
Resistance: 41.2 Ohms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FMP300FTF73-412K YAGEO-FMP_DATASHEET
FMP300FTF73-412K
Hersteller: YAGEO
Description: RES 412K OHM 1% 3W AXIAL
Packaging: Tape & Box (TB)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±1%
Features: Flame Proof, Safety
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.197" Dia x 0.610" L (5.00mm x 15.50mm)
Composition: Metal Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Part Status: Active
Resistance: 412 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FMP300FTF73-412R YAGEO-FMP_DATASHEET
FMP300FTF73-412R
Hersteller: YAGEO
Description: RES 412 OHM 1% 3W AXIAL
Packaging: Tape & Box (TB)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±1%
Features: Flame Proof, Safety
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.197" Dia x 0.610" L (5.00mm x 15.50mm)
Composition: Metal Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Part Status: Active
Resistance: 412 Ohms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FMP300FTF73-41K2 YAGEO-FMP_DATASHEET
FMP300FTF73-41K2
Hersteller: YAGEO
Description: RES 41.2K OHM 1% 3W AXIAL
Packaging: Tape & Box (TB)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±1%
Features: Flame Proof, Safety
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.197" Dia x 0.610" L (5.00mm x 15.50mm)
Composition: Metal Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Part Status: Active
Resistance: 41.2 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FMP300FTF73-41R2 YAGEO-FMP_DATASHEET
FMP300FTF73-41R2
Hersteller: YAGEO
Description: RES 41.2 OHM 1% 3W AXIAL
Packaging: Tape & Box (TB)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±1%
Features: Flame Proof, Safety
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.197" Dia x 0.610" L (5.00mm x 15.50mm)
Composition: Metal Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Part Status: Active
Resistance: 41.2 Ohms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341PBF infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63
IRF7341PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
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MFR100FRF73-412K YAGEO-MFR_DATASHEET.pdf
MFR100FRF73-412K
Hersteller: YAGEO
Description: RES 412K OHM 1% 1W AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 1W
Tolerance: ±1%
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.177" Dia x 0.453" L (4.50mm x 11.50mm)
Composition: Metal Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Part Status: Active
Resistance: 412 kOhms
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MFR100FRF73-412R YAGEO-MFR_DATASHEET.pdf
MFR100FRF73-412R
Hersteller: YAGEO
Description: RES 412 OHM 1% 1W AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 1W
Tolerance: ±1%
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.177" Dia x 0.453" L (4.50mm x 11.50mm)
Composition: Metal Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Part Status: Active
Resistance: 412 Ohms
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MFR100FRF73-41K2 YAGEO-MFR_DATASHEET.pdf
MFR100FRF73-41K2
Hersteller: YAGEO
Description: RES 41.2K OHM 1% 1W AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 1W
Tolerance: ±1%
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.177" Dia x 0.453" L (4.50mm x 11.50mm)
Composition: Metal Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Part Status: Active
Resistance: 41.2 kOhms
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MFR100FRF73-41R2 YAGEO-MFR_DATASHEET.pdf
MFR100FRF73-41R2
Hersteller: YAGEO
Description: RES 41.2 OHM 1% 1W AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 1W
Tolerance: ±1%
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.177" Dia x 0.453" L (4.50mm x 11.50mm)
Composition: Metal Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Part Status: Active
Resistance: 41.2 Ohms
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MFR100FTF73-412K YAGEO-MFR_DATASHEET.pdf
MFR100FTF73-412K
Hersteller: YAGEO
Description: RES 412K OHM 1% 1W AXIAL
Packaging: Tape & Box (TB)
Power (Watts): 1W
Tolerance: ±1%
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.177" Dia x 0.453" L (4.50mm x 11.50mm)
Composition: Metal Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Part Status: Active
Resistance: 412 kOhms
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