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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF3205PBF IRF3205PBF
Produktcode: 25094
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IR/Infineon infineon-irf3205-datasheet-en.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
erwartet: 100 St.
  • 100 St. - erwartet
auf Bestellung: 3601 St.
  • 3601 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.78 EUR
10+1.73 EUR
100+1.19 EUR
1000+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205SPBF IRF3205SPBF
Produktcode: 36593
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IR irf3205spbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Idd, A: 110 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 8 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3247/146
Montage: SMD
auf Bestellung: 17 St.
  • 17 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+2.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF
Produktcode: 34997
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IR irf3205z.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 75 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/110
Montage: THT
auf Bestellung: 169 St.
  • 169 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+2.15 EUR
10+1.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205 International Rectifier description Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205; IRF 3205 ; IRF3205; YFW120N06AC; PTP12HN06; MOT110N06F; D3205; IRF3205 TIRF3205
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205 JSMICRO JSMicro Semiconductor Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205 TIRF3205 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205-CN CHIPNOBO CHIPNOBO Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 15mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205-CN TIRF3205 CNB
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205-ML MOSLEADER MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205-ML TIRF3205 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF IRF3205PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 6865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineon_irf3205_datasheet_en.pdf MOSFETs MOSFT 55V 98A 8mOhm 97.3nC
auf Bestellung 68580 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.75 EUR
10+2.37 EUR
100+2.01 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.58 EUR
2000+1.49 EUR
5000+1.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineon-irf3205-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
auf Bestellung 8264 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.66 EUR
10+2.99 EUR
50+2.27 EUR
100+2.03 EUR
500+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineonirf3205datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 27958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
494+1.36 EUR
549+1.2 EUR
1000+1.08 EUR
10000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 494 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineonirf3205datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1081 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+3.5 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineonirf3205datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1509 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
494+1.36 EUR
549+1.2 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 494 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineonirf3205datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1081 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+3.5 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineonirf3205datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
494+1.36 EUR
549+1.2 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 494 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineonirf3205datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineonirf3205datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF IRF3205PBF INFINEON IRSDS11472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3205PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 32042 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+5.95 EUR
85+2.74 EUR
111+1.94 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.48 EUR
5000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205S IRF3205S Infineon TIRF3205s_JSM_JSMICRO_0001.pdf description Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; IRF3205S-GURT; MOT100N07E; PTY12HN06; IRF3205STRL TIRF3205s
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205S IRF3205S International Rectifier TIRF3205s_JSM_JSMICRO_0001.pdf description Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; IRF3205S-GURT; MOT100N07E; PTY12HN06; IRF3205STRL TIRF3205s
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205S JSMICRO JSMicro Semiconductor Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; SP001576776; SP001576758; SP001564448; IRF3205S TIRF3205s JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Infineon Technologies infineon-irf3205s-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.3 EUR
2400+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Infineon Technologies infineon_irf3205s_datasheet_en.pdf MOSFETs MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC
auf Bestellung 11317 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.92 EUR
10+1.92 EUR
100+1.7 EUR
500+1.27 EUR
800+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Infineon Technologies infineon-irf3205s-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
auf Bestellung 2414 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4 EUR
10+2.56 EUR
50+1.94 EUR
100+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Infineon Technologies infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 108000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012732659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 1874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+5.22 EUR
99+2.37 EUR
104+2.07 EUR
111+1.94 EUR
250+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Infineon Technologies infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.7 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012732659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 1874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.37 EUR
104+2.07 EUR
111+1.94 EUR
250+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Infineon Technologies infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Infineon Technologies infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 108000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Infineon Technologies infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Infineon Technologies infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205Z IRF3205Z International Rectifier info-tirf3205z.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205Z IRF3205Z International Rectifier info-tirf3205z.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF INFINEON INFN-S-A0012838521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF3205ZPBF - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 55 V, 110 A, 6500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+3.18 EUR
108+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF Infineon Technologies infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 40839 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
431+1.55 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.24 EUR
10000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 431 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZPBFAKSA1 Infineon Technologies Infineon_IRF3205Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs IR FET UP TO 60V
auf Bestellung 2259 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.69 EUR
10+3.01 EUR
100+2.05 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.45 EUR
2000+1.4 EUR
5000+1.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZPBFXKMA1 IRF3205ZPBFXKMA1 Infineon Technologies infineon-irf3205z-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.99 EUR
10+3.2 EUR
50+2.43 EUR
100+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZPBFXKMA1 INFINEON infineon-irf3205z-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IRF3205ZPBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0065 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.75 EUR
69+3.42 EUR
100+2.14 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZPBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZS IRF3205ZS Infineon info-tirf3205zs.pdf N-MOSFET 110A 55V 170W IRF3205ZSTRL , (IRF3205ZS TUBE *obsolete) IRF3205ZS TIRF3205zs
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 440A
auf Bestellung 697 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf3205z-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
auf Bestellung 3075 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.05 EUR
10+3.25 EUR
50+2.48 EUR
100+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies infineon_irf3205z_datasheet_en.pdf MOSFETs MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg
auf Bestellung 4475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.19 EUR
10+2.57 EUR
100+2.28 EUR
500+1.75 EUR
800+1.56 EUR
4800+1.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf3205z-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.69 EUR
2400+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+4.87 EUR
57+3.02 EUR
75+2.21 EUR
100+1.92 EUR
800+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3205ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.52 EUR
250+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+2.23 EUR
500+1.98 EUR
1000+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3205ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.88 EUR
57+4.13 EUR
75+2.89 EUR
100+2.52 EUR
250+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+3.13 EUR
75+2.36 EUR
100+2.07 EUR
800+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205 IR
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205NSTRLPBF IR 09+
auf Bestellung 10018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PB
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF infineon-irf3205-datasheet-en.pdf IRF3205PBF Транзисторы
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF/IR IR 08+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF
Produktcode: 25094
18 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
description infineon-irf3205-datasheet-en.pdf
IRF3205PBF
Hersteller: IR/Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
erwartet: 100 St.
  • 100 St. - erwartet
auf Bestellung: 3601 St.
  • 3601 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.78 EUR
10+1.73 EUR
100+1.19 EUR
1000+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205SPBF
Produktcode: 36593
3 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
irf3205spbf-datasheet.pdf
IRF3205SPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Idd, A: 110 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 8 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3247/146
Montage: SMD
auf Bestellung: 17 St.
  • 17 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+2.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZPBF
Produktcode: 34997
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
description irf3205z.pdf
IRF3205ZPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 75 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/110
Montage: THT
auf Bestellung: 169 St.
  • 169 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+2.15 EUR
10+1.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205 description
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205; IRF 3205 ; IRF3205; YFW120N06AC; PTP12HN06; MOT110N06F; D3205; IRF3205 TIRF3205
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205 JSMICRO
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205 TIRF3205 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205-CN CHIPNOBO
Hersteller: CHIPNOBO
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 15mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205-CN TIRF3205 CNB
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205-ML MOSLEADER
Hersteller: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205-ML TIRF3205 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF irf3205.pdf
IRF3205PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 6865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF infineon_irf3205_datasheet_en.pdf
IRF3205PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 98A 8mOhm 97.3nC
auf Bestellung 68580 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.75 EUR
10+2.37 EUR
100+2.01 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.58 EUR
2000+1.49 EUR
5000+1.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF infineon-irf3205-datasheet-en.pdf
IRF3205PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
auf Bestellung 8264 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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5+4.66 EUR
10+2.99 EUR
50+2.27 EUR
100+2.03 EUR
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF infineonirf3205datasheetv0101en.pdf
IRF3205PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 27958 Stücke:
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494+1.36 EUR
549+1.2 EUR
1000+1.08 EUR
10000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 494 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF3205PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1081 Stücke:
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51+3.5 EUR
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IRF3205PBF infineonirf3205datasheetv0101en.pdf
IRF3205PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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494+1.36 EUR
549+1.2 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 494 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF infineonirf3205datasheetv0101en.pdf
IRF3205PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1081 Stücke:
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51+3.5 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF3205PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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494+1.36 EUR
549+1.2 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 494 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF infineonirf3205datasheetv0101en.pdf
IRF3205PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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1000+1.31 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF infineonirf3205datasheetv0101en.pdf
IRF3205PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF IRSDS11472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3205PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 32042 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
43+5.95 EUR
85+2.74 EUR
111+1.94 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.48 EUR
5000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205S description TIRF3205s_JSM_JSMICRO_0001.pdf
IRF3205S
Hersteller: Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; IRF3205S-GURT; MOT100N07E; PTY12HN06; IRF3205STRL TIRF3205s
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205S description TIRF3205s_JSM_JSMICRO_0001.pdf
IRF3205S
Hersteller: International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; IRF3205S-GURT; MOT100N07E; PTY12HN06; IRF3205STRL TIRF3205s
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205S JSMICRO
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; SP001576776; SP001576758; SP001564448; IRF3205S TIRF3205s JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205STRLPBF irf3205spbf.pdf
IRF3205STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205STRLPBF infineon-irf3205s-datasheet-en.pdf
IRF3205STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+1.3 EUR
2400+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205STRLPBF infineon_irf3205s_datasheet_en.pdf
IRF3205STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC
auf Bestellung 11317 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.92 EUR
10+1.92 EUR
100+1.7 EUR
500+1.27 EUR
800+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205STRLPBF infineon-irf3205s-datasheet-en.pdf
IRF3205STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
auf Bestellung 2414 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+4 EUR
10+2.56 EUR
50+1.94 EUR
100+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205STRLPBF infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 108000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205STRLPBF INFN-S-A0012732659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3205STRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 1874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
48+5.22 EUR
99+2.37 EUR
104+2.07 EUR
111+1.94 EUR
250+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205STRLPBF infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
38+4.7 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205STRLPBF INFN-S-A0012732659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3205STRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 1874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.37 EUR
104+2.07 EUR
111+1.94 EUR
250+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205STRLPBF infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
54+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205STRLPBF infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 108000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205STRLPBF infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205STRLPBF infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205Z info-tirf3205z.pdf
IRF3205Z
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205Z info-tirf3205z.pdf
IRF3205Z
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZPBF description INFN-S-A0012838521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3205ZPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205ZPBF - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 55 V, 110 A, 6500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
79+3.18 EUR
108+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZPBF description infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf
IRF3205ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 40839 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
431+1.55 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.24 EUR
10000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 431 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZPBFAKSA1 Infineon_IRF3205Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET UP TO 60V
auf Bestellung 2259 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.69 EUR
10+3.01 EUR
100+2.05 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.45 EUR
2000+1.4 EUR
5000+1.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZPBFXKMA1 infineon-irf3205z-datasheet-en.pdf
IRF3205ZPBFXKMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.99 EUR
10+3.2 EUR
50+2.43 EUR
100+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZPBFXKMA1 infineon-irf3205z-datasheet-en.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205ZPBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0065 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
44+5.75 EUR
69+3.42 EUR
100+2.14 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZPBFXKMA1 infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZS info-tirf3205zs.pdf
IRF3205ZS
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 110A 55V 170W IRF3205ZSTRL , (IRF3205ZS TUBE *obsolete) IRF3205ZS TIRF3205zs
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF irf3205zpbf.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 440A
auf Bestellung 697 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF infineon-irf3205z-datasheet-en.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
auf Bestellung 3075 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+5.05 EUR
10+3.25 EUR
50+2.48 EUR
100+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF infineon_irf3205z_datasheet_en.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg
auf Bestellung 4475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.19 EUR
10+2.57 EUR
100+2.28 EUR
500+1.75 EUR
800+1.56 EUR
4800+1.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF infineon-irf3205z-datasheet-en.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+1.69 EUR
2400+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
37+4.87 EUR
57+3.02 EUR
75+2.21 EUR
100+1.92 EUR
800+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF INFN-S-A0012838521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3205ZSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.52 EUR
250+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
300+2.23 EUR
500+1.98 EUR
1000+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF INFN-S-A0012838521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3205ZSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
37+6.88 EUR
57+4.13 EUR
75+2.89 EUR
100+2.52 EUR
250+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
57+3.13 EUR
75+2.36 EUR
100+2.07 EUR
800+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205ZSTRLPBF infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205 IR
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205NSTRLPBF
Hersteller: IR
09+
auf Bestellung 10018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PB
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF infineon-irf3205-datasheet-en.pdf
IRF3205PBF Транзисторы
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF/IR
Hersteller: IR
08+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH