Suchergebnisse für "irf3205" : > 60
Wählen Sie Seite:
1
2
[ Nächste Seite >> ]
Art der Ansicht :
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 494 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 494 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 494 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 431 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF3205PBF Produktcode: 25094
17
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
IR/Infineon |
  Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Idd, A: 110 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76 Montage: THT |
erwartet: 3000 St.
auf Bestellung: 1231 St.
|
|
||||||||||||||||
|
|
IRF3205SPBF Produktcode: 36593
3
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D2PAK (TO-263) Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В Drain-Strom Idd, A: 110 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 8 мОм Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3247/146 Montage: SMD |
auf Bestellung: 17 St.
|
|
||||||||||||||||
|
|
IRF3205ZPBF Produktcode: 34997
1
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Idd, A: 75 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/110 Montage: THT |
auf Bestellung: 275 St.
|
|
||||||||||||||||
| IRF3205 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205; IRF 3205 ; IRF3205; YFW120N06AC; PTP12HN06; MOT110N06F; D3205; IRF3205 TIRF3205 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 160 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
| IRF3205 | JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205 JSMICRO TIRF3205 JSM Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IRF3205-CN | CHIPNOBO |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 15mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205-CN CHIPNOBO TIRF3205 CNB Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
| IRF3205-ML | MOSLEADER |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205-ML MOSLEADER TIRF3205 MOS Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 188 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IRF3205PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1716 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF3205PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1716 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF3205PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 28358 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF3205PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF3205PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm |
auf Bestellung 36212 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF3205PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1509 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF3205PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1819 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF3205S | JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; SP001576776; SP001576758; SP001564448; IRF3205S JSMICRO TIRF3205s JSM Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
| IRF3205STRL | International Rectifier |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; IRF3205S-GURT; MOT100N07E; PTY12HN06; IRF3205S TIRF3205s Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
| IRF3205STRL | Infineon |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; IRF3205S-GURT; MOT100N07E; PTY12HN06; IRF3205S TIRF3205s Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 86 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IRF3205STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 110A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1710 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF3205STRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3753 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF3205STRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF3205STRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC |
auf Bestellung 13348 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF3205STRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm |
auf Bestellung 1241 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF3205STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 66400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF3205STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 2735 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF3205STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF3205STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF3205STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 2735 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF3205STRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm |
auf Bestellung 1241 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF3205STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 66400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF3205Z | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF3205Z | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF3205ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 78A Power dissipation: 170W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 585 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF3205ZPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
|
IRF3205ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 51339 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF3205ZPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF3205ZPBF - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 55 V, 110 A, 6500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 170W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm |
auf Bestellung 847 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
| IRF3205ZPBFAKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IR FET UP TO 60V |
auf Bestellung 839 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
| IRF3205ZPBFXKMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V |
auf Bestellung 135 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
| IRF3205ZPBFXKMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF3205ZPBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0065 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 170W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
| IRF3205ZPBFXKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IRF3205ZS | Infineon |
N-MOSFET 110A 55V 170W IRF3205ZSTRL , (IRF3205ZS TUBE *obsolete) IRF3205ZS TIRF3205zs Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 274 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF3205ZSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 78A Pulsed drain current: 440A Power dissipation: 170W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF3205ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg |
auf Bestellung 648 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF3205ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF3205ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3577 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF3205ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF3205ZSTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF3205ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 170W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm |
auf Bestellung 515 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF3205ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 63 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF3205ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF3205ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 63 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
|
IRF3205ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF3205ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF3205ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF3205ZSTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF3205ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 170W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm |
auf Bestellung 515 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
| IRF3205 IR |
auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IRF3205NSTRLPBF | IR | 09+ |
auf Bestellung 10018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRF3205PB |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IRF3205PBF |
IRF3205PBF Транзисторы |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF3205PBF/IR | IR | 08+; |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRF3205S | International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 110 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25, Qg, нКл = 146 @ 10 В, Rds = 8 мОм @ 62 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
verfügbar 2 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRF3205SPBF | International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 110 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25 В, Qg, нКл = 146 @ 10 В, Rds = 8 мОм @ 62 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
verfügbar 16 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRF3205STRLPBF/IR | IR | 08+; |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRF3205PBF Produktcode: 25094
17
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
|
Hersteller: IR/Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
erwartet: 3000 St.
- 3000 St. - erwartet 13.08.2026
auf Bestellung: 1231 St.
- 1231 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.78 EUR |
| 10+ | 1.73 EUR |
| 100+ | 1.19 EUR |
| 1000+ | 1.06 EUR |
| IRF3205SPBF Produktcode: 36593
3
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
|
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Idd, A: 110 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 8 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3247/146
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Idd, A: 110 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 8 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3247/146
Montage: SMD
auf Bestellung: 17 St.
- 17 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.15 EUR |
| IRF3205ZPBF Produktcode: 34997
1
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
|
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 75 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/110
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 75 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/110
Montage: THT
auf Bestellung: 275 St.
- 275 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.15 EUR |
| 10+ | 1.76 EUR |
| IRF3205 | |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205; IRF 3205 ; IRF3205; YFW120N06AC; PTP12HN06; MOT110N06F; D3205; IRF3205 TIRF3205
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205; IRF 3205 ; IRF3205; YFW120N06AC; PTP12HN06; MOT110N06F; D3205; IRF3205 TIRF3205
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 1.87 EUR |
| IRF3205 | |
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205 JSMICRO TIRF3205 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205 JSMICRO TIRF3205 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 1.29 EUR |
| IRF3205-CN |
|
Hersteller: CHIPNOBO
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 15mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205-CN CHIPNOBO TIRF3205 CNB
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 15mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205-CN CHIPNOBO TIRF3205 CNB
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 1.24 EUR |
| IRF3205-ML |
Hersteller: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205-ML MOSLEADER TIRF3205 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205-ML MOSLEADER TIRF3205 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 25+ | 1.48 EUR |
| IRF3205PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1716 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 52+ | 3.44 EUR |
| 146+ | 1.19 EUR |
| 148+ | 1.15 EUR |
| 500+ | 1.12 EUR |
| 1000+ | 1.08 EUR |
| IRF3205PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1716 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 52+ | 3.43 EUR |
| 147+ | 1.15 EUR |
| 149+ | 1.11 EUR |
| 500+ | 1.05 EUR |
| 1000+ | 1 EUR |
| IRF3205PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 28358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 494+ | 1.33 EUR |
| 549+ | 1.19 EUR |
| 1000+ | 1.07 EUR |
| 10000+ | 0.93 EUR |
| IRF3205PBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
Description: INFINEON - IRF3205PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 36212 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 48+ | 5.3 EUR |
| 80+ | 2.93 EUR |
| 112+ | 1.93 EUR |
| 500+ | 1.59 EUR |
| 1000+ | 1.46 EUR |
| 5000+ | 1.2 EUR |
| IRF3205PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1509 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 494+ | 1.33 EUR |
| 549+ | 1.19 EUR |
| 1000+ | 1.07 EUR |
| IRF3205PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 494+ | 1.33 EUR |
| 549+ | 1.19 EUR |
| 1000+ | 1.07 EUR |
| IRF3205S |
|
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; SP001576776; SP001576758; SP001564448; IRF3205S JSMICRO TIRF3205s JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; SP001576776; SP001576758; SP001564448; IRF3205S JSMICRO TIRF3205s JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 1.88 EUR |
| IRF3205STRL |
Hersteller: International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; IRF3205S-GURT; MOT100N07E; PTY12HN06; IRF3205S TIRF3205s
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; IRF3205S-GURT; MOT100N07E; PTY12HN06; IRF3205S TIRF3205s
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 2.3 EUR |
| IRF3205STRL |
Hersteller: Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; IRF3205S-GURT; MOT100N07E; PTY12HN06; IRF3205S TIRF3205s
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; IRF3205S-GURT; MOT100N07E; PTY12HN06; IRF3205S TIRF3205s
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 2.3 EUR |
| IRF3205STRLPBF |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 28+ | 3.09 EUR |
| 44+ | 1.95 EUR |
| 58+ | 1.48 EUR |
| 100+ | 1.33 EUR |
| 250+ | 1.19 EUR |
| 500+ | 1.07 EUR |
| 800+ | 1.02 EUR |
| 1600+ | 0.95 EUR |
| IRF3205STRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
auf Bestellung 3753 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 4 EUR |
| 10+ | 2.56 EUR |
| 100+ | 1.73 EUR |
| IRF3205STRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 1.3 EUR |
| 1600+ | 1.19 EUR |
| 2400+ | 1.14 EUR |
| IRF3205STRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC
MOSFETs MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC
auf Bestellung 13348 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.18 EUR |
| 10+ | 3.31 EUR |
| 100+ | 2.26 EUR |
| 500+ | 1.92 EUR |
| 800+ | 1.7 EUR |
| 2400+ | 1.61 EUR |
| 4800+ | 1.52 EUR |
| IRF3205STRLPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 1241 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.36 EUR |
| 250+ | 2.08 EUR |
| IRF3205STRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 66400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 1.15 EUR |
| 2400+ | 1.04 EUR |
| 4800+ | 0.95 EUR |
| IRF3205STRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 54+ | 3.27 EUR |
| 78+ | 2.18 EUR |
| 110+ | 1.49 EUR |
| 500+ | 1.31 EUR |
| 800+ | 0.98 EUR |
| 2400+ | 0.86 EUR |
| IRF3205STRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 1.14 EUR |
| 2400+ | 1.02 EUR |
| IRF3205STRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 1.14 EUR |
| 2400+ | 1 EUR |
| IRF3205STRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 54+ | 3.3 EUR |
| 78+ | 2.24 EUR |
| 110+ | 1.56 EUR |
| 500+ | 1.39 EUR |
| 800+ | 1.07 EUR |
| 2400+ | 0.96 EUR |
| IRF3205STRLPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 1241 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 43+ | 5.95 EUR |
| 64+ | 3.67 EUR |
| 77+ | 2.81 EUR |
| 100+ | 2.36 EUR |
| 250+ | 2.08 EUR |
| IRF3205STRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 66400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 1.15 EUR |
| 2400+ | 1.01 EUR |
| 4800+ | 0.92 EUR |
| IRF3205Z |
|
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 3.11 EUR |
| IRF3205Z |
|
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 3.11 EUR |
| IRF3205ZPBF |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 585 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 59+ | 1.46 EUR |
| 66+ | 1.31 EUR |
| 69+ | 1.25 EUR |
| 73+ | 1.17 EUR |
| 100+ | 1.11 EUR |
| 200+ | 1.05 EUR |
| 250+ | 1.02 EUR |
| 500+ | 0.96 EUR |
| IRF3205ZPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| IRF3205ZPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 51339 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 431+ | 1.54 EUR |
| 500+ | 1.36 EUR |
| 1000+ | 1.23 EUR |
| 10000+ | 1.07 EUR |
| IRF3205ZPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205ZPBF - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 55 V, 110 A, 6500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
Description: INFINEON - IRF3205ZPBF - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 55 V, 110 A, 6500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
auf Bestellung 847 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 80+ | 3.15 EUR |
| 108+ | 2.15 EUR |
| 151+ | 1.42 EUR |
| 500+ | 1.27 EUR |
| IRF3205ZPBFAKSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET UP TO 60V
MOSFETs IR FET UP TO 60V
auf Bestellung 839 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.69 EUR |
| 10+ | 3.01 EUR |
| 100+ | 2.05 EUR |
| 500+ | 1.76 EUR |
| 1000+ | 1.5 EUR |
| 2000+ | 1.39 EUR |
| IRF3205ZPBFXKMA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.69 EUR |
| 50+ | 2.28 EUR |
| 100+ | 2.06 EUR |
| IRF3205ZPBFXKMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205ZPBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0065 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
Description: INFINEON - IRF3205ZPBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0065 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 55+ | 4.55 EUR |
| 87+ | 2.67 EUR |
| 130+ | 1.65 EUR |
| 500+ | 1.36 EUR |
| 1000+ | 1.2 EUR |
| IRF3205ZPBFXKMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 1.42 EUR |
| IRF3205ZS |
|
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 110A 55V 170W IRF3205ZSTRL , (IRF3205ZS TUBE *obsolete) IRF3205ZS TIRF3205zs
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET 110A 55V 170W IRF3205ZSTRL , (IRF3205ZS TUBE *obsolete) IRF3205ZS TIRF3205zs
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 3.19 EUR |
| IRF3205ZSTRLPBF |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 23+ | 3.69 EUR |
| IRF3205ZSTRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg
MOSFETs MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg
auf Bestellung 648 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.45 EUR |
| 10+ | 3.52 EUR |
| 100+ | 2.39 EUR |
| 500+ | 1.95 EUR |
| 800+ | 1.82 EUR |
| 2400+ | 1.76 EUR |
| 4800+ | 1.7 EUR |
| IRF3205ZSTRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 1.69 EUR |
| 1600+ | 1.56 EUR |
| 2400+ | 1.5 EUR |
| IRF3205ZSTRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
auf Bestellung 3577 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 5.02 EUR |
| 10+ | 3.24 EUR |
| 100+ | 2.23 EUR |
| IRF3205ZSTRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 51+ | 3.46 EUR |
| 52+ | 3.39 EUR |
| 100+ | 3.3 EUR |
| 250+ | 3.2 EUR |
| 500+ | 3.14 EUR |
| IRF3205ZSTRLPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
Description: INFINEON - IRF3205ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
auf Bestellung 515 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 43+ | 5.82 EUR |
| 67+ | 3.5 EUR |
| 81+ | 2.65 EUR |
| 100+ | 2.2 EUR |
| 250+ | 1.96 EUR |
| IRF3205ZSTRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 53+ | 3.34 EUR |
| IRF3205ZSTRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 1.07 EUR |
| 1600+ | 1.05 EUR |
| IRF3205ZSTRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRF3205ZSTRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 51+ | 3.33 EUR |
| 52+ | 3.19 EUR |
| 100+ | 3.06 EUR |
| 250+ | 2.92 EUR |
| 500+ | 2.77 EUR |
| IRF3205ZSTRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 1.07 EUR |
| 1600+ | 1.02 EUR |
| IRF3205ZSTRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 300+ | 2.2 EUR |
| 500+ | 1.95 EUR |
| 1000+ | 1.76 EUR |
| IRF3205ZSTRLPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
Description: INFINEON - IRF3205ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
auf Bestellung 515 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.2 EUR |
| 250+ | 1.96 EUR |
| IRF3205 IR |
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| IRF3205NSTRLPBF |
Hersteller: IR
09+
09+
auf Bestellung 10018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| IRF3205PB |
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| IRF3205PBF |
|
IRF3205PBF Транзисторы
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
| IRF3205PBF/IR |
Hersteller: IR
08+;
08+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| IRF3205S |
|
Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 110 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25, Qg, нКл = 146 @ 10 В, Rds = 8 мОм @ 62 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 110 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25, Qg, нКл = 146 @ 10 В, Rds = 8 мОм @ 62 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 2 Stücke:
| IRF3205SPBF |
|
Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 110 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25 В, Qg, нКл = 146 @ 10 В, Rds = 8 мОм @ 62 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 110 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25 В, Qg, нКл = 146 @ 10 В, Rds = 8 мОм @ 62 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 16 Stücke:
| IRF3205STRLPBF/IR |
Hersteller: IR
08+;
08+;
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Wählen Sie Seite:
1
2
[ Nächste Seite >> ]