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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRF9540NPBF Produktcode: 31944
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Lieblingsprodukt
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IR |
![]() Gehäuse: TO-220 Uds,V: 100 Id,A: 23 Rds(on),Om: 0.117 Ciss, pF/Qg, nC: 1300/97 /: THT |
auf Bestellung 605 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF9540NSPBF Produktcode: 62471
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Lieblingsprodukt
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IR |
![]() ![]() Gehäuse: D2Pak Uds,V: 100 V Id,A: 23 A Rds(on),Om: 117 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 1450/73 /: SMD |
auf Bestellung 74 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IRF9540PBF Produktcode: 150143
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Lieblingsprodukt
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Siliconix |
![]() Gehäuse: TO-220 Uds,V: 100 V Id,A: 19 A Rds(on),Om: 0,2 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1400/61 /: THT |
auf Bestellung 1 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IRF9540 | Siliconix |
![]() ![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF9540 | Siliconix |
![]() ![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF9540 | SLKOR |
![]() ![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF9540 | Fairchild Semiconductor |
![]() ![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9540N | Infineon |
![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 933 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF9540N | JSMSEMI |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF9540N | Infineon |
![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF9540NL | International Rectifier |
![]() Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF9540NLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO262 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -23A Power dissipation: 140W Case: TO262 Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
auf Bestellung 206 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9540NLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO262 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -23A Power dissipation: 140W Case: TO262 Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 206 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF9540NLPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF9540NLPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF9540NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -23A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.117Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 64.7nC Kind of package: tube Technology: HEXFET® |
auf Bestellung 340 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9540NPBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
auf Bestellung 5132 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9540NPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 9520 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9540NPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 792 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9540NPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 792 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9540NPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 46742 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF9540NPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 145 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF9540NPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 22946 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9540NPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 145 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF9540NPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 22954 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9540NSTRL | International Rectifier |
P-MOSFET 23A 100V 3.8W 0.12Ω IRF9540NS TIRF9540ns Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF9540NSTRL | Infineon |
P-MOSFET 23A 100V 3.8W 0.12Ω IRF9540NS TIRF9540ns Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 165 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF9540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 6876 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
auf Bestellung 4346 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9540NSTRLPBF | INFINEON |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 7997 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF9540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 88000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 115 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 115 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 88000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9540NSTRLPBF | INFINEON |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 7997 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF9540NSTRRPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9540NSTRRPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9540NSTRRPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9540PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -13A Pulsed drain current: -72A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 61nC Kind of package: tube |
auf Bestellung 288 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9540PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -13A Pulsed drain current: -72A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 61nC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 288 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF9540PBF | Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
auf Bestellung 1793 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9540PBF | Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 8634 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9540PBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1710 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF9540PBF | Vishay |
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auf Bestellung 3500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9540PBF-BE3 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 1565 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9540PBF-BE3 | Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
auf Bestellung 3510 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9540PBF-BE3 | Vishay |
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auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9540PBF-BE3 | Vishay |
![]() |
auf Bestellung 785 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9540PBF-BE3 | Vishay |
![]() |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9540PBF-BE3 | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm directShipCharge: 25 SVHC: Lead |
auf Bestellung 785 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF9540SPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -13A Pulsed drain current: -72A Power dissipation: 150W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 61nC Kind of package: tube |
auf Bestellung 1458 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9540SPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -13A Pulsed drain current: -72A Power dissipation: 150W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 61nC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1458 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF9540SPBF | Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 1451 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9540SPBF | Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
auf Bestellung 651 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9540SPBF | Vishay |
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auf Bestellung 351 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9540SPBF | Vishay |
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auf Bestellung 822 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9540SPBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 929 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF9540SPBF | Vishay |
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auf Bestellung 261 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9540SPBF | Vishay |
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auf Bestellung 261 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9540NPBF Produktcode: 31944
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 23
Rds(on),Om: 0.117
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/97
/: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 23
Rds(on),Om: 0.117
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/97
/: THT
auf Bestellung 605 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 0.58 EUR |
10+ | 0.52 EUR |
IRF9540NSPBF Produktcode: 62471
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 100 V
Id,A: 23 A
Rds(on),Om: 117 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1450/73
/: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 100 V
Id,A: 23 A
Rds(on),Om: 117 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1450/73
/: SMD
auf Bestellung 74 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF9540PBF Produktcode: 150143
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: Siliconix
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 19 A
Rds(on),Om: 0,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/61
/: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 19 A
Rds(on),Om: 0,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/61
/: THT
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF9540 | ![]() |
![]() ![]() |
Hersteller: Siliconix
P-MOSFET 19A 100V 150W 200mOhm; IRF9540; IRF9540; IRF9540-BE3; IRF9540 TIRF9540
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
P-MOSFET 19A 100V 150W 200mOhm; IRF9540; IRF9540; IRF9540-BE3; IRF9540 TIRF9540
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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50+ | 2.58 EUR |
IRF9540 | ![]() |
![]() ![]() |
Hersteller: Siliconix
P-MOSFET 19A 100V 150W 200mOhm; IRF9540; IRF9540; IRF9540-BE3; IRF9540 TIRF9540
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
P-MOSFET 19A 100V 150W 200mOhm; IRF9540; IRF9540; IRF9540-BE3; IRF9540 TIRF9540
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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50+ | 2.58 EUR |
IRF9540 | ![]() |
![]() ![]() |
Hersteller: SLKOR
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 110mOhm; 20A; 58W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9540; IRF9540N; SP001560174; IRF9540 SLKOR TIRF9540n SLK
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 110mOhm; 20A; 58W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9540; IRF9540N; SP001560174; IRF9540 SLKOR TIRF9540n SLK
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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25+ | 1.19 EUR |
IRF9540 | ![]() |
![]() |
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: IRF9540 - 19A, 100V, 0.2OHM, P-C
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Description: IRF9540 - 19A, 100V, 0.2OHM, P-C
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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151+ | 3 EUR |
IRF9540N | ![]() |
Hersteller: Infineon
P-MOSFET 23A 100V 140W 0.12Ω Replacement: IRF9540 IRF9540N IRF9540N TIRF9540n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
P-MOSFET 23A 100V 140W 0.12Ω Replacement: IRF9540 IRF9540N IRF9540N TIRF9540n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 933 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 1.91 EUR |
IRF9540N | ![]() |
Hersteller: JSMSEMI
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 110mOhm; 20A; 58W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9540; IRF9540N; SP001560174; IRF9540N JSMICRO TIRF9540n JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 110mOhm; 20A; 58W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9540; IRF9540N; SP001560174; IRF9540N JSMICRO TIRF9540n JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
30+ | 1.23 EUR |
IRF9540N | ![]() |
Hersteller: Infineon
P-MOSFET 23A 100V 140W 0.12Ω Replacement: IRF9540 IRF9540N IRF9540N TIRF9540n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
P-MOSFET 23A 100V 140W 0.12Ω Replacement: IRF9540 IRF9540N IRF9540N TIRF9540n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 1.91 EUR |
IRF9540NL |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 23A 100V IRF9540NL TIRF9540nl
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
P-MOSFET 23A 100V IRF9540NL TIRF9540nl
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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10+ | 2.85 EUR |
IRF9540NLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO262
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 140W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO262
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 140W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
24+ | 3 EUR |
42+ | 1.72 EUR |
45+ | 1.62 EUR |
IRF9540NLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO262
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 140W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO262
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 140W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
24+ | 3 EUR |
42+ | 1.72 EUR |
45+ | 1.62 EUR |
1000+ | 1.56 EUR |
IRF9540NLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9540NLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IRF9540NLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF9540NLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF9540NPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 64.7nC
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 64.7nC
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
42+ | 1.73 EUR |
50+ | 1.45 EUR |
88+ | 0.82 EUR |
93+ | 0.77 EUR |
IRF9540NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 5132 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 2.71 EUR |
50+ | 1.22 EUR |
100+ | 1.15 EUR |
500+ | 0.98 EUR |
1000+ | 0.91 EUR |
2000+ | 0.84 EUR |
5000+ | 0.77 EUR |
IRF9540NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -100V -23A 117mOhm 64.7nC
MOSFETs MOSFT PCh -100V -23A 117mOhm 64.7nC
auf Bestellung 9520 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.55 EUR |
10+ | 2.27 EUR |
25+ | 1.17 EUR |
100+ | 1.06 EUR |
500+ | 0.94 EUR |
1000+ | 0.9 EUR |
2000+ | 0.84 EUR |
IRF9540NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 792 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
61+ | 2.39 EUR |
126+ | 1.11 EUR |
153+ | 0.88 EUR |
500+ | 0.74 EUR |
IRF9540NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 792 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
126+ | 1.16 EUR |
153+ | 0.91 EUR |
500+ | 0.76 EUR |
IRF9540NPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9540NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF9540NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 46742 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF9540NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF9540NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 22946 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
142+ | 1.02 EUR |
165+ | 0.85 EUR |
500+ | 0.73 EUR |
1000+ | 0.7 EUR |
3000+ | 0.64 EUR |
10000+ | 0.59 EUR |
IRF9540NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF9540NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 22954 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
87+ | 1.66 EUR |
142+ | 0.99 EUR |
165+ | 0.82 EUR |
500+ | 0.7 EUR |
1000+ | 0.67 EUR |
3000+ | 0.61 EUR |
10000+ | 0.57 EUR |
IRF9540NSTRL |
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 23A 100V 3.8W 0.12Ω IRF9540NS TIRF9540ns
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
P-MOSFET 23A 100V 3.8W 0.12Ω IRF9540NS TIRF9540ns
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 1.81 EUR |
IRF9540NSTRL |
Hersteller: Infineon
P-MOSFET 23A 100V 3.8W 0.12Ω IRF9540NS TIRF9540ns
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
P-MOSFET 23A 100V 3.8W 0.12Ω IRF9540NS TIRF9540ns
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 1.81 EUR |
IRF9540NSTRLPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -100V -23A 117mOhm 64.7nC
MOSFETs MOSFT PCh -100V -23A 117mOhm 64.7nC
auf Bestellung 6876 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.52 EUR |
10+ | 2.27 EUR |
100+ | 1.54 EUR |
800+ | 1.03 EUR |
2400+ | 1.02 EUR |
IRF9540NSTRLPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
800+ | 1.06 EUR |
1600+ | 1.04 EUR |
2400+ | 1.02 EUR |
4000+ | 0.98 EUR |
IRF9540NSTRLPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 4346 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 3.52 EUR |
10+ | 2.25 EUR |
100+ | 1.53 EUR |
IRF9540NSTRLPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF9540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF9540NSTRLPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 88000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
800+ | 0.88 EUR |
2400+ | 0.82 EUR |
IRF9540NSTRLPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
45+ | 3.25 EUR |
69+ | 2.03 EUR |
70+ | 1.93 EUR |
IRF9540NSTRLPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
69+ | 2.1 EUR |
70+ | 2.01 EUR |
IRF9540NSTRLPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 88000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
800+ | 0.89 EUR |
2400+ | 0.83 EUR |
IRF9540NSTRLPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF9540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF9540NSTRRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
800+ | 0.83 EUR |
IRF9540NSTRRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
332+ | 1.63 EUR |
500+ | 1.42 EUR |
IRF9540NSTRRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
800+ | 0.83 EUR |
IRF9540PBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 288 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
39+ | 1.84 EUR |
55+ | 1.3 EUR |
97+ | 0.74 EUR |
100+ | 0.72 EUR |
IRF9540PBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 288 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
39+ | 1.84 EUR |
55+ | 1.3 EUR |
97+ | 0.74 EUR |
100+ | 0.72 EUR |
IRF9540PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 19A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET P-CH 100V 19A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 1793 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 2.62 EUR |
50+ | 1.85 EUR |
IRF9540PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 100V 19A P-CH MOSFET
MOSFETs TO220 100V 19A P-CH MOSFET
auf Bestellung 8634 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.52 EUR |
10+ | 1.69 EUR |
100+ | 1.57 EUR |
1000+ | 1.56 EUR |
IRF9540PBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9540PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 19 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRF9540PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 19 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF9540PBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
72+ | 2.01 EUR |
100+ | 1.75 EUR |
2500+ | 1.54 EUR |
IRF9540PBF-BE3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 100V 19A P-CH MOSFET
MOSFETs TO220 100V 19A P-CH MOSFET
auf Bestellung 1565 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.94 EUR |
10+ | 2.09 EUR |
100+ | 1.94 EUR |
500+ | 1.78 EUR |
1000+ | 1.51 EUR |
5000+ | 1.48 EUR |
10000+ | 1.47 EUR |
IRF9540PBF-BE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 19A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET P-CH 100V 19A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 3510 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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4+ | 4.75 EUR |
50+ | 2.41 EUR |
100+ | 2.18 EUR |
500+ | 1.85 EUR |
IRF9540PBF-BE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1000+ | 1.01 EUR |
IRF9540PBF-BE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
46+ | 3.68 EUR |
IRF9540PBF-BE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1000+ | 1.01 EUR |
IRF9540PBF-BE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9540PBF-BE3 - MOSFET, P-CH, 100V, 19A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
Description: VISHAY - IRF9540PBF-BE3 - MOSFET, P-CH, 100V, 19A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
auf Bestellung 785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF9540SPBF |
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 1458 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
25+ | 2.9 EUR |
41+ | 1.76 EUR |
80+ | 0.9 EUR |
84+ | 0.86 EUR |
IRF9540SPBF |
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1458 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
25+ | 2.9 EUR |
41+ | 1.76 EUR |
80+ | 0.9 EUR |
84+ | 0.86 EUR |
IRF9540SPBF |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 100V 19A P-CH MOSFET
MOSFETs TO263 100V 19A P-CH MOSFET
auf Bestellung 1451 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.91 EUR |
10+ | 2.13 EUR |
100+ | 2.09 EUR |
500+ | 2.01 EUR |
1000+ | 1.88 EUR |
IRF9540SPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 651 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 4.15 EUR |
50+ | 2.57 EUR |
IRF9540SPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 351 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
59+ | 2.45 EUR |
73+ | 1.93 EUR |
74+ | 1.75 EUR |
100+ | 1.67 EUR |
IRF9540SPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 822 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
69+ | 2.1 EUR |
85+ | 1.65 EUR |
86+ | 1.5 EUR |
100+ | 1.43 EUR |
500+ | 1.36 EUR |
IRF9540SPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9540SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 19 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRF9540SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 19 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 929 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF9540SPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 261 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
86+ | 1.68 EUR |
IRF9540SPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 261 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
86+ | 1.68 EUR |
149+ | 0.94 EUR |
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