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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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IRLZ34NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 37600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ34NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 6331 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ34NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 832 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ34NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 37600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ34NSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 55V 30A 35mOhm 16.7nC LogLvl |
auf Bestellung 1504 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRLZ34NSTRLPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 30 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 880 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 5 В; Rds = 35 мОм @ 16 A, 10 В; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,8; 68; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; D2PAK |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ34NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1564 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ34NSTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm |
auf Bestellung 15722 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ34NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ34NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V |
auf Bestellung 28800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRLZ34NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V |
auf Bestellung 29816 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRLZ34PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 160 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ34PBF | Vishay Semiconductors | MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET |
auf Bestellung 2284 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRLZ34PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRLZ34PBF - N CHANNEL MOSFET, 60V, 30A, TO-220 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 0 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0 euEccn: NLR Verlustleistung: 0 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 0 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 0 Betriebstemperatur, max.: 0 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0 directShipCharge: 25 SVHC: Lead |
auf Bestellung 339 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ34PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRLZ34PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.05 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 88W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm |
auf Bestellung 188 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ34PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 160 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ34PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V |
auf Bestellung 6474 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRLZ34PBF-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET |
auf Bestellung 1567 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRLZ34PBF-BE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3254 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRLZ34SPBF | Vishay / Siliconix | MOSFET 60V 5mOhms@60V 30A N-Ch |
auf Bestellung 680 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRLZ34SPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1132 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRLZ44N | Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 10V; 22mOhm; 47A; 3,8W; -55°C~175°C; Substitute: IRLZ44N; IRLZ44N TIRLZ44n Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLZ44N | Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 10V; 22mOhm; 47A; 3,8W; -55°C~175°C; Substitute: IRLZ44N; IRLZ44N TIRLZ44n Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLZ44NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 41A Power dissipation: 83W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Gate charge: 32nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
auf Bestellung 228 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ44NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 41A Power dissipation: 83W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Gate charge: 32nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 228 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLZ44NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 12435 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ44NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLZ44NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 41 A, 0.022 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 100283 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ44NPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 55V 47A 22mOhm 32nC LogLvlAB |
auf Bestellung 29100 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRLZ44NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 659 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ44NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 3136 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ44NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 3136 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ44NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 659 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ44NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 3136 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ44NPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 47A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3499 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRLZ44NSTRL | Infineon |
N-MOSFET 47A 55V 110W 0.028Ω IRLZ44NS smd TIRLZ44ns Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLZ44NSTRL | Infineon |
N-MOSFET 47A 55V 110W 0.028Ω IRLZ44NS smd TIRLZ44ns Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 765 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 55V 47A 22mOhm 32nC Log Lvl |
auf Bestellung 248 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRLZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRLZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2504 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRLZ44PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 36A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 28mΩ Mounting: THT Gate charge: 66nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 1017 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ44PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 36A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 28mΩ Mounting: THT Gate charge: 66nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1017 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLZ44PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRLZ44PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.028 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ44PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRLZ44PBF - N CHANNEL MOSFET, 60V, 50A, TO-220 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 0 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0 euEccn: NLR Verlustleistung: 0 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 0 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 0 Betriebstemperatur, max.: 0 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0 directShipCharge: 25 SVHC: Lead |
auf Bestellung 107 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ44PBF | Vishay Semiconductors | MOSFET N-Chan 60V 50 Amp |
auf Bestellung 5123 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRLZ44PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 5V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1678 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRLZ44PBF-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET |
auf Bestellung 1313 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRLZ44PBF-BE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 5V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V |
auf Bestellung 577 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRLZ44SPBF | Vishay Semiconductors | MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET D2PAK |
auf Bestellung 824 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRLZ44SPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) SMD-220 |
auf Bestellung 755 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ44SPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) SMD-220 |
auf Bestellung 755 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ44SPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 5V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V |
auf Bestellung 841 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRLZ44STRRPBF | Vishay Semiconductors | MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET D2PAK |
auf Bestellung 790 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRLZ44Z | International Rectifier |
N-MOSFET 51A 55V 80W 0.0135Ω IRLZ44Z TIRLZ44z Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLZ44ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ44ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ44ZPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLZ44ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 51 A, 0.011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 51A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm |
auf Bestellung 297 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ44ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ34NSTRLPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 37600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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800+ | 0.57 EUR |
1600+ | 0.54 EUR |
IRLZ34NSTRLPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6331 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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102+ | 1.55 EUR |
109+ | 1.39 EUR |
130+ | 1.12 EUR |
200+ | 1.02 EUR |
500+ | 0.98 EUR |
1000+ | 0.85 EUR |
1600+ | 0.79 EUR |
3200+ | 0.76 EUR |
IRLZ34NSTRLPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 832 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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129+ | 1.22 EUR |
130+ | 1.16 EUR |
164+ | 0.88 EUR |
250+ | 0.84 EUR |
500+ | 0.67 EUR |
IRLZ34NSTRLPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 37600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IRLZ34NSTRLPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 55V 30A 35mOhm 16.7nC LogLvl
MOSFET MOSFT 55V 30A 35mOhm 16.7nC LogLvl
auf Bestellung 1504 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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23+ | 2.32 EUR |
28+ | 1.91 EUR |
100+ | 1.48 EUR |
800+ | 1.29 EUR |
IRLZ34NSTRLPBF |
Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 30 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 880 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 5 В; Rds = 35 мОм @ 16 A, 10 В; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,8; 68; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; D2PAK
N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 30 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 880 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 5 В; Rds = 35 мОм @ 16 A, 10 В; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,8; 68; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; D2PAK
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2+ | 6.17 EUR |
10+ | 5.31 EUR |
100+ | 4.67 EUR |
IRLZ34NSTRLPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1564 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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129+ | 1.21 EUR |
136+ | 1.11 EUR |
152+ | 0.96 EUR |
200+ | 0.89 EUR |
500+ | 0.85 EUR |
1000+ | 0.76 EUR |
IRLZ34NSTRLPBF |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
Description: INFINEON - IRLZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 15722 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IRLZ34NSTRLPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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76+ | 2.06 EUR |
100+ | 1.9 EUR |
250+ | 1.76 EUR |
500+ | 1.63 EUR |
1000+ | 1.51 EUR |
IRLZ34NSTRLPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
auf Bestellung 28800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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800+ | 1.25 EUR |
1600+ | 1.24 EUR |
IRLZ34NSTRLPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
auf Bestellung 29816 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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12+ | 2.31 EUR |
14+ | 1.9 EUR |
100+ | 1.47 EUR |
IRLZ34PBF |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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80+ | 1.98 EUR |
91+ | 1.67 EUR |
101+ | 1.45 EUR |
IRLZ34PBF |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET
MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET
auf Bestellung 2284 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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13+ | 4.08 EUR |
17+ | 3.22 EUR |
100+ | 2.7 EUR |
250+ | 2.59 EUR |
500+ | 2.33 EUR |
1000+ | 2.1 EUR |
2000+ | 2.03 EUR |
IRLZ34PBF |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRLZ34PBF - N CHANNEL MOSFET, 60V, 30A, TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 0
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 0
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
Description: VISHAY - IRLZ34PBF - N CHANNEL MOSFET, 60V, 30A, TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 0
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 0
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
auf Bestellung 339 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IRLZ34PBF |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRLZ34PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.05 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
Description: VISHAY - IRLZ34PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.05 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IRLZ34PBF |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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80+ | 1.98 EUR |
91+ | 1.67 EUR |
101+ | 1.45 EUR |
IRLZ34PBF |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
auf Bestellung 6474 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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6+ | 4.47 EUR |
50+ | 3.59 EUR |
100+ | 2.96 EUR |
500+ | 2.5 EUR |
1000+ | 2.12 EUR |
2000+ | 2.02 EUR |
5000+ | 1.94 EUR |
IRLZ34PBF-BE3 |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET
MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET
auf Bestellung 1567 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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13+ | 4.11 EUR |
17+ | 3.12 EUR |
100+ | 2.68 EUR |
250+ | 2.51 EUR |
500+ | 2.27 EUR |
1000+ | 2.11 EUR |
2000+ | 2.03 EUR |
IRLZ34PBF-BE3 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
auf Bestellung 3254 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
6+ | 4.47 EUR |
50+ | 3.59 EUR |
100+ | 2.96 EUR |
500+ | 2.5 EUR |
1000+ | 2.12 EUR |
2000+ | 2.02 EUR |
IRLZ34SPBF |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 60V 5mOhms@60V 30A N-Ch
MOSFET 60V 5mOhms@60V 30A N-Ch
auf Bestellung 680 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
11+ | 5.02 EUR |
13+ | 4.06 EUR |
100+ | 3.33 EUR |
250+ | 3.17 EUR |
500+ | 2.81 EUR |
1000+ | 2.42 EUR |
IRLZ34SPBF |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
auf Bestellung 1132 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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6+ | 4.99 EUR |
50+ | 4.02 EUR |
100+ | 3.31 EUR |
500+ | 2.8 EUR |
1000+ | 2.37 EUR |
IRLZ44N |
Hersteller: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 10V; 22mOhm; 47A; 3,8W; -55°C~175°C; Substitute: IRLZ44N; IRLZ44N TIRLZ44n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 10V; 22mOhm; 47A; 3,8W; -55°C~175°C; Substitute: IRLZ44N; IRLZ44N TIRLZ44n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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50+ | 1.72 EUR |
IRLZ44N |
Hersteller: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 10V; 22mOhm; 47A; 3,8W; -55°C~175°C; Substitute: IRLZ44N; IRLZ44N TIRLZ44n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 10V; 22mOhm; 47A; 3,8W; -55°C~175°C; Substitute: IRLZ44N; IRLZ44N TIRLZ44n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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50+ | 1.72 EUR |
IRLZ44NPBF |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 41A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 41A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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58+ | 1.24 EUR |
79+ | 0.91 EUR |
98+ | 0.73 EUR |
111+ | 0.65 EUR |
117+ | 0.61 EUR |
IRLZ44NPBF |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 41A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 41A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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58+ | 1.24 EUR |
79+ | 0.91 EUR |
98+ | 0.73 EUR |
111+ | 0.65 EUR |
117+ | 0.61 EUR |
IRLZ44NPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 12435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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212+ | 0.74 EUR |
221+ | 0.68 EUR |
225+ | 0.65 EUR |
500+ | 0.62 EUR |
1000+ | 0.58 EUR |
2000+ | 0.54 EUR |
4000+ | 0.51 EUR |
IRLZ44NPBF |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLZ44NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 41 A, 0.022 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRLZ44NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 41 A, 0.022 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 100283 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IRLZ44NPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 55V 47A 22mOhm 32nC LogLvlAB
MOSFET MOSFT 55V 47A 22mOhm 32nC LogLvlAB
auf Bestellung 29100 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
17+ | 3.07 EUR |
22+ | 2.37 EUR |
100+ | 1.8 EUR |
500+ | 1.51 EUR |
1000+ | 1.24 EUR |
10000+ | 1.2 EUR |
IRLZ44NPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 659 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
197+ | 0.8 EUR |
199+ | 0.76 EUR |
200+ | 0.73 EUR |
500+ | 0.65 EUR |
IRLZ44NPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IRLZ44NPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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169+ | 0.93 EUR |
170+ | 0.89 EUR |
175+ | 0.83 EUR |
500+ | 0.72 EUR |
1000+ | 0.54 EUR |
2000+ | 0.51 EUR |
IRLZ44NPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 659 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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199+ | 0.79 EUR |
200+ | 0.75 EUR |
500+ | 0.68 EUR |
IRLZ44NPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
170+ | 0.92 EUR |
175+ | 0.86 EUR |
500+ | 0.75 EUR |
1000+ | 0.56 EUR |
2000+ | 0.53 EUR |
IRLZ44NPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 47A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 47A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
auf Bestellung 3499 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
9+ | 3.07 EUR |
50+ | 2.46 EUR |
100+ | 1.95 EUR |
500+ | 1.65 EUR |
1000+ | 1.35 EUR |
2000+ | 1.27 EUR |
IRLZ44NSTRL |
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 47A 55V 110W 0.028Ω IRLZ44NS smd TIRLZ44ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET 47A 55V 110W 0.028Ω IRLZ44NS smd TIRLZ44ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
10+ | 3.43 EUR |
IRLZ44NSTRL |
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 47A 55V 110W 0.028Ω IRLZ44NS smd TIRLZ44ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET 47A 55V 110W 0.028Ω IRLZ44NS smd TIRLZ44ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
10+ | 3.43 EUR |
IRLZ44NSTRLPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
77+ | 2.05 EUR |
90+ | 1.68 EUR |
92+ | 1.59 EUR |
120+ | 1.17 EUR |
250+ | 0.74 EUR |
IRLZ44NSTRLPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
71+ | 2.21 EUR |
74+ | 2.05 EUR |
100+ | 1.66 EUR |
200+ | 1.49 EUR |
500+ | 0.94 EUR |
IRLZ44NSTRLPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
90+ | 1.74 EUR |
92+ | 1.65 EUR |
120+ | 1.22 EUR |
250+ | 0.77 EUR |
IRLZ44NSTRLPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 55V 47A 22mOhm 32nC Log Lvl
MOSFET MOSFT 55V 47A 22mOhm 32nC Log Lvl
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
15+ | 3.59 EUR |
18+ | 2.94 EUR |
100+ | 2.14 EUR |
500+ | 2.1 EUR |
800+ | 1.57 EUR |
2400+ | 1.53 EUR |
4800+ | 1.46 EUR |
IRLZ44NSTRLPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
800+ | 1.99 EUR |
1600+ | 1.62 EUR |
IRLZ44NSTRLPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
auf Bestellung 2504 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
8+ | 3.67 EUR |
10+ | 3.01 EUR |
100+ | 2.34 EUR |
IRLZ44PBF |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 1017 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
47+ | 1.53 EUR |
52+ | 1.4 EUR |
59+ | 1.23 EUR |
67+ | 1.07 EUR |
71+ | 1.02 EUR |
IRLZ44PBF |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1017 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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47+ | 1.53 EUR |
52+ | 1.4 EUR |
59+ | 1.23 EUR |
67+ | 1.07 EUR |
71+ | 1.02 EUR |
IRLZ44PBF |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRLZ44PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.028 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
Description: VISHAY - IRLZ44PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.028 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IRLZ44PBF |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRLZ44PBF - N CHANNEL MOSFET, 60V, 50A, TO-220
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 0
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 0
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
Description: VISHAY - IRLZ44PBF - N CHANNEL MOSFET, 60V, 50A, TO-220
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 0
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 0
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IRLZ44PBF |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 60V 50 Amp
MOSFET N-Chan 60V 50 Amp
auf Bestellung 5123 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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10+ | 5.2 EUR |
12+ | 4.34 EUR |
100+ | 3.67 EUR |
250+ | 3.38 EUR |
500+ | 3.07 EUR |
1000+ | 2.83 EUR |
IRLZ44PBF |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 5V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 5V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
auf Bestellung 1678 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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4+ | 6.66 EUR |
50+ | 5.34 EUR |
100+ | 4.39 EUR |
500+ | 3.72 EUR |
1000+ | 3.15 EUR |
IRLZ44PBF-BE3 |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET
MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET
auf Bestellung 1313 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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10+ | 5.54 EUR |
12+ | 4.34 EUR |
100+ | 3.69 EUR |
250+ | 3.61 EUR |
500+ | 3.25 EUR |
1000+ | 2.83 EUR |
IRLZ44PBF-BE3 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 5V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 5V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
auf Bestellung 577 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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4+ | 6.66 EUR |
50+ | 5.34 EUR |
100+ | 4.39 EUR |
500+ | 3.72 EUR |
IRLZ44SPBF |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET D2PAK
MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET D2PAK
auf Bestellung 824 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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8+ | 7.07 EUR |
10+ | 6.45 EUR |
25+ | 5.33 EUR |
100+ | 4.63 EUR |
250+ | 4.5 EUR |
500+ | 4.13 EUR |
1000+ | 3.8 EUR |
IRLZ44SPBF |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) SMD-220
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) SMD-220
auf Bestellung 755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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44+ | 3.61 EUR |
47+ | 3.26 EUR |
54+ | 2.73 EUR |
100+ | 2.36 EUR |
500+ | 2.08 EUR |
IRLZ44SPBF |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) SMD-220
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) SMD-220
auf Bestellung 755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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44+ | 3.61 EUR |
47+ | 3.26 EUR |
54+ | 2.73 EUR |
100+ | 2.36 EUR |
500+ | 2.08 EUR |
IRLZ44SPBF |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
auf Bestellung 841 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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4+ | 7.05 EUR |
50+ | 5.6 EUR |
100+ | 4.8 EUR |
500+ | 4.26 EUR |
IRLZ44STRRPBF |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET D2PAK
MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET D2PAK
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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8+ | 7.12 EUR |
10+ | 5.98 EUR |
25+ | 5.67 EUR |
100+ | 4.84 EUR |
250+ | 4.58 EUR |
500+ | 3.93 EUR |
800+ | 3.46 EUR |
IRLZ44Z |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 51A 55V 80W 0.0135Ω IRLZ44Z TIRLZ44z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET 51A 55V 80W 0.0135Ω IRLZ44Z TIRLZ44z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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20+ | 2.18 EUR |
IRLZ44ZPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IRLZ44ZPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1000+ | 0.87 EUR |
IRLZ44ZPBF |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLZ44ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 51 A, 0.011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
Description: INFINEON - IRLZ44ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 51 A, 0.011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IRLZ44ZPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
180+ | 0.87 EUR |