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STD 720 BLK Visual Communications Company, LLC LED Spacer Accessories
auf Bestellung 24640 Stücke:
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126+1.29 EUR
155+1.01 EUR
250+0.67 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 126
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD 730 BLK Visual Communications Company, LLC LED Spacer Accessories
auf Bestellung 16297 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD 740 BLK Visual Communications Company, LLC LED Spacer Accessories
auf Bestellung 24366 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD 770 BLK Visual Communications Company, LLC LED Spacer Accessories
auf Bestellung 7375 Stücke:
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126+1.29 EUR
155+1.01 EUR
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Mindestbestellmenge: 126
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD70N10F4 STD70N10F4 STMicroelectronics en.CD00218149.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
auf Bestellung 1434 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.93 EUR
10+3.19 EUR
100+2.20 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD70N10F4 STD70N10F4 STMicroelectronics std70n10f4-1850501.pdf MOSFETs N-Ch, 100V-0.015ohms 60A
auf Bestellung 1518 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.92 EUR
10+2.90 EUR
100+2.31 EUR
250+2.15 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.66 EUR
2500+1.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD70N10F4 STD70N10F4 STMicroelectronics cd0021814.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD70N10F4 STD70N10F4 STMICROELECTRONICS 2310130.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD70N10F4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET DeepGATE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 11510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD70N10F4 STD70N10F4 STMicroelectronics cd0021814.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD70N10F4 STD70N10F4 STMicroelectronics cd0021814.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 8359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+2.01 EUR
100+1.85 EUR
250+1.71 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.48 EUR
2500+1.37 EUR
5000+1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD70N10F4 STD70N10F4 STMICROELECTRONICS 2310130.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD70N10F4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET DeepGATE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 11510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD70N6F3 STD70N6F3 STMicroelectronics en.CD00259396.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 70A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
auf Bestellung 2302 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.72 EUR
10+3.05 EUR
100+2.10 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7ANM60N STD7ANM60N STMicroelectronics en.DM00058125.pdf MOSFETs N-CH 600V 5A 0.84Ohm MDmesh II
auf Bestellung 1246 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.12 EUR
10+2.11 EUR
100+1.59 EUR
500+1.30 EUR
1000+1.17 EUR
2500+1.08 EUR
5000+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7ANM60N STD7ANM60N STMicroelectronics en.DM00058125.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.77 EUR
10+2.41 EUR
100+1.64 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.20 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7ANM60N STD7ANM60N STMicroelectronics std7anm60n.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7ANM60N STD7ANM60N STMicroelectronics std7anm60n.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7LN80K5 STD7LN80K5 STMicroelectronics std7ln80k5-1850530.pdf MOSFETs N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ 5 A MDmesh K5 Power MOSFET
auf Bestellung 3507 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.36 EUR
10+2.66 EUR
100+1.90 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7LN80K5 STD7LN80K5 STMicroelectronics en.DM00256349.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.44 EUR
5000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7LN80K5 STD7LN80K5 STMicroelectronics en.DM00256349.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V
auf Bestellung 9937 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.79 EUR
10+3.09 EUR
100+2.13 EUR
500+1.72 EUR
1000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7LN80K5 STD7LN80K5 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0001422161-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STD7LN80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7LN80K5 STD7LN80K5 STMicroelectronics std7ln80k5.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7LN80K5 STD7LN80K5 STMicroelectronics std7ln80k5.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.40 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7LN80K5 STD7LN80K5 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0001422161-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STD7LN80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N52DK3 STD7N52DK3 STMicroelectronics STD7N52DK3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 4A; 90W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 525V
Drain current: 4A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N52DK3 STD7N52DK3 STMicroelectronics STD7N52DK3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 4A; 90W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 525V
Drain current: 4A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N52K3 STD7N52K3 STMicroelectronics std7n52k3-1850475.pdf MOSFETs N-channel 525 V 6.3 A DPAK
auf Bestellung 4943 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.69 EUR
10+2.52 EUR
100+1.97 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.28 EUR
2500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N52K3 STD7N52K3 STMicroelectronics std7n52k3.pdf Trans MOSFET N-CH 525V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N52K3 STD7N52K3 STMicroelectronics std7n52k3.pdf Trans MOSFET N-CH 525V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.00 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N60M2 STD7N60M2 STMicroelectronics en.DM00084275.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271 pF @ 100 V
auf Bestellung 13945 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.10 EUR
10+1.97 EUR
100+1.32 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N60M2 STD7N60M2 STMicroelectronics std7n60m2-1850597.pdf MOSFETs N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
auf Bestellung 1764 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.03 EUR
10+1.95 EUR
100+1.29 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.94 EUR
2500+0.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N60M2 STD7N60M2 STMicroelectronics en.DM00084275.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271 pF @ 100 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N60M2 STD7N60M2 STMicroelectronics 1399468756876156dm000.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N60M2 STD7N60M2 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0005414790-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD7N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 0.86 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4551 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N60M2 STD7N60M2 STMICROELECTRONICS en.DM00084275.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD7N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 0.86 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4551 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N60M2 STD7N60M2 STMicroelectronics 1399468756876156dm000.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N65M2 STD7N65M2 STMicroelectronics std7n65m2-1850610.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ 5 A MDmesh M2 Power MOSFET
auf Bestellung 1016 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.87 EUR
10+1.94 EUR
100+1.48 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.15 EUR
2500+1.02 EUR
5000+1.00 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N65M2 STD7N65M2 STMICROELECTRONICS en.DM00128915.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD7N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5 A, 0.98 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1388 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N65M2 STD7N65M2 STMicroelectronics 728509398050630dm00128915.pdf STD7N65M2 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 650V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
auf Bestellung 1295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
144+1.12 EUR
153+1.02 EUR
154+0.98 EUR
164+0.88 EUR
250+0.85 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 144
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N65M2 STD7N65M2 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0001076324-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD7N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5 A, 0.98 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1388 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N65M2 STD7N65M2 STMicroelectronics 728509398050630dm00128915.pdf STD7N65M2 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 650V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
auf Bestellung 1295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
153+1.06 EUR
154+1.01 EUR
164+0.92 EUR
250+0.88 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.80 EUR
Mindestbestellmenge: 153
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N65M6 STD7N65M6 STMicroelectronics std7n65m6-1850735.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.91 Ohm typ 5 A MDmesh M6 Power MOSFET
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.62 EUR
100+2.59 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.39 EUR
2500+1.15 EUR
5000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N80K5 STD7N80K5 STMicroelectronics en.DM00060222.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 100 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.40 EUR
5000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N80K5 STD7N80K5 STMicroelectronics en.DM00060222.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 100 V
auf Bestellung 11641 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.66 EUR
10+3.02 EUR
100+2.08 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N80K5 STD7N80K5 STMicroelectronics std7n80k5-1850598.pdf MOSFETs N-Ch 800V 0.95 Ohm 6A MDmesh K5
auf Bestellung 2915 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.26 EUR
10+2.59 EUR
100+1.85 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N80K5 STD7N80K5 STMicroelectronics std7n80k5.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+3.31 EUR
53+2.95 EUR
100+1.91 EUR
200+1.73 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.36 EUR
2000+1.27 EUR
2500+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N80K5 STD7N80K5 STMICROELECTRONICS en.DM00060222.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD7N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8389 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N80K5 STD7N80K5 STMICROELECTRONICS 2371909.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD7N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8389 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N80K5 STD7N80K5 STMicroelectronics std7n80k5.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N80K5 STD7N80K5 STMicroelectronics std7n80k5.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N90K5 STD7N90K5 STMicroelectronics en.DM00334284.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
auf Bestellung 619 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.46 EUR
10+3.55 EUR
100+2.46 EUR
500+2.00 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N90K5 STD7N90K5 STMicroelectronics std7n90k5-1850736.pdf MOSFETs N-channel 900 V, 0.72 Ohm typ 7 A MDmesh K5 Power MOSFET
auf Bestellung 2082 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.05 EUR
10+3.40 EUR
100+2.39 EUR
250+2.38 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.87 EUR
2500+1.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N90K5 STD7N90K5 STMicroelectronics en.dm00334284.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N90K5 STD7N90K5 STMicroelectronics en.dm00334284.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+3.75 EUR
52+3.03 EUR
100+2.45 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.70 EUR
2000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N90K5 STD7N90K5 STMicroelectronics en.dm00334284.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N95K5AG STD7N95K5AG STMicroelectronics std7n95k5ag-2887692.pdf MOSFETs Automotive-grade N-channel 950 V, 0.95 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET
auf Bestellung 2295 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.51 EUR
10+3.75 EUR
100+2.97 EUR
250+2.75 EUR
500+2.50 EUR
1000+2.25 EUR
2500+1.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7NK40ZT4 STD7NK40ZT4 STMicroelectronics std7nk40zt4-1850502.pdf MOSFETs N-Ch 400 Volt 5.4 A Zener SuperMESH
auf Bestellung 2375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.13 EUR
10+2.18 EUR
100+1.52 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.13 EUR
2500+1.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7NK40ZT4 STD7NK40ZT4 STMicroelectronics en.CD00003040.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 5.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V
auf Bestellung 4755 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.75 EUR
10+2.40 EUR
100+1.63 EUR
500+1.30 EUR
1000+1.20 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7NK40ZT4 STD7NK40ZT4 STMicroelectronics en.CD00003040.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 5.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7NK40ZT4 STD7NK40ZT4 STMicroelectronics std7nk40zt4.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7NK40ZT4 STMicroelectronics en.CD00003040.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 400; Id = 5,4 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 535 @ 25; Qg, нКл = 26 @ 10 В; Rds = 1 Ом @ 2,7 А, 10 В; Ugs(th) = 4,5V @ 50 мкА; Р, Вт = 70; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; D-PAK
auf Bestellung 1454 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+0.93 EUR
10+0.80 EUR
100+0.70 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD 720 BLK
Hersteller: Visual Communications Company, LLC
LED Spacer Accessories
auf Bestellung 24640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
126+1.29 EUR
155+1.01 EUR
250+0.67 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 126
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD 730 BLK
Hersteller: Visual Communications Company, LLC
LED Spacer Accessories
auf Bestellung 16297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
126+1.29 EUR
155+1.01 EUR
250+0.67 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 126
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD 740 BLK
Hersteller: Visual Communications Company, LLC
LED Spacer Accessories
auf Bestellung 24366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
126+1.29 EUR
155+1.01 EUR
250+0.67 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 126
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD 770 BLK
Hersteller: Visual Communications Company, LLC
LED Spacer Accessories
auf Bestellung 7375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
126+1.29 EUR
155+1.01 EUR
250+0.67 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 126
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD70N10F4 en.CD00218149.pdf
STD70N10F4
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
auf Bestellung 1434 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+4.93 EUR
10+3.19 EUR
100+2.20 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD70N10F4 std70n10f4-1850501.pdf
STD70N10F4
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch, 100V-0.015ohms 60A
auf Bestellung 1518 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.92 EUR
10+2.90 EUR
100+2.31 EUR
250+2.15 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.66 EUR
2500+1.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD70N10F4 cd0021814.pdf
STD70N10F4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD70N10F4 2310130.pdf
STD70N10F4
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD70N10F4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET DeepGATE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 11510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD70N10F4 cd0021814.pdf
STD70N10F4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD70N10F4 cd0021814.pdf
STD70N10F4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 8359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
81+2.01 EUR
100+1.85 EUR
250+1.71 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.48 EUR
2500+1.37 EUR
5000+1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD70N10F4 2310130.pdf
STD70N10F4
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD70N10F4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET DeepGATE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 11510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD70N6F3 en.CD00259396.pdf
STD70N6F3
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 70A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
auf Bestellung 2302 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+4.72 EUR
10+3.05 EUR
100+2.10 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7ANM60N en.DM00058125.pdf
STD7ANM60N
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 5A 0.84Ohm MDmesh II
auf Bestellung 1246 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.12 EUR
10+2.11 EUR
100+1.59 EUR
500+1.30 EUR
1000+1.17 EUR
2500+1.08 EUR
5000+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7ANM60N en.DM00058125.pdf
STD7ANM60N
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.77 EUR
10+2.41 EUR
100+1.64 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.20 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7ANM60N std7anm60n.pdf
STD7ANM60N
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7ANM60N std7anm60n.pdf
STD7ANM60N
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7LN80K5 std7ln80k5-1850530.pdf
STD7LN80K5
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ 5 A MDmesh K5 Power MOSFET
auf Bestellung 3507 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.36 EUR
10+2.66 EUR
100+1.90 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7LN80K5 en.DM00256349.pdf
STD7LN80K5
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.44 EUR
5000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7LN80K5 en.DM00256349.pdf
STD7LN80K5
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V
auf Bestellung 9937 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+4.79 EUR
10+3.09 EUR
100+2.13 EUR
500+1.72 EUR
1000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7LN80K5 SGST-S-A0001422161-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
STD7LN80K5
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD7LN80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7LN80K5 std7ln80k5.pdf
STD7LN80K5
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7LN80K5 std7ln80k5.pdf
STD7LN80K5
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.40 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7LN80K5 SGST-S-A0001422161-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
STD7LN80K5
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD7LN80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N52DK3 STD7N52DK3.pdf
STD7N52DK3
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 4A; 90W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 525V
Drain current: 4A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N52DK3 STD7N52DK3.pdf
STD7N52DK3
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 4A; 90W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 525V
Drain current: 4A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N52K3 std7n52k3-1850475.pdf
STD7N52K3
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 525 V 6.3 A DPAK
auf Bestellung 4943 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.69 EUR
10+2.52 EUR
100+1.97 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.28 EUR
2500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N52K3 std7n52k3.pdf
STD7N52K3
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 525V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N52K3 std7n52k3.pdf
STD7N52K3
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 525V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.00 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N60M2 en.DM00084275.pdf
STD7N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271 pF @ 100 V
auf Bestellung 13945 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.10 EUR
10+1.97 EUR
100+1.32 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N60M2 std7n60m2-1850597.pdf
STD7N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
auf Bestellung 1764 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.03 EUR
10+1.95 EUR
100+1.29 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.94 EUR
2500+0.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N60M2 en.DM00084275.pdf
STD7N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271 pF @ 100 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N60M2 1399468756876156dm000.pdf
STD7N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N60M2 SGST-S-A0005414790-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STD7N60M2
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD7N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 0.86 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4551 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N60M2 en.DM00084275.pdf
STD7N60M2
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD7N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 0.86 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4551 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N60M2 1399468756876156dm000.pdf
STD7N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N65M2 std7n65m2-1850610.pdf
STD7N65M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ 5 A MDmesh M2 Power MOSFET
auf Bestellung 1016 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.87 EUR
10+1.94 EUR
100+1.48 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.15 EUR
2500+1.02 EUR
5000+1.00 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N65M2 en.DM00128915.pdf
STD7N65M2
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD7N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5 A, 0.98 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1388 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N65M2 728509398050630dm00128915.pdf
STD7N65M2
Hersteller: STMicroelectronics
STD7N65M2 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 650V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
auf Bestellung 1295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
144+1.12 EUR
153+1.02 EUR
154+0.98 EUR
164+0.88 EUR
250+0.85 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 144
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N65M2 SGST-S-A0001076324-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STD7N65M2
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD7N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5 A, 0.98 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1388 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N65M2 728509398050630dm00128915.pdf
STD7N65M2
Hersteller: STMicroelectronics
STD7N65M2 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 650V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
auf Bestellung 1295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
153+1.06 EUR
154+1.01 EUR
164+0.92 EUR
250+0.88 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.80 EUR
Mindestbestellmenge: 153
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N65M6 std7n65m6-1850735.pdf
STD7N65M6
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.91 Ohm typ 5 A MDmesh M6 Power MOSFET
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.62 EUR
100+2.59 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.39 EUR
2500+1.15 EUR
5000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N80K5 en.DM00060222.pdf
STD7N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 100 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.40 EUR
5000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N80K5 en.DM00060222.pdf
STD7N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 100 V
auf Bestellung 11641 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+4.66 EUR
10+3.02 EUR
100+2.08 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N80K5 std7n80k5-1850598.pdf
STD7N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 800V 0.95 Ohm 6A MDmesh K5
auf Bestellung 2915 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.26 EUR
10+2.59 EUR
100+1.85 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N80K5 std7n80k5.pdf
STD7N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
49+3.31 EUR
53+2.95 EUR
100+1.91 EUR
200+1.73 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.36 EUR
2000+1.27 EUR
2500+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N80K5 en.DM00060222.pdf
STD7N80K5
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD7N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8389 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N80K5 2371909.pdf
STD7N80K5
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD7N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8389 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N80K5 std7n80k5.pdf
STD7N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N80K5 std7n80k5.pdf
STD7N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N90K5 en.DM00334284.pdf
STD7N90K5
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
auf Bestellung 619 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.46 EUR
10+3.55 EUR
100+2.46 EUR
500+2.00 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N90K5 std7n90k5-1850736.pdf
STD7N90K5
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 900 V, 0.72 Ohm typ 7 A MDmesh K5 Power MOSFET
auf Bestellung 2082 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.05 EUR
10+3.40 EUR
100+2.39 EUR
250+2.38 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.87 EUR
2500+1.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N90K5 en.dm00334284.pdf
STD7N90K5
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N90K5 en.dm00334284.pdf
STD7N90K5
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
44+3.75 EUR
52+3.03 EUR
100+2.45 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.70 EUR
2000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N90K5 en.dm00334284.pdf
STD7N90K5
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7N95K5AG std7n95k5ag-2887692.pdf
STD7N95K5AG
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive-grade N-channel 950 V, 0.95 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET
auf Bestellung 2295 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.51 EUR
10+3.75 EUR
100+2.97 EUR
250+2.75 EUR
500+2.50 EUR
1000+2.25 EUR
2500+1.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7NK40ZT4 std7nk40zt4-1850502.pdf
STD7NK40ZT4
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 400 Volt 5.4 A Zener SuperMESH
auf Bestellung 2375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.13 EUR
10+2.18 EUR
100+1.52 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.13 EUR
2500+1.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7NK40ZT4 en.CD00003040.pdf
STD7NK40ZT4
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 400V 5.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V
auf Bestellung 4755 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.75 EUR
10+2.40 EUR
100+1.63 EUR
500+1.30 EUR
1000+1.20 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7NK40ZT4 en.CD00003040.pdf
STD7NK40ZT4
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 400V 5.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7NK40ZT4 std7nk40zt4.pdf
STD7NK40ZT4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 400V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD7NK40ZT4 en.CD00003040.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
N-канальний ПТ; Udss, В = 400; Id = 5,4 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 535 @ 25; Qg, нКл = 26 @ 10 В; Rds = 1 Ом @ 2,7 А, 10 В; Ugs(th) = 4,5V @ 50 мкА; Р, Вт = 70; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; D-PAK
auf Bestellung 1454 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
8+0.93 EUR
10+0.80 EUR
100+0.70 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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