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SCTW70N120G2V SCTW70N120G2V STMicroelectronics sctw70n120g2v.pdf SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247 package
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STW70N60DM2 STW70N60DM2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B796C8BE0A537E28&compId=STW70N60DM2-DTE.pdf?ci_sign=2b701572e79911ae496ce6a6819f290c8bdbfd55 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 42A; 446W; TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 42A
Technology: MDmesh™ DM2
Case: TO247
Power dissipation: 446W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 28 Stücke:
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STW70N60DM2 STW70N60DM2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B796C8BE0A537E28&compId=STW70N60DM2-DTE.pdf?ci_sign=2b701572e79911ae496ce6a6819f290c8bdbfd55 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 42A; 446W; TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 42A
Technology: MDmesh™ DM2
Case: TO247
Power dissipation: 446W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
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STW70N60DM2 STW70N60DM2 STMicroelectronics stw70n60dm2.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 66 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
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STW70N60DM6 STW70N60DM6 STMicroelectronics stwa70n60dm6.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 36 mOhm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package
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1200+10.23 EUR
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STW70N60DM6-4 STW70N60DM6-4 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B69C72F3E0D2&compId=stw70n60dm6-4.pdf?ci_sign=6ade287e6920907fcd237dc5eaa9e4f2c8043c24 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
Gate charge: 99nC
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 39A
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: TO247-4
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 390W
Drain-source voltage: 600V
Version: ESD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 20 Stücke:
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STW70N60DM6-4 STW70N60DM6-4 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B69C72F3E0D2&compId=stw70n60dm6-4.pdf?ci_sign=6ade287e6920907fcd237dc5eaa9e4f2c8043c24 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
Gate charge: 99nC
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 39A
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: TO247-4
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 390W
Drain-source voltage: 600V
Version: ESD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STW70N60DM6-4 STW70N60DM6-4 STMicroelectronics stw70n60dm6-4.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 36 mOhm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package
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STW70N60M2 STW70N60M2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA49F000D5CE469&compId=STW70N60M2.pdf?ci_sign=ad969875e9be2c17aa1bfbbde252fc8e5fce0cc9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 43A; 450W
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 43A
Technology: MDmesh™ || Plus
Case: TO247
Power dissipation: 450W
Drain-source voltage: 650V
Version: ESD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
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STW70N60M2 ST en.DM00078630.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 40mOhm; 68A; 450W; -55°C ~ 150°C; STW70N60M2 TSTW70N60M2
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STW70N60M2 STW70N60M2 STMicroelectronics en.DM00078630.pdf MOSFETs N-CH 600V 0.031Ohm typ. 68A MDmesh M2
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PGKTW70SDAD1SD PGKTW70SDAD1SD TFT, Graphics color 7.0", 800x600, 171.4x109.90, интерфейс RGB, з ємнісним тач-падом
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PGKTW70SNCE1EO PGKTW70SNCE1EO TFT, Graphics color 7.0", 800x480, 166.6x109.40, интерфейс LVDS, з резистивним тач-падом
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STW70N10F4 STM en.CD00218149.pdf
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9002 9002 VISATON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE2AF927ED41696C135&compId=VS-TW-70.pdf?ci_sign=7baa6e2e42f0180bdcb29bf4b159419bf4663559 Category: Speakers
Description: Loudspeaker; general purpose; 40W; 8Ω; 64x64x29mm; 800÷20000Hz
Type of sound transducer: loudspeaker
Kind of loudspeaker: general purpose
Power: 40W
Maximum power: 80W
Impedance: 8Ω
Body dimensions: 64x64x29mm
Sound frequency: 0.8...20kHz
Panel cutout diameter: 64mm
Sound level: 90dB
Resonant frequency: 1.5kHz
Colour: black
Diameter: 64mm
Height: 29mm
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5+15.72 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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9002 9002 Visaton tw70_8.pdf Speakers & Transducers Cone tweeter sealed rear 800 20000Hz 8ohm 1500Hz
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1+29.94 EUR
10+24.48 EUR
25+22.49 EUR
50+21.05 EUR
100+20.19 EUR
250+20.1 EUR
500+19.92 EUR
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T598B107M004ATW070 T598B107M004ATW070 KEMET 2F940D730B2C6A6DE31A0D6FB5648BE65164B44D75045B4C16C0CE2A98A57D8F.pdf Tantalum Capacitors - Polymer 4V 100uF 20% 3528-21 -55 /125C ESR=70mOhms AEC-Q200
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1+10.67 EUR
10+7.9 EUR
100+6.2 EUR
500+5.97 EUR
2000+5.49 EUR
4000+5.12 EUR
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T598B476M010ATW070 T598B476M010ATW070 KEMET CBD530EC69D8233AA98370A9ECA70C71CBDB66D77C763DEB4720F34844B4058F.pdf Tantalum Capacitors - Polymer 10V 47uF 20% 3528-21 -55 /125C ESR=70mOhms AEC-Q200
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VS-TW-70
Produktcode: 115256
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TW7000 IFM ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFA9CE2C676A7C00D6&compId=TW7000-00_EN-GB.pdf?ci_sign=e3e1a899c48c5e381eef1bfd47b56755d9549be8 Category: Temp. Sensors - Resistance Thermometers
Description: Converter: temperature
Type of converter: temperature
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TW7001 IFM ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFA9CE2CAB21F880D6&compId=TW7001-00_EN-GB.pdf?ci_sign=f3d211222dc8d7a309d8f19440df9f6cd0b3879a Category: Temp. Sensors - Resistance Thermometers
Description: Converter: temperature
Type of converter: temperature
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TW7011 IFM ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFA9CE2C934A64A0D6&compId=TW7011-00_EN-GB.pdf?ci_sign=1b1cc8ab40e5434445d91af1a122d47be84eb7f8 Category: Temp. Sensors - Resistance Thermometers
Description: Converter: temperature
Type of converter: temperature
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SCTW70N120G2V STMicroelectronics sctw70n120g2v.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 91A; Idm: 274A; 547W; HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 91A
Case: HIP247™
Pulsed drain current: 274A
Power dissipation: 547W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
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SCTW70N120G2V STMicroelectronics sctw70n120g2v.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 91A; Idm: 274A; 547W; HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 91A
Case: HIP247™
Pulsed drain current: 274A
Power dissipation: 547W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STW70N60DM6 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B69C72F520D2&compId=stw70n60dm6.pdf?ci_sign=3a9ab3b2355a62424c6489c5c35061699dce522b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247
Gate-source voltage: ±25V
Gate charge: 99nC
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 39A
Case: TO247
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 390W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N60DM6 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B69C72F520D2&compId=stw70n60dm6.pdf?ci_sign=3a9ab3b2355a62424c6489c5c35061699dce522b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247
Gate-source voltage: ±25V
Gate charge: 99nC
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 39A
Case: TO247
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 390W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N60M2 STW70N60M2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA49F000D5CE469&compId=STW70N60M2.pdf?ci_sign=ad969875e9be2c17aa1bfbbde252fc8e5fce0cc9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 43A; 450W
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 43A
Technology: MDmesh™ || Plus
Case: TO247
Power dissipation: 450W
Drain-source voltage: 650V
Version: ESD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.3 EUR
9+8.05 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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STW70N60M2-4 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B625DC8CA0D2&compId=stw70n60m2-4.pdf?ci_sign=f176158adfcc7e99856a4e0cfca3e32323a51665 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 43A; Idm: 272A
Gate-source voltage: ±25V
Gate charge: 118nC
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 43A
Technology: MDmesh™ M2
Case: TO247-4
Pulsed drain current: 272A
Power dissipation: 450W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
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STW70N60M2-4 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B625DC8CA0D2&compId=stw70n60m2-4.pdf?ci_sign=f176158adfcc7e99856a4e0cfca3e32323a51665 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 43A; Idm: 272A
Gate-source voltage: ±25V
Gate charge: 118nC
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 43A
Technology: MDmesh™ M2
Case: TO247-4
Pulsed drain current: 272A
Power dissipation: 450W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N60M2-4 STW70N60M2-4 STMicroelectronics stw70n60m2-4.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.031 Ohm typ., 68 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 packag
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STW70N65DM6 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B658025680D2&compId=stw70n65dm6.pdf?ci_sign=bdf14def7aeb2b75ae515fc051a90c9c5d0c4fe5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 43A; Idm: 260A
Gate-source voltage: ±25V
Gate charge: 125nC
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 43A
Technology: MDmesh™ DM6
Case: TO247
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 450W
Drain-source voltage: 650V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
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STW70N65DM6 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B658025680D2&compId=stw70n65dm6.pdf?ci_sign=bdf14def7aeb2b75ae515fc051a90c9c5d0c4fe5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 43A; Idm: 260A
Gate-source voltage: ±25V
Gate charge: 125nC
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 43A
Technology: MDmesh™ DM6
Case: TO247
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 450W
Drain-source voltage: 650V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STW70N65DM6 STMicroelectronics stw70n65dm6.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package
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STW70N65DM6-4 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B6E72A1DA0D2&compId=stw70n65dm6-4.pdf?ci_sign=be6e4692ac39c1bbcd7afb73505379896579d246 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 43A; Idm: 260A; 450W; TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
Gate charge: 125nC
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 43A
Case: TO247-4
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 450W
Drain-source voltage: 650V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
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STW70N65DM6-4 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B6E72A1DA0D2&compId=stw70n65dm6-4.pdf?ci_sign=be6e4692ac39c1bbcd7afb73505379896579d246 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 43A; Idm: 260A; 450W; TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
Gate charge: 125nC
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 43A
Case: TO247-4
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 450W
Drain-source voltage: 650V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N65DM6-4 STMicroelectronics stw70n65dm6-4.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package
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STW70N65M2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B67014D380D2&compId=stw70n65m2.pdf?ci_sign=e48fb38654685d36aa4ca4bfa30be2ff2e088153 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 252A; 446W; TO247
Gate-source voltage: ±25V
Gate charge: 117nC
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 40A
Case: TO247
Pulsed drain current: 252A
Power dissipation: 446W
Drain-source voltage: 650V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
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STW70N65M2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B67014D380D2&compId=stw70n65m2.pdf?ci_sign=e48fb38654685d36aa4ca4bfa30be2ff2e088153 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 252A; 446W; TO247
Gate-source voltage: ±25V
Gate charge: 117nC
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 40A
Case: TO247
Pulsed drain current: 252A
Power dissipation: 446W
Drain-source voltage: 650V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STW70N65M2 STMicroelectronics en.DM00267729.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.039 Ohm typ., 63 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
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T543B476M010ATW070 T543B476M010ATW070 KEMET KEM_T2061_T543.pdf Tantalum Capacitors - Polymer 10V 47uF 1311 20% ESR=70mOhms
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TW-07-03-F-D-380-SM-A-P-TR Samtec tw-xx-xx-xxx-x-xxx-sm-xxx-xx-x-xx-mkt1.pdf Board to Board & Mezzanine Connectors Flexible Surface Mount Board Stacking Header
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TW-07-09-G-D-250-SM-P-TR TW-07-09-G-D-250-SM-P-TR Samtec TW_Series_SMT.pdf Board to Board & Mezzanine Connectors Flexible Surface Mount Board Stacking Header
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TW-07-09-L-D-295-SM-P-TR TW-07-09-L-D-295-SM-P-TR Samtec Board to Board & Mezzanine Connectors Flexible Surface Mount Board Stacking Header
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SCTW70N120G2V sctw70n120g2v.pdf
SCTW70N120G2V
Hersteller: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247 package
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+49.26 EUR
10+32.95 EUR
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STW70N60DM2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B796C8BE0A537E28&compId=STW70N60DM2-DTE.pdf?ci_sign=2b701572e79911ae496ce6a6819f290c8bdbfd55
STW70N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 42A; 446W; TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 42A
Technology: MDmesh™ DM2
Case: TO247
Power dissipation: 446W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.8 EUR
7+11.1 EUR
10+10.67 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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STW70N60DM2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B796C8BE0A537E28&compId=STW70N60DM2-DTE.pdf?ci_sign=2b701572e79911ae496ce6a6819f290c8bdbfd55
STW70N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 42A; 446W; TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 42A
Technology: MDmesh™ DM2
Case: TO247
Power dissipation: 446W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.8 EUR
7+11.1 EUR
10+10.67 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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STW70N60DM2 stw70n60dm2.pdf
STW70N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 66 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
auf Bestellung 793 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+16.74 EUR
10+10.56 EUR
100+9.33 EUR
600+9.24 EUR
1200+9.03 EUR
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STW70N60DM6 stwa70n60dm6.pdf
STW70N60DM6
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 36 mOhm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+18.9 EUR
10+14.98 EUR
100+12.48 EUR
600+10.35 EUR
1200+10.23 EUR
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STW70N60DM6-4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B69C72F3E0D2&compId=stw70n60dm6-4.pdf?ci_sign=6ade287e6920907fcd237dc5eaa9e4f2c8043c24
STW70N60DM6-4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
Gate charge: 99nC
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 39A
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: TO247-4
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 390W
Drain-source voltage: 600V
Version: ESD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.67 EUR
6+12.36 EUR
7+11.67 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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STW70N60DM6-4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B69C72F3E0D2&compId=stw70n60dm6-4.pdf?ci_sign=6ade287e6920907fcd237dc5eaa9e4f2c8043c24
STW70N60DM6-4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
Gate charge: 99nC
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 39A
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: TO247-4
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 390W
Drain-source voltage: 600V
Version: ESD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.67 EUR
6+12.36 EUR
7+11.67 EUR
30+11.23 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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STW70N60DM6-4 stw70n60dm6-4.pdf
STW70N60DM6-4
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 36 mOhm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+21.84 EUR
10+12.28 EUR
100+12.11 EUR
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STW70N60M2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA49F000D5CE469&compId=STW70N60M2.pdf?ci_sign=ad969875e9be2c17aa1bfbbde252fc8e5fce0cc9
STW70N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 43A; 450W
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 43A
Technology: MDmesh™ || Plus
Case: TO247
Power dissipation: 450W
Drain-source voltage: 650V
Version: ESD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.3 EUR
9+8.05 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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STW70N60M2 en.DM00078630.pdf
Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 40mOhm; 68A; 450W; -55°C ~ 150°C; STW70N60M2 TSTW70N60M2
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+22.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N60M2 en.DM00078630.pdf
STW70N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.031Ohm typ. 68A MDmesh M2
auf Bestellung 751 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.5 EUR
10+7.5 EUR
100+7.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PGKTW70SDAD1SD
PGKTW70SDAD1SD
TFT, Graphics color 7.0", 800x600, 171.4x109.90, интерфейс RGB, з ємнісним тач-падом
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PGKTW70SNCE1EO
PGKTW70SNCE1EO
TFT, Graphics color 7.0", 800x480, 166.6x109.40, интерфейс LVDS, з резистивним тач-падом
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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STW70N10F4 en.CD00218149.pdf
Hersteller: STM
auf Bestellung 92270 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
9002 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE2AF927ED41696C135&compId=VS-TW-70.pdf?ci_sign=7baa6e2e42f0180bdcb29bf4b159419bf4663559
9002
Hersteller: VISATON
Category: Speakers
Description: Loudspeaker; general purpose; 40W; 8Ω; 64x64x29mm; 800÷20000Hz
Type of sound transducer: loudspeaker
Kind of loudspeaker: general purpose
Power: 40W
Maximum power: 80W
Impedance: 8Ω
Body dimensions: 64x64x29mm
Sound frequency: 0.8...20kHz
Panel cutout diameter: 64mm
Sound level: 90dB
Resonant frequency: 1.5kHz
Colour: black
Diameter: 64mm
Height: 29mm
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.72 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
9002 tw70_8.pdf
9002
Hersteller: Visaton
Speakers & Transducers Cone tweeter sealed rear 800 20000Hz 8ohm 1500Hz
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+29.94 EUR
10+24.48 EUR
25+22.49 EUR
50+21.05 EUR
100+20.19 EUR
250+20.1 EUR
500+19.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T598B107M004ATW070 2F940D730B2C6A6DE31A0D6FB5648BE65164B44D75045B4C16C0CE2A98A57D8F.pdf
T598B107M004ATW070
Hersteller: KEMET
Tantalum Capacitors - Polymer 4V 100uF 20% 3528-21 -55 /125C ESR=70mOhms AEC-Q200
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.67 EUR
10+7.9 EUR
100+6.2 EUR
500+5.97 EUR
2000+5.49 EUR
4000+5.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T598B476M010ATW070 CBD530EC69D8233AA98370A9ECA70C71CBDB66D77C763DEB4720F34844B4058F.pdf
T598B476M010ATW070
Hersteller: KEMET
Tantalum Capacitors - Polymer 10V 47uF 20% 3528-21 -55 /125C ESR=70mOhms AEC-Q200
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.95 EUR
10+8.11 EUR
100+6.37 EUR
500+6.14 EUR
2000+5.67 EUR
4000+5.26 EUR
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VS-TW-70
Produktcode: 115256
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Gehäuse, Halter, Montage- und Installationselemente > Lautsprecher, Mikrofone, Summer
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW7000 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFA9CE2C676A7C00D6&compId=TW7000-00_EN-GB.pdf?ci_sign=e3e1a899c48c5e381eef1bfd47b56755d9549be8
Hersteller: IFM ELECTRONIC
Category: Temp. Sensors - Resistance Thermometers
Description: Converter: temperature
Type of converter: temperature
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TW7001 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFA9CE2CAB21F880D6&compId=TW7001-00_EN-GB.pdf?ci_sign=f3d211222dc8d7a309d8f19440df9f6cd0b3879a
Hersteller: IFM ELECTRONIC
Category: Temp. Sensors - Resistance Thermometers
Description: Converter: temperature
Type of converter: temperature
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW7011 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFA9CE2C934A64A0D6&compId=TW7011-00_EN-GB.pdf?ci_sign=1b1cc8ab40e5434445d91af1a122d47be84eb7f8
Hersteller: IFM ELECTRONIC
Category: Temp. Sensors - Resistance Thermometers
Description: Converter: temperature
Type of converter: temperature
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SCTW70N120G2V sctw70n120g2v.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 91A; Idm: 274A; 547W; HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 91A
Case: HIP247™
Pulsed drain current: 274A
Power dissipation: 547W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
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SCTW70N120G2V sctw70n120g2v.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 91A; Idm: 274A; 547W; HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 91A
Case: HIP247™
Pulsed drain current: 274A
Power dissipation: 547W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N60DM6 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B69C72F520D2&compId=stw70n60dm6.pdf?ci_sign=3a9ab3b2355a62424c6489c5c35061699dce522b
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247
Gate-source voltage: ±25V
Gate charge: 99nC
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 39A
Case: TO247
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 390W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N60DM6 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B69C72F520D2&compId=stw70n60dm6.pdf?ci_sign=3a9ab3b2355a62424c6489c5c35061699dce522b
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247
Gate-source voltage: ±25V
Gate charge: 99nC
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 39A
Case: TO247
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 390W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N60M2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA49F000D5CE469&compId=STW70N60M2.pdf?ci_sign=ad969875e9be2c17aa1bfbbde252fc8e5fce0cc9
STW70N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 43A; 450W
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 43A
Technology: MDmesh™ || Plus
Case: TO247
Power dissipation: 450W
Drain-source voltage: 650V
Version: ESD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.3 EUR
9+8.05 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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STW70N60M2-4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B625DC8CA0D2&compId=stw70n60m2-4.pdf?ci_sign=f176158adfcc7e99856a4e0cfca3e32323a51665
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 43A; Idm: 272A
Gate-source voltage: ±25V
Gate charge: 118nC
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 43A
Technology: MDmesh™ M2
Case: TO247-4
Pulsed drain current: 272A
Power dissipation: 450W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N60M2-4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B625DC8CA0D2&compId=stw70n60m2-4.pdf?ci_sign=f176158adfcc7e99856a4e0cfca3e32323a51665
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 43A; Idm: 272A
Gate-source voltage: ±25V
Gate charge: 118nC
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 43A
Technology: MDmesh™ M2
Case: TO247-4
Pulsed drain current: 272A
Power dissipation: 450W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N60M2-4 stw70n60m2-4.pdf
STW70N60M2-4
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.031 Ohm typ., 68 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 packag
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N65DM6 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B658025680D2&compId=stw70n65dm6.pdf?ci_sign=bdf14def7aeb2b75ae515fc051a90c9c5d0c4fe5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 43A; Idm: 260A
Gate-source voltage: ±25V
Gate charge: 125nC
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 43A
Technology: MDmesh™ DM6
Case: TO247
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 450W
Drain-source voltage: 650V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N65DM6 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B658025680D2&compId=stw70n65dm6.pdf?ci_sign=bdf14def7aeb2b75ae515fc051a90c9c5d0c4fe5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 43A; Idm: 260A
Gate-source voltage: ±25V
Gate charge: 125nC
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 43A
Technology: MDmesh™ DM6
Case: TO247
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 450W
Drain-source voltage: 650V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N65DM6 stw70n65dm6.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N65DM6-4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B6E72A1DA0D2&compId=stw70n65dm6-4.pdf?ci_sign=be6e4692ac39c1bbcd7afb73505379896579d246
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 43A; Idm: 260A; 450W; TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
Gate charge: 125nC
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 43A
Case: TO247-4
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 450W
Drain-source voltage: 650V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N65DM6-4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B6E72A1DA0D2&compId=stw70n65dm6-4.pdf?ci_sign=be6e4692ac39c1bbcd7afb73505379896579d246
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 43A; Idm: 260A; 450W; TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
Gate charge: 125nC
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 43A
Case: TO247-4
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 450W
Drain-source voltage: 650V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N65DM6-4 stw70n65dm6-4.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N65M2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B67014D380D2&compId=stw70n65m2.pdf?ci_sign=e48fb38654685d36aa4ca4bfa30be2ff2e088153
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 252A; 446W; TO247
Gate-source voltage: ±25V
Gate charge: 117nC
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 40A
Case: TO247
Pulsed drain current: 252A
Power dissipation: 446W
Drain-source voltage: 650V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N65M2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B67014D380D2&compId=stw70n65m2.pdf?ci_sign=e48fb38654685d36aa4ca4bfa30be2ff2e088153
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 252A; 446W; TO247
Gate-source voltage: ±25V
Gate charge: 117nC
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 40A
Case: TO247
Pulsed drain current: 252A
Power dissipation: 446W
Drain-source voltage: 650V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N65M2 en.DM00267729.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.039 Ohm typ., 63 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T543B476M010ATW070 KEM_T2061_T543.pdf
T543B476M010ATW070
Hersteller: KEMET
Tantalum Capacitors - Polymer 10V 47uF 1311 20% ESR=70mOhms
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW-07-03-F-D-380-SM-A-P-TR tw-xx-xx-xxx-x-xxx-sm-xxx-xx-x-xx-mkt1.pdf
Hersteller: Samtec
Board to Board & Mezzanine Connectors Flexible Surface Mount Board Stacking Header
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TW-07-09-G-D-250-SM-P-TR TW_Series_SMT.pdf
TW-07-09-G-D-250-SM-P-TR
Hersteller: Samtec
Board to Board & Mezzanine Connectors Flexible Surface Mount Board Stacking Header
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW-07-09-L-D-295-SM-P-TR
TW-07-09-L-D-295-SM-P-TR
Hersteller: Samtec
Board to Board & Mezzanine Connectors Flexible Surface Mount Board Stacking Header
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