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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SCTW70N120G2V | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 113 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STW70N60DM2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 42A; 446W; TO247 Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: MDmesh™ DM2 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Case: TO247 Drain-source voltage: 600V Drain current: 42A On-state resistance: 37mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 446W Mounting: THT |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STW70N60DM2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 42A; 446W; TO247 Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: MDmesh™ DM2 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Case: TO247 Drain-source voltage: 600V Drain current: 42A On-state resistance: 37mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 446W Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STW70N60DM2 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 193 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STW70N60DM6 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 148 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STW70N60DM6-4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247-4 Polarisation: unipolar Kind of package: tube Version: ESD Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 99nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Case: TO247-4 Pulsed drain current: 220A Drain-source voltage: 600V Drain current: 39A On-state resistance: 42mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 390W Mounting: THT |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STW70N60DM6-4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247-4 Polarisation: unipolar Kind of package: tube Version: ESD Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 99nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Case: TO247-4 Pulsed drain current: 220A Drain-source voltage: 600V Drain current: 39A On-state resistance: 42mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 390W Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STW70N60DM6-4 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STW70N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 43A; 450W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Version: ESD Technology: MDmesh™ || Plus Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Case: TO247 Drain-source voltage: 650V Drain current: 43A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 450W Mounting: THT |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STW70N60M2 | ST |
![]() Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STW70N60M2 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PGKTW70SDAD1SD | TFT, Graphics color 7.0", 800x600, 171.4x109.90, интерфейс RGB, з ємнісним тач-падом |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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PGKTW70SNCE1EO | TFT, Graphics color 7.0", 800x480, 166.6x109.40, интерфейс LVDS, з резистивним тач-падом |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
STW70N10F4 | STM |
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auf Bestellung 92270 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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9002 | VISATON |
![]() Description: Loudspeaker; general purpose; 40W; 8Ω; 64x64x29mm; 800÷20000Hz Type of sound transducer: loudspeaker Kind of loudspeaker: general purpose Power: 40W Maximum power: 80W Impedance: 8Ω Body dimensions: 64x64x29mm Sound frequency: 0.8...20kHz Panel cutout diameter: 64mm Sound level: 90dB Resonant frequency: 1.5kHz Colour: black Diameter: 64mm Height: 29mm |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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9002 | Visaton |
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auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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T598B107M004ATW070 | KEMET |
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auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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T598B476M010ATW070 | KEMET |
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auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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VS-TW-70 Produktcode: 115256
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Gehäuse, Halter, Montage- und Installationselemente > Lautsprecher, Mikrofone, Summer |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
TW7000 | IFM ELECTRONIC |
![]() Description: Converter: temperature Type of converter: temperature |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
TW7001 | IFM ELECTRONIC |
![]() Description: Converter: temperature Type of converter: temperature |
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TW7011 | IFM ELECTRONIC |
![]() Description: Converter: temperature Type of converter: temperature |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
SCTW70N120G2V | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 91A; Idm: 274A; 547W; HIP247™ Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 150nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -10...22V Case: HIP247™ Pulsed drain current: 274A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 91A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 547W Mounting: THT |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
SCTW70N120G2V | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 91A; Idm: 274A; 547W; HIP247™ Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 150nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -10...22V Case: HIP247™ Pulsed drain current: 274A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 91A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 547W Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
STW70N60DM6 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247 Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 99nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Case: TO247 Pulsed drain current: 220A Drain-source voltage: 600V Drain current: 39A On-state resistance: 36mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 390W Mounting: THT |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
STW70N60DM6 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247 Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 99nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Case: TO247 Pulsed drain current: 220A Drain-source voltage: 600V Drain current: 39A On-state resistance: 36mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 390W Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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STW70N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 43A; 450W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Version: ESD Technology: MDmesh™ || Plus Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Case: TO247 Drain-source voltage: 650V Drain current: 43A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 450W Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STW70N60M2-4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 43A; Idm: 272A Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 118nC Technology: MDmesh™ M2 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Case: TO247-4 Pulsed drain current: 272A Drain-source voltage: 600V Drain current: 43A On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 450W Mounting: THT |
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STW70N60M2-4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 43A; Idm: 272A Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 118nC Technology: MDmesh™ M2 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Case: TO247-4 Pulsed drain current: 272A Drain-source voltage: 600V Drain current: 43A On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 450W Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW70N60M2-4 | STMicroelectronics |
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STW70N65DM6 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 43A; Idm: 260A Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 125nC Technology: MDmesh™ DM6 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Case: TO247 Pulsed drain current: 260A Drain-source voltage: 650V Drain current: 43A On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 450W Mounting: THT |
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STW70N65DM6 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 43A; Idm: 260A Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 125nC Technology: MDmesh™ DM6 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Case: TO247 Pulsed drain current: 260A Drain-source voltage: 650V Drain current: 43A On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 450W Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW70N65DM6 | STMicroelectronics |
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STW70N65DM6-4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 43A; Idm: 260A; 450W; TO247-4 Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 125nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Case: TO247-4 Pulsed drain current: 260A Drain-source voltage: 650V Drain current: 43A On-state resistance: 36mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 450W Mounting: THT |
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STW70N65DM6-4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 43A; Idm: 260A; 450W; TO247-4 Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 125nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Case: TO247-4 Pulsed drain current: 260A Drain-source voltage: 650V Drain current: 43A On-state resistance: 36mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 450W Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW70N65DM6-4 | STMicroelectronics |
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STW70N65M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 252A; 446W; TO247 Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 117nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Case: TO247 Pulsed drain current: 252A Drain-source voltage: 650V Drain current: 40A On-state resistance: 39mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 446W Mounting: THT |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
STW70N65M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 252A; 446W; TO247 Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 117nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Case: TO247 Pulsed drain current: 252A Drain-source voltage: 650V Drain current: 40A On-state resistance: 39mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 446W Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW70N65M2 | STMicroelectronics |
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T543B476M010ATW070 | KEMET |
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TW-07-03-F-D-200-SM-130-P-TR | Samtec |
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TW-07-03-F-D-380-SM-A-P-TR | Samtec |
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TW-07-06-G-D-350-SM-003-M | Samtec |
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TW-07-09-G-D-250-SM-P-TR | Samtec |
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TW-07-09-L-D-295-SM-P-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors Flexible Surface Mount Board Stacking Header |
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SCTW70N120G2V |
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Hersteller: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ 91 A
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ 91 A
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 51.57 EUR |
10+ | 34.48 EUR |
STW70N60DM2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 42A; 446W; TO247
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: MDmesh™ DM2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 42A
On-state resistance: 37mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Mounting: THT
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 42A; 446W; TO247
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: MDmesh™ DM2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 42A
On-state resistance: 37mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Mounting: THT
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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6+ | 12.8 EUR |
7+ | 11.1 EUR |
10+ | 10.67 EUR |
STW70N60DM2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 42A; 446W; TO247
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: MDmesh™ DM2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 42A
On-state resistance: 37mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 42A; 446W; TO247
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: MDmesh™ DM2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 42A
On-state resistance: 37mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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6+ | 12.8 EUR |
7+ | 11.1 EUR |
10+ | 10.67 EUR |
STW70N60DM2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 37 mOhm typ 66 A MDmesh DM2 Power MOSFET
MOSFETs N-channel 600 V, 37 mOhm typ 66 A MDmesh DM2 Power MOSFET
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 17.99 EUR |
10+ | 12.87 EUR |
100+ | 10.23 EUR |
600+ | 10.12 EUR |
1200+ | 8.87 EUR |
STW70N60DM6 |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 36 mOhm typ 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET
MOSFETs N-channel 600 V, 36 mOhm typ 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 19.24 EUR |
10+ | 15.66 EUR |
100+ | 13.06 EUR |
600+ | 11.65 EUR |
1200+ | 9.89 EUR |
STW70N60DM6-4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247-4
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 99nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247-4
Pulsed drain current: 220A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
On-state resistance: 42mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Mounting: THT
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247-4
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 99nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247-4
Pulsed drain current: 220A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
On-state resistance: 42mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Mounting: THT
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 15.67 EUR |
6+ | 12.34 EUR |
7+ | 11.67 EUR |
STW70N60DM6-4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247-4
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 99nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247-4
Pulsed drain current: 220A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
On-state resistance: 42mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247-4
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 99nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247-4
Pulsed drain current: 220A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
On-state resistance: 42mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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5+ | 15.67 EUR |
6+ | 12.34 EUR |
7+ | 11.67 EUR |
30+ | 11.23 EUR |
STW70N60DM6-4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 36 mOhm typ 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET
MOSFETs N-channel 600 V, 36 mOhm typ 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 22.32 EUR |
10+ | 13.11 EUR |
100+ | 12.67 EUR |
STW70N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 43A; 450W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 43A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 450W
Mounting: THT
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 43A; 450W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 43A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 450W
Mounting: THT
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 12.3 EUR |
9+ | 8.05 EUR |
STW70N60M2 |
![]() |
Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 40mOhm; 68A; 450W; -55°C ~ 150°C; STW70N60M2 TSTW70N60M2
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 40mOhm; 68A; 450W; -55°C ~ 150°C; STW70N60M2 TSTW70N60M2
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 22.02 EUR |
STW70N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.031Ohm typ. 68A MDmesh M2
MOSFETs N-CH 600V 0.031Ohm typ. 68A MDmesh M2
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 9.75 EUR |
10+ | 8.1 EUR |
100+ | 7.46 EUR |
PGKTW70SDAD1SD |
TFT, Graphics color 7.0", 800x600, 171.4x109.90, интерфейс RGB, з ємнісним тач-падом
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
PGKTW70SNCE1EO |
TFT, Graphics color 7.0", 800x480, 166.6x109.40, интерфейс LVDS, з резистивним тач-падом
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
STW70N10F4 |
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Hersteller: STM
auf Bestellung 92270 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
9002 |
![]() |
Hersteller: VISATON
Category: Speakers
Description: Loudspeaker; general purpose; 40W; 8Ω; 64x64x29mm; 800÷20000Hz
Type of sound transducer: loudspeaker
Kind of loudspeaker: general purpose
Power: 40W
Maximum power: 80W
Impedance: 8Ω
Body dimensions: 64x64x29mm
Sound frequency: 0.8...20kHz
Panel cutout diameter: 64mm
Sound level: 90dB
Resonant frequency: 1.5kHz
Colour: black
Diameter: 64mm
Height: 29mm
Category: Speakers
Description: Loudspeaker; general purpose; 40W; 8Ω; 64x64x29mm; 800÷20000Hz
Type of sound transducer: loudspeaker
Kind of loudspeaker: general purpose
Power: 40W
Maximum power: 80W
Impedance: 8Ω
Body dimensions: 64x64x29mm
Sound frequency: 0.8...20kHz
Panel cutout diameter: 64mm
Sound level: 90dB
Resonant frequency: 1.5kHz
Colour: black
Diameter: 64mm
Height: 29mm
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 15.72 EUR |
10+ | 15.1 EUR |
9002 |
![]() |
Hersteller: Visaton
Speakers & Transducers Cone tweeter sealed rear 800 20000Hz 8ohm 1500Hz
Speakers & Transducers Cone tweeter sealed rear 800 20000Hz 8ohm 1500Hz
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 29.94 EUR |
10+ | 24.48 EUR |
25+ | 22.49 EUR |
50+ | 21.05 EUR |
100+ | 20.19 EUR |
250+ | 20.1 EUR |
500+ | 19.92 EUR |
T598B107M004ATW070 |
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Hersteller: KEMET
Tantalum Capacitors - Polymer 4V 100uF 20% 3528-21 -55 /125C ESR=70mOhms AEC-Q200
Tantalum Capacitors - Polymer 4V 100uF 20% 3528-21 -55 /125C ESR=70mOhms AEC-Q200
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 11.18 EUR |
10+ | 8.27 EUR |
50+ | 7.37 EUR |
100+ | 6.78 EUR |
2000+ | 5.76 EUR |
T598B476M010ATW070 |
![]() |
Hersteller: KEMET
Tantalum Capacitors - Polymer 10V 47uF 20% 3528-21 -55 /125C ESR=70mOhms AEC-Q200
Tantalum Capacitors - Polymer 10V 47uF 20% 3528-21 -55 /125C ESR=70mOhms AEC-Q200
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 11.46 EUR |
10+ | 8.48 EUR |
50+ | 7.6 EUR |
100+ | 6.99 EUR |
2000+ | 5.93 EUR |
VS-TW-70 Produktcode: 115256
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
TW7000 |
![]() |
Hersteller: IFM ELECTRONIC
Category: Temp. Sensors - Resistance Thermometers
Description: Converter: temperature
Type of converter: temperature
Category: Temp. Sensors - Resistance Thermometers
Description: Converter: temperature
Type of converter: temperature
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
TW7001 |
![]() |
Hersteller: IFM ELECTRONIC
Category: Temp. Sensors - Resistance Thermometers
Description: Converter: temperature
Type of converter: temperature
Category: Temp. Sensors - Resistance Thermometers
Description: Converter: temperature
Type of converter: temperature
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
TW7011 |
![]() |
Hersteller: IFM ELECTRONIC
Category: Temp. Sensors - Resistance Thermometers
Description: Converter: temperature
Type of converter: temperature
Category: Temp. Sensors - Resistance Thermometers
Description: Converter: temperature
Type of converter: temperature
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCTW70N120G2V |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 91A; Idm: 274A; 547W; HIP247™
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Case: HIP247™
Pulsed drain current: 274A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 91A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 547W
Mounting: THT
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 91A; Idm: 274A; 547W; HIP247™
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Case: HIP247™
Pulsed drain current: 274A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 91A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 547W
Mounting: THT
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCTW70N120G2V |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 91A; Idm: 274A; 547W; HIP247™
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Case: HIP247™
Pulsed drain current: 274A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 91A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 547W
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 91A; Idm: 274A; 547W; HIP247™
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Case: HIP247™
Pulsed drain current: 274A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 91A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 547W
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW70N60DM6 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 99nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247
Pulsed drain current: 220A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Mounting: THT
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 99nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247
Pulsed drain current: 220A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Mounting: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW70N60DM6 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 99nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247
Pulsed drain current: 220A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 99nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247
Pulsed drain current: 220A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW70N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 43A; 450W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 43A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 450W
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 43A; 450W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 43A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 450W
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 12.3 EUR |
9+ | 8.05 EUR |
STW70N60M2-4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 43A; Idm: 272A
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 118nC
Technology: MDmesh™ M2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247-4
Pulsed drain current: 272A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 43A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 450W
Mounting: THT
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 43A; Idm: 272A
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 118nC
Technology: MDmesh™ M2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247-4
Pulsed drain current: 272A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 43A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 450W
Mounting: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW70N60M2-4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 43A; Idm: 272A
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 118nC
Technology: MDmesh™ M2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247-4
Pulsed drain current: 272A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 43A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 450W
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 43A; Idm: 272A
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 118nC
Technology: MDmesh™ M2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247-4
Pulsed drain current: 272A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 43A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 450W
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW70N60M2-4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.031 Ohm typ 68 A MDmesh M2 Power MOSFET
MOSFETs N-channel 600 V, 0.031 Ohm typ 68 A MDmesh M2 Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW70N65DM6 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 43A; Idm: 260A
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 125nC
Technology: MDmesh™ DM6
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247
Pulsed drain current: 260A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 43A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 450W
Mounting: THT
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 43A; Idm: 260A
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 125nC
Technology: MDmesh™ DM6
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247
Pulsed drain current: 260A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 43A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 450W
Mounting: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW70N65DM6 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 43A; Idm: 260A
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 125nC
Technology: MDmesh™ DM6
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247
Pulsed drain current: 260A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 43A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 450W
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 43A; Idm: 260A
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 125nC
Technology: MDmesh™ DM6
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247
Pulsed drain current: 260A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 43A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 450W
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW70N65DM6 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 36 mOhm typ 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET
MOSFETs N-channel 650 V, 36 mOhm typ 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW70N65DM6-4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 43A; Idm: 260A; 450W; TO247-4
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 125nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247-4
Pulsed drain current: 260A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 43A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 450W
Mounting: THT
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 43A; Idm: 260A; 450W; TO247-4
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 125nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247-4
Pulsed drain current: 260A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 43A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 450W
Mounting: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW70N65DM6-4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 43A; Idm: 260A; 450W; TO247-4
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 125nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247-4
Pulsed drain current: 260A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 43A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 450W
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 43A; Idm: 260A; 450W; TO247-4
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 125nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247-4
Pulsed drain current: 260A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 43A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 450W
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW70N65DM6-4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 36 mOhm typ 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET
MOSFETs N-channel 650 V, 36 mOhm typ 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW70N65M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 252A; 446W; TO247
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 117nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247
Pulsed drain current: 252A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
On-state resistance: 39mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Mounting: THT
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 252A; 446W; TO247
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 117nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247
Pulsed drain current: 252A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
On-state resistance: 39mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Mounting: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW70N65M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 252A; 446W; TO247
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 117nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247
Pulsed drain current: 252A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
On-state resistance: 39mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 252A; 446W; TO247
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 117nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247
Pulsed drain current: 252A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
On-state resistance: 39mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STW70N65M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.039 Ohm typ 63 A MDmesh M2 Power MOSFET
MOSFETs N-channel 650 V, 0.039 Ohm typ 63 A MDmesh M2 Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
T543B476M010ATW070 |
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Hersteller: KEMET
Tantalum Capacitors - Polymer 10V 47uF 1311 20% ESR=70mOhms
Tantalum Capacitors - Polymer 10V 47uF 1311 20% ESR=70mOhms
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Stück im Wert von UAH
TW-07-03-F-D-200-SM-130-P-TR |
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Hersteller: Samtec
Board to Board & Mezzanine Connectors
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Stück im Wert von UAH
TW-07-03-F-D-380-SM-A-P-TR |
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Hersteller: Samtec
Board to Board & Mezzanine Connectors Flexible Surface Mount Board Stacking Header
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Stück im Wert von UAH
TW-07-06-G-D-350-SM-003-M |
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Hersteller: Samtec
Board to Board & Mezzanine Connectors
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Stück im Wert von UAH
TW-07-09-G-D-250-SM-P-TR |
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Hersteller: Samtec
Board to Board & Mezzanine Connectors Flexible Surface Mount Board Stacking Header
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Stück im Wert von UAH
TW-07-09-L-D-295-SM-P-TR |
Hersteller: Samtec
Board to Board & Mezzanine Connectors Flexible Surface Mount Board Stacking Header
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