| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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1.5KE12A Produktcode: 29761
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Lieblingsprodukt
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Semicron |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)Gehäuse: DO-201 Spitzenleistung, P, W: 1500 W Durchbruchspannung, Vbr: 12 V Sperrspannung, Vrm: 10,2 V Leckstrom, Irm: 5 µA Diodenbauart: Unidirektional Montage: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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EGL1A Produktcode: 57719
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Semicron |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelleGehäuse: DO-213AA Sperrspannung Vrr, V: 50 V Mittlerer Strom Iav, A: 1 A Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 50 ns Montage: SMD |
auf Bestellung 1494 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SKD 25/12 Produktcode: 131123
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Semicron |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen Gehäuse: G10B Sperrspannung Urev, V: 1200 V Durchlassstrom Idir, A: 20 A Typ der Diodenbrücke: Трифазний Montage: THT Impulsstrom, A: 370 A |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||
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SKiiP23NAB126V1 Produktcode: 51901
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Semicron |
Transistoren > Transistoren IGBT, LeistungsmoduleGehäuse: 58,5x51,5x15,8 mm Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V Sättigungsspannung Vce, V: 1,7 V Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 41 Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 31 Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 85/465 |
verfügbar: 567 St.
erwartet: 4 St.
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SKIIP35NAB12T4V1 IGBT-Modul Produktcode: 108613
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Semicron |
Transistoren > Transistoren IGBT, LeistungsmoduleGehäuse: 81,4x58,5x15,8 mm Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V Sättigungsspannung Vce, V: 1,85 V Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 69 Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 56 Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 60/370 |
verfügbar: 2 St.
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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SKKH162/16E Dioden-Thyristor Produktcode: 88957
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Semicron |
Transistoren > Transistoren IGBT, LeistungsmoduleGehäuse: SEMIPACK2 Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1600 V Sättigungsspannung Vce, V: 1,6 V Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 160 A |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||
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SKM400GB12E4 Produktcode: 105249
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Semicron |
Transistoren > Transistoren IGBT, LeistungsmoduleGehäuse: 106,4x61,4x30,5 mm Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V Sättigungsspannung Vce, V: 1,8 V Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 616 Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 474 Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 242/580 Zolltarifnummer: 8541 29 00 10 |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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SKM50GAL12T4 Produktcode: 169080
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Semicron |
Transistoren > Transistoren IGBT, LeistungsmoduleGehäuse: 94x34x30 mm Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V Sättigungsspannung Vce, V: 1,85 V Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 81 Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 62 Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 98/325 |
verfügbar: 2 St.
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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SKN26/12 Produktcode: 53514
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Semicron |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und SchaltdiodenGehäuse: DO-203AA Urev., V: 1200 V Iausr., A: 25 A Beschreibung: Gleichrichter Montage: THT Spannungsabfall Vf: 1,55 V |
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| 1.5KE12A Produktcode: 29761
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Hersteller: Semicron
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: DO-201
Spitzenleistung, P, W: 1500 W
Durchbruchspannung, Vbr: 12 V
Sperrspannung, Vrm: 10,2 V
Leckstrom, Irm: 5 µA
Diodenbauart: Unidirektional
Montage: THT
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: DO-201
Spitzenleistung, P, W: 1500 W
Durchbruchspannung, Vbr: 12 V
Sperrspannung, Vrm: 10,2 V
Leckstrom, Irm: 5 µA
Diodenbauart: Unidirektional
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.38 EUR |
| EGL1A Produktcode: 57719
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Hersteller: Semicron
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-213AA
Sperrspannung Vrr, V: 50 V
Mittlerer Strom Iav, A: 1 A
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 50 ns
Montage: SMD
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-213AA
Sperrspannung Vrr, V: 50 V
Mittlerer Strom Iav, A: 1 A
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 50 ns
Montage: SMD
auf Bestellung 1494 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.12 EUR |
| 10+ | 0.071 EUR |
| 100+ | 0.037 EUR |
| SKD 25/12 Produktcode: 131123
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Hersteller: Semicron
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: G10B
Sperrspannung Urev, V: 1200 V
Durchlassstrom Idir, A: 20 A
Typ der Diodenbrücke: Трифазний
Montage: THT
Impulsstrom, A: 370 A
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: G10B
Sperrspannung Urev, V: 1200 V
Durchlassstrom Idir, A: 20 A
Typ der Diodenbrücke: Трифазний
Montage: THT
Impulsstrom, A: 370 A
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SKiiP23NAB126V1 Produktcode: 51901
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Hersteller: Semicron
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: 58,5x51,5x15,8 mm
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,7 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 41
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 31
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 85/465
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: 58,5x51,5x15,8 mm
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,7 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 41
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 31
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 85/465
verfügbar: 567 St.
- 21 St. - stock Köln
- 546 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 4 St.
- 4 St. - erwartet
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 43.44 EUR |
| 10+ | 39.15 EUR |
| SKIIP35NAB12T4V1 IGBT-Modul Produktcode: 108613
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![]() |
Hersteller: Semicron
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: 81,4x58,5x15,8 mm
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,85 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 69
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 56
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 60/370
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: 81,4x58,5x15,8 mm
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,85 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 69
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 56
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 60/370
verfügbar: 2 St.
| SKKH162/16E Dioden-Thyristor Produktcode: 88957
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Hersteller: Semicron
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: SEMIPACK2
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,6 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 160 A
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: SEMIPACK2
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,6 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 160 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SKM400GB12E4 Produktcode: 105249
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![]() |
Hersteller: Semicron
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: 106,4x61,4x30,5 mm
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,8 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 616
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 474
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 242/580
Zolltarifnummer: 8541 29 00 10
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: 106,4x61,4x30,5 mm
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,8 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 616
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 474
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 242/580
Zolltarifnummer: 8541 29 00 10
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SKM50GAL12T4 Produktcode: 169080
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Hersteller: Semicron
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: 94x34x30 mm
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,85 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 81
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 62
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 98/325
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: 94x34x30 mm
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,85 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 81
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 62
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 98/325
verfügbar: 2 St.
| SKN26/12 Produktcode: 53514
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Hersteller: Semicron
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-203AA
Urev., V: 1200 V
Iausr., A: 25 A
Beschreibung: Gleichrichter
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,55 V
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-203AA
Urev., V: 1200 V
Iausr., A: 25 A
Beschreibung: Gleichrichter
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,55 V
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.69 EUR |







