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STGWA50M65DF2 STMicroelectronics en.DM00249585.pdf STGWA50M65DF2 THT IGBT transistors
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STGWA60H65DFB STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABAA56A5DE2D280C7&compId=STGWx60H65DFB.pdf?ci_sign=8b804906e12b081c9d06412ea3a8b4a3a1b23cb9 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA60V60DF STMicroelectronics en.DM00074810.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA75H65DFB2 STGWA75H65DFB2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8FB6729720EB60D5&compId=STGWA75H65DFB2.pdf?ci_sign=0724d3698b17884034a7a71328f213dc99f9a6d8 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.15 EUR
120+4.48 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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STGWA75M65DF2 STMicroelectronics en.DM00249589.pdf STGWA75M65DF2 THT IGBT transistors
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.77 EUR
12+6.09 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA80H65DFB STMicroelectronics STGx%28x%2980H65DFB_Rev6_May2015.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA80H65DFBAG STMicroelectronics stgwa80h65dfbag.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 535W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 535W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 453nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA80H65FB STMicroelectronics en.DM00118301.pdf STGWA80H65FB THT IGBT transistors
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STGWA8M120DF3 STMicroelectronics en.DM00294677.pdf STGWA8M120DF3 THT IGBT transistors
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STGWF30NC60S STMicroelectronics en.CD00164830.pdf STGWF30NC60S THT IGBT transistors
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STGWT20H65FB STMicroelectronics en.DM00130550.pdf STGWT20H65FB THT IGBT transistors
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STGWT20IH125DF STMicroelectronics en.DM00095632.pdf STGWT20IH125DF THT IGBT transistors
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STGWT20V60DF STMicroelectronics en.DM00079434.pdf STGWT20V60DF THT IGBT transistors
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STGWT28IH125DF STMicroelectronics en.DM00095615.pdf STGWT28IH125DF THT IGBT transistors
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STGWT30H60DFB STMicroelectronics en.DM00125118.pdf STGWT30H60DFB THT IGBT transistors
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STGWT30HP65FB STMicroelectronics en.DM00245474.pdf STGWT30HP65FB THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT40H65DFB STMicroelectronics STGWT40H65DFB.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT40HP65FB STGWT40HP65FB STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8F9EF5DE0984A0D5&compId=STGWT40HP65FB.pdf?ci_sign=c1bdb0f420633ce392bec7d507a8ff4d6c64c13a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.75 EUR
28+2.56 EUR
30+2.42 EUR
31+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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STGWT60H65DFB STGWT60H65DFB STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABAA56A5DE2D280C7&compId=STGWx60H65DFB.pdf?ci_sign=8b804906e12b081c9d06412ea3a8b4a3a1b23cb9 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.85 EUR
12+6.16 EUR
16+4.72 EUR
17+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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STGWT60H65FB STMicroelectronics en.DM00094070.pdf STGWT60H65FB THT IGBT transistors
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STGWT60V60DF STMicroelectronics en.DM00074810.pdf STGWT60V60DF THT IGBT transistors
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STGWT80H65DFB STMicroelectronics en.DM00079449.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWT80H65FB STMicroelectronics en.DM00118301.pdf STGWT80H65FB THT IGBT transistors
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STGWT80V60DF STMicroelectronics en.DM00079438.pdf STGWT80V60DF THT IGBT transistors
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STGWT80V60F STMicroelectronics en.DM00117327.pdf STGWT80V60F THT IGBT transistors
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STGY40NC60VD STMicroelectronics en.CD00003462.pdf STGY40NC60VD THT IGBT transistors
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STGYA120M65DF2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB3A63EB7DB8CE0D2&compId=stgya120m65df2.pdf?ci_sign=7be02cbd88351d04aecf038938321c183fb7873b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 625W; MAX247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 120A
Power dissipation: 625W
Case: MAX247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Mounting: THT
Gate charge: 420nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGYA120M65DF2AG STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB3A641C3FE39E0D2&compId=stgya120m65df2ag.pdf?ci_sign=b6100f628ed78c74692871f473e9af72f958f19c Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 625W; MAX247; automotive industry
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 120A
Power dissipation: 625W
Case: MAX247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Mounting: THT
Gate charge: 420nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGYA50H120DF2 STGYA50H120DF2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB3A6439A93DD60D2&compId=stgya50h120df2.pdf?ci_sign=fdcc9ad4f1ed24df1ec1b73eaa19c7617392f88d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 535W; MAX247
Collector current: 50A
Case: MAX247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.21µC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 535W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.48 EUR
8+9.5 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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STGYA50M120DF3 STMicroelectronics stgya50m120df3.pdf STGYA50M120DF3 THT IGBT transistors
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STGYA75H120DF2 STMicroelectronics stgya75h120df2.pdf STGYA75H120DF2 THT IGBT transistors
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STH12N120K5-2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A9AC166620D2&compId=sth12n120k5-2.pdf?ci_sign=8499f72861bba83f3ae67dfc9d896e6e60549050 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1200V; 7.6A; Idm: 48A; 250W; H2PAK-2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 7.6A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 250W
Case: H2PAK-2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH2N120K5-2AG STMicroelectronics sth2n120k5-2ag.pdf STH2N120K5-2AG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH30N65DM6-7AG STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A9AC166760D2&compId=sth30n65dm6-7ag.pdf?ci_sign=b77e27ea77a5d055bcea01bcf880db958369150a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 18A; Idm: 112A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 223W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH3N150-2 STH3N150-2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9AA33AB0C60D2&compId=sth3n150-2.pdf?ci_sign=0cf8dc2d277446eda8e1aac8189c83d548c85884 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 200V; 7A; 86W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 7A
Power dissipation: 86W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH6N95K5-2 STMicroelectronics en.DM00156940.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 6A; Idm: 24A; 110W; H2PAK-2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 110W
Case: H2PAK-2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STI18N65M2 STMicroelectronics en.DM00132456.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 48A; 110W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 110W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STI24N60M2 STI24N60M2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7974C9B7A74DE28&compId=STx24N60M2-DTE.pdf?ci_sign=88eaf8686493f39241678339b864e8a98ed3b3e4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STI4N62K3 STMicroelectronics en.CD00274723.pdf STI4N62K3 THT N channel transistors
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
91+0.79 EUR
163+0.44 EUR
172+0.42 EUR
180+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STIB1060DM2T-L STMicroelectronics stib1060dm2t-l.pdf STIB1060DM2T-L Motor and PWM drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STIB1560DM2T-L STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9AA33AB0EE0D2&compId=stib1560dm2t-l.pdf?ci_sign=45b7af687c7d3db25047c38f082b420a0f960c03 Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor; SLLIMM nano
Mounting: THT
Case: SDIP2B-26L
Operating voltage: 13.5...18/0...400V DC
Output current: 15A
Power dissipation: 78W
Collector-emitter voltage: 600V
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Frequency: 20kHz
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Technology: SLLIMM nano
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STIEC45-30AS STMicroelectronics en.CD00258714.pdf STIEC45-30AS Unidirectional TVS SMD diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STIEC45-33AS STMicroelectronics en.CD00258714.pdf STIEC45-33AS Unidirectional TVS SMD diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STIPN1M50-H STMicroelectronics en.DM00345698.pdf STIPN1M50-H Motor and PWM drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STIPN1M50T-H STMicroelectronics en.DM00264415.pdf STIPN1M50T-H Motor and PWM drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STIPN2M50T-HL STMicroelectronics STIPN2M50T-HL_Rev5_Mar2020.pdf STIPN2M50T-HL Motor and PWM drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STIPNS1M50SDT-H STMicroelectronics stipns1m50sdt-h.pdf STIPNS1M50SDT-H Motor and PWM drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STIPNS1M50T-H STMicroelectronics stipns1m50t-h.pdf STIPNS1M50T-H Motor and PWM drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STIPNS2M50-H STMicroelectronics stipns2m50-h.pdf STIPNS2M50-H Motor and PWM drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STIPNS2M50T-H STMicroelectronics stipns2m50t-h.pdf STIPNS2M50T-H Motor and PWM drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STIPQ3M60T-HL STMicroelectronics STIPQ3M60T-Hx_June2017.pdf STIPQ3M60T-HL Motor and PWM drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STIPQ3M60T-HZ STMicroelectronics stipq3m60t-hz.pdf STIPQ3M60T-HZ Motor and PWM drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STIPQ5M60T-HL STMicroelectronics STIPQ5M60T-Hx_June2017.pdf STIPQ5M60T-HL Motor and PWM drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STIPQ5M60T-HZ STMicroelectronics STIPQ5M60T-Hx_June2017.pdf STIPQ5M60T-HZ Motor and PWM drivers
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STISO621TR STMicroelectronics stiso621.pdf STISO621TR Interfaces others - integrated circuits
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STL115N10F7AG STMicroelectronics en.DM00333356.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 107A; Idm: 428A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 107A
Pulsed drain current: 428A
Power dissipation: 136W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: Automotive
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STL117N4LF7AG STMicroelectronics stl117n4lf7ag.pdf STL117N4LF7AG SMD N channel transistors
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STL11N3LLH6 STMicroelectronics en.CD00280508.pdf STL11N3LLH6 SMD N channel transistors
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STL11N65M5 STMicroelectronics en.DM00116135.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 8.5A; Idm: 34A; 70W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 70W
Case: PowerFLAT 5x5
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 34A
Gate charge: 17nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL120N10F8 STMicroelectronics en.DM00852148.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 125A; Idm: 500A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 125A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 150W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWA50M65DF2 en.DM00249585.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA50M65DF2 THT IGBT transistors
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STGWA60H65DFB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABAA56A5DE2D280C7&compId=STGWx60H65DFB.pdf?ci_sign=8b804906e12b081c9d06412ea3a8b4a3a1b23cb9
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA60V60DF en.DM00074810.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWA75H65DFB2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8FB6729720EB60D5&compId=STGWA75H65DFB2.pdf?ci_sign=0724d3698b17884034a7a71328f213dc99f9a6d8
STGWA75H65DFB2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.15 EUR
120+4.48 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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STGWA75M65DF2 en.DM00249589.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA75M65DF2 THT IGBT transistors
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.77 EUR
12+6.09 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA80H65DFB STGx%28x%2980H65DFB_Rev6_May2015.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWA80H65DFBAG stgwa80h65dfbag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 535W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 535W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 453nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWA80H65FB en.DM00118301.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA80H65FB THT IGBT transistors
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STGWA8M120DF3 en.DM00294677.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA8M120DF3 THT IGBT transistors
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STGWF30NC60S en.CD00164830.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWF30NC60S THT IGBT transistors
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STGWT20H65FB en.DM00130550.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWT20H65FB THT IGBT transistors
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STGWT20IH125DF en.DM00095632.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWT20IH125DF THT IGBT transistors
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STGWT20V60DF en.DM00079434.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWT20V60DF THT IGBT transistors
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STGWT28IH125DF en.DM00095615.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWT28IH125DF THT IGBT transistors
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STGWT30H60DFB en.DM00125118.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWT30H60DFB THT IGBT transistors
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STGWT30HP65FB en.DM00245474.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWT30HP65FB THT IGBT transistors
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STGWT40H65DFB STGWT40H65DFB.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWT40HP65FB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8F9EF5DE0984A0D5&compId=STGWT40HP65FB.pdf?ci_sign=c1bdb0f420633ce392bec7d507a8ff4d6c64c13a
STGWT40HP65FB
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.75 EUR
28+2.56 EUR
30+2.42 EUR
31+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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STGWT60H65DFB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABAA56A5DE2D280C7&compId=STGWx60H65DFB.pdf?ci_sign=8b804906e12b081c9d06412ea3a8b4a3a1b23cb9
STGWT60H65DFB
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.85 EUR
12+6.16 EUR
16+4.72 EUR
17+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT60H65FB en.DM00094070.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWT60H65FB THT IGBT transistors
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STGWT60V60DF en.DM00074810.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWT60V60DF THT IGBT transistors
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STGWT80H65DFB en.DM00079449.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT80H65FB en.DM00118301.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWT80H65FB THT IGBT transistors
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STGWT80V60DF en.DM00079438.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWT80V60DF THT IGBT transistors
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STGWT80V60F en.DM00117327.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWT80V60F THT IGBT transistors
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STGY40NC60VD en.CD00003462.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGY40NC60VD THT IGBT transistors
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STGYA120M65DF2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB3A63EB7DB8CE0D2&compId=stgya120m65df2.pdf?ci_sign=7be02cbd88351d04aecf038938321c183fb7873b
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 625W; MAX247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 120A
Power dissipation: 625W
Case: MAX247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Mounting: THT
Gate charge: 420nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGYA120M65DF2AG pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB3A641C3FE39E0D2&compId=stgya120m65df2ag.pdf?ci_sign=b6100f628ed78c74692871f473e9af72f958f19c
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 625W; MAX247; automotive industry
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 120A
Power dissipation: 625W
Case: MAX247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Mounting: THT
Gate charge: 420nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGYA50H120DF2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB3A6439A93DD60D2&compId=stgya50h120df2.pdf?ci_sign=fdcc9ad4f1ed24df1ec1b73eaa19c7617392f88d
STGYA50H120DF2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 535W; MAX247
Collector current: 50A
Case: MAX247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.21µC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 535W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.48 EUR
8+9.5 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGYA50M120DF3 stgya50m120df3.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGYA50M120DF3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGYA75H120DF2 stgya75h120df2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGYA75H120DF2 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH12N120K5-2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A9AC166620D2&compId=sth12n120k5-2.pdf?ci_sign=8499f72861bba83f3ae67dfc9d896e6e60549050
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1200V; 7.6A; Idm: 48A; 250W; H2PAK-2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 7.6A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 250W
Case: H2PAK-2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH2N120K5-2AG sth2n120k5-2ag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STH2N120K5-2AG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH30N65DM6-7AG pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A9AC166760D2&compId=sth30n65dm6-7ag.pdf?ci_sign=b77e27ea77a5d055bcea01bcf880db958369150a
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 18A; Idm: 112A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 223W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH3N150-2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9AA33AB0C60D2&compId=sth3n150-2.pdf?ci_sign=0cf8dc2d277446eda8e1aac8189c83d548c85884
STH3N150-2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 200V; 7A; 86W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 7A
Power dissipation: 86W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH6N95K5-2 en.DM00156940.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 6A; Idm: 24A; 110W; H2PAK-2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 110W
Case: H2PAK-2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STI18N65M2 en.DM00132456.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 48A; 110W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 110W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STI24N60M2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7974C9B7A74DE28&compId=STx24N60M2-DTE.pdf?ci_sign=88eaf8686493f39241678339b864e8a98ed3b3e4
STI24N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STI4N62K3 en.CD00274723.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STI4N62K3 THT N channel transistors
auf Bestellung 202 Stücke:
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Anzahl Preis
91+0.79 EUR
163+0.44 EUR
172+0.42 EUR
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Mindestbestellmenge: 91
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STIB1060DM2T-L stib1060dm2t-l.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STIB1060DM2T-L Motor and PWM drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STIB1560DM2T-L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9AA33AB0EE0D2&compId=stib1560dm2t-l.pdf?ci_sign=45b7af687c7d3db25047c38f082b420a0f960c03
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor; SLLIMM nano
Mounting: THT
Case: SDIP2B-26L
Operating voltage: 13.5...18/0...400V DC
Output current: 15A
Power dissipation: 78W
Collector-emitter voltage: 600V
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Frequency: 20kHz
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Technology: SLLIMM nano
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STIEC45-30AS en.CD00258714.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STIEC45-30AS Unidirectional TVS SMD diodes
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STIEC45-33AS en.CD00258714.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STIEC45-33AS Unidirectional TVS SMD diodes
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STIPN1M50-H en.DM00345698.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STIPN1M50-H Motor and PWM drivers
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STIPN1M50T-H en.DM00264415.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STIPN1M50T-H Motor and PWM drivers
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STIPN2M50T-HL STIPN2M50T-HL_Rev5_Mar2020.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STIPN2M50T-HL Motor and PWM drivers
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STIPNS1M50SDT-H stipns1m50sdt-h.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STIPNS1M50SDT-H Motor and PWM drivers
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STIPNS1M50T-H stipns1m50t-h.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STIPNS1M50T-H Motor and PWM drivers
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STIPNS2M50-H stipns2m50-h.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STIPNS2M50-H Motor and PWM drivers
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STIPNS2M50T-H stipns2m50t-h.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STIPNS2M50T-H Motor and PWM drivers
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STIPQ3M60T-HL STIPQ3M60T-Hx_June2017.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STIPQ3M60T-HL Motor and PWM drivers
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STIPQ3M60T-HZ stipq3m60t-hz.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STIPQ3M60T-HZ Motor and PWM drivers
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STIPQ5M60T-HL STIPQ5M60T-Hx_June2017.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STIPQ5M60T-HL Motor and PWM drivers
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STIPQ5M60T-HZ STIPQ5M60T-Hx_June2017.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STIPQ5M60T-HZ Motor and PWM drivers
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STISO621TR stiso621.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STISO621TR Interfaces others - integrated circuits
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STL115N10F7AG en.DM00333356.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 107A; Idm: 428A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 107A
Pulsed drain current: 428A
Power dissipation: 136W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: Automotive
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STL117N4LF7AG stl117n4lf7ag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STL117N4LF7AG SMD N channel transistors
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STL11N3LLH6 en.CD00280508.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STL11N3LLH6 SMD N channel transistors
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STL11N65M5 en.DM00116135.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 8.5A; Idm: 34A; 70W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 70W
Case: PowerFLAT 5x5
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 34A
Gate charge: 17nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STL120N10F8 en.DM00852148.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 125A; Idm: 500A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 125A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 150W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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