Produkte > STMICROELECTRONICS > Alle Produkte des Herstellers STMICROELECTRONICS (171492) > Seite 1166 nach 2859
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STGIPS30C60T-H | STMicroelectronics | STGIPS30C60T-H Motor and PWM drivers |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
STGP10H60DF | STMicroelectronics |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
STGP10M65DF2 | STMicroelectronics |
![]() |
auf Bestellung 101 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
STGP10NB60S | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 16A; 80W; TO220AB Type of transistor: IGBT Power dissipation: 80W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Pulsed collector current: 80A Gate charge: 33nC Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 16A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
STGP10NB60SD | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 16A; 80W; TO220AB Type of transistor: IGBT Power dissipation: 80W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Pulsed collector current: 80A Gate charge: 33nC Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 16A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
![]() |
STGP10NC60HD | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB Type of transistor: IGBT Power dissipation: 65W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Pulsed collector current: 30A Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 19.2nC Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 10A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
![]() |
STGP10NC60KD | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 65W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 199 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
STGP14NC60KD | STMicroelectronics |
![]() |
auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
STGP15H60DF | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 30W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 15A Power dissipation: 30W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 81nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
STGP15M120F3 | STMicroelectronics |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
STGP15M65DF2 | STMicroelectronics |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
![]() |
STGP19NC60HD | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 130W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 130W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 31nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
STGP19NC60SD | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 130W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 130W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Mounting: THT Gate charge: 54.5nC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
STGP20H60DF | STMicroelectronics |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
STGP20H65DFB2 | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 147W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 25A Power dissipation: 147W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
STGP20H65FB2 | STMicroelectronics |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
STGP20M65DF2 | STMicroelectronics |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
STGP20NC60V | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO220AB Type of transistor: IGBT Power dissipation: 200W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Collector current: 30A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Collector-emitter voltage: 600V Gate charge: 0.1µC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
STGP20V60DF | STMicroelectronics |
![]() |
auf Bestellung 71 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
STGP30H60DF | STMicroelectronics |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
STGP30H60DFB | STMicroelectronics |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
STGP30H65DFB2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 167W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 30A Power dissipation: 167W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 90nC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
STGP30H65F | STMicroelectronics |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
![]() |
STGP30M65DF2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 258W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 30A Power dissipation: 258W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
STGP30V60DF | STMicroelectronics |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
STGP3HF60HD | STMicroelectronics |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
![]() |
STGP3NC120HD | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 7A; 75W; TO220AB Collector current: 7A Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 20A Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 24nC Mounting: THT Collector-emitter voltage: 1.2kV Type of transistor: IGBT Power dissipation: 75W Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 99 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
STGP40V60F | STMicroelectronics |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
STGP4M65DF2 | STMicroelectronics |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
STGP5H60DF | STMicroelectronics |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
STGP6M65DF2 | STMicroelectronics |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
STGP6NC60HD | STMicroelectronics |
![]() |
auf Bestellung 222 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
STGP7H60DF | STMicroelectronics |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
![]() |
STGP7NC60HD | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 80W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 14A Power dissipation: 80W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 50A Mounting: THT Gate charge: 48nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 332 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
STGP8M120DF3 | STMicroelectronics |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
![]() |
STGP8NC60KD | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 8A; 65W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 8A Power dissipation: 65W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 56 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
STGPL6NC60DI | STMicroelectronics |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
STGSH80HB65DAG | STMicroelectronics |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 68A Case: ACEPACK SMIT Max. off-state voltage: 650V Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 68A Pulsed collector current: 269A Power dissipation: 250W Electrical mounting: SMT Topology: IGBT half-bridge Type of semiconductor module: IGBT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
STGW100H65FB2-4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 91A; 441W; TO247-4 Case: TO247-4 Mounting: THT Type of transistor: IGBT Power dissipation: 441W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 288nC Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 91A Pulsed collector current: 300A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
STGW10M65DF2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 10A; 115W; TO247-3 Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 10A Pulsed collector current: 40A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 115W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 28nC Mounting: THT Case: TO247-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
STGW15H120DF2 | STMicroelectronics |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
STGW15H120F2 | STMicroelectronics |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
STGW15M120DF3 | STMicroelectronics |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
![]() |
STGW19NC60HD | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 21A; 140W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 21A Power dissipation: 140W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 53nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
STGW20H60DF | STMicroelectronics |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
STGW20H65FB | STMicroelectronics |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
![]() |
STGW20IH125DF | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 20A; 259W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.25kV Collector current: 20A Power dissipation: 259W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Mounting: THT Gate charge: 69nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
STGW20NC60V | STMicroelectronics |
![]() |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
![]() |
STGW20NC60VD | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 200W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1060 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
STGW20V60DF | STMicroelectronics |
![]() |
auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
STGW20V60F | STMicroelectronics |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
STGW25H120DF2 | STMicroelectronics |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
STGW25H120F2 | STMicroelectronics |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
STGW25M120DF3 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 85nC Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 25A Pulsed collector current: 100A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 375W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
![]() |
STGW28IH125DF | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 30A; 375W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.25kV Collector current: 30A Power dissipation: 375W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 114nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
STGW30H60DFB | STMicroelectronics |
![]() |
auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
STGW30H65FB | STMicroelectronics |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
STGW30M65DF2 | STMicroelectronics |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
![]() |
STGW30NC120HD | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 220W; TO247-3 Collector current: 30A Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 135A Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 110nC Mounting: THT Collector-emitter voltage: 1.2kV Type of transistor: IGBT Power dissipation: 220W Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 142 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
STGW30NC60KD | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 200W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 28A Power dissipation: 200W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 125A Mounting: THT Gate charge: 96nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
STGIPS30C60T-H |
Hersteller: STMicroelectronics
STGIPS30C60T-H Motor and PWM drivers
STGIPS30C60T-H Motor and PWM drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGP10H60DF |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGP10H60DF THT IGBT transistors
STGP10H60DF THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGP10M65DF2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGP10M65DF2 THT IGBT transistors
STGP10M65DF2 THT IGBT transistors
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
47+ | 1.53 EUR |
57+ | 1.26 EUR |
60+ | 1.2 EUR |
500+ | 1.16 EUR |
STGP10NB60S |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 16A; 80W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 80A
Gate charge: 33nC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 16A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 16A; 80W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 80A
Gate charge: 33nC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 16A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGP10NB60SD |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 16A; 80W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 80A
Gate charge: 33nC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 16A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 16A; 80W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 80A
Gate charge: 33nC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 16A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGP10NC60HD |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 30A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 19.2nC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 30A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 19.2nC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGP10NC60KD |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
32+ | 2.3 EUR |
53+ | 1.36 EUR |
62+ | 1.16 EUR |
65+ | 1.1 EUR |
100+ | 1.06 EUR |
STGP14NC60KD |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGP14NC60KD THT IGBT transistors
STGP14NC60KD THT IGBT transistors
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
31+ | 2.36 EUR |
47+ | 1.54 EUR |
50+ | 1.46 EUR |
STGP15H60DF |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 30W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 30W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 30W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 30W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGP15M120F3 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGP15M120F3 THT IGBT transistors
STGP15M120F3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGP15M65DF2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGP15M65DF2 THT IGBT transistors
STGP15M65DF2 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGP19NC60HD |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 130W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 130W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
21+ | 3.5 EUR |
23+ | 3.13 EUR |
30+ | 2.46 EUR |
31+ | 2.32 EUR |
STGP19NC60SD |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 130W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 54.5nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 130W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 54.5nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGP20H60DF |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGP20H60DF THT IGBT transistors
STGP20H60DF THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGP20H65DFB2 |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 147W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 147W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 147W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 147W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGP20H65FB2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGP20H65FB2 THT IGBT transistors
STGP20H65FB2 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGP20M65DF2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGP20M65DF2 THT IGBT transistors
STGP20M65DF2 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGP20NC60V | ![]() |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 0.1µC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 0.1µC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
19+ | 3.82 EUR |
21+ | 3.43 EUR |
24+ | 2.97 EUR |
2000+ | 2.36 EUR |
6000+ | 2.33 EUR |
STGP20V60DF |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGP20V60DF THT IGBT transistors
STGP20V60DF THT IGBT transistors
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
19+ | 3.86 EUR |
32+ | 2.26 EUR |
34+ | 2.13 EUR |
STGP30H60DF |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGP30H60DF THT IGBT transistors
STGP30H60DF THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGP30H60DFB |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGP30H60DFB THT IGBT transistors
STGP30H60DFB THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGP30H65DFB2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 167W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 167W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGP30H65F |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGP30H65F THT IGBT transistors
STGP30H65F THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGP30M65DF2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 258W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 258W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 258W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 258W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
22+ | 3.36 EUR |
24+ | 3.02 EUR |
32+ | 2.27 EUR |
34+ | 2.14 EUR |
2000+ | 2.07 EUR |
6000+ | 2.06 EUR |
STGP30V60DF |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGP30V60DF THT IGBT transistors
STGP30V60DF THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGP3HF60HD |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGP3HF60HD THT IGBT transistors
STGP3HF60HD THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGP3NC120HD |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 7A; 75W; TO220AB
Collector current: 7A
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 24nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 7A; 75W; TO220AB
Collector current: 7A
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 24nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
29+ | 2.52 EUR |
32+ | 2.26 EUR |
42+ | 1.73 EUR |
44+ | 1.64 EUR |
STGP40V60F |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGP40V60F THT IGBT transistors
STGP40V60F THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGP4M65DF2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGP4M65DF2 THT IGBT transistors
STGP4M65DF2 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGP5H60DF |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGP5H60DF THT IGBT transistors
STGP5H60DF THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGP6M65DF2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGP6M65DF2 THT IGBT transistors
STGP6M65DF2 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGP6NC60HD |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGP6NC60HD THT IGBT transistors
STGP6NC60HD THT IGBT transistors
auf Bestellung 222 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
54+ | 1.33 EUR |
71+ | 1.02 EUR |
75+ | 0.96 EUR |
100+ | 0.93 EUR |
STGP7H60DF |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGP7H60DF THT IGBT transistors
STGP7H60DF THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGP7NC60HD | ![]() |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 80W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 14A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 80W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 14A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 332 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
38+ | 1.89 EUR |
47+ | 1.53 EUR |
65+ | 1.12 EUR |
68+ | 1.06 EUR |
71+ | 1.02 EUR |
STGP8M120DF3 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGP8M120DF3 THT IGBT transistors
STGP8M120DF3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGP8NC60KD |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 8A; 65W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 8A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 8A; 65W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 8A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
29+ | 2.53 EUR |
56+ | 1.27 EUR |
1000+ | 0.86 EUR |
STGPL6NC60DI |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGPL6NC60DI THT IGBT transistors
STGPL6NC60DI THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGSH80HB65DAG |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 68A
Case: ACEPACK SMIT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 68A
Pulsed collector current: 269A
Power dissipation: 250W
Electrical mounting: SMT
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 68A
Case: ACEPACK SMIT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 68A
Pulsed collector current: 269A
Power dissipation: 250W
Electrical mounting: SMT
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGW100H65FB2-4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 91A; 441W; TO247-4
Case: TO247-4
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 441W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 288nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 91A
Pulsed collector current: 300A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 91A; 441W; TO247-4
Case: TO247-4
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 441W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 288nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 91A
Pulsed collector current: 300A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGW10M65DF2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 10A; 115W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 40A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 115W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 28nC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 10A; 115W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 40A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 115W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 28nC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGW15H120DF2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGW15H120DF2 THT IGBT transistors
STGW15H120DF2 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGW15H120F2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGW15H120F2 THT IGBT transistors
STGW15H120F2 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGW15M120DF3 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGW15M120DF3 THT IGBT transistors
STGW15M120DF3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGW19NC60HD |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 21A; 140W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 21A
Power dissipation: 140W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 21A; 140W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 21A
Power dissipation: 140W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
16+ | 4.48 EUR |
18+ | 4.2 EUR |
27+ | 2.73 EUR |
28+ | 2.59 EUR |
120+ | 2.56 EUR |
STGW20H60DF |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGW20H60DF THT IGBT transistors
STGW20H60DF THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGW20H65FB |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGW20H65FB THT IGBT transistors
STGW20H65FB THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGW20IH125DF |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 20A; 259W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.25kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 259W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 20A; 259W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.25kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 259W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
18+ | 4.15 EUR |
24+ | 3 EUR |
26+ | 2.85 EUR |
STGW20NC60V |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGW20NC60V THT IGBT transistors
STGW20NC60V THT IGBT transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
21+ | 3.55 EUR |
30+ | 2.39 EUR |
9000+ | 2.12 EUR |
STGW20NC60VD | ![]() |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1060 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
17+ | 4.36 EUR |
34+ | 2.16 EUR |
35+ | 2.04 EUR |
510+ | 1.97 EUR |
STGW20V60DF |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGW20V60DF THT IGBT transistors
STGW20V60DF THT IGBT transistors
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
16+ | 4.56 EUR |
23+ | 3.2 EUR |
24+ | 3.03 EUR |
510+ | 2.9 EUR |
STGW20V60F |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGW20V60F THT IGBT transistors
STGW20V60F THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGW25H120DF2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGW25H120DF2 THT IGBT transistors
STGW25H120DF2 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGW25H120F2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGW25H120F2 THT IGBT transistors
STGW25H120F2 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGW25M120DF3 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 85nC
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 100A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 375W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 85nC
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 100A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 375W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGW28IH125DF |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 30A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.25kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 114nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 30A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.25kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 114nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
16+ | 4.76 EUR |
17+ | 4.29 EUR |
22+ | 3.29 EUR |
24+ | 3.1 EUR |
STGW30H60DFB |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGW30H60DFB THT IGBT transistors
STGW30H60DFB THT IGBT transistors
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
15+ | 4.96 EUR |
22+ | 3.37 EUR |
23+ | 3.19 EUR |
STGW30H65FB |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGW30H65FB THT IGBT transistors
STGW30H65FB THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGW30M65DF2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGW30M65DF2 THT IGBT transistors
STGW30M65DF2 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGW30NC120HD |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 220W; TO247-3
Collector current: 30A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 135A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 110nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 220W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 220W; TO247-3
Collector current: 30A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 135A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 110nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 220W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
13+ | 5.52 EUR |
15+ | 4.96 EUR |
18+ | 3.99 EUR |
19+ | 3.78 EUR |
30+ | 3.72 EUR |
STGW30NC60KD |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 28A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 125A
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 28A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 125A
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 9.21 EUR |
16+ | 4.46 EUR |
17+ | 4.2 EUR |