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STGW8M120DF3 STMicroelectronics en.DM00294677.pdf STGW8M120DF3 THT IGBT transistors
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STGWA100H65DFB2 STMicroelectronics stgwa100h65dfb2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 91A; 441W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 91A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 288nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA15H120DF2 STGWA15H120DF2 STMicroelectronics en.DM00066773.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 259W; TO247-3
Collector current: 15A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 67nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 259W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+7.95 EUR
14+5.11 EUR
3000+3.03 EUR
9000+3 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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STGWA15H120F2 STMicroelectronics en.DM00109377.pdf STGWA15H120F2 THT IGBT transistors
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STGWA15M120DF3 STMicroelectronics en.DM00113752.pdf STGWA15M120DF3 THT IGBT transistors
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STGWA15S120DF3 STMicroelectronics en.DM00116910.pdf STGWA15S120DF3 THT IGBT transistors
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STGWA20H65DFB2 STMicroelectronics stgwa20h65dfb2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 147W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWA20HP65FB2 STMicroelectronics stgwa20hp65fb2.pdf STGWA20HP65FB2 THT IGBT transistors
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STGWA20IH65DF STMicroelectronics stgwa20ih65df.pdf STGWA20IH65DF THT IGBT transistors
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STGWA20M65DF2 STMicroelectronics en.DM00245493.pdf STGWA20M65DF2 THT IGBT transistors
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STGWA25H120DF2 STMicroelectronics en.DM00066775.pdf STGWA25H120DF2 THT IGBT transistors
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STGWA25H120F2 STMicroelectronics en.DM00109190.pdf STGWA25H120F2 THT IGBT transistors
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STGWA25IH135DF2 STMicroelectronics stgwa25ih135df2.pdf STGWA25IH135DF2 THT IGBT transistors
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STGWA25M120DF3 STGWA25M120DF3 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8FA0A224443860D5&compId=STGWA25M120DF3.pdf?ci_sign=8fd77ec01072af8c6e517177b493d8b34f8d0b4c Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3
Collector current: 25A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 100A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 85nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 375W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.15 EUR
11+6.51 EUR
30+3.98 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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STGWA25S120DF3 STMicroelectronics en.DM00116918.pdf STGWA25S120DF3 THT IGBT transistors
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STGWA30H60DFB STMicroelectronics en.DM00125118.pdf STGWA30H60DFB THT IGBT transistors
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STGWA30H65DFB STGWA30H65DFB STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE991973B519E0D78BF&compId=STGWA30H65DFB.pdf?ci_sign=0b7131cf62275bf46b46c8227fc5785f978c3e6f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 260W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.3 EUR
13+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30H65DFB2 STMicroelectronics en.DM00673147.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 167W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWA30HP65FB2 STMicroelectronics stgwa30hp65fb2.pdf STGWA30HP65FB2 THT IGBT transistors
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STGWA30IH65DF STMicroelectronics stgwa30ih65df.pdf STGWA30IH65DF THT IGBT transistors
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STGWA30M65DF2 STMicroelectronics en.DM00177695.pdf STGWA30M65DF2 THT IGBT transistors
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STGWA35IH135DF2 STMicroelectronics stgwa35ih135df2.pdf STGWA35IH135DF2 THT IGBT transistors
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STGWA40H120DF2 STMicroelectronics en.DM00066778.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 468W; TO247-3
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 158nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 468W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.61 EUR
13+5.93 EUR
17+4.46 EUR
18+4.2 EUR
3000+4.08 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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STGWA40H120F2 STMicroelectronics en.DM00106123.pdf STGWA40H120F2 THT IGBT transistors
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STGWA40H65DFB STMicroelectronics stgwa40h65dfb.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40H65DFB2 STGWA40H65DFB2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8FB661C6B6EB80D5&compId=STGWA40H65DFB2.pdf?ci_sign=fddc8df35effdad56d4f360ab2bf8b64b5b77778 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 45A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 45A
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.19 EUR
23+3.15 EUR
25+2.97 EUR
120+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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STGWA40H65FB STMicroelectronics en.DM00093857.pdf STGWA40H65FB THT IGBT transistors
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STGWA40HP65FB2 STMicroelectronics stgwa40hp65fb2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 45A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 45A
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWA40IH65DF STMicroelectronics stgwa40ih65df.pdf STGWA40IH65DF THT IGBT transistors
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STGWA40M120DF3 STMicroelectronics en.DM00113760.pdf STGWA40M120DF3 THT IGBT transistors
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STGWA40S120DF3 STMicroelectronics en.DM00116916.pdf STGWA40S120DF3 THT IGBT transistors
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STGWA50H65DFB2 STMicroelectronics stgwa50h65dfb2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53A
Power dissipation: 272W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA50HP65FB2 STMicroelectronics stgwa50hp65fb2.pdf STGWA50HP65FB2 THT IGBT transistors
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STGWA50IH65DF STMicroelectronics stgwa50ih65df.pdf STGWA50IH65DF THT IGBT transistors
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STGWA50M65DF2 STMicroelectronics en.DM00249585.pdf STGWA50M65DF2 THT IGBT transistors
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STGWA60H65DFB STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABAA56A5DE2D280C7&compId=STGWx60H65DFB.pdf?ci_sign=8b804906e12b081c9d06412ea3a8b4a3a1b23cb9 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA60V60DF STMicroelectronics en.DM00074810.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA75H65DFB2 STGWA75H65DFB2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8FB6729720EB60D5&compId=STGWA75H65DFB2.pdf?ci_sign=0724d3698b17884034a7a71328f213dc99f9a6d8 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.15 EUR
120+4.48 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA75M65DF2 STMicroelectronics en.DM00249589.pdf STGWA75M65DF2 THT IGBT transistors
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.77 EUR
12+6.09 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA80H65DFB STMicroelectronics STGx%28x%2980H65DFB_Rev6_May2015.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA80H65DFBAG STMicroelectronics stgwa80h65dfbag.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 535W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 535W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 453nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA80H65FB STMicroelectronics en.DM00118301.pdf STGWA80H65FB THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA8M120DF3 STMicroelectronics en.DM00294677.pdf STGWA8M120DF3 THT IGBT transistors
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STGWF30NC60S STMicroelectronics en.CD00164830.pdf STGWF30NC60S THT IGBT transistors
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STGWT20H65FB STMicroelectronics en.DM00130550.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 168W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 168W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT20IH125DF STMicroelectronics en.DM00095632.pdf STGWT20IH125DF THT IGBT transistors
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STGWT20V60DF STMicroelectronics en.DM00079434.pdf STGWT20V60DF THT IGBT transistors
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STGWT28IH125DF STMicroelectronics en.DM00095615.pdf STGWT28IH125DF THT IGBT transistors
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STGWT30H60DFB STMicroelectronics en.DM00125118.pdf STGWT30H60DFB THT IGBT transistors
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STGWT30HP65FB STMicroelectronics en.DM00245474.pdf STGWT30HP65FB THT IGBT transistors
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STGWT40H65DFB STMicroelectronics STGWT40H65DFB.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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STGWT40HP65FB STGWT40HP65FB STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8F9EF5DE0984A0D5&compId=STGWT40HP65FB.pdf?ci_sign=c1bdb0f420633ce392bec7d507a8ff4d6c64c13a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.73 EUR
28+2.56 EUR
30+2.42 EUR
120+2.39 EUR
510+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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STGWT60H65DFB STGWT60H65DFB STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABAA56A5DE2D280C7&compId=STGWx60H65DFB.pdf?ci_sign=8b804906e12b081c9d06412ea3a8b4a3a1b23cb9 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.85 EUR
12+6.16 EUR
16+4.72 EUR
17+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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STGWT60H65FB STMicroelectronics en.DM00094070.pdf STGWT60H65FB THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT60V60DF STMicroelectronics en.DM00074810.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWT80H65DFB STMicroelectronics en.DM00079449.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWT80H65FB STMicroelectronics en.DM00118301.pdf STGWT80H65FB THT IGBT transistors
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STGWT80V60DF STMicroelectronics en.DM00079438.pdf STGWT80V60DF THT IGBT transistors
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STGWT80V60F STMicroelectronics en.DM00117327.pdf STGWT80V60F THT IGBT transistors
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STGY40NC60VD STMicroelectronics en.CD00003462.pdf STGY40NC60VD THT IGBT transistors
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STGW8M120DF3 en.DM00294677.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGW8M120DF3 THT IGBT transistors
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STGWA100H65DFB2 stgwa100h65dfb2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 91A; 441W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 91A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 288nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWA15H120DF2 en.DM00066773.pdf
STGWA15H120DF2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 259W; TO247-3
Collector current: 15A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 67nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 259W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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9+7.95 EUR
14+5.11 EUR
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9000+3 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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STGWA15H120F2 en.DM00109377.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA15H120F2 THT IGBT transistors
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STGWA15M120DF3 en.DM00113752.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA15M120DF3 THT IGBT transistors
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STGWA15S120DF3 en.DM00116910.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA15S120DF3 THT IGBT transistors
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STGWA20H65DFB2 stgwa20h65dfb2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 147W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWA20HP65FB2 stgwa20hp65fb2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA20HP65FB2 THT IGBT transistors
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STGWA20IH65DF stgwa20ih65df.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA20IH65DF THT IGBT transistors
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STGWA20M65DF2 en.DM00245493.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA20M65DF2 THT IGBT transistors
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STGWA25H120DF2 en.DM00066775.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA25H120DF2 THT IGBT transistors
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STGWA25H120F2 en.DM00109190.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA25H120F2 THT IGBT transistors
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STGWA25IH135DF2 stgwa25ih135df2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA25IH135DF2 THT IGBT transistors
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STGWA25M120DF3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8FA0A224443860D5&compId=STGWA25M120DF3.pdf?ci_sign=8fd77ec01072af8c6e517177b493d8b34f8d0b4c
STGWA25M120DF3
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3
Collector current: 25A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 100A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 85nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 375W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.15 EUR
11+6.51 EUR
30+3.98 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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STGWA25S120DF3 en.DM00116918.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA25S120DF3 THT IGBT transistors
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STGWA30H60DFB en.DM00125118.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA30H60DFB THT IGBT transistors
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STGWA30H65DFB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE991973B519E0D78BF&compId=STGWA30H65DFB.pdf?ci_sign=0b7131cf62275bf46b46c8227fc5785f978c3e6f
STGWA30H65DFB
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 260W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.3 EUR
13+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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STGWA30H65DFB2 en.DM00673147.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 167W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30HP65FB2 stgwa30hp65fb2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA30HP65FB2 THT IGBT transistors
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STGWA30IH65DF stgwa30ih65df.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA30IH65DF THT IGBT transistors
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STGWA30M65DF2 en.DM00177695.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA30M65DF2 THT IGBT transistors
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STGWA35IH135DF2 stgwa35ih135df2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA35IH135DF2 THT IGBT transistors
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STGWA40H120DF2 en.DM00066778.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 468W; TO247-3
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 158nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 468W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.61 EUR
13+5.93 EUR
17+4.46 EUR
18+4.2 EUR
3000+4.08 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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STGWA40H120F2 en.DM00106123.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA40H120F2 THT IGBT transistors
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STGWA40H65DFB stgwa40h65dfb.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40H65DFB2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8FB661C6B6EB80D5&compId=STGWA40H65DFB2.pdf?ci_sign=fddc8df35effdad56d4f360ab2bf8b64b5b77778
STGWA40H65DFB2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 45A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 45A
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.19 EUR
23+3.15 EUR
25+2.97 EUR
120+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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STGWA40H65FB en.DM00093857.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA40H65FB THT IGBT transistors
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STGWA40HP65FB2 stgwa40hp65fb2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 45A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 45A
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40IH65DF stgwa40ih65df.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA40IH65DF THT IGBT transistors
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STGWA40M120DF3 en.DM00113760.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA40M120DF3 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40S120DF3 en.DM00116916.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA40S120DF3 THT IGBT transistors
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STGWA50H65DFB2 stgwa50h65dfb2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53A
Power dissipation: 272W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA50HP65FB2 stgwa50hp65fb2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA50HP65FB2 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA50IH65DF stgwa50ih65df.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA50IH65DF THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA50M65DF2 en.DM00249585.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA50M65DF2 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA60H65DFB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABAA56A5DE2D280C7&compId=STGWx60H65DFB.pdf?ci_sign=8b804906e12b081c9d06412ea3a8b4a3a1b23cb9
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA60V60DF en.DM00074810.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA75H65DFB2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8FB6729720EB60D5&compId=STGWA75H65DFB2.pdf?ci_sign=0724d3698b17884034a7a71328f213dc99f9a6d8
STGWA75H65DFB2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.15 EUR
120+4.48 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA75M65DF2 en.DM00249589.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA75M65DF2 THT IGBT transistors
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.77 EUR
12+6.09 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA80H65DFB STGx%28x%2980H65DFB_Rev6_May2015.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA80H65DFBAG stgwa80h65dfbag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 535W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 535W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 453nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA80H65FB en.DM00118301.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA80H65FB THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA8M120DF3 en.DM00294677.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA8M120DF3 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWF30NC60S en.CD00164830.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWF30NC60S THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT20H65FB en.DM00130550.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 168W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 168W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT20IH125DF en.DM00095632.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWT20IH125DF THT IGBT transistors
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STGWT20V60DF en.DM00079434.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWT20V60DF THT IGBT transistors
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STGWT28IH125DF en.DM00095615.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWT28IH125DF THT IGBT transistors
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STGWT30H60DFB en.DM00125118.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWT30H60DFB THT IGBT transistors
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STGWT30HP65FB en.DM00245474.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWT30HP65FB THT IGBT transistors
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STGWT40H65DFB STGWT40H65DFB.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWT40HP65FB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8F9EF5DE0984A0D5&compId=STGWT40HP65FB.pdf?ci_sign=c1bdb0f420633ce392bec7d507a8ff4d6c64c13a
STGWT40HP65FB
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 97 Stücke:
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120+2.39 EUR
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STGWT60H65DFB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABAA56A5DE2D280C7&compId=STGWx60H65DFB.pdf?ci_sign=8b804906e12b081c9d06412ea3a8b4a3a1b23cb9
STGWT60H65DFB
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWT60H65FB en.DM00094070.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWT60H65FB THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT60V60DF en.DM00074810.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT80H65DFB en.DM00079449.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWT80H65FB en.DM00118301.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWT80H65FB THT IGBT transistors
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STGWT80V60DF en.DM00079438.pdf
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STGWT80V60DF THT IGBT transistors
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STGWT80V60F en.DM00117327.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWT80V60F THT IGBT transistors
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STGY40NC60VD en.CD00003462.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGY40NC60VD THT IGBT transistors
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