Produkte > STMICROELECTRONICS > Alle Produkte des Herstellers STMICROELECTRONICS (170188) > Seite 1162 nach 2837
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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STGP30H65F | STMicroelectronics |
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STGP30M65DF2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 258W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 30A Power dissipation: 258W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STGP30V60DF | STMicroelectronics |
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STGP3HF60HD | STMicroelectronics |
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STGP3NC120HD | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 7A; 75W; TO220AB Collector current: 7A Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 20A Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Mounting: THT Collector-emitter voltage: 1.2kV Type of transistor: IGBT Power dissipation: 75W Kind of package: tube Gate charge: 24nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STGP40V60F | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 226nC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STGP4M65DF2 | STMicroelectronics |
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STGP5H60DF | STMicroelectronics |
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STGP6M65DF2 | STMicroelectronics |
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STGP6NC60HD | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 222 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STGP7H60DF | STMicroelectronics |
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STGP7NC60HD | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 80W; TO220AB Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 14A Pulsed collector current: 50A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 80W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 48nC Mounting: THT Case: TO220AB Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 338 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STGP8M120DF3 | STMicroelectronics |
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STGP8NC60KD | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 193 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STGPL6NC60DI | STMicroelectronics |
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STGSH80HB65DAG | STMicroelectronics |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 68A Case: ACEPACK SMIT Max. off-state voltage: 650V Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 68A Pulsed collector current: 269A Power dissipation: 250W Electrical mounting: SMT Type of module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STGW100H65FB2-4 | STMicroelectronics |
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STGW10M65DF2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 10A; 115W; TO247-3 Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 10A Pulsed collector current: 40A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 115W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 28nC Mounting: THT Case: TO247-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STGW15H120DF2 | STMicroelectronics |
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STGW15H120F2 | STMicroelectronics |
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STGW15M120DF3 | STMicroelectronics |
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STGW19NC60HD | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 21A; 140W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 21A Power dissipation: 140W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 53nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STGW20H60DF | STMicroelectronics |
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STGW20H65FB | STMicroelectronics |
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STGW20IH125DF | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 20A; 259W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.25kV Collector current: 20A Power dissipation: 259W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Mounting: THT Gate charge: 69nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 52 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STGW20NC60V | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 200W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STGW20NC60VD | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 200W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 136 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STGW20V60DF | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STGW20V60F | STMicroelectronics |
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STGW25H120DF2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Pulsed collector current: 100A Type of transistor: IGBT Collector current: 25A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 1.2kV Case: TO247-3 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 0.1µC Power dissipation: 375W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STGW25H120F2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Pulsed collector current: 100A Type of transistor: IGBT Collector current: 25A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 1.2kV Case: TO247-3 Gate charge: 0.1µC Power dissipation: 375W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STGW25M120DF3 | STMicroelectronics |
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STGW28IH125DF | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 30A; 375W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.25kV Collector current: 30A Power dissipation: 375W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 114nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STGW30H60DFB | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 260W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 149nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STGW30H65FB | STMicroelectronics |
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STGW30M65DF2 | STMicroelectronics |
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STGW30NC120HD | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 220W; TO247-3 Collector current: 30A Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 135A Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Mounting: THT Collector-emitter voltage: 1.2kV Type of transistor: IGBT Power dissipation: 220W Kind of package: tube Gate charge: 110nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 276 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STGW30NC60KD | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 200W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 28A Power dissipation: 200W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 125A Mounting: THT Gate charge: 96nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 156 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STGW30NC60VD | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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STGW30NC60WD | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 200W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 134 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STGW30V60DF | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 258W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 258W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 163nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 67 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STGW39NC60VD | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3 Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 40A Pulsed collector current: 220A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 250W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 126nC Mounting: THT Case: TO247-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 219 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STGW40H120DF2 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STGW40H120F2 | STMicroelectronics |
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STGW40H60DLFB | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 283W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 283W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STGW40H65DFB | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 283W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 234 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STGW40H65DFB-4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 283W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STGW40H65FB | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 283W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STGW40M120DF3 | STMicroelectronics |
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STGW40NC60KD | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 38A; 250W; TO247-3 Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 38A Pulsed collector current: 220A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 250W Kind of package: tube Gate charge: 135nC Mounting: THT Case: TO247-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STGW40V60DF | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 283W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 80A Power dissipation: 283W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 226nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 454 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STGW40V60F | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 283W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 283W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 226nC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STGW50H65DFB2-4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 53A Power dissipation: 272W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 151nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STGW60H65DFB | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60A Power dissipation: 375W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 240A Mounting: THT Gate charge: 306nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 259 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STGW60H65DFB-4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60A Power dissipation: 375W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 240A Mounting: THT Gate charge: 306nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
STGW60H65DRF | STMicroelectronics |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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STGW60H65FB | STMicroelectronics |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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STGW60V60DF | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 375W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 240A Mounting: THT Gate charge: 334nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 130 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STGW60V60F | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 375W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 240A Mounting: THT Gate charge: 334nC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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STGW75H65DFB2-4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 357W Case: TO247-4 Mounting: THT Gate charge: 207nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 71A Pulsed collector current: 225A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STGP30H65F |
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Hersteller: STMicroelectronics
STGP30H65F THT IGBT transistors
STGP30H65F THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGP30M65DF2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 258W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 258W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 258W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 258W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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22+ | 3.36 EUR |
24+ | 3.02 EUR |
32+ | 2.27 EUR |
34+ | 2.14 EUR |
2000+ | 2.07 EUR |
6000+ | 2.06 EUR |
STGP30V60DF |
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Hersteller: STMicroelectronics
STGP30V60DF THT IGBT transistors
STGP30V60DF THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGP3HF60HD |
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Hersteller: STMicroelectronics
STGP3HF60HD THT IGBT transistors
STGP3HF60HD THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGP3NC120HD |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 7A; 75W; TO220AB
Collector current: 7A
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Kind of package: tube
Gate charge: 24nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 7A; 75W; TO220AB
Collector current: 7A
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Kind of package: tube
Gate charge: 24nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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29+ | 2.52 EUR |
32+ | 2.26 EUR |
36+ | 1.99 EUR |
STGP40V60F |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 226nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 226nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
STGP4M65DF2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
STGP4M65DF2 THT IGBT transistors
STGP4M65DF2 THT IGBT transistors
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Stück im Wert von UAH
STGP5H60DF |
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Hersteller: STMicroelectronics
STGP5H60DF THT IGBT transistors
STGP5H60DF THT IGBT transistors
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STGP6M65DF2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
STGP6M65DF2 THT IGBT transistors
STGP6M65DF2 THT IGBT transistors
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Stück im Wert von UAH
STGP6NC60HD |
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Hersteller: STMicroelectronics
STGP6NC60HD THT IGBT transistors
STGP6NC60HD THT IGBT transistors
auf Bestellung 222 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
54+ | 1.33 EUR |
71+ | 1.02 EUR |
75+ | 0.96 EUR |
100+ | 0.93 EUR |
STGP7H60DF |
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Hersteller: STMicroelectronics
STGP7H60DF THT IGBT transistors
STGP7H60DF THT IGBT transistors
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Stück im Wert von UAH
STGP7NC60HD | ![]() |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 80W; TO220AB
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 14A
Pulsed collector current: 50A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 80W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 48nC
Mounting: THT
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 80W; TO220AB
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 14A
Pulsed collector current: 50A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 80W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 48nC
Mounting: THT
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 338 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
38+ | 1.93 EUR |
45+ | 1.60 EUR |
65+ | 1.12 EUR |
68+ | 1.06 EUR |
500+ | 1.04 EUR |
1000+ | 1.02 EUR |
STGP8M120DF3 |
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Hersteller: STMicroelectronics
STGP8M120DF3 THT IGBT transistors
STGP8M120DF3 THT IGBT transistors
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STGP8NC60KD |
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Hersteller: STMicroelectronics
STGP8NC60KD THT IGBT transistors
STGP8NC60KD THT IGBT transistors
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
47+ | 1.53 EUR |
75+ | 0.96 EUR |
80+ | 0.90 EUR |
500+ | 0.89 EUR |
STGPL6NC60DI |
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Hersteller: STMicroelectronics
STGPL6NC60DI THT IGBT transistors
STGPL6NC60DI THT IGBT transistors
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STGSH80HB65DAG |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 68A
Case: ACEPACK SMIT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 68A
Pulsed collector current: 269A
Power dissipation: 250W
Electrical mounting: SMT
Type of module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 68A
Case: ACEPACK SMIT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 68A
Pulsed collector current: 269A
Power dissipation: 250W
Electrical mounting: SMT
Type of module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGW100H65FB2-4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
STGW100H65FB2-4 THT IGBT transistors
STGW100H65FB2-4 THT IGBT transistors
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Stück im Wert von UAH
STGW10M65DF2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 10A; 115W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 40A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 115W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 28nC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 10A; 115W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 40A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 115W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 28nC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
STGW15H120DF2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGW15H120DF2 THT IGBT transistors
STGW15H120DF2 THT IGBT transistors
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Stück im Wert von UAH
STGW15H120F2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGW15H120F2 THT IGBT transistors
STGW15H120F2 THT IGBT transistors
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Stück im Wert von UAH
STGW15M120DF3 |
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Hersteller: STMicroelectronics
STGW15M120DF3 THT IGBT transistors
STGW15M120DF3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
STGW19NC60HD |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 21A; 140W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 21A
Power dissipation: 140W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 21A; 140W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 21A
Power dissipation: 140W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
19+ | 3.96 EUR |
20+ | 3.58 EUR |
27+ | 2.75 EUR |
28+ | 2.60 EUR |
STGW20H60DF |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGW20H60DF THT IGBT transistors
STGW20H60DF THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
STGW20H65FB |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGW20H65FB THT IGBT transistors
STGW20H65FB THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
STGW20IH125DF |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 20A; 259W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.25kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 259W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 20A; 259W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.25kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 259W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
15+ | 4.90 EUR |
24+ | 3.00 EUR |
26+ | 2.85 EUR |
120+ | 2.79 EUR |
STGW20NC60V |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
16+ | 4.46 EUR |
21+ | 3.40 EUR |
600+ | 2.07 EUR |
STGW20NC60VD | ![]() |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
16+ | 4.59 EUR |
31+ | 2.32 EUR |
33+ | 2.19 EUR |
510+ | 2.12 EUR |
STGW20V60DF |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGW20V60DF THT IGBT transistors
STGW20V60DF THT IGBT transistors
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
16+ | 4.56 EUR |
23+ | 3.20 EUR |
24+ | 3.03 EUR |
510+ | 2.90 EUR |
STGW20V60F |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGW20V60F THT IGBT transistors
STGW20V60F THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGW25H120DF2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 100A
Type of transistor: IGBT
Collector current: 25A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.1µC
Power dissipation: 375W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 100A
Type of transistor: IGBT
Collector current: 25A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.1µC
Power dissipation: 375W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGW25H120F2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 100A
Type of transistor: IGBT
Collector current: 25A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Gate charge: 0.1µC
Power dissipation: 375W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 100A
Type of transistor: IGBT
Collector current: 25A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Gate charge: 0.1µC
Power dissipation: 375W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGW25M120DF3 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGW25M120DF3 THT IGBT transistors
STGW25M120DF3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGW28IH125DF |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 30A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.25kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 114nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 30A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.25kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 114nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
16+ | 4.76 EUR |
17+ | 4.29 EUR |
22+ | 3.29 EUR |
24+ | 3.10 EUR |
STGW30H60DFB |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGW30H65FB |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGW30H65FB THT IGBT transistors
STGW30H65FB THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGW30M65DF2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGW30M65DF2 THT IGBT transistors
STGW30M65DF2 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGW30NC120HD |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 220W; TO247-3
Collector current: 30A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 135A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 220W
Kind of package: tube
Gate charge: 110nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 220W; TO247-3
Collector current: 30A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 135A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 220W
Kind of package: tube
Gate charge: 110nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
13+ | 5.52 EUR |
15+ | 4.96 EUR |
18+ | 3.99 EUR |
19+ | 3.78 EUR |
30+ | 3.72 EUR |
STGW30NC60KD |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 28A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 125A
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 28A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 125A
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 7.39 EUR |
25+ | 2.87 EUR |
27+ | 2.72 EUR |
STGW30NC60VD |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGW30NC60WD |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
14+ | 5.18 EUR |
18+ | 3.98 EUR |
20+ | 3.82 EUR |
30+ | 3.80 EUR |
STGW30V60DF |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 258W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 258W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 163nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 258W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 258W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 163nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
15+ | 4.88 EUR |
17+ | 4.39 EUR |
22+ | 3.36 EUR |
23+ | 3.17 EUR |
STGW39NC60VD |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 220A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 126nC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 220A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 126nC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
15+ | 4.98 EUR |
26+ | 2.79 EUR |
28+ | 2.65 EUR |
1020+ | 2.55 EUR |
STGW40H120DF2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
STGW40H120DF2 THT IGBT transistors
STGW40H120DF2 THT IGBT transistors
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 15.30 EUR |
8+ | 9.30 EUR |
9000+ | 9.07 EUR |
STGW40H120F2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
STGW40H120F2 THT IGBT transistors
STGW40H120F2 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGW40H60DLFB |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGW40H65DFB |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
19+ | 3.80 EUR |
21+ | 3.42 EUR |
22+ | 3.32 EUR |
23+ | 3.23 EUR |
90+ | 3.09 EUR |
120+ | 3.07 EUR |
STGW40H65DFB-4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGW40H65FB |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGW40M120DF3 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGW40M120DF3 THT IGBT transistors
STGW40M120DF3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGW40NC60KD |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 38A; 250W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 38A
Pulsed collector current: 220A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
Gate charge: 135nC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 38A; 250W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 38A
Pulsed collector current: 220A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
Gate charge: 135nC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
9+ | 7.95 EUR |
10+ | 7.15 EUR |
3000+ | 4.36 EUR |
9000+ | 4.32 EUR |
STGW40V60DF |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 80A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 226nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 80A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 226nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
14+ | 5.49 EUR |
26+ | 2.80 EUR |
28+ | 2.65 EUR |
120+ | 2.55 EUR |
STGW40V60F |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 226nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 226nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGW50H65DFB2-4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53A
Power dissipation: 272W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53A
Power dissipation: 272W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGW60H65DFB |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
11+ | 6.92 EUR |
12+ | 6.23 EUR |
16+ | 4.68 EUR |
17+ | 4.43 EUR |
120+ | 4.42 EUR |
3000+ | 4.29 EUR |
9000+ | 4.26 EUR |
STGW60H65DFB-4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGW60H65DRF |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGW60H65DRF THT IGBT transistors
STGW60H65DRF THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGW60H65FB |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGW60H65FB THT IGBT transistors
STGW60H65FB THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGW60V60DF |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
9+ | 8.11 EUR |
11+ | 6.92 EUR |
15+ | 5.02 EUR |
16+ | 4.73 EUR |
STGW60V60F |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGW75H65DFB2-4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 71A
Pulsed collector current: 225A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 71A
Pulsed collector current: 225A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 11.55 EUR |
9+ | 8.12 EUR |