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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STGP30H65F STMicroelectronics en.DM00102085.pdf STGP30H65F THT IGBT transistors
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STGP30M65DF2 STGP30M65DF2 STMicroelectronics en.DM00155781.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 258W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 258W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.36 EUR
24+3.02 EUR
32+2.27 EUR
34+2.14 EUR
2000+2.07 EUR
6000+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 22
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STGP30V60DF STMicroelectronics stgb30v60df.pdf STGP30V60DF THT IGBT transistors
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STGP3HF60HD STMicroelectronics en.CD00277878.pdf STGP3HF60HD THT IGBT transistors
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STGP3NC120HD STGP3NC120HD STMicroelectronics STGx3NC120HD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 7A; 75W; TO220AB
Collector current: 7A
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Kind of package: tube
Gate charge: 24nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.52 EUR
32+2.26 EUR
36+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 29
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STGP40V60F STMicroelectronics en.DM00086251.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 226nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGP4M65DF2 STMicroelectronics en.DM00248842.pdf STGP4M65DF2 THT IGBT transistors
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STGP5H60DF STMicroelectronics en.DM00149621.pdf STGP5H60DF THT IGBT transistors
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STGP6M65DF2 STMicroelectronics en.DM00249613.pdf STGP6M65DF2 THT IGBT transistors
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STGP6NC60HD STMicroelectronics en.CD00058424.pdf STGP6NC60HD THT IGBT transistors
auf Bestellung 222 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
54+1.33 EUR
71+1.02 EUR
75+0.96 EUR
100+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 54
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STGP7H60DF STMicroelectronics en.DM00164492.pdf STGP7H60DF THT IGBT transistors
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STGP7NC60HD STGP7NC60HD STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD0336FF2088259&compId=STGP7NC60HD.pdf?ci_sign=06de8f892967fcc2d3a3e9bedea21ad28757bfe9 description Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 80W; TO220AB
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 14A
Pulsed collector current: 50A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 80W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 48nC
Mounting: THT
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 338 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.93 EUR
45+1.60 EUR
65+1.12 EUR
68+1.06 EUR
500+1.04 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP8M120DF3 STMicroelectronics stgp8m120df3.pdf STGP8M120DF3 THT IGBT transistors
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STGP8NC60KD STMicroelectronics en.CD00171973.pdf STGP8NC60KD THT IGBT transistors
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
47+1.53 EUR
75+0.96 EUR
80+0.90 EUR
500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGPL6NC60DI STMicroelectronics en.CD00229142.pdf STGPL6NC60DI THT IGBT transistors
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STGSH80HB65DAG STMicroelectronics STGSH80HB65DAG.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 68A
Case: ACEPACK SMIT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 68A
Pulsed collector current: 269A
Power dissipation: 250W
Electrical mounting: SMT
Type of module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGW100H65FB2-4 STMicroelectronics stgw100h65fb2-4.pdf STGW100H65FB2-4 THT IGBT transistors
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STGW10M65DF2 STMicroelectronics en.DM00276219.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 10A; 115W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 40A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 115W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 28nC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW15H120DF2 STMicroelectronics en.DM00066773.pdf STGW15H120DF2 THT IGBT transistors
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STGW15H120F2 STMicroelectronics en.DM00109377.pdf STGW15H120F2 THT IGBT transistors
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STGW15M120DF3 STMicroelectronics en.DM00113752.pdf STGW15M120DF3 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW19NC60HD STGW19NC60HD STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A9BCDF9780D2&compId=stgw19nc60hd.pdf?ci_sign=9d39c2cf540cc313cb4c89135147e07ed357eb6f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 21A; 140W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 21A
Power dissipation: 140W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.96 EUR
20+3.58 EUR
27+2.75 EUR
28+2.60 EUR
Mindestbestellmenge: 19
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STGW20H60DF STMicroelectronics en.DM00087034.pdf STGW20H60DF THT IGBT transistors
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STGW20H65FB STMicroelectronics en.DM00130550.pdf STGW20H65FB THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20IH125DF STGW20IH125DF STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA2FA8A465DC320C7&compId=STGW20IH125DF.pdf?ci_sign=4ce85dc0838ce5ead5a9be44c3705ffdcc6c4b6c Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 20A; 259W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.25kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 259W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.90 EUR
24+3.00 EUR
26+2.85 EUR
120+2.79 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20NC60V STGW20NC60V STMicroelectronics en.CD00003669.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.46 EUR
21+3.40 EUR
600+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 16
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STGW20NC60VD STGW20NC60VD STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD7321BDD18A469&compId=STGW20NC60VD.pdf?ci_sign=88c7c85088c735c85e62d7d4152399aa14b3b5c7 description Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.59 EUR
31+2.32 EUR
33+2.19 EUR
510+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20V60DF STMicroelectronics en.DM00079434.pdf STGW20V60DF THT IGBT transistors
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.56 EUR
23+3.20 EUR
24+3.03 EUR
510+2.90 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20V60F STMicroelectronics en.DM00088507.pdf STGW20V60F THT IGBT transistors
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STGW25H120DF2 STMicroelectronics en.DM00066775.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 100A
Type of transistor: IGBT
Collector current: 25A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.1µC
Power dissipation: 375W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW25H120F2 STMicroelectronics en.DM00109190.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 100A
Type of transistor: IGBT
Collector current: 25A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Gate charge: 0.1µC
Power dissipation: 375W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW25M120DF3 STMicroelectronics en.DM00113757.pdf STGW25M120DF3 THT IGBT transistors
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STGW28IH125DF STGW28IH125DF STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA2F87B639828E0C7&compId=STGW28IH125DF.pdf?ci_sign=4355d01effbf2c8fc70d0795c89b919a428d62a9 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 30A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.25kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 114nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.76 EUR
17+4.29 EUR
22+3.29 EUR
24+3.10 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW30H60DFB STGW30H60DFB STMicroelectronics stgw30h60dfb.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW30H65FB STMicroelectronics en.DM00106084.pdf STGW30H65FB THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW30M65DF2 STMicroelectronics en.DM00177695.pdf STGW30M65DF2 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW30NC120HD STGW30NC120HD STMicroelectronics STGW30NC120HD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 220W; TO247-3
Collector current: 30A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 135A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 220W
Kind of package: tube
Gate charge: 110nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.52 EUR
15+4.96 EUR
18+3.99 EUR
19+3.78 EUR
30+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW30NC60KD STGW30NC60KD STMicroelectronics STGW30NC60KD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 28A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 125A
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.39 EUR
25+2.87 EUR
27+2.72 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW30NC60VD STMicroelectronics en.CD00152202.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW30NC60WD STGW30NC60WD STMicroelectronics STGW30NC60WD-dte.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.18 EUR
18+3.98 EUR
20+3.82 EUR
30+3.80 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW30V60DF STGW30V60DF STMicroelectronics STGW30V60DF.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 258W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 258W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 163nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.88 EUR
17+4.39 EUR
22+3.36 EUR
23+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW39NC60VD STGW39NC60VD STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD735296ECC2469&compId=STGW39NC60VD.pdf?ci_sign=82543032c3eb17eb0cd09c6ab7262988127d3a99 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 220A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 126nC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.98 EUR
26+2.79 EUR
28+2.65 EUR
1020+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40H120DF2 STMicroelectronics en.DM00066778.pdf STGW40H120DF2 THT IGBT transistors
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.30 EUR
8+9.30 EUR
9000+9.07 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40H120F2 STMicroelectronics en.DM00106123.pdf STGW40H120F2 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40H60DLFB STMicroelectronics en.DM00079511.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40H65DFB STGW40H65DFB STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8DA334E842E3E0D5&compId=STGW40H65DFB.pdf?ci_sign=2a10d4834b6010b5d7d2ffa2bac7629179768ec3 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.80 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40H65DFB-4 STMicroelectronics en.DM00269316.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40H65FB STMicroelectronics en.DM00093857.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40M120DF3 STMicroelectronics en.DM00113760.pdf STGW40M120DF3 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40NC60KD STGW40NC60KD STMicroelectronics en.CD00201325.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 38A; 250W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 38A
Pulsed collector current: 220A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
Gate charge: 135nC
Mounting: THT
Case: TO247-3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40V60DF STGW40V60DF STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A97B32F680D2&compId=stgw40v60df.pdf?ci_sign=f35b6dc525c842b34b8c3da2088ec6ae356e58ea Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 80A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 226nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40V60F STMicroelectronics en.DM00086251.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 226nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW50H65DFB2-4 STMicroelectronics stgw50h65dfb2-4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53A
Power dissipation: 272W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65DFB STGW60H65DFB STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABAA56A5DE2D280C7&compId=STGWx60H65DFB.pdf?ci_sign=8b804906e12b081c9d06412ea3a8b4a3a1b23cb9 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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12+6.23 EUR
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9000+4.26 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65DFB-4 STMicroelectronics en.DM00298799.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65DRF STMicroelectronics en.DM00039960.pdf STGW60H65DRF THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65FB STMicroelectronics en.DM00094070.pdf STGW60H65FB THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60V60DF STGW60V60DF STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7899EA6D8C607C745&compId=STGW60V60DF.pdf?ci_sign=35b7cf364427073e4df7a683963fd9e46492178d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 130 Stücke:
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9+8.11 EUR
11+6.92 EUR
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16+4.73 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60V60F STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD82FF211FF33700D2&compId=stgw60v60f.pdf?ci_sign=76418bd0e5d95d881d4a47f0283a4ff60c15c1cf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW75H65DFB2-4 STGW75H65DFB2-4 STMicroelectronics stgw75h65dfb2-4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 71A
Pulsed collector current: 225A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.55 EUR
9+8.12 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP30H65F en.DM00102085.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGP30H65F THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP30M65DF2 en.DM00155781.pdf
STGP30M65DF2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 258W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 258W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.36 EUR
24+3.02 EUR
32+2.27 EUR
34+2.14 EUR
2000+2.07 EUR
6000+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP30V60DF stgb30v60df.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGP30V60DF THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP3HF60HD en.CD00277878.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGP3HF60HD THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP3NC120HD STGx3NC120HD.pdf
STGP3NC120HD
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 7A; 75W; TO220AB
Collector current: 7A
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Kind of package: tube
Gate charge: 24nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.52 EUR
32+2.26 EUR
36+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP40V60F en.DM00086251.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 226nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP4M65DF2 en.DM00248842.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGP4M65DF2 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP5H60DF en.DM00149621.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGP5H60DF THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP6M65DF2 en.DM00249613.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGP6M65DF2 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP6NC60HD en.CD00058424.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGP6NC60HD THT IGBT transistors
auf Bestellung 222 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
54+1.33 EUR
71+1.02 EUR
75+0.96 EUR
100+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP7H60DF en.DM00164492.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGP7H60DF THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP7NC60HD description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD0336FF2088259&compId=STGP7NC60HD.pdf?ci_sign=06de8f892967fcc2d3a3e9bedea21ad28757bfe9
STGP7NC60HD
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 80W; TO220AB
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 14A
Pulsed collector current: 50A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 80W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 48nC
Mounting: THT
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 338 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.93 EUR
45+1.60 EUR
65+1.12 EUR
68+1.06 EUR
500+1.04 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP8M120DF3 stgp8m120df3.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGP8M120DF3 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP8NC60KD en.CD00171973.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGP8NC60KD THT IGBT transistors
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
47+1.53 EUR
75+0.96 EUR
80+0.90 EUR
500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGPL6NC60DI en.CD00229142.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGPL6NC60DI THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGSH80HB65DAG STGSH80HB65DAG.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 68A
Case: ACEPACK SMIT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 68A
Pulsed collector current: 269A
Power dissipation: 250W
Electrical mounting: SMT
Type of module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW100H65FB2-4 stgw100h65fb2-4.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGW100H65FB2-4 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW10M65DF2 en.DM00276219.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 10A; 115W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 40A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 115W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 28nC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW15H120DF2 en.DM00066773.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGW15H120DF2 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW15H120F2 en.DM00109377.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGW15H120F2 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW15M120DF3 en.DM00113752.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGW15M120DF3 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW19NC60HD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A9BCDF9780D2&compId=stgw19nc60hd.pdf?ci_sign=9d39c2cf540cc313cb4c89135147e07ed357eb6f
STGW19NC60HD
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 21A; 140W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 21A
Power dissipation: 140W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.96 EUR
20+3.58 EUR
27+2.75 EUR
28+2.60 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20H60DF en.DM00087034.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGW20H60DF THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20H65FB en.DM00130550.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGW20H65FB THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20IH125DF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA2FA8A465DC320C7&compId=STGW20IH125DF.pdf?ci_sign=4ce85dc0838ce5ead5a9be44c3705ffdcc6c4b6c
STGW20IH125DF
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 20A; 259W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.25kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 259W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.90 EUR
24+3.00 EUR
26+2.85 EUR
120+2.79 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20NC60V en.CD00003669.pdf
STGW20NC60V
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.46 EUR
21+3.40 EUR
600+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20NC60VD description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD7321BDD18A469&compId=STGW20NC60VD.pdf?ci_sign=88c7c85088c735c85e62d7d4152399aa14b3b5c7
STGW20NC60VD
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.59 EUR
31+2.32 EUR
33+2.19 EUR
510+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20V60DF en.DM00079434.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGW20V60DF THT IGBT transistors
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.56 EUR
23+3.20 EUR
24+3.03 EUR
510+2.90 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20V60F en.DM00088507.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGW20V60F THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW25H120DF2 en.DM00066775.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 100A
Type of transistor: IGBT
Collector current: 25A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.1µC
Power dissipation: 375W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW25H120F2 en.DM00109190.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 100A
Type of transistor: IGBT
Collector current: 25A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Gate charge: 0.1µC
Power dissipation: 375W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW25M120DF3 en.DM00113757.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGW25M120DF3 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW28IH125DF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA2F87B639828E0C7&compId=STGW28IH125DF.pdf?ci_sign=4355d01effbf2c8fc70d0795c89b919a428d62a9
STGW28IH125DF
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 30A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.25kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 114nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.76 EUR
17+4.29 EUR
22+3.29 EUR
24+3.10 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW30H60DFB stgw30h60dfb.pdf
STGW30H60DFB
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW30H65FB en.DM00106084.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGW30H65FB THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW30M65DF2 en.DM00177695.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGW30M65DF2 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW30NC120HD STGW30NC120HD.pdf
STGW30NC120HD
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 220W; TO247-3
Collector current: 30A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 135A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 220W
Kind of package: tube
Gate charge: 110nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.52 EUR
15+4.96 EUR
18+3.99 EUR
19+3.78 EUR
30+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW30NC60KD STGW30NC60KD.pdf
STGW30NC60KD
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 28A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 125A
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.39 EUR
25+2.87 EUR
27+2.72 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW30NC60VD en.CD00152202.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW30NC60WD STGW30NC60WD-dte.pdf
STGW30NC60WD
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.18 EUR
18+3.98 EUR
20+3.82 EUR
30+3.80 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW30V60DF STGW30V60DF.pdf
STGW30V60DF
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 258W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 258W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 163nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.88 EUR
17+4.39 EUR
22+3.36 EUR
23+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW39NC60VD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD735296ECC2469&compId=STGW39NC60VD.pdf?ci_sign=82543032c3eb17eb0cd09c6ab7262988127d3a99
STGW39NC60VD
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 220A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 126nC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.98 EUR
26+2.79 EUR
28+2.65 EUR
1020+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40H120DF2 en.DM00066778.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGW40H120DF2 THT IGBT transistors
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.30 EUR
8+9.30 EUR
9000+9.07 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40H120F2 en.DM00106123.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGW40H120F2 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40H60DLFB en.DM00079511.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40H65DFB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8DA334E842E3E0D5&compId=STGW40H65DFB.pdf?ci_sign=2a10d4834b6010b5d7d2ffa2bac7629179768ec3
STGW40H65DFB
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.80 EUR
21+3.42 EUR
22+3.32 EUR
23+3.23 EUR
90+3.09 EUR
120+3.07 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40H65DFB-4 en.DM00269316.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40H65FB en.DM00093857.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40M120DF3 en.DM00113760.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGW40M120DF3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40NC60KD en.CD00201325.pdf
STGW40NC60KD
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 38A; 250W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 38A
Pulsed collector current: 220A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
Gate charge: 135nC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+7.95 EUR
10+7.15 EUR
3000+4.36 EUR
9000+4.32 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40V60DF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A97B32F680D2&compId=stgw40v60df.pdf?ci_sign=f35b6dc525c842b34b8c3da2088ec6ae356e58ea
STGW40V60DF
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 80A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 226nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.49 EUR
26+2.80 EUR
28+2.65 EUR
120+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40V60F en.DM00086251.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 226nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW50H65DFB2-4 stgw50h65dfb2-4.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53A
Power dissipation: 272W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65DFB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABAA56A5DE2D280C7&compId=STGWx60H65DFB.pdf?ci_sign=8b804906e12b081c9d06412ea3a8b4a3a1b23cb9
STGW60H65DFB
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.92 EUR
12+6.23 EUR
16+4.68 EUR
17+4.43 EUR
120+4.42 EUR
3000+4.29 EUR
9000+4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65DFB-4 en.DM00298799.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65DRF en.DM00039960.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGW60H65DRF THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65FB en.DM00094070.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGW60H65FB THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60V60DF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7899EA6D8C607C745&compId=STGW60V60DF.pdf?ci_sign=35b7cf364427073e4df7a683963fd9e46492178d
STGW60V60DF
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.11 EUR
11+6.92 EUR
15+5.02 EUR
16+4.73 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60V60F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD82FF211FF33700D2&compId=stgw60v60f.pdf?ci_sign=76418bd0e5d95d881d4a47f0283a4ff60c15c1cf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW75H65DFB2-4 stgw75h65dfb2-4.pdf
STGW75H65DFB2-4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 71A
Pulsed collector current: 225A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.55 EUR
9+8.12 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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