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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
STGAP2SICS STMicroelectronics stgap2sics.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; SiC MOSFET gate driver; SO8-W; 4A; Ch: 1; 1MHz; 3.1÷5.5V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: SiC MOSFET gate driver
Case: SO8-W
Output current: 4A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: galvanically isolated
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 3.1...5.5V
Frequency: 1MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP2SICSACTR STMicroelectronics STGAP2SICSACTR MOSFET/IGBT drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP2SICSANCTR STMicroelectronics STGAP2SICSANCTR MOSFET/IGBT drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP2SICSC STMicroelectronics stgap2sics.pdf STGAP2SICSC MOSFET/IGBT drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP2SICSCTR STMicroelectronics STGAP2SICSCTR MOSFET/IGBT drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP2SICSNC STMicroelectronics Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; SiC MOSFET gate driver; SO8; -4÷4A; 1.7kV; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: SiC MOSFET gate driver
Case: SO8
Output current: -4...4A
Output voltage: 1.7kV
Number of channels: 1
Integrated circuit features: galvanically isolated
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 30ns
Pulse fall time: 30ns
Kind of package: tube
Supply voltage: 3.1...5.5V
Insulation voltage: 4.8kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP2SICSNCTR STMicroelectronics STGAP2SICSNCTR MOSFET/IGBT drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP2SICSNTR STMicroelectronics stgap2sicsn.pdf STGAP2SICSNTR MOSFET/IGBT drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP2SICSTR STMicroelectronics STGAP2SICSTR MOSFET/IGBT drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP2SM STMicroelectronics stgap2s.pdf STGAP2SM MOSFET/IGBT drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP2SMTR STMicroelectronics stgap2s.pdf STGAP2SMTR MOSFET/IGBT drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP4S STMicroelectronics STGAP4S MOSFET/IGBT drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP4STR STMicroelectronics stgap4s.pdf STGAP4STR MOSFET/IGBT drivers
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STGB10H60DF STMicroelectronics en.DM00092752.pdf STGB10H60DF SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10M65DF2 STMicroelectronics en.DM00157911.pdf STGB10M65DF2 SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB6F13541CE0F00D6&compId=STGB10NB37LZT4.pdf?ci_sign=c2187b0ac3a1ad725a23ec2e1e458be9727b8ce5 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 440V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1483 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.46 EUR
30+2.45 EUR
49+1.49 EUR
51+1.42 EUR
5000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NB40LZT4 STMicroelectronics en.DM00372350.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 410V; 10A; 150W; D2PAK; automotive industry; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 410V
Collector current: 10A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped
Application: automotive industry
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NC60HDT4 STGB10NC60HDT4 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A7AB6971C0D2&compId=stgb10nc60hd.pdf?ci_sign=e3176c16b0237af37917d055bd8d6b870cee17c4 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 578 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.02 EUR
30+2.43 EUR
34+2.12 EUR
51+1.42 EUR
54+1.34 EUR
100+1.3 EUR
500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NC60KDT4 STMicroelectronics en.CD00058414.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB14NC60KDT4 STMicroelectronics en.CD00058415.pdf STGB14NC60KDT4 SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB15H60DF STMicroelectronics en.DM00092755.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 115W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB15M65DF2 STMicroelectronics en.DM00096991.pdf STGB15M65DF2 SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB18N40LZT4 STMicroelectronics en.CD00182201.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 390V; 30A; 150W; D2PAK; automotive industry; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 390V
Collector current: 30A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped
Application: automotive industry
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB19NC60HDT4 STGB19NC60HDT4 STMicroelectronics en.CD00144165.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 19A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 984 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.58 EUR
24+3 EUR
46+1.59 EUR
48+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20H60DF STMicroelectronics en.DM00066598.pdf STGB20H60DF SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20H65DFB2 STMicroelectronics stgb20h65dfb2.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 147W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 147W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20H65FB2 STMicroelectronics stgb20h65fb2.pdf STGB20H65FB2 SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20M65DF2 STMicroelectronics en.DM00244727.pdf STGB20M65DF2 SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20N40LZ STMicroelectronics en.DM00077187.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 390V; 20A; 150W; D2PAK; ESD
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 390V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 40A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Gate charge: 24nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20N45LZAG STMicroelectronics en.DM00242156.pdf STGB20N45LZAG SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20NB41LZT4 STMicroelectronics en.CD00003294.pdf STGB20NB41LZT4 SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20V60DF STMicroelectronics en.DM00079434.pdf STGB20V60DF SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB25N36LZAG STMicroelectronics STGB25N36LZAG SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB25N40LZAG STMicroelectronics en.DM00431184.pdf STGB25N40LZAG SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB30H60DFB STMicroelectronics en.DM00125119.pdf STGB30H60DFB SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB30H60DLLFBAG STMicroelectronics en.DM00336135.pdf STGB30H60DLLFBAG SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB30H65DFB2 STMicroelectronics stgb30h65dfb2.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 167W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 167W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB30M65DF2 STMicroelectronics STGB30M65DF2.pdf STGB30M65DF2 SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB30V60DF STMicroelectronics stgb30v60df.pdf STGB30V60DF SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB3NC120HDT4 STMicroelectronics en.CD00047515.pdf STGB3NC120HDT4 SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB40H65FB STMicroelectronics en.DM00306732.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; D2PAK
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 283W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.21µC
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB40V60F STMicroelectronics en.DM00086251.pdf STGB40V60F SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB4M65DF2 STMicroelectronics STGB4M65DF2 SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB50H65FB2 STMicroelectronics STGB50H65FB2 SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB5H60DF STMicroelectronics en.DM00149621.pdf STGB5H60DF SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB6M65DF2 STMicroelectronics en.DM00250133.pdf STGB6M65DF2 SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB6NC60HDT4 STMicroelectronics en.CD00058424.pdf description STGB6NC60HDT4 SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB7H60DF STMicroelectronics en.DM00164492.pdf STGB7H60DF SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB7NC60HDT4 STMicroelectronics en.CD00003695.pdf STGB7NC60HDT4 SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB8NC60KDT4 STMicroelectronics en.CD00171973.pdf STGB8NC60KDT4 SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10HF60KD STMicroelectronics en.DM00049493.pdf STGD10HF60KD SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10NC60KDT4 STGD10NC60KDT4 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78A9E9F2CE3C0A745&compId=STGP10NC60KD.pdf?ci_sign=65afd45a028afd95ddee99508a529bbc795c08dc Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 62W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 62W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1981 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
43+1.69 EUR
48+1.5 EUR
55+1.3 EUR
59+1.23 EUR
500+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD18N40LZT4
+1
 		STGD18N40LZT4 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A8412ECE40D2&compId=stgd18n40lzt4.pdf?ci_sign=587c907cc8fd0af7fa9ac6b94e46f84477dd8e56 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 420V; 25A; 150W; DPAK; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 420V
Collector current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: automotive industry; ignition systems
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD19N40LZ STMicroelectronics en.DM00082246.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 390V; 25A; 125W; DPAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 390V
Collector current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: DPAK
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD20N40LZ STMicroelectronics en.DM00077187.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 390V; 25A; 125W; DPAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 390V
Collector current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: DPAK
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD20N45LZAG STMicroelectronics en.DM00242156.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 450V; 25A; 150W; DPAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Pulsed collector current: 50A
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD25N36LZAG STMicroelectronics Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 350V; 25A; 150W; DPAK; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Pulsed collector current: 50A
Mounting: SMD
Gate charge: 25.7nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: automotive industry; ignition systems
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD25N40LZAG STMicroelectronics en.DM00431184.pdf STGD25N40LZAG SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD3HF60HDT4 STMicroelectronics en.CD00277878.pdf STGD3HF60HDT4 SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD3NB60SDT4 STMicroelectronics STGD3NB60SD.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 3A; 48W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 3A
Pulsed collector current: 25A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 48W
Gate charge: 18nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP2SICS stgap2sics.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; SiC MOSFET gate driver; SO8-W; 4A; Ch: 1; 1MHz; 3.1÷5.5V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: SiC MOSFET gate driver
Case: SO8-W
Output current: 4A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: galvanically isolated
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 3.1...5.5V
Frequency: 1MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP2SICSACTR
Hersteller: STMicroelectronics
STGAP2SICSACTR MOSFET/IGBT drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP2SICSANCTR
Hersteller: STMicroelectronics
STGAP2SICSANCTR MOSFET/IGBT drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP2SICSC stgap2sics.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGAP2SICSC MOSFET/IGBT drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP2SICSCTR
Hersteller: STMicroelectronics
STGAP2SICSCTR MOSFET/IGBT drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP2SICSNC
Hersteller: STMicroelectronics
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; SiC MOSFET gate driver; SO8; -4÷4A; 1.7kV; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: SiC MOSFET gate driver
Case: SO8
Output current: -4...4A
Output voltage: 1.7kV
Number of channels: 1
Integrated circuit features: galvanically isolated
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 30ns
Pulse fall time: 30ns
Kind of package: tube
Supply voltage: 3.1...5.5V
Insulation voltage: 4.8kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP2SICSNCTR
Hersteller: STMicroelectronics
STGAP2SICSNCTR MOSFET/IGBT drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP2SICSNTR stgap2sicsn.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGAP2SICSNTR MOSFET/IGBT drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP2SICSTR
Hersteller: STMicroelectronics
STGAP2SICSTR MOSFET/IGBT drivers
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STGAP2SM stgap2s.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGAP2SM MOSFET/IGBT drivers
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STGAP2SMTR stgap2s.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGAP2SMTR MOSFET/IGBT drivers
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STGAP4S
Hersteller: STMicroelectronics
STGAP4S MOSFET/IGBT drivers
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STGAP4STR stgap4s.pdf
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STGAP4STR MOSFET/IGBT drivers
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STGB10H60DF en.DM00092752.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGB10H60DF SMD IGBT transistors
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STGB10M65DF2 en.DM00157911.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGB10M65DF2 SMD IGBT transistors
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STGB10NB37LZT4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB6F13541CE0F00D6&compId=STGB10NB37LZT4.pdf?ci_sign=c2187b0ac3a1ad725a23ec2e1e458be9727b8ce5
STGB10NB37LZT4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 440V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1483 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.46 EUR
30+2.45 EUR
49+1.49 EUR
51+1.42 EUR
5000+1.39 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NB40LZT4 en.DM00372350.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 410V; 10A; 150W; D2PAK; automotive industry; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 410V
Collector current: 10A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped
Application: automotive industry
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NC60HDT4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A7AB6971C0D2&compId=stgb10nc60hd.pdf?ci_sign=e3176c16b0237af37917d055bd8d6b870cee17c4
STGB10NC60HDT4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 578 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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24+3.02 EUR
30+2.43 EUR
34+2.12 EUR
51+1.42 EUR
54+1.34 EUR
100+1.3 EUR
500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NC60KDT4 en.CD00058414.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB14NC60KDT4 en.CD00058415.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGB14NC60KDT4 SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB15H60DF en.DM00092755.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 115W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGB15M65DF2 en.DM00096991.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGB15M65DF2 SMD IGBT transistors
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STGB18N40LZT4 en.CD00182201.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 390V; 30A; 150W; D2PAK; automotive industry; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 390V
Collector current: 30A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped
Application: automotive industry
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGB19NC60HDT4 en.CD00144165.pdf
STGB19NC60HDT4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 19A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 984 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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16+4.58 EUR
24+3 EUR
46+1.59 EUR
48+1.5 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20H60DF en.DM00066598.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGB20H60DF SMD IGBT transistors
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STGB20H65DFB2 stgb20h65dfb2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 147W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 147W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20H65FB2 stgb20h65fb2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGB20H65FB2 SMD IGBT transistors
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STGB20M65DF2 en.DM00244727.pdf
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STGB20M65DF2 SMD IGBT transistors
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STGB20N40LZ en.DM00077187.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 390V; 20A; 150W; D2PAK; ESD
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 390V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 40A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Gate charge: 24nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGB20N45LZAG en.DM00242156.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGB20N45LZAG SMD IGBT transistors
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STGB20NB41LZT4 en.CD00003294.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGB20NB41LZT4 SMD IGBT transistors
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STGB20V60DF en.DM00079434.pdf
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STGB20V60DF SMD IGBT transistors
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STGB25N36LZAG
Hersteller: STMicroelectronics
STGB25N36LZAG SMD IGBT transistors
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STGB25N40LZAG en.DM00431184.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGB25N40LZAG SMD IGBT transistors
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STGB30H60DFB en.DM00125119.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGB30H60DFB SMD IGBT transistors
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STGB30H60DLLFBAG en.DM00336135.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGB30H60DLLFBAG SMD IGBT transistors
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STGB30H65DFB2 stgb30h65dfb2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 167W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 167W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB30M65DF2 STGB30M65DF2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGB30M65DF2 SMD IGBT transistors
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STGB30V60DF stgb30v60df.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGB30V60DF SMD IGBT transistors
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STGB3NC120HDT4 en.CD00047515.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGB3NC120HDT4 SMD IGBT transistors
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STGB40H65FB en.DM00306732.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; D2PAK
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 283W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.21µC
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB40V60F en.DM00086251.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGB40V60F SMD IGBT transistors
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STGB4M65DF2
Hersteller: STMicroelectronics
STGB4M65DF2 SMD IGBT transistors
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STGB50H65FB2
Hersteller: STMicroelectronics
STGB50H65FB2 SMD IGBT transistors
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STGB5H60DF en.DM00149621.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGB5H60DF SMD IGBT transistors
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STGB6M65DF2 en.DM00250133.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGB6M65DF2 SMD IGBT transistors
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STGB6NC60HDT4 description en.CD00058424.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGB6NC60HDT4 SMD IGBT transistors
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STGB7H60DF en.DM00164492.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGB7H60DF SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB7NC60HDT4 en.CD00003695.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGB7NC60HDT4 SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB8NC60KDT4 en.CD00171973.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGB8NC60KDT4 SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10HF60KD en.DM00049493.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGD10HF60KD SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10NC60KDT4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78A9E9F2CE3C0A745&compId=STGP10NC60KD.pdf?ci_sign=65afd45a028afd95ddee99508a529bbc795c08dc
STGD10NC60KDT4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 62W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 62W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1981 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
43+1.69 EUR
48+1.5 EUR
55+1.3 EUR
59+1.23 EUR
500+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD18N40LZT4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A8412ECE40D2&compId=stgd18n40lzt4.pdf?ci_sign=587c907cc8fd0af7fa9ac6b94e46f84477dd8e56
STGD18N40LZT4
+1
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 420V; 25A; 150W; DPAK; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 420V
Collector current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: automotive industry; ignition systems
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD19N40LZ en.DM00082246.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 390V; 25A; 125W; DPAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 390V
Collector current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: DPAK
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD20N40LZ en.DM00077187.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 390V; 25A; 125W; DPAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 390V
Collector current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: DPAK
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD20N45LZAG en.DM00242156.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 450V; 25A; 150W; DPAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Pulsed collector current: 50A
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD25N36LZAG
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 350V; 25A; 150W; DPAK; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Pulsed collector current: 50A
Mounting: SMD
Gate charge: 25.7nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: automotive industry; ignition systems
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD25N40LZAG en.DM00431184.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGD25N40LZAG SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD3HF60HDT4 en.CD00277878.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGD3HF60HDT4 SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD3NB60SDT4 STGD3NB60SD.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 3A; 48W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 3A
Pulsed collector current: 25A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 48W
Gate charge: 18nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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