Produkte > STMICROELECTRONICS > Alle Produkte des Herstellers STMICROELECTRONICS (170171) > Seite 1158 nach 2837
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STF6N65K3 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.4A; Idm: 21.6A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5.4A Pulsed drain current: 21.6A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Gate charge: 33nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STF6N65M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 20W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 20W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 1.35Ω Mounting: THT Gate charge: 9.8nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STF6N80K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.5A; Idm: 18A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 4.5A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 25W Case: TO220FP On-state resistance: 1.6Ω Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STF6N90K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 6A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.1Ω Mounting: THT Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 95 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STF6N95K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 6A; 90W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMESH5™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 6A Power dissipation: 90W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.25Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 79 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STF7LN80K5 | STMicroelectronics |
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STF7N105K5 | STMicroelectronics |
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STF7N60DM2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: THT Gate charge: 7.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STF7N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 20A; 20W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 20W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.95Ω Mounting: THT Gate charge: 8.8nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STF7N65M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 20A; 20W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 20W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 1.15Ω Mounting: THT Gate charge: 9nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STF7N80K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Gate charge: 13.4nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STF7N90K5 | STMicroelectronics |
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STF7N95K3 | STMicroelectronics |
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STF7NM80 | STMicroelectronics |
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STF8N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 4.4A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.4A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STF8N80K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.95Ω Mounting: THT Gate charge: 16.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STF8N90K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 8A; Idm: 32A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 8A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.68Ω Mounting: THT Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STF8NK100Z | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 204 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STF8NM50N | STMicroelectronics |
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STF9N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 20W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5.5A Power dissipation: 20W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 720mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 22A Gate charge: 10nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STF9NK90Z | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; 40W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 5A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STFH13N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 17nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STFH24N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; Idm: 72A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 18A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 46 Stücke |
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STFU10NK60Z | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 36A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 36A Gate charge: 48nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STFW12N120K5 | STMicroelectronics |
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STFW1N105K3 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STFW2N105K5 | STMicroelectronics |
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STFW38N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 120A; 57W; TO3PF Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 30A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 57W Case: TO3PF Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 95mΩ Mounting: THT Gate charge: 71nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STFW3N150 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 1.6A; 63W; TO3PF Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 1.6A Power dissipation: 63W Case: TO3PF Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 212 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STFW4N150 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 63W; TO3PF Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 2.5A Power dissipation: 63W Case: TO3PF Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 7Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STG3157CTR | STMicroelectronics |
![]() Description: IC: analog switch; demultiplexer,multiplexer,SPDT; 1.65÷5.5VDC Type of integrated circuit: analog switch Number of channels: 1 Case: SOT323-6L Supply voltage: 1.65...5.5V DC Mounting: SMD Interface: GPIO Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer; SPDT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 9668 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STG719STR | STMicroelectronics |
![]() Description: IC: analog switch; demultiplexer,multiplexer,SPDT; 1.8÷5.5VDC Type of integrated circuit: analog switch Number of channels: 1 Case: SOT23-6 Supply voltage: 1.8...5.5V DC Mounting: SMD Interface: GPIO Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer; SPDT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 333 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STGAP1BS | STMicroelectronics | STGAP1BS MOSFET/IGBT drivers |
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STGAP1BSTR | STMicroelectronics | STGAP1BSTR MOSFET/IGBT drivers |
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STGAP2DM | STMicroelectronics |
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STGAP2DMTR | STMicroelectronics |
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STGAP2GSCTR | STMicroelectronics |
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STGAP2GSNCTR | STMicroelectronics |
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STGAP2HDMTR | STMicroelectronics |
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STGAP2HSCMTR | STMicroelectronics |
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STGAP2HSM | STMicroelectronics | STGAP2HSM MOSFET/IGBT drivers |
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STGAP2HSMTR | STMicroelectronics |
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STGAP2SCM | STMicroelectronics |
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STGAP2SCMTR | STMicroelectronics |
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STGAP2SICD | STMicroelectronics | STGAP2SICD MOSFET/IGBT drivers |
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STGAP2SICDTR | STMicroelectronics |
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STGAP2SICS | STMicroelectronics |
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STGAP2SICSACTR | STMicroelectronics |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; SiC MOSFET gate driver; SO8-W; -4÷4A; 1.2kV; Ch: 1 Supply voltage: 3.1...5.25V Output voltage: 1.2kV Output current: -4...4A Type of integrated circuit: driver Impulse rise time: 30ns Pulse fall time: 30ns Number of channels: 1 Integrated circuit features: galvanically isolated Kind of package: reel; tape Kind of integrated circuit: SiC MOSFET gate driver Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Case: SO8-W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STGAP2SICSANCTR | STMicroelectronics | STGAP2SICSANCTR MOSFET/IGBT drivers |
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STGAP2SICSC | STMicroelectronics |
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STGAP2SICSCTR | STMicroelectronics | STGAP2SICSCTR MOSFET/IGBT drivers |
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STGAP2SICSNC | STMicroelectronics | STGAP2SICSNC MOSFET/IGBT drivers |
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STGAP2SICSNCTR | STMicroelectronics | STGAP2SICSNCTR MOSFET/IGBT drivers |
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STGAP2SICSNTR | STMicroelectronics |
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STGAP2SICSTR | STMicroelectronics | STGAP2SICSTR MOSFET/IGBT drivers |
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STGAP2SM | STMicroelectronics |
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STGAP2SMTR | STMicroelectronics |
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STGAP4S | STMicroelectronics | STGAP4S MOSFET/IGBT drivers |
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STGAP4STR | STMicroelectronics |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
STGB10H60DF | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 115W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 115W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Mounting: SMD Gate charge: 57nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STF6N65K3 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.4A; Idm: 21.6A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 21.6A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.4A; Idm: 21.6A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 21.6A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STF6N65M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STF6N80K5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.5A; Idm: 18A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.5A; Idm: 18A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STF6N90K5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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27+ | 2.72 EUR |
33+ | 2.17 EUR |
46+ | 1.57 EUR |
49+ | 1.49 EUR |
1000+ | 1.43 EUR |
STF6N95K5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 6A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 6A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 6A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 6A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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30+ | 2.39 EUR |
33+ | 2.17 EUR |
41+ | 1.74 EUR |
44+ | 1.66 EUR |
250+ | 1.60 EUR |
STF7LN80K5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STF7LN80K5 THT N channel transistors
STF7LN80K5 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
STF7N105K5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
STF7N105K5 THT N channel transistors
STF7N105K5 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STF7N60DM2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 7.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 7.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STF7N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 20A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 20A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STF7N65M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 20A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 20A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
STF7N80K5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STF7N90K5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STF7N90K5 THT N channel transistors
STF7N90K5 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STF7N95K3 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STF7N95K3 THT N channel transistors
STF7N95K3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STF7NM80 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STF7NM80 THT N channel transistors
STF7NM80 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STF8N65M5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 4.4A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 4.4A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 3.66 EUR |
23+ | 3.25 EUR |
32+ | 2.25 EUR |
34+ | 2.12 EUR |
500+ | 2.09 EUR |
1000+ | 2.04 EUR |
STF8N80K5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STF8N90K5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 8A; Idm: 32A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 8A; Idm: 32A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STF8NK100Z |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STF8NK100Z THT N channel transistors
STF8NK100Z THT N channel transistors
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
13+ | 5.95 EUR |
34+ | 2.16 EUR |
35+ | 2.04 EUR |
STF8NM50N |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STF8NM50N THT N channel transistors
STF8NM50N THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STF9N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 10nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 10nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STF9NK90Z |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; 40W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; 40W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
18+ | 4.00 EUR |
22+ | 3.35 EUR |
48+ | 1.52 EUR |
50+ | 1.43 EUR |
STFH13N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STFH24N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; Idm: 72A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 46 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; Idm: 72A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 46 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STFU10NK60Z |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 36A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 48nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 36A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 48nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STFW12N120K5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STFW12N120K5 THT N channel transistors
STFW12N120K5 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STFW1N105K3 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STFW1N105K3 THT N channel transistors
STFW1N105K3 THT N channel transistors
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
22+ | 3.26 EUR |
34+ | 2.14 EUR |
36+ | 2.02 EUR |
STFW2N105K5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STFW2N105K5 THT N channel transistors
STFW2N105K5 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STFW38N65M5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 120A; 57W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 57W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 120A; 57W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 57W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STFW3N150 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 1.6A; 63W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 63W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 1.6A; 63W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 63W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
14+ | 5.16 EUR |
18+ | 3.98 EUR |
60+ | 3.83 EUR |
STFW4N150 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 63W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 63W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 63W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 63W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
9+ | 8.71 EUR |
12+ | 6.06 EUR |
13+ | 5.73 EUR |
STG3157CTR |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: analog switch; demultiplexer,multiplexer,SPDT; 1.65÷5.5VDC
Type of integrated circuit: analog switch
Number of channels: 1
Case: SOT323-6L
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Mounting: SMD
Interface: GPIO
Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer; SPDT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: analog switch; demultiplexer,multiplexer,SPDT; 1.65÷5.5VDC
Type of integrated circuit: analog switch
Number of channels: 1
Case: SOT323-6L
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Mounting: SMD
Interface: GPIO
Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer; SPDT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9668 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
100+ | 0.72 EUR |
144+ | 0.50 EUR |
304+ | 0.24 EUR |
321+ | 0.22 EUR |
STG719STR |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: analog switch; demultiplexer,multiplexer,SPDT; 1.8÷5.5VDC
Type of integrated circuit: analog switch
Number of channels: 1
Case: SOT23-6
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Mounting: SMD
Interface: GPIO
Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer; SPDT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: analog switch; demultiplexer,multiplexer,SPDT; 1.8÷5.5VDC
Type of integrated circuit: analog switch
Number of channels: 1
Case: SOT23-6
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Mounting: SMD
Interface: GPIO
Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer; SPDT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 333 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
67+ | 1.07 EUR |
94+ | 0.77 EUR |
102+ | 0.70 EUR |
148+ | 0.48 EUR |
157+ | 0.46 EUR |
STGAP1BS |
Hersteller: STMicroelectronics
STGAP1BS MOSFET/IGBT drivers
STGAP1BS MOSFET/IGBT drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGAP1BSTR |
Hersteller: STMicroelectronics
STGAP1BSTR MOSFET/IGBT drivers
STGAP1BSTR MOSFET/IGBT drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGAP2DM |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGAP2DM MOSFET/IGBT drivers
STGAP2DM MOSFET/IGBT drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGAP2DMTR |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGAP2DMTR MOSFET/IGBT drivers
STGAP2DMTR MOSFET/IGBT drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGAP2GSCTR |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGAP2GSCTR MOSFET/IGBT drivers
STGAP2GSCTR MOSFET/IGBT drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGAP2GSNCTR |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGAP2GSNCTR MOSFET/IGBT drivers
STGAP2GSNCTR MOSFET/IGBT drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGAP2HDMTR |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGAP2HDMTR MOSFET/IGBT drivers
STGAP2HDMTR MOSFET/IGBT drivers
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STGAP2HSCMTR MOSFET/IGBT drivers
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STGAP2HSM |
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STGAP2HSM MOSFET/IGBT drivers
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STGAP2HSMTR |
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STGAP2HSMTR MOSFET/IGBT drivers
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STGAP2SCM |
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STGAP2SCM MOSFET/IGBT drivers
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STGAP2SCMTR |
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STGAP2SCMTR MOSFET/IGBT drivers
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STGAP2SICD |
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STGAP2SICD MOSFET/IGBT drivers
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STGAP2SICDTR |
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STGAP2SICDTR MOSFET/IGBT drivers
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STGAP2SICS |
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STGAP2SICS MOSFET/IGBT drivers
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STGAP2SICSACTR |
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Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; SiC MOSFET gate driver; SO8-W; -4÷4A; 1.2kV; Ch: 1
Supply voltage: 3.1...5.25V
Output voltage: 1.2kV
Output current: -4...4A
Type of integrated circuit: driver
Impulse rise time: 30ns
Pulse fall time: 30ns
Number of channels: 1
Integrated circuit features: galvanically isolated
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: SiC MOSFET gate driver
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Case: SO8-W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; SiC MOSFET gate driver; SO8-W; -4÷4A; 1.2kV; Ch: 1
Supply voltage: 3.1...5.25V
Output voltage: 1.2kV
Output current: -4...4A
Type of integrated circuit: driver
Impulse rise time: 30ns
Pulse fall time: 30ns
Number of channels: 1
Integrated circuit features: galvanically isolated
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: SiC MOSFET gate driver
Mounting: SMD
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STGAP2SICSANCTR |
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STGAP2SICSANCTR MOSFET/IGBT drivers
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STGAP2SICSC |
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STGAP2SICSC MOSFET/IGBT drivers
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STGAP2SICSCTR |
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STGAP2SICSCTR MOSFET/IGBT drivers
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STGAP2SICSNC |
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STGAP2SICSNC MOSFET/IGBT drivers
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STGAP2SICSNCTR |
Hersteller: STMicroelectronics
STGAP2SICSNCTR MOSFET/IGBT drivers
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STGAP2SICSNTR |
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Hersteller: STMicroelectronics
STGAP2SICSNTR MOSFET/IGBT drivers
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STGAP2SICSTR |
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STGAP2SICSTR MOSFET/IGBT drivers
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STGAP2SM |
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Hersteller: STMicroelectronics
STGAP2SM MOSFET/IGBT drivers
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STGAP2SMTR |
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STGAP2SMTR MOSFET/IGBT drivers
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STGAP4S |
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STGAP4S MOSFET/IGBT drivers
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STGAP4STR |
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Hersteller: STMicroelectronics
STGAP4STR MOSFET/IGBT drivers
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STGB10H60DF |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 115W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 115W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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