Produkte > STMICROELECTRONICS > Alle Produkte des Herstellers STMICROELECTRONICS (170150) > Seite 1161 nach 2836
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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STGWA15H120DF2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 259W; TO247-3 Collector current: 15A Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Mounting: THT Collector-emitter voltage: 1.2kV Type of transistor: IGBT Power dissipation: 259W Kind of package: tube Gate charge: 67nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STGWA15H120F2 | STMicroelectronics |
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STGWA15M120DF3 | STMicroelectronics |
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STGWA15S120DF3 | STMicroelectronics |
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STGWA20H65DFB2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 147W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 25A Power dissipation: 147W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STGWA20HP65FB2 | STMicroelectronics |
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STGWA20IH65DF | STMicroelectronics |
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STGWA20M65DF2 | STMicroelectronics |
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STGWA25H120DF2 | STMicroelectronics |
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STGWA25H120F2 | STMicroelectronics |
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STGWA25IH135DF2 | STMicroelectronics |
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STGWA25M120DF3 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3 Collector current: 25A Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 100A Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Mounting: THT Collector-emitter voltage: 1.2kV Type of transistor: IGBT Power dissipation: 375W Kind of package: tube Gate charge: 85nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STGWA25S120DF3 | STMicroelectronics |
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STGWA30H60DFB | STMicroelectronics |
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STGWA30H65DFB | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 260W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 30A Power dissipation: 260W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 149nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STGWA30H65DFB2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 167W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 30A Power dissipation: 167W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 90nC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STGWA30HP65FB2 | STMicroelectronics |
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STGWA30IH65DF | STMicroelectronics |
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STGWA30M65DF2 | STMicroelectronics |
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STGWA35IH135DF2 | STMicroelectronics |
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STGWA40H120DF2 | STMicroelectronics |
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STGWA40H120F2 | STMicroelectronics |
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STGWA40H65DFB | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 283W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STGWA40H65DFB2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 45A; 230W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 45A Power dissipation: 230W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 153nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STGWA40H65FB | STMicroelectronics |
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STGWA40HP65FB2 | STMicroelectronics |
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STGWA40IH65DF | STMicroelectronics |
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STGWA40M120DF3 | STMicroelectronics |
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STGWA40S120DF3 | STMicroelectronics |
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STGWA50H65DFB2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 53A Power dissipation: 272W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 151nC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STGWA50HP65FB2 | STMicroelectronics |
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STGWA50IH65DF | STMicroelectronics |
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STGWA50M65DF2 | STMicroelectronics |
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STGWA60H65DFB | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60A Power dissipation: 375W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 240A Mounting: THT Gate charge: 306nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STGWA60V60DF | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 375W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 240A Mounting: THT Gate charge: 334nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STGWA75H65DFB2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 71A Power dissipation: 357W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 207nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 52 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STGWA75M65DF2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 468W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 468W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 225nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 135 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STGWA80H65DFB | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 470W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 414nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STGWA80H65DFBAG | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 535W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 535W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 240A Mounting: THT Gate charge: 453nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STGWA80H65FB | STMicroelectronics |
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STGWA8M120DF3 | STMicroelectronics |
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STGWF30NC60S | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 79W; TO3PF Mounting: THT Case: TO3PF Kind of package: tube Type of transistor: IGBT Power dissipation: 79W Gate charge: 96nC Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 18A Pulsed collector current: 150A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STGWT20H65FB | STMicroelectronics |
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STGWT20IH125DF | STMicroelectronics |
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STGWT20V60DF | STMicroelectronics |
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STGWT28IH125DF | STMicroelectronics |
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STGWT30H60DFB | STMicroelectronics |
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STGWT30HP65FB | STMicroelectronics |
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STGWT40H65DFB | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 283W Case: TO3P Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STGWT40HP65FB | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 40A Pulsed collector current: 160A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 283W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 0.21µC Mounting: THT Case: TO3P Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 108 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STGWT60H65DFB | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO3P Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60A Power dissipation: 375W Case: TO3P Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 240A Mounting: THT Gate charge: 306nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 73 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STGWT60H65FB | STMicroelectronics |
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STGWT60V60DF | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO3P Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 375W Case: TO3P Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 240A Mounting: THT Gate charge: 334nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STGWT80H65DFB | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO3P Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 470W Case: TO3P Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 414nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STGWT80H65FB | STMicroelectronics |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
STGWT80V60DF | STMicroelectronics |
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STGWT80V60F | STMicroelectronics |
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STGY40NC60VD | STMicroelectronics |
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STGYA120M65DF2 | STMicroelectronics |
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STGYA120M65DF2AG | STMicroelectronics |
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STGWA15H120DF2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 259W; TO247-3
Collector current: 15A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 259W
Kind of package: tube
Gate charge: 67nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 259W; TO247-3
Collector current: 15A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 259W
Kind of package: tube
Gate charge: 67nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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15+ | 4.89 EUR |
17+ | 4.40 EUR |
22+ | 3.30 EUR |
23+ | 3.12 EUR |
3000+ | 3.03 EUR |
9000+ | 3.00 EUR |
STGWA15H120F2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
STGWA15H120F2 THT IGBT transistors
STGWA15H120F2 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGWA15M120DF3 |
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Hersteller: STMicroelectronics
STGWA15M120DF3 THT IGBT transistors
STGWA15M120DF3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGWA15S120DF3 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA15S120DF3 THT IGBT transistors
STGWA15S120DF3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGWA20H65DFB2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 147W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 147W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGWA20HP65FB2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA20HP65FB2 THT IGBT transistors
STGWA20HP65FB2 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGWA20IH65DF |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA20IH65DF THT IGBT transistors
STGWA20IH65DF THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGWA20M65DF2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA20M65DF2 THT IGBT transistors
STGWA20M65DF2 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGWA25H120DF2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
STGWA25H120DF2 THT IGBT transistors
STGWA25H120DF2 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGWA25H120F2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA25H120F2 THT IGBT transistors
STGWA25H120F2 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGWA25IH135DF2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA25IH135DF2 THT IGBT transistors
STGWA25IH135DF2 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGWA25M120DF3 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3
Collector current: 25A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 100A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 375W
Kind of package: tube
Gate charge: 85nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3
Collector current: 25A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 100A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 375W
Kind of package: tube
Gate charge: 85nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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11+ | 6.71 EUR |
12+ | 6.03 EUR |
16+ | 4.62 EUR |
17+ | 4.38 EUR |
STGWA25S120DF3 |
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Hersteller: STMicroelectronics
STGWA25S120DF3 THT IGBT transistors
STGWA25S120DF3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGWA30H60DFB |
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Hersteller: STMicroelectronics
STGWA30H60DFB THT IGBT transistors
STGWA30H60DFB THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGWA30H65DFB |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 260W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 260W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
11+ | 6.51 EUR |
13+ | 5.51 EUR |
STGWA30H65DFB2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 167W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 167W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGWA30HP65FB2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
STGWA30HP65FB2 THT IGBT transistors
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STGWA30M65DF2 THT IGBT transistors
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STGWA35IH135DF2 THT IGBT transistors
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STGWA40H120DF2 THT IGBT transistors
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STGWA40H120F2 THT IGBT transistors
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STGWA40H65DFB |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWA40H65DFB2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 45A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 45A
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 45A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 45A
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
14+ | 5.19 EUR |
23+ | 3.15 EUR |
25+ | 2.97 EUR |
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STGWA40H65FB |
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Hersteller: STMicroelectronics
STGWA40H65FB THT IGBT transistors
STGWA40H65FB THT IGBT transistors
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STGWA40HP65FB2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
STGWA40HP65FB2 THT IGBT transistors
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STGWA40IH65DF |
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STGWA40IH65DF THT IGBT transistors
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STGWA40M120DF3 |
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STGWA40M120DF3 THT IGBT transistors
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STGWA40S120DF3 |
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STGWA40S120DF3 THT IGBT transistors
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STGWA50H65DFB2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53A
Power dissipation: 272W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53A
Power dissipation: 272W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWA50HP65FB2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
STGWA50HP65FB2 THT IGBT transistors
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STGWA50IH65DF |
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Hersteller: STMicroelectronics
STGWA50IH65DF THT IGBT transistors
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STGWA50M65DF2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
STGWA50M65DF2 THT IGBT transistors
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STGWA60H65DFB |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWA60V60DF |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWA75H65DFB2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 71A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 71A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
11+ | 6.86 EUR |
15+ | 4.92 EUR |
16+ | 4.65 EUR |
120+ | 4.48 EUR |
STGWA75M65DF2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 468W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 468W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 468W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 468W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 9.28 EUR |
12+ | 6.03 EUR |
STGWA80H65DFB |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWA80H65DFBAG |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 535W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 535W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 453nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 535W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 535W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 453nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
STGWA80H65FB |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA80H65FB THT IGBT transistors
STGWA80H65FB THT IGBT transistors
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Stück im Wert von UAH
STGWA8M120DF3 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA8M120DF3 THT IGBT transistors
STGWA8M120DF3 THT IGBT transistors
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Stück im Wert von UAH
STGWF30NC60S |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 79W; TO3PF
Mounting: THT
Case: TO3PF
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 79W
Gate charge: 96nC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 18A
Pulsed collector current: 150A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 79W; TO3PF
Mounting: THT
Case: TO3PF
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 79W
Gate charge: 96nC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 18A
Pulsed collector current: 150A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
STGWT20H65FB |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGWT20H65FB THT IGBT transistors
STGWT20H65FB THT IGBT transistors
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Stück im Wert von UAH
STGWT20IH125DF |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGWT20IH125DF THT IGBT transistors
STGWT20IH125DF THT IGBT transistors
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Stück im Wert von UAH
STGWT20V60DF |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGWT20V60DF THT IGBT transistors
STGWT20V60DF THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGWT28IH125DF |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGWT28IH125DF THT IGBT transistors
STGWT28IH125DF THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGWT30H60DFB |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGWT30H60DFB THT IGBT transistors
STGWT30H60DFB THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGWT30HP65FB |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGWT30HP65FB THT IGBT transistors
STGWT30HP65FB THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGWT40H65DFB |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGWT40HP65FB |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 283W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.21µC
Mounting: THT
Case: TO3P
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 283W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.21µC
Mounting: THT
Case: TO3P
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 3.73 EUR |
28+ | 2.56 EUR |
30+ | 2.42 EUR |
120+ | 2.39 EUR |
510+ | 2.33 EUR |
STGWT60H65DFB |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
11+ | 6.85 EUR |
12+ | 6.16 EUR |
16+ | 4.72 EUR |
17+ | 4.46 EUR |
STGWT60H65FB |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STGWT60H65FB THT IGBT transistors
STGWT60H65FB THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGWT60V60DF |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGWT80H65DFB |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGWT80H65FB |
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Hersteller: STMicroelectronics
STGWT80H65FB THT IGBT transistors
STGWT80H65FB THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGWT80V60DF |
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Hersteller: STMicroelectronics
STGWT80V60DF THT IGBT transistors
STGWT80V60DF THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen
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STGWT80V60F |
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Hersteller: STMicroelectronics
STGWT80V60F THT IGBT transistors
STGWT80V60F THT IGBT transistors
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Stück im Wert von UAH
STGY40NC60VD |
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Hersteller: STMicroelectronics
STGY40NC60VD THT IGBT transistors
STGY40NC60VD THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGYA120M65DF2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
STGYA120M65DF2 THT IGBT transistors
STGYA120M65DF2 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGYA120M65DF2AG |
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Hersteller: STMicroelectronics
STGYA120M65DF2AG THT IGBT transistors
STGYA120M65DF2AG THT IGBT transistors
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