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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
STFW12N120K5 STMicroelectronics en.DM00117846.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 48A; 63W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 63W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STFW1N105K3 STMicroelectronics STF,STFW,STP1N105K3.pdf STFW1N105K3 THT N channel transistors
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.26 EUR
34+2.14 EUR
36+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STFW2N105K5 STMicroelectronics en.DM00115969.pdf STFW2N105K5 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STFW38N65M5 STMicroelectronics en.DM00113621.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 120A; 57W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 57W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 120A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
On-state resistance: 95mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STFW3N150 STFW3N150 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D69CD2D6E8E745&compId=STFW3N150.pdf?ci_sign=c72083eba1878d75699a66a15ccd9a13388b2de1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 1.6A; 63W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 63W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 166 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.42 EUR
18+4.2 EUR
19+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STFW4N150 STFW4N150 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D69F283B646745&compId=STFW4N150.pdf?ci_sign=f393848134fa928a48c56d2cf0d44373bdbd5609 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 63W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 63W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.39 EUR
12+6.01 EUR
13+5.68 EUR
14+5.49 EUR
30+5.45 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STG3157CTR STG3157CTR STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A7D5868240D2&compId=stg3157.pdf?ci_sign=29cf24e756b248f00e5610717d07b1cca0682fa0 Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: analog switch; demultiplexer,multiplexer,SPDT; 1.65÷5.5VDC
Type of integrated circuit: analog switch
Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer; SPDT
Case: SOT323-6L
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Mounting: SMD
Interface: GPIO
Number of channels: 1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9669 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
152+0.47 EUR
189+0.38 EUR
200+0.36 EUR
304+0.24 EUR
321+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STG719STR STMicroelectronics STG719.pdf STG719STR Interfaces others - integrated circuits
auf Bestellung 2003 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.96 EUR
147+0.49 EUR
155+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP1BS STMicroelectronics STGAP1BS MOSFET/IGBT drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP1BSTR STMicroelectronics STGAP1BSTR MOSFET/IGBT drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP2DM STMicroelectronics stgap2d.pdf STGAP2DM MOSFET/IGBT drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP2DMTR STMicroelectronics stgap2d.pdf STGAP2DMTR MOSFET/IGBT drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP2GSCTR STMicroelectronics stgap2gs.pdf STGAP2GSCTR MOSFET/IGBT drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP2GSNCTR STMicroelectronics stgap2gsn.pdf STGAP2GSNCTR MOSFET/IGBT drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP2HDMTR STMicroelectronics stgap2hd.pdf STGAP2HDMTR MOSFET/IGBT drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP2HSCMTR STMicroelectronics stgap2hs.pdf STGAP2HSCMTR MOSFET/IGBT drivers
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STGAP2HSM STMicroelectronics STGAP2HSM MOSFET/IGBT drivers
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STGAP2HSMTR STMicroelectronics stgap2hs.pdf STGAP2HSMTR MOSFET/IGBT drivers
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STGAP2SCM STMicroelectronics stgap2s.pdf STGAP2SCM MOSFET/IGBT drivers
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STGAP2SCMTR STMicroelectronics stgap2s.pdf STGAP2SCMTR MOSFET/IGBT drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP2SICD STMicroelectronics Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; SiC MOSFET gate driver; SO36-W; -4÷4A; 1.2kV; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: SiC MOSFET gate driver
Case: SO36-W
Output current: -4...4A
Output voltage: 1.2kV
Number of channels: 2
Integrated circuit features: galvanically isolated
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 30ns
Pulse fall time: 30ns
Kind of package: tube
Supply voltage: 3.1...5.5V
Insulation voltage: 6kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP2SICDTR STMicroelectronics stgap2sicd.pdf STGAP2SICDTR MOSFET/IGBT drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP2SICS STMicroelectronics stgap2sics.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; SiC MOSFET gate driver; SO8-W; 4A; Ch: 1; 1MHz; 3.1÷5.5V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: SiC MOSFET gate driver
Case: SO8-W
Output current: 4A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: galvanically isolated
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 3.1...5.5V
Frequency: 1MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP2SICSACTR STMicroelectronics STGAP2SICSACTR MOSFET/IGBT drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP2SICSANCTR STMicroelectronics STGAP2SICSANCTR MOSFET/IGBT drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP2SICSC STMicroelectronics stgap2sics.pdf STGAP2SICSC MOSFET/IGBT drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP2SICSCTR STMicroelectronics STGAP2SICSCTR MOSFET/IGBT drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP2SICSNC STMicroelectronics Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; SiC MOSFET gate driver; SO8; -4÷4A; 1.7kV; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: SiC MOSFET gate driver
Case: SO8
Output current: -4...4A
Output voltage: 1.7kV
Number of channels: 1
Integrated circuit features: galvanically isolated
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 30ns
Pulse fall time: 30ns
Kind of package: tube
Supply voltage: 3.1...5.5V
Insulation voltage: 4.8kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP2SICSNCTR STMicroelectronics STGAP2SICSNCTR MOSFET/IGBT drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP2SICSNTR STMicroelectronics stgap2sicsn.pdf STGAP2SICSNTR MOSFET/IGBT drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP2SICSTR STMicroelectronics STGAP2SICSTR MOSFET/IGBT drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP2SM STMicroelectronics stgap2s.pdf STGAP2SM MOSFET/IGBT drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP2SMTR STMicroelectronics stgap2s.pdf STGAP2SMTR MOSFET/IGBT drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP4S STMicroelectronics STGAP4S MOSFET/IGBT drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP4STR STMicroelectronics stgap4s.pdf STGAP4STR MOSFET/IGBT drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10H60DF STMicroelectronics en.DM00092752.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 115W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10M65DF2 STMicroelectronics en.DM00157911.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 10A; 115W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 10A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB6F13541CE0F00D6&compId=STGB10NB37LZT4.pdf?ci_sign=c2187b0ac3a1ad725a23ec2e1e458be9727b8ce5 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 440V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Version: ESD
Application: ignition systems
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1271 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.98 EUR
22+3.3 EUR
48+1.5 EUR
51+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NB40LZT4 STMicroelectronics en.DM00372350.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 410V; 10A; 150W; D2PAK; automotive industry; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 410V
Collector current: 10A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped
Version: ESD
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NC60HDT4 STGB10NC60HDT4 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A7AB6971C0D2&compId=stgb10nc60hd.pdf?ci_sign=e3176c16b0237af37917d055bd8d6b870cee17c4 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 563 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.02 EUR
30+2.43 EUR
34+2.12 EUR
51+1.42 EUR
54+1.34 EUR
100+1.3 EUR
500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NC60KDT4 STMicroelectronics en.CD00058414.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB14NC60KDT4 STGB14NC60KDT4 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A86DF28980D2&compId=stgb14nc60kdt4.pdf?ci_sign=a4291ed7b61f34f9cd59039d39bfacc7fbe2fd4c Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 80W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 14A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: SMD
Gate charge: 34.4nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB15H60DF STMicroelectronics en.DM00092755.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 115W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB15M65DF2 STMicroelectronics en.DM00096991.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 136W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 136W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB18N40LZT4 STMicroelectronics en.CD00182201.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 390V; 30A; 150W; D2PAK; automotive industry; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 390V
Collector current: 30A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped
Application: automotive industry
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB19NC60HDT4 STGB19NC60HDT4 STMicroelectronics en.CD00144165.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 19A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 978 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.58 EUR
24+3 EUR
46+1.59 EUR
48+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20H60DF STMicroelectronics en.DM00066598.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 167W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 167W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20H65DFB2 STMicroelectronics stgb20h65dfb2.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 147W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 147W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20H65FB2 STMicroelectronics stgb20h65fb2.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 147W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 147W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20M65DF2 STMicroelectronics en.DM00244727.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 166W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20N40LZ STMicroelectronics en.DM00077187.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 390V; 20A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 390V
Collector current: 20A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20N45LZAG STMicroelectronics en.DM00242156.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 450V; 25A; 150W; D2PAK; automotive industry; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Pulsed collector current: 50A
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Version: ESD
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20NB41LZT4 STMicroelectronics en.CD00003294.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 20A; 200W; D2PAK; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 20A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped
Version: ESD
Application: automotive industry; ignition systems
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20V60DF STMicroelectronics en.DM00079434.pdf STGB20V60DF SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB25N36LZAG STMicroelectronics Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 350V; 25A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Pulsed collector current: 50A
Mounting: SMD
Gate charge: 25.7nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Version: ESD
Application: automotive industry; ignition systems
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB25N40LZAG STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD82FEF2D3142140D2&compId=STGB25N40LZAG.pdf?ci_sign=18a4bf6feac287217c1d5109e171aeb80464050f Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 25A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Pulsed collector current: 50A
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Version: ESD
Application: automotive industry; ignition systems
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB30H60DFB STMicroelectronics en.DM00125119.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 149nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB30H60DLLFBAG STMicroelectronics en.DM00336135.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; D2PAK; ignition systems
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Application: ignition systems
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB30H65DFB2 STMicroelectronics stgb30h65dfb2.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 167W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 167W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB30M65DF2 STMicroelectronics STGB30M65DF2.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 258W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 258W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STFW12N120K5 en.DM00117846.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 48A; 63W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 63W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STFW1N105K3 STF,STFW,STP1N105K3.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STFW1N105K3 THT N channel transistors
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.26 EUR
34+2.14 EUR
36+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STFW2N105K5 en.DM00115969.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STFW2N105K5 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STFW38N65M5 en.DM00113621.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 120A; 57W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 57W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 120A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
On-state resistance: 95mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STFW3N150 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D69CD2D6E8E745&compId=STFW3N150.pdf?ci_sign=c72083eba1878d75699a66a15ccd9a13388b2de1
STFW3N150
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 1.6A; 63W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 63W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 166 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.42 EUR
18+4.2 EUR
19+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STFW4N150 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D69F283B646745&compId=STFW4N150.pdf?ci_sign=f393848134fa928a48c56d2cf0d44373bdbd5609
STFW4N150
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 63W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 63W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.39 EUR
12+6.01 EUR
13+5.68 EUR
14+5.49 EUR
30+5.45 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STG3157CTR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A7D5868240D2&compId=stg3157.pdf?ci_sign=29cf24e756b248f00e5610717d07b1cca0682fa0
STG3157CTR
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: analog switch; demultiplexer,multiplexer,SPDT; 1.65÷5.5VDC
Type of integrated circuit: analog switch
Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer; SPDT
Case: SOT323-6L
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Mounting: SMD
Interface: GPIO
Number of channels: 1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9669 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
189+0.38 EUR
200+0.36 EUR
304+0.24 EUR
321+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 152
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STG719STR STG719.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STG719STR Interfaces others - integrated circuits
auf Bestellung 2003 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
75+0.96 EUR
147+0.49 EUR
155+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP1BS
Hersteller: STMicroelectronics
STGAP1BS MOSFET/IGBT drivers
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STGAP1BSTR
Hersteller: STMicroelectronics
STGAP1BSTR MOSFET/IGBT drivers
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STGAP2DM stgap2d.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGAP2DM MOSFET/IGBT drivers
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STGAP2DMTR stgap2d.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGAP2DMTR MOSFET/IGBT drivers
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STGAP2GSCTR stgap2gs.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGAP2GSCTR MOSFET/IGBT drivers
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STGAP2GSNCTR stgap2gsn.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGAP2GSNCTR MOSFET/IGBT drivers
Produkt ist nicht verfügbar
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STGAP2HDMTR stgap2hd.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGAP2HDMTR MOSFET/IGBT drivers
Produkt ist nicht verfügbar
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STGAP2HSCMTR stgap2hs.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGAP2HSCMTR MOSFET/IGBT drivers
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STGAP2HSM
Hersteller: STMicroelectronics
STGAP2HSM MOSFET/IGBT drivers
Produkt ist nicht verfügbar
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STGAP2HSMTR stgap2hs.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGAP2HSMTR MOSFET/IGBT drivers
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STGAP2SCM stgap2s.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGAP2SCM MOSFET/IGBT drivers
Produkt ist nicht verfügbar
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STGAP2SCMTR stgap2s.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGAP2SCMTR MOSFET/IGBT drivers
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STGAP2SICD
Hersteller: STMicroelectronics
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; SiC MOSFET gate driver; SO36-W; -4÷4A; 1.2kV; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: SiC MOSFET gate driver
Case: SO36-W
Output current: -4...4A
Output voltage: 1.2kV
Number of channels: 2
Integrated circuit features: galvanically isolated
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 30ns
Pulse fall time: 30ns
Kind of package: tube
Supply voltage: 3.1...5.5V
Insulation voltage: 6kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGAP2SICDTR stgap2sicd.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGAP2SICDTR MOSFET/IGBT drivers
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STGAP2SICS stgap2sics.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; SiC MOSFET gate driver; SO8-W; 4A; Ch: 1; 1MHz; 3.1÷5.5V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: SiC MOSFET gate driver
Case: SO8-W
Output current: 4A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: galvanically isolated
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 3.1...5.5V
Frequency: 1MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGAP2SICSACTR
Hersteller: STMicroelectronics
STGAP2SICSACTR MOSFET/IGBT drivers
Produkt ist nicht verfügbar
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STGAP2SICSANCTR
Hersteller: STMicroelectronics
STGAP2SICSANCTR MOSFET/IGBT drivers
Produkt ist nicht verfügbar
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STGAP2SICSC stgap2sics.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGAP2SICSC MOSFET/IGBT drivers
Produkt ist nicht verfügbar
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STGAP2SICSCTR
Hersteller: STMicroelectronics
STGAP2SICSCTR MOSFET/IGBT drivers
Produkt ist nicht verfügbar
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STGAP2SICSNC
Hersteller: STMicroelectronics
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; SiC MOSFET gate driver; SO8; -4÷4A; 1.7kV; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: SiC MOSFET gate driver
Case: SO8
Output current: -4...4A
Output voltage: 1.7kV
Number of channels: 1
Integrated circuit features: galvanically isolated
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 30ns
Pulse fall time: 30ns
Kind of package: tube
Supply voltage: 3.1...5.5V
Insulation voltage: 4.8kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP2SICSNCTR
Hersteller: STMicroelectronics
STGAP2SICSNCTR MOSFET/IGBT drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP2SICSNTR stgap2sicsn.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGAP2SICSNTR MOSFET/IGBT drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP2SICSTR
Hersteller: STMicroelectronics
STGAP2SICSTR MOSFET/IGBT drivers
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STGAP2SM stgap2s.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGAP2SM MOSFET/IGBT drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP2SMTR stgap2s.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGAP2SMTR MOSFET/IGBT drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP4S
Hersteller: STMicroelectronics
STGAP4S MOSFET/IGBT drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP4STR stgap4s.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGAP4STR MOSFET/IGBT drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10H60DF en.DM00092752.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 115W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10M65DF2 en.DM00157911.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 10A; 115W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 10A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NB37LZT4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB6F13541CE0F00D6&compId=STGB10NB37LZT4.pdf?ci_sign=c2187b0ac3a1ad725a23ec2e1e458be9727b8ce5
STGB10NB37LZT4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 440V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Version: ESD
Application: ignition systems
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1271 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.98 EUR
22+3.3 EUR
48+1.5 EUR
51+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NB40LZT4 en.DM00372350.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 410V; 10A; 150W; D2PAK; automotive industry; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 410V
Collector current: 10A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped
Version: ESD
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NC60HDT4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A7AB6971C0D2&compId=stgb10nc60hd.pdf?ci_sign=e3176c16b0237af37917d055bd8d6b870cee17c4
STGB10NC60HDT4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 563 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.02 EUR
30+2.43 EUR
34+2.12 EUR
51+1.42 EUR
54+1.34 EUR
100+1.3 EUR
500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NC60KDT4 en.CD00058414.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB14NC60KDT4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A86DF28980D2&compId=stgb14nc60kdt4.pdf?ci_sign=a4291ed7b61f34f9cd59039d39bfacc7fbe2fd4c
STGB14NC60KDT4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 80W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 14A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: SMD
Gate charge: 34.4nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB15H60DF en.DM00092755.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 115W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB15M65DF2 en.DM00096991.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 136W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 136W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB18N40LZT4 en.CD00182201.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 390V; 30A; 150W; D2PAK; automotive industry; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 390V
Collector current: 30A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped
Application: automotive industry
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB19NC60HDT4 en.CD00144165.pdf
STGB19NC60HDT4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 19A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 978 Stücke:
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Anzahl Preis
16+4.58 EUR
24+3 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20H60DF en.DM00066598.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 167W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 167W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20H65DFB2 stgb20h65dfb2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 147W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 147W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20H65FB2 stgb20h65fb2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 147W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 147W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20M65DF2 en.DM00244727.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 166W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20N40LZ en.DM00077187.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 390V; 20A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 390V
Collector current: 20A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20N45LZAG en.DM00242156.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 450V; 25A; 150W; D2PAK; automotive industry; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Pulsed collector current: 50A
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Version: ESD
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20NB41LZT4 en.CD00003294.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 20A; 200W; D2PAK; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 20A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped
Version: ESD
Application: automotive industry; ignition systems
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20V60DF en.DM00079434.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGB20V60DF SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB25N36LZAG
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 350V; 25A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Pulsed collector current: 50A
Mounting: SMD
Gate charge: 25.7nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Version: ESD
Application: automotive industry; ignition systems
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB25N40LZAG pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD82FEF2D3142140D2&compId=STGB25N40LZAG.pdf?ci_sign=18a4bf6feac287217c1d5109e171aeb80464050f
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 25A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Pulsed collector current: 50A
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Version: ESD
Application: automotive industry; ignition systems
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB30H60DFB en.DM00125119.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 149nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB30H60DLLFBAG en.DM00336135.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; D2PAK; ignition systems
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Application: ignition systems
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB30H65DFB2 stgb30h65dfb2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 167W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 167W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB30M65DF2 STGB30M65DF2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 258W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 258W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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