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STGW30NC60VD STMicroelectronics en.CD00152202.pdf STGW30NC60VD THT IGBT transistors
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STGW30NC60WD STGW30NC60WD STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F7ED942B58811C&compId=STGW30NC60WD-dte.pdf?ci_sign=b8c0a7c8d642528e6e13f3f188f9b2ef1e953bfa Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.21 EUR
18+4.19 EUR
19+3.96 EUR
120+3.8 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW30V60DF STGW30V60DF STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78A9EC3659D7FC745&compId=STGW30V60DF.pdf?ci_sign=b50114384a1ef145268bdf1c9e642dc458546fae Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 258W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 258W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 163nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.88 EUR
17+4.39 EUR
22+3.36 EUR
23+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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STGW39NC60VD STGW39NC60VD STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD735296ECC2469&compId=STGW39NC60VD.pdf?ci_sign=82543032c3eb17eb0cd09c6ab7262988127d3a99 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 220A
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.4 EUR
27+2.66 EUR
29+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 17
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STGW40H120DF2 STMicroelectronics en.DM00066778.pdf STGW40H120DF2 THT IGBT transistors
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.3 EUR
8+9.3 EUR
9000+9.07 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40H120F2 STMicroelectronics en.DM00106123.pdf STGW40H120F2 THT IGBT transistors
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STGW40H60DLFB STMicroelectronics en.DM00079511.pdf STGW40H60DLFB THT IGBT transistors
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STGW40H65DFB STGW40H65DFB STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8DA334E842E3E0D5&compId=STGW40H65DFB.pdf?ci_sign=2a10d4834b6010b5d7d2ffa2bac7629179768ec3 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 166 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.78 EUR
22+3.39 EUR
23+3.2 EUR
90+3.13 EUR
510+3.07 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40H65DFB-4 STMicroelectronics en.DM00269316.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40H65FB STMicroelectronics en.DM00093857.pdf STGW40H65FB THT IGBT transistors
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STGW40M120DF3 STMicroelectronics en.DM00113760.pdf STGW40M120DF3 THT IGBT transistors
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STGW40NC60KD STMicroelectronics en.CD00201325.pdf STGW40NC60KD THT IGBT transistors
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.41 EUR
15+4.79 EUR
16+4.53 EUR
9000+4.42 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40V60DF STGW40V60DF STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A97B32F680D2&compId=stgw40v60df.pdf?ci_sign=f35b6dc525c842b34b8c3da2088ec6ae356e58ea Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 80A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 226nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 314 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.68 EUR
17+4.26 EUR
26+2.77 EUR
28+2.62 EUR
60+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40V60F STMicroelectronics en.DM00086251.pdf STGW40V60F THT IGBT transistors
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STGW50H65DFB2-4 STMicroelectronics stgw50h65dfb2-4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53A
Power dissipation: 272W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65DFB STGW60H65DFB STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABAA56A5DE2D280C7&compId=STGWx60H65DFB.pdf?ci_sign=8b804906e12b081c9d06412ea3a8b4a3a1b23cb9 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.72 EUR
14+5.42 EUR
20+3.65 EUR
21+3.45 EUR
60+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65DFB-4 STMicroelectronics en.DM00298799.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65DRF STMicroelectronics en.DM00039960.pdf STGW60H65DRF THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65FB STMicroelectronics en.DM00094070.pdf STGW60H65FB THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60V60DF STGW60V60DF STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7899EA6D8C607C745&compId=STGW60V60DF.pdf?ci_sign=35b7cf364427073e4df7a683963fd9e46492178d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.19 EUR
20+3.66 EUR
21+3.46 EUR
120+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60V60F STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD82FF211FF33700D2&compId=stgw60v60f.pdf?ci_sign=76418bd0e5d95d881d4a47f0283a4ff60c15c1cf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW75H65DFB2-4 STGW75H65DFB2-4 STMicroelectronics stgw75h65dfb2-4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 71A
Pulsed collector current: 225A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+8.99 EUR
9+7.98 EUR
10+7.79 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW75M65DF2 STMicroelectronics en.DM00249589.pdf STGW75M65DF2 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80H65DFB STGW80H65DFB STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A9AC1664E0D2&compId=stgw80h65dfb.pdf?ci_sign=be04296e03a4a9b687b41b78ed908309b25ccee8 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.1 EUR
10+7.24 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80H65DFB-4 STMicroelectronics en.DM00213377.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80V60DF STMicroelectronics en.DM00079438.pdf STGW80V60DF THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW8M120DF3 STMicroelectronics en.DM00294677.pdf STGW8M120DF3 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA100H65DFB2 STMicroelectronics stgwa100h65dfb2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 91A; 441W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 91A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 288nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA15H120DF2 STGWA15H120DF2 STMicroelectronics en.DM00066773.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 259W; TO247-3
Collector current: 15A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 67nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 259W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+7.95 EUR
14+5.11 EUR
3000+3.03 EUR
9000+3 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA15H120F2 STMicroelectronics en.DM00109377.pdf STGWA15H120F2 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA15M120DF3 STMicroelectronics en.DM00113752.pdf STGWA15M120DF3 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA15S120DF3 STMicroelectronics en.DM00116910.pdf STGWA15S120DF3 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA20H65DFB2 STMicroelectronics stgwa20h65dfb2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 147W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA20HP65FB2 STMicroelectronics stgwa20hp65fb2.pdf STGWA20HP65FB2 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA20IH65DF STMicroelectronics stgwa20ih65df.pdf STGWA20IH65DF THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA20M65DF2 STMicroelectronics en.DM00245493.pdf STGWA20M65DF2 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA25H120DF2 STMicroelectronics en.DM00066775.pdf STGWA25H120DF2 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA25H120F2 STMicroelectronics en.DM00109190.pdf STGWA25H120F2 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA25IH135DF2 STMicroelectronics stgwa25ih135df2.pdf STGWA25IH135DF2 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA25M120DF3 STGWA25M120DF3 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8FA0A224443860D5&compId=STGWA25M120DF3.pdf?ci_sign=8fd77ec01072af8c6e517177b493d8b34f8d0b4c Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3
Collector current: 25A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 100A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 85nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 375W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.15 EUR
11+6.51 EUR
30+3.98 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA25S120DF3 STMicroelectronics en.DM00116918.pdf STGWA25S120DF3 THT IGBT transistors
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STGWA30H60DFB STMicroelectronics en.DM00125118.pdf STGWA30H60DFB THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30H65DFB STGWA30H65DFB STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE991973B519E0D78BF&compId=STGWA30H65DFB.pdf?ci_sign=0b7131cf62275bf46b46c8227fc5785f978c3e6f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 260W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.3 EUR
13+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30H65DFB2 STMicroelectronics en.DM00673147.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 167W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30HP65FB2 STMicroelectronics stgwa30hp65fb2.pdf STGWA30HP65FB2 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30IH65DF STMicroelectronics stgwa30ih65df.pdf STGWA30IH65DF THT IGBT transistors
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STGWA30M65DF2 STMicroelectronics en.DM00177695.pdf STGWA30M65DF2 THT IGBT transistors
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STGWA35IH135DF2 STMicroelectronics stgwa35ih135df2.pdf STGWA35IH135DF2 THT IGBT transistors
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STGWA40H120DF2 STMicroelectronics en.DM00066778.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 468W; TO247-3
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 158nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 468W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.61 EUR
13+5.93 EUR
17+4.46 EUR
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3000+4.08 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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STGWA40H120F2 STMicroelectronics en.DM00106123.pdf STGWA40H120F2 THT IGBT transistors
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STGWA40H65DFB STMicroelectronics stgwa40h65dfb.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWA40H65DFB2 STGWA40H65DFB2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8FB661C6B6EB80D5&compId=STGWA40H65DFB2.pdf?ci_sign=fddc8df35effdad56d4f360ab2bf8b64b5b77778 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 45A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 45A
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.19 EUR
23+3.15 EUR
25+2.97 EUR
120+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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STGWA40H65FB STMicroelectronics en.DM00093857.pdf STGWA40H65FB THT IGBT transistors
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STGWA40HP65FB2 STMicroelectronics stgwa40hp65fb2.pdf STGWA40HP65FB2 THT IGBT transistors
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STGWA40IH65DF STMicroelectronics stgwa40ih65df.pdf STGWA40IH65DF THT IGBT transistors
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STGWA40M120DF3 STMicroelectronics en.DM00113760.pdf STGWA40M120DF3 THT IGBT transistors
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STGWA40S120DF3 STMicroelectronics en.DM00116916.pdf STGWA40S120DF3 THT IGBT transistors
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STGWA50H65DFB2 STMicroelectronics stgwa50h65dfb2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53A
Power dissipation: 272W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWA50HP65FB2 STMicroelectronics stgwa50hp65fb2.pdf STGWA50HP65FB2 THT IGBT transistors
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STGWA50IH65DF STMicroelectronics stgwa50ih65df.pdf STGWA50IH65DF THT IGBT transistors
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STGW30NC60VD en.CD00152202.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGW30NC60VD THT IGBT transistors
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STGW30NC60WD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F7ED942B58811C&compId=STGW30NC60WD-dte.pdf?ci_sign=b8c0a7c8d642528e6e13f3f188f9b2ef1e953bfa
STGW30NC60WD
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.21 EUR
18+4.19 EUR
19+3.96 EUR
120+3.8 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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STGW30V60DF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78A9EC3659D7FC745&compId=STGW30V60DF.pdf?ci_sign=b50114384a1ef145268bdf1c9e642dc458546fae
STGW30V60DF
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 258W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 258W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 163nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.88 EUR
17+4.39 EUR
22+3.36 EUR
23+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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STGW39NC60VD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD735296ECC2469&compId=STGW39NC60VD.pdf?ci_sign=82543032c3eb17eb0cd09c6ab7262988127d3a99
STGW39NC60VD
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 220A
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.4 EUR
27+2.66 EUR
29+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40H120DF2 en.DM00066778.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGW40H120DF2 THT IGBT transistors
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.3 EUR
8+9.3 EUR
9000+9.07 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40H120F2 en.DM00106123.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGW40H120F2 THT IGBT transistors
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STGW40H60DLFB en.DM00079511.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGW40H60DLFB THT IGBT transistors
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STGW40H65DFB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8DA334E842E3E0D5&compId=STGW40H65DFB.pdf?ci_sign=2a10d4834b6010b5d7d2ffa2bac7629179768ec3
STGW40H65DFB
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 166 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.78 EUR
22+3.39 EUR
23+3.2 EUR
90+3.13 EUR
510+3.07 EUR
Mindestbestellmenge: 19
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STGW40H65DFB-4 en.DM00269316.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40H65FB en.DM00093857.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGW40H65FB THT IGBT transistors
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STGW40M120DF3 en.DM00113760.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGW40M120DF3 THT IGBT transistors
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STGW40NC60KD en.CD00201325.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGW40NC60KD THT IGBT transistors
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.41 EUR
15+4.79 EUR
16+4.53 EUR
9000+4.42 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40V60DF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A97B32F680D2&compId=stgw40v60df.pdf?ci_sign=f35b6dc525c842b34b8c3da2088ec6ae356e58ea
STGW40V60DF
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 80A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 226nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 314 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.68 EUR
17+4.26 EUR
26+2.77 EUR
28+2.62 EUR
60+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW40V60F en.DM00086251.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGW40V60F THT IGBT transistors
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STGW50H65DFB2-4 stgw50h65dfb2-4.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53A
Power dissipation: 272W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65DFB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABAA56A5DE2D280C7&compId=STGWx60H65DFB.pdf?ci_sign=8b804906e12b081c9d06412ea3a8b4a3a1b23cb9
STGW60H65DFB
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.72 EUR
14+5.42 EUR
20+3.65 EUR
21+3.45 EUR
60+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65DFB-4 en.DM00298799.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65DRF en.DM00039960.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGW60H65DRF THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60H65FB en.DM00094070.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGW60H65FB THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60V60DF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7899EA6D8C607C745&compId=STGW60V60DF.pdf?ci_sign=35b7cf364427073e4df7a683963fd9e46492178d
STGW60V60DF
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.19 EUR
20+3.66 EUR
21+3.46 EUR
120+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW60V60F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD82FF211FF33700D2&compId=stgw60v60f.pdf?ci_sign=76418bd0e5d95d881d4a47f0283a4ff60c15c1cf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW75H65DFB2-4 stgw75h65dfb2-4.pdf
STGW75H65DFB2-4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 71A
Pulsed collector current: 225A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+8.99 EUR
9+7.98 EUR
10+7.79 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW75M65DF2 en.DM00249589.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGW75M65DF2 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80H65DFB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A9AC1664E0D2&compId=stgw80h65dfb.pdf?ci_sign=be04296e03a4a9b687b41b78ed908309b25ccee8
STGW80H65DFB
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.1 EUR
10+7.24 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80H65DFB-4 en.DM00213377.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80V60DF en.DM00079438.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGW80V60DF THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW8M120DF3 en.DM00294677.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGW8M120DF3 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA100H65DFB2 stgwa100h65dfb2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 91A; 441W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 91A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 288nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA15H120DF2 en.DM00066773.pdf
STGWA15H120DF2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 259W; TO247-3
Collector current: 15A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 67nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 259W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+7.95 EUR
14+5.11 EUR
3000+3.03 EUR
9000+3 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA15H120F2 en.DM00109377.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA15H120F2 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA15M120DF3 en.DM00113752.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA15M120DF3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA15S120DF3 en.DM00116910.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA15S120DF3 THT IGBT transistors
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STGWA20H65DFB2 stgwa20h65dfb2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 147W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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STGWA20HP65FB2 THT IGBT transistors
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STGWA20IH65DF THT IGBT transistors
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STGWA20M65DF2 THT IGBT transistors
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STGWA25H120DF2 THT IGBT transistors
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STGWA25H120F2 THT IGBT transistors
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STGWA25IH135DF2 THT IGBT transistors
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STGWA25M120DF3
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3
Collector current: 25A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 100A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 85nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 375W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.15 EUR
11+6.51 EUR
30+3.98 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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STGWA25S120DF3 THT IGBT transistors
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Hersteller: STMicroelectronics
STGWA30H60DFB THT IGBT transistors
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STGWA30H65DFB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE991973B519E0D78BF&compId=STGWA30H65DFB.pdf?ci_sign=0b7131cf62275bf46b46c8227fc5785f978c3e6f
STGWA30H65DFB
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 260W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.3 EUR
13+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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STGWA30H65DFB2 en.DM00673147.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 167W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWA30HP65FB2 stgwa30hp65fb2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA30HP65FB2 THT IGBT transistors
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STGWA30IH65DF THT IGBT transistors
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STGWA30M65DF2 en.DM00177695.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
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STGWA35IH135DF2 stgwa35ih135df2.pdf
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STGWA35IH135DF2 THT IGBT transistors
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STGWA40H120DF2 en.DM00066778.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 468W; TO247-3
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 158nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 468W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.61 EUR
13+5.93 EUR
17+4.46 EUR
18+4.2 EUR
3000+4.08 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: STMicroelectronics
STGWA40H120F2 THT IGBT transistors
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STGWA40H65DFB stgwa40h65dfb.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40H65DFB2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8FB661C6B6EB80D5&compId=STGWA40H65DFB2.pdf?ci_sign=fddc8df35effdad56d4f360ab2bf8b64b5b77778
STGWA40H65DFB2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 45A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 45A
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.19 EUR
23+3.15 EUR
25+2.97 EUR
120+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: STMicroelectronics
STGWA40H65FB THT IGBT transistors
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STGWA50H65DFB2 stgwa50h65dfb2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53A
Power dissipation: 272W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWA50HP65FB2 stgwa50hp65fb2.pdf
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