Produkte > STMICROELECTRONICS > Alle Produkte des Herstellers STMICROELECTRONICS (171497) > Seite 1164 nach 2859

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 285 570 855 1140 1159 1160 1161 1162 1163 1164 1165 1166 1167 1168 1169 1425 1710 1995 2280 2565 2850 2859  [ Nächste Seite >> ]
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
STGB30V60DF STGB30V60DF STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A86DF28CE0D2&compId=stgb30v60df.pdf?ci_sign=f57730d0ce9b95d4f6a63d8dc5ea225de9ee368b Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 258W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 258W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 163nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB3NC120HDT4 STGB3NC120HDT4 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBBEED9389163FE0C7&compId=STGx3NC120HD.pdf?ci_sign=28d109c69ddf7046490206a96c3a4aab61477cc0 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 7A; 75W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 7A
Power dissipation: 75W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB40H65FB STMicroelectronics en.DM00306732.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; D2PAK
Case: D2PAK
Type of transistor: IGBT
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.21µC
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 283W
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB40V60F STMicroelectronics en.DM00086251.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 283W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: SMD
Gate charge: 226nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB4M65DF2 STMicroelectronics Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 4A; 86W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 4A
Power dissipation: 86W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 16A
Mounting: SMD
Gate charge: 15.2nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB50H65FB2 STMicroelectronics Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53A
Power dissipation: 272W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: SMD
Gate charge: 151nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB5H60DF STMicroelectronics en.DM00149621.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 5A; 88W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 5A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB6M65DF2 STMicroelectronics en.DM00250133.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 6A; 88W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 6A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 24A
Mounting: SMD
Gate charge: 21.2nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB6NC60HDT4 STMicroelectronics en.CD00058424.pdf description Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 7A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 21A
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB7H60DF STMicroelectronics en.DM00164492.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 88W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 7A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 28A
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB7NC60HDT4 STMicroelectronics en.CD00003695.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 80W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 14A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB8NC60KDT4 STMicroelectronics en.CD00171973.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 8A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 8A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10HF60KD STMicroelectronics en.DM00049493.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 62.5W; DPAK; ignition systems
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 62.5W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Application: ignition systems
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10NC60KDT4 STGD10NC60KDT4 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78A9E9F2CE3C0A745&compId=STGP10NC60KD.pdf?ci_sign=65afd45a028afd95ddee99508a529bbc795c08dc Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 62W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 62W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1970 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
43+1.69 EUR
48+1.5 EUR
55+1.3 EUR
59+1.23 EUR
500+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD18N40LZT4
+1
 		STGD18N40LZT4 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A8412ECE40D2&compId=stgd18n40lzt4.pdf?ci_sign=587c907cc8fd0af7fa9ac6b94e46f84477dd8e56 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 420V; 25A; 150W; DPAK; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 420V
Collector current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: automotive industry; ignition systems
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD19N40LZ STMicroelectronics en.DM00082246.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 390V; 25A; 125W; DPAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 390V
Collector current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: DPAK
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Version: ESD
Application: ignition systems
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD20N40LZ STMicroelectronics en.DM00077187.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 390V; 25A; 125W; DPAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 390V
Collector current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: DPAK
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Version: ESD
Application: ignition systems
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD20N45LZAG STMicroelectronics en.DM00242156.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 450V; 25A; 150W; DPAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Pulsed collector current: 50A
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Version: ESD
Application: ignition systems
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD25N36LZAG STMicroelectronics Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 350V; 25A; 150W; DPAK; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Pulsed collector current: 50A
Mounting: SMD
Gate charge: 25.7nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Version: ESD
Application: automotive industry; ignition systems
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD25N40LZAG STMicroelectronics en.DM00431184.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 25A; 150W; DPAK; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Pulsed collector current: 50A
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Version: ESD
Application: automotive industry; ignition systems
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD3HF60HDT4 STMicroelectronics en.CD00277878.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4.5A; 38W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4.5A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD3NB60SDT4 STMicroelectronics STGD3NB60SD.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 3A; 48W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 3A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 25A
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD4H60DF STMicroelectronics stgd4h60df.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 16A
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD4M65DF2 STMicroelectronics en.DM00249139.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 4A; 68W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 4A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 16A
Mounting: SMD
Gate charge: 15.2nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD5H60DF STGD5H60DF STMicroelectronics en.DM00149621.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 5A; 83W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 5A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2358 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.63 EUR
69+1.04 EUR
102+0.7 EUR
108+0.66 EUR
200+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD5NB120SZT4 STGD5NB120SZT4 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B8B267F4C1D4CA18&compId=STGD5NB120SZT4.pdf?ci_sign=555742f79fe34f4e85a317b2e297d89b31ea4aa3 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 5A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 10A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2458 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.09 EUR
36+1.99 EUR
53+1.37 EUR
55+1.3 EUR
250+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD6M65DF2 STMicroelectronics en.DM00250120.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 6A; 88W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 6A
Power dissipation: 88W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 24A
Mounting: SMD
Gate charge: 21.2nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD6NC60H-1 STMicroelectronics en.DM00096283.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 62.5W; IPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 7A
Power dissipation: 62.5W
Case: IPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 21A
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD6NC60HDT4 STGD6NC60HDT4 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A8412ECF80D2&compId=stgd6nc60hdt4.pdf?ci_sign=766975cac35051e79648c6298fc6b84741ccb84d Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 56W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 56W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 21A
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1810 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.44 EUR
56+1.29 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD7NB60ST4 STGD7NB60ST4 STMicroelectronics en.cd00001598.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 55W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2082 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.43 EUR
37+1.97 EUR
44+1.64 EUR
46+1.56 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD7NC60HT4 STMicroelectronics stgd7nc60ht4.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 70W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 14A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD8NC60KDT4 STMicroelectronics en.CD00171973.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 8A; 62W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 8A
Power dissipation: 62W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGE200NB60S STGE200NB60S STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E29B9E05D0C19DF19A99005056AB752F&compId=stge200nb60s.pdf?ci_sign=9135ba033cb0b6ae7ea04c9f5423965263934d14 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 150A; ISOTOP; 600W
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Power dissipation: 600W
Pulsed collector current: 400A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF10H60DF STMicroelectronics en.DM00092752.pdf STGF10H60DF THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF10M65DF2 STMicroelectronics en.DM00157910.pdf STGF10M65DF2 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF10NB60SD STMicroelectronics en.CD00077672.pdf STGF10NB60SD THT IGBT transistors
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.69 EUR
39+1.86 EUR
41+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF10NC60KD STGF10NC60KD STMicroelectronics en.CD00058414.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 25W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+1.99 EUR
41+1.77 EUR
44+1.64 EUR
54+1.34 EUR
57+1.26 EUR
2000+1.23 EUR
6000+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF14NC60KD STGF14NC60KD STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78A9E947F9565C745&compId=STGF14NC60KD.pdf?ci_sign=a79ff2fffe93302c99915e960978398ca5cd5623 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 28W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 7A
Pulsed collector current: 50A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 28W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 34.4nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.52 EUR
34+2.12 EUR
66+1.09 EUR
70+1.03 EUR
250+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF15H60DF STMicroelectronics en.DM00092755.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 30W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF15M65DF2 STMicroelectronics en.DM00237960.pdf STGF15M65DF2 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF19NC60HD STGF19NC60HD STMicroelectronics en.CD00144165.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 32W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.15 EUR
26+2.85 EUR
34+2.13 EUR
36+2.02 EUR
2000+1.96 EUR
6000+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF19NC60KD STMicroelectronics en.CD00196439.pdf STGF19NC60KD THT IGBT transistors
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.33 EUR
28+2.56 EUR
6000+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF20H60DF STMicroelectronics en.DM00066598.pdf STGF20H60DF THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF20H65DFB2 STMicroelectronics stgf20h65dfb2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 45W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF20M65DF2 STMicroelectronics stgf20m65df2.pdf STGF20M65DF2 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF30H65DFB2 STMicroelectronics Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 50W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF30M65DF2 STGF30M65DF2 STMicroelectronics en.DM00157912.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 38W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.67 EUR
30+2.4 EUR
40+1.83 EUR
42+1.73 EUR
2000+1.66 EUR
6000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF3NC120HD STGF3NC120HD STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBBEED9389163FE0C7&compId=STGx3NC120HD.pdf?ci_sign=28d109c69ddf7046490206a96c3a4aab61477cc0 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 3A; 25W; TO220FP
Collector current: 3A
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 24nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 25W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.57 EUR
36+1.99 EUR
43+1.67 EUR
46+1.59 EUR
100+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF4M65DF2 STMicroelectronics en.DM00249149.pdf STGF4M65DF2 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF6M65DF2 STMicroelectronics en.DM00248773.pdf STGF6M65DF2 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF6NC60HD STMicroelectronics en.CD00058424.pdf STGF6NC60HD THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF7H60DF STMicroelectronics en.DM00164492.pdf STGF7H60DF THT IGBT transistors
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
42+1.72 EUR
65+1.1 EUR
6000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF7NB60SL STMicroelectronics en.CD00003578.pdf STGF7NB60SL THT IGBT transistors
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.3 EUR
9+7.95 EUR
25+2.86 EUR
250+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGFW20H65FB STMicroelectronics en.DM00130550.pdf STGFW20H65FB THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGFW20V60F STMicroelectronics en.DM00088507.pdf STGFW20V60F THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGFW30H65FB STMicroelectronics en.DM00106084.pdf STGFW30H65FB THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGFW40H65FB STMicroelectronics en.DM00093857.pdf STGFW40H65FB THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGFW40V60DF STMicroelectronics en.DM00080360.pdf STGFW40V60DF THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGFW40V60F STMicroelectronics en.DM00086251.pdf STGFW40V60F THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGH30H65DFB-2AG STMicroelectronics stgh30h65dfb-2ag.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 260W; H2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: H2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB30V60DF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A86DF28CE0D2&compId=stgb30v60df.pdf?ci_sign=f57730d0ce9b95d4f6a63d8dc5ea225de9ee368b
STGB30V60DF
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 258W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 258W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 163nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB3NC120HDT4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBBEED9389163FE0C7&compId=STGx3NC120HD.pdf?ci_sign=28d109c69ddf7046490206a96c3a4aab61477cc0
STGB3NC120HDT4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 7A; 75W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 7A
Power dissipation: 75W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB40H65FB en.DM00306732.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; D2PAK
Case: D2PAK
Type of transistor: IGBT
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.21µC
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 283W
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB40V60F en.DM00086251.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 283W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: SMD
Gate charge: 226nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB4M65DF2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 4A; 86W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 4A
Power dissipation: 86W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 16A
Mounting: SMD
Gate charge: 15.2nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB50H65FB2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53A
Power dissipation: 272W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: SMD
Gate charge: 151nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB5H60DF en.DM00149621.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 5A; 88W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 5A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB6M65DF2 en.DM00250133.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 6A; 88W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 6A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 24A
Mounting: SMD
Gate charge: 21.2nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB6NC60HDT4 description en.CD00058424.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 7A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 21A
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB7H60DF en.DM00164492.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 88W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 7A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 28A
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB7NC60HDT4 en.CD00003695.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 80W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 14A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB8NC60KDT4 en.CD00171973.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 8A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 8A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10HF60KD en.DM00049493.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 62.5W; DPAK; ignition systems
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 62.5W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Application: ignition systems
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10NC60KDT4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78A9E9F2CE3C0A745&compId=STGP10NC60KD.pdf?ci_sign=65afd45a028afd95ddee99508a529bbc795c08dc
STGD10NC60KDT4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 62W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 62W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1970 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
43+1.69 EUR
48+1.5 EUR
55+1.3 EUR
59+1.23 EUR
500+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD18N40LZT4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A8412ECE40D2&compId=stgd18n40lzt4.pdf?ci_sign=587c907cc8fd0af7fa9ac6b94e46f84477dd8e56
STGD18N40LZT4
+1
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 420V; 25A; 150W; DPAK; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 420V
Collector current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: automotive industry; ignition systems
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD19N40LZ en.DM00082246.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 390V; 25A; 125W; DPAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 390V
Collector current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: DPAK
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Version: ESD
Application: ignition systems
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD20N40LZ en.DM00077187.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 390V; 25A; 125W; DPAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 390V
Collector current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: DPAK
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Version: ESD
Application: ignition systems
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD20N45LZAG en.DM00242156.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 450V; 25A; 150W; DPAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Pulsed collector current: 50A
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Version: ESD
Application: ignition systems
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD25N36LZAG
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 350V; 25A; 150W; DPAK; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Pulsed collector current: 50A
Mounting: SMD
Gate charge: 25.7nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Version: ESD
Application: automotive industry; ignition systems
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD25N40LZAG en.DM00431184.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 25A; 150W; DPAK; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Pulsed collector current: 50A
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Version: ESD
Application: automotive industry; ignition systems
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD3HF60HDT4 en.CD00277878.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4.5A; 38W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4.5A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD3NB60SDT4 STGD3NB60SD.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 3A; 48W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 3A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 25A
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD4H60DF stgd4h60df.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 16A
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD4M65DF2 en.DM00249139.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 4A; 68W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 4A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 16A
Mounting: SMD
Gate charge: 15.2nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD5H60DF en.DM00149621.pdf
STGD5H60DF
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 5A; 83W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 5A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2358 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.63 EUR
69+1.04 EUR
102+0.7 EUR
108+0.66 EUR
200+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD5NB120SZT4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B8B267F4C1D4CA18&compId=STGD5NB120SZT4.pdf?ci_sign=555742f79fe34f4e85a317b2e297d89b31ea4aa3
STGD5NB120SZT4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 5A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 10A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2458 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.09 EUR
36+1.99 EUR
53+1.37 EUR
55+1.3 EUR
250+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD6M65DF2 en.DM00250120.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 6A; 88W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 6A
Power dissipation: 88W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 24A
Mounting: SMD
Gate charge: 21.2nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD6NC60H-1 en.DM00096283.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 62.5W; IPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 7A
Power dissipation: 62.5W
Case: IPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 21A
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD6NC60HDT4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A8412ECF80D2&compId=stgd6nc60hdt4.pdf?ci_sign=766975cac35051e79648c6298fc6b84741ccb84d
STGD6NC60HDT4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 56W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 56W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 21A
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1810 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.44 EUR
56+1.29 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD7NB60ST4 en.cd00001598.pdf
STGD7NB60ST4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 55W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2082 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.43 EUR
37+1.97 EUR
44+1.64 EUR
46+1.56 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD7NC60HT4 stgd7nc60ht4.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 70W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 14A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD8NC60KDT4 en.CD00171973.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 8A; 62W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 8A
Power dissipation: 62W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGE200NB60S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E29B9E05D0C19DF19A99005056AB752F&compId=stge200nb60s.pdf?ci_sign=9135ba033cb0b6ae7ea04c9f5423965263934d14
STGE200NB60S
Hersteller: STMicroelectronics
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 150A; ISOTOP; 600W
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Power dissipation: 600W
Pulsed collector current: 400A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF10H60DF en.DM00092752.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGF10H60DF THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF10M65DF2 en.DM00157910.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGF10M65DF2 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF10NB60SD en.CD00077672.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGF10NB60SD THT IGBT transistors
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.69 EUR
39+1.86 EUR
41+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF10NC60KD en.CD00058414.pdf
STGF10NC60KD
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 25W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+1.99 EUR
41+1.77 EUR
44+1.64 EUR
54+1.34 EUR
57+1.26 EUR
2000+1.23 EUR
6000+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF14NC60KD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78A9E947F9565C745&compId=STGF14NC60KD.pdf?ci_sign=a79ff2fffe93302c99915e960978398ca5cd5623
STGF14NC60KD
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 28W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 7A
Pulsed collector current: 50A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 28W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 34.4nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.52 EUR
34+2.12 EUR
66+1.09 EUR
70+1.03 EUR
250+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF15H60DF en.DM00092755.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 30W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF15M65DF2 en.DM00237960.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGF15M65DF2 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF19NC60HD en.CD00144165.pdf
STGF19NC60HD
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 32W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.15 EUR
26+2.85 EUR
34+2.13 EUR
36+2.02 EUR
2000+1.96 EUR
6000+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF19NC60KD en.CD00196439.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGF19NC60KD THT IGBT transistors
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.33 EUR
28+2.56 EUR
6000+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF20H60DF en.DM00066598.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGF20H60DF THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF20H65DFB2 stgf20h65dfb2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 45W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF20M65DF2 stgf20m65df2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGF20M65DF2 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF30H65DFB2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 50W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF30M65DF2 en.DM00157912.pdf
STGF30M65DF2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 38W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.67 EUR
30+2.4 EUR
40+1.83 EUR
42+1.73 EUR
2000+1.66 EUR
6000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF3NC120HD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBBEED9389163FE0C7&compId=STGx3NC120HD.pdf?ci_sign=28d109c69ddf7046490206a96c3a4aab61477cc0
STGF3NC120HD
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 3A; 25W; TO220FP
Collector current: 3A
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 24nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 25W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.57 EUR
36+1.99 EUR
43+1.67 EUR
46+1.59 EUR
100+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF4M65DF2 en.DM00249149.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGF4M65DF2 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF6M65DF2 en.DM00248773.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGF6M65DF2 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF6NC60HD en.CD00058424.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGF6NC60HD THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF7H60DF en.DM00164492.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGF7H60DF THT IGBT transistors
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
42+1.72 EUR
65+1.1 EUR
6000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF7NB60SL en.CD00003578.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGF7NB60SL THT IGBT transistors
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.3 EUR
9+7.95 EUR
25+2.86 EUR
250+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGFW20H65FB en.DM00130550.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGFW20H65FB THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGFW20V60F en.DM00088507.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGFW20V60F THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGFW30H65FB en.DM00106084.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGFW30H65FB THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGFW40H65FB en.DM00093857.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGFW40H65FB THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGFW40V60DF en.DM00080360.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGFW40V60DF THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGFW40V60F en.DM00086251.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGFW40V60F THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGH30H65DFB-2AG stgh30h65dfb-2ag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 260W; H2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: H2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 285 570 855 1140 1159 1160 1161 1162 1163 1164 1165 1166 1167 1168 1169 1425 1710 1995 2280 2565 2850 2859  [ Nächste Seite >> ]