Produkte > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > Alle Produkte des Herstellers TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION (25493) > Seite 102 nach 425
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| MUR860HC0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE STANDARD 600V 8A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 |
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MUR8L60 C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
 Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220ACPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 65 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
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MUR8L60HC0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC |
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MURF10L60 C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A ITO220AC Packaging: Tube Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: ITO-220AC Current - Average Rectified (Io): 10A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 65 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Full Pack |
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MURF1640CT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ARRAY GP 400V ITO-220AB |
auf Bestellung 435 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MURF1660CT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ARRAY GP 600V ITO-220AB |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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MURF1660CTHC0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ARRAY GP 600V ITO-220AB |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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MURF8L60 C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Discontinued at Digi-Key Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: ITO-220AC Current - Average Rectified (Io): 8A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 65 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Full Pack Packaging: Tube |
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RDBLS207G C1G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A DBLS Packaging: Tube Package / Case: 4-SMD, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: DBLS Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV Current - Average Rectified (Io): 2 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1000 V |
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RDBLS207GHC1G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A DBLS Packaging: Tube Package / Case: 4-SMD, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: DBLS Grade: Automotive Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV Current - Average Rectified (Io): 2 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1000 V Qualification: AEC-Q101 |
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SF1003G C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 150V 10A TO220AB |
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SF1004G C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 10A TO220AB |
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SF1004GHC0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 10A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220AB Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 |
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SF1601PTHC0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 50V 16A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 85pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 16A Supplier Device Package: TO-247AD (TO-3P) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V |
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SF1602PTHC0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 100V 16A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 85pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 16A Supplier Device Package: TO-247AD (TO-3P) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V |
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SF1603PTHC0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 150V 16A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 85pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 16A Supplier Device Package: TO-247AD (TO-3P) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V Qualification: AEC-Q101 |
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SF1604G C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 16A TO220AB |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SF1604PTHC0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 16A TO247AD |
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SF1605G C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 300V 16A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 16A Supplier Device Package: TO-220AB Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V |
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SF1605GHC0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 300V 16A TO220AB |
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SF1605PTHC0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 300V 16A TO247AD |
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SF1606PTHC0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 400V 16A TO247AD |
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SF1607PTHC0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 500V 16A TO247AD |
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SF1608PTHC0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 16A TO247AD |
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SF2001PTHC0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 50V 20A TO247AD |
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Mindestbestellmenge: 900 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SF2002PTHC0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 100V 20A TO247AD |
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Mindestbestellmenge: 900 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SF2003PTHC0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 150V 20A TO247AD |
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Mindestbestellmenge: 900 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SF2004PT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 20A TO247AD |
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Mindestbestellmenge: 900 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SF2004PTHC0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 20A TO247AD |
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Mindestbestellmenge: 900 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SF2005PTHC0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 300V 20A TO247AD |
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Mindestbestellmenge: 900 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SF2006PTHC0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 400V 20A TO247AD |
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Mindestbestellmenge: 900 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SF2007PTHC0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 500V 20A TO247AD |
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Mindestbestellmenge: 900 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SF2008PTHC0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 20A TO247AD |
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Mindestbestellmenge: 900 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SF3001PTHC0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 50V 30A TO247AD |
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SF3002PT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 100V 30A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-247AD (TO-3P) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V |
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SF3002PTHC0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 100V 30A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-247AD (TO-3P) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V Qualification: AEC-Q101 |
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SF3003PTHC0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE STANDARD 150V 30A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-247AD (TO-3P) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V Qualification: AEC-Q101 |
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SF3004PTHC0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 30A TO247AD |
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SF3006PT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 400V 30A TO247AD |
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Mindestbestellmenge: 900 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SF3006PTHC0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 400V 30A TO247AD |
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SF3008PTHC0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD |
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Mindestbestellmenge: 900 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SFA1001G C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 50V 10A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V |
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| SFA1001GHC0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE STANDARD 50V 10A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V Qualification: AEC-Q101 |
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SFA1003G C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 150V 10A TO220AC |
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SFAF1003G C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 150V 10A ITO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 170pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: ITO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V |
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SFAF1605G C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 300V 16A ITO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 16A Supplier Device Package: ITO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SFAF1605GHC0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 300V 16A ITO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 16A Supplier Device Package: ITO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SFAF502G C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 100V 5A ITO220AC |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SFF1003G C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 150V 10A ITO220AB |
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SFF1605G C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 300V 16A ITO220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SFF1605GHC0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 300V 16A ITO220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SFF1606GHC0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 400V 16A ITO220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SFF1608G C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 16A ITO220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SFF502G C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE STANDARD 100V 5A ITO220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SR1040 C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 10A TO220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SR1040HC0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 10A TO220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SR1060 C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 10A TO220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SR1060HC0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 10A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220AB Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SR1090 C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 90V 10A TO220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SR1090HC0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 90V 10A TO220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MUR860HC0G |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 600V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE STANDARD 600V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR8L60 C0G |
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Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR8L60HC0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MURF10L60 C0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A ITO220AC
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: ITO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 10A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A ITO220AC
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: ITO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 10A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MURF1640CT C0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY GP 400V ITO-220AB
Description: DIODE ARRAY GP 400V ITO-220AB
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| MURF1660CT C0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY GP 600V ITO-220AB
Description: DIODE ARRAY GP 600V ITO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MURF1660CTHC0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY GP 600V ITO-220AB
Description: DIODE ARRAY GP 600V ITO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MURF8L60 C0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: ITO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 8A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Packaging: Tube
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: ITO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 8A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RDBLS207G C1G |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A DBLS
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DBLS
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1000 V
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A DBLS
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DBLS
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RDBLS207GHC1G |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A DBLS
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DBLS
Grade: Automotive
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A DBLS
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DBLS
Grade: Automotive
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SF1003G C0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 150V 10A TO220AB
Description: DIODE GEN PURP 150V 10A TO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SF1004G C0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 10A TO220AB
Description: DIODE GEN PURP 200V 10A TO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SF1004GHC0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE GEN PURP 200V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SF1601PTHC0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 16A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 85pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-247AD (TO-3P)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Description: DIODE GEN PURP 50V 16A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 85pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-247AD (TO-3P)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SF1602PTHC0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 16A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 85pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-247AD (TO-3P)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Description: DIODE GEN PURP 100V 16A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 85pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-247AD (TO-3P)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SF1603PTHC0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 150V 16A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 85pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-247AD (TO-3P)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE GEN PURP 150V 16A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 85pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-247AD (TO-3P)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SF1604G C0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 16A TO220AB
Description: DIODE GEN PURP 200V 16A TO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SF1604PTHC0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 16A TO247AD
Description: DIODE GEN PURP 200V 16A TO247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SF1605G C0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 16A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
Description: DIODE GEN PURP 300V 16A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SF1605GHC0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 16A TO220AB
Description: DIODE GEN PURP 300V 16A TO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SF1605PTHC0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 16A TO247AD
Description: DIODE GEN PURP 300V 16A TO247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SF1606PTHC0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 16A TO247AD
Description: DIODE GEN PURP 400V 16A TO247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SF1607PTHC0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 500V 16A TO247AD
Description: DIODE GEN PURP 500V 16A TO247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SF1608PTHC0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 16A TO247AD
Description: DIODE GEN PURP 600V 16A TO247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SF2001PTHC0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 20A TO247AD
Description: DIODE GEN PURP 50V 20A TO247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 900 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SF2002PTHC0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 20A TO247AD
Description: DIODE GEN PURP 100V 20A TO247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 900 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SF2003PTHC0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 150V 20A TO247AD
Description: DIODE GEN PURP 150V 20A TO247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 900 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SF2004PT C0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 20A TO247AD
Description: DIODE GEN PURP 200V 20A TO247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 900 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SF2004PTHC0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 20A TO247AD
Description: DIODE GEN PURP 200V 20A TO247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 900 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SF2005PTHC0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 20A TO247AD
Description: DIODE GEN PURP 300V 20A TO247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 900 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SF2006PTHC0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 20A TO247AD
Description: DIODE GEN PURP 400V 20A TO247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 900 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SF2007PTHC0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 500V 20A TO247AD
Description: DIODE GEN PURP 500V 20A TO247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 900 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SF2008PTHC0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 20A TO247AD
Description: DIODE GEN PURP 600V 20A TO247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 900 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SF3001PTHC0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 30A TO247AD
Description: DIODE GEN PURP 50V 30A TO247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SF3002PT C0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247AD (TO-3P)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Description: DIODE GEN PURP 100V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247AD (TO-3P)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SF3002PTHC0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247AD (TO-3P)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE GEN PURP 100V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247AD (TO-3P)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SF3003PTHC0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 150V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247AD (TO-3P)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE STANDARD 150V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247AD (TO-3P)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SF3004PTHC0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 30A TO247AD
Description: DIODE GEN PURP 200V 30A TO247AD
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Stück im Wert von UAH
| SF3006PT C0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 30A TO247AD
Description: DIODE GEN PURP 400V 30A TO247AD
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Mindestbestellmenge: 900 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SF3006PTHC0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 30A TO247AD
Description: DIODE GEN PURP 400V 30A TO247AD
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| SF3008PTHC0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 900 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| SFA1001G C0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Description: DIODE GEN PURP 50V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
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Stück im Wert von UAH
| SFA1001GHC0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 50V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE STANDARD 50V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
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Stück im Wert von UAH
| SFA1003G C0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 150V 10A TO220AC
Description: DIODE GEN PURP 150V 10A TO220AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SFAF1003G C0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 150V 10A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 170pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V
Description: DIODE GEN PURP 150V 10A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 170pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V
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Stück im Wert von UAH
| SFAF1605G C0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 16A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
Description: DIODE GEN PURP 300V 16A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
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Stück im Wert von UAH
| SFAF1605GHC0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 16A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
Description: DIODE GEN PURP 300V 16A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
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Stück im Wert von UAH
| SFAF502G C0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 5A ITO220AC
Description: DIODE GEN PURP 100V 5A ITO220AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SFF1003G C0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 150V 10A ITO220AB
Description: DIODE GEN PURP 150V 10A ITO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SFF1605G C0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 16A ITO220AB
Description: DIODE GEN PURP 300V 16A ITO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SFF1605GHC0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 16A ITO220AB
Description: DIODE GEN PURP 300V 16A ITO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SFF1606GHC0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 16A ITO220AB
Description: DIODE GEN PURP 400V 16A ITO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SFF1608G C0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 16A ITO220AB
Description: DIODE GEN PURP 600V 16A ITO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SFF502G C0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 100V 5A ITO220AB
Description: DIODE STANDARD 100V 5A ITO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SR1040 C0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 10A TO220AB
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 10A TO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SR1040HC0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 10A TO220AB
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 10A TO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SR1060 C0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 10A TO220AB
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 10A TO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SR1060HC0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SR1090 C0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 90V 10A TO220AB
Description: DIODE SCHOTTKY 90V 10A TO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SR1090HC0G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 90V 10A TO220AB
Description: DIODE SCHOTTKY 90V 10A TO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH