Produkte > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > Alle Produkte des Herstellers TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION (25771) > Seite 211 nach 430
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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HER1603PT | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ARRAY GP 200V 16A TO247ADPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A (DC) Supplier Device Package: TO-247AD (TO-3P) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
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HER101G A0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204ALPackaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V |
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HER1603G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ARRAY GP 200V 16A TO-220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A (DC) Supplier Device Package: TO-220AB Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SRF2050 C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 50V ITO220AB |
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SRF2050HC0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 50V ITO220AB |
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SRT15 | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 1A TS-1Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: T-18, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: TS-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 50 V |
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SRT15H | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 1A TS-1Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: T-18, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: TS-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 50 V |
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PGSMAJ30CAHF4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO214ACPackaging: Bulk Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8.3A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 33.3V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.4V Power - Peak Pulse: 400W Power Line Protection: No Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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PGSMAJ30CA F3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO214ACPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Applications: Automotive Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8.3A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 33.3V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.4V Power - Peak Pulse: 400W Power Line Protection: No |
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PGSMAJ30CAHE2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO214ACPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Applications: Automotive Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8.3A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 33.3V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.4V Power - Peak Pulse: 400W Power Line Protection: No |
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ES1AL MQG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA |
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ES1AL M2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMAPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V |
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ES1A M2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC |
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ES1AL RHG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMAPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V |
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ES1AL RUG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA |
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ES1ALHMHG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMAPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V |
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ES1AL MTG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA |
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ES1AHR3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC |
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ES1AHM2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC |
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ES1ALHRFG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA |
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ES1AL MHG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMAPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V |
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ES1ALHM2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMAPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V |
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ES1A R3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC |
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ES1ALHMTG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA |
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ES1ALHRQG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA |
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ES1ALHRUG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA |
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ES1AL RQG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA |
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1N5263B A0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 56V 500MW DO35 |
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BZW04-78 R1G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 78VWM 125VC DO204AL |
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SRS10100H | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ARR SCHOT 100V 10A TO263ABPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V Qualification: AEC-Q101 |
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Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SRS10150H | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ARR SCHOT 150V 10A TO263ABPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 150 V Qualification: AEC-Q101 |
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Mindestbestellmenge: 1600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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MBRS10150CTH | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ARR SCHOT 150V 10A TO263ABPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 150 V Qualification: AEC-Q101 |
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Mindestbestellmenge: 1600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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MBRS10100H | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO263ABPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V Qualification: AEC-Q101 |
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Mindestbestellmenge: 1600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SMF58AH | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 58VWM 95VC SOD123WPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123W Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.1A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 58V Supplier Device Package: SOD-123W Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 64.4V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 95V Power - Peak Pulse: 200W Power Line Protection: No Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
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Mindestbestellmenge: 40000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BZD27C47PW | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 47V 1W SOD123W |
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Mindestbestellmenge: 20000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BZD27C47PW | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 47V 1W SOD123W |
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BZD27C47PWH | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 47V 1W SOD123W |
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Mindestbestellmenge: 20000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BZD27C47PWH | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 47V 1W SOD123W |
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BZD27C47P MQG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 47V 1W SUB SMA |
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BZD27C47P MHG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 47V 1W SUB SMA |
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BZD27C47P RTG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 47V 1W SUB SMA |
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BZD27C47P R3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 47V 1W SUB SMA |
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BZD27C47P RQG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 47V 1W SUB SMA |
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BZD27C47P M2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 47V 1W SUB SMA |
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BZD27C47P RUG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 47V 1W SUB SMA |
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BZD27C47P RFG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 47V 1W SUB SMA |
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BZD27C47P RHG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 47V 1W SUB SMA |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BZD27C47P MTG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 47V 1W SUB SMA |
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TESDL5V0 RWG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: 1005, 5V, 75W, 15PF, ESD PROTECTPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 1005 (2512 Metric) Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Applications: USB Capacitance @ Frequency: 15pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max) Supplier Device Package: 1005 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 5.1V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V Power - Peak Pulse: 75W Power Line Protection: No |
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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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TESDL12V RWG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: 1005, 12V, 25W, 12PF, ESD PROTECPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 1005 (2512 Metric) Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Applications: USB Capacitance @ Frequency: 12pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V (Max) Supplier Device Package: 1005 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 13V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 33V Power - Peak Pulse: 25W Power Line Protection: No |
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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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TESDL24V RWG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 24VWM 51VC 1005Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 1005 (2512 Metric) Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Applications: USB Capacitance @ Frequency: 10pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V (Max) Supplier Device Package: 1005 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 25V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 51V Power - Peak Pulse: 47W Power Line Protection: No Part Status: Obsolete |
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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SF18G B0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SF18G R0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SF18G R1G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SF18GHR0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SF18GHA0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SF18GHR1G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SF18GHB0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SMA4S30AH | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 30VWM 48.7VC SOD128Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-128 Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8.2A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V Supplier Device Package: SOD-128 Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 33.5V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.7V Power - Peak Pulse: 400W Power Line Protection: No Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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P6KE8.2AH | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS 600W 8.2V 5% DO-15Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Current - Peak Pulse (10/1000µs): 52A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 7.02V Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15) Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 7.79V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12.1V Power - Peak Pulse: 600W Power Line Protection: No Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| HER1603PT |
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Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY GP 200V 16A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A (DC)
Supplier Device Package: TO-247AD (TO-3P)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Description: DIODE ARRAY GP 200V 16A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A (DC)
Supplier Device Package: TO-247AD (TO-3P)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| HER101G A0G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| HER1603G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY GP 200V 16A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A (DC)
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Description: DIODE ARRAY GP 200V 16A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A (DC)
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SRF2050 C0G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 50V ITO220AB
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 50V ITO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SRF2050HC0G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 50V ITO220AB
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 50V ITO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SRT15 |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 1A TS-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: TS-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 50 V
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 1A TS-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: TS-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SRT15H |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 1A TS-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: TS-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 50 V
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 1A TS-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: TS-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| PGSMAJ30CAHF4G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO214AC
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.4V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO214AC
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.4V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| PGSMAJ30CA F3G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Automotive
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.4V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Description: TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Automotive
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.4V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| PGSMAJ30CAHE2G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Automotive
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.4V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Description: TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Automotive
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.4V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ES1AL MQG |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ES1AL M2G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ES1A M2G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ES1AL RHG |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ES1AL RUG |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ES1ALHMHG |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ES1AL MTG |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ES1AHR3G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ES1AHM2G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ES1ALHRFG |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ES1AL MHG |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ES1ALHM2G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ES1A R3G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ES1ALHMTG |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ES1ALHRQG |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ES1ALHRUG |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ES1AL RQG |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 1N5263B A0G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 56V 500MW DO35
Description: DIODE ZENER 56V 500MW DO35
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BZW04-78 R1G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 78VWM 125VC DO204AL
Description: TVS DIODE 78VWM 125VC DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SRS10100H |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARR SCHOT 100V 10A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE ARR SCHOT 100V 10A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SRS10150H |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARR SCHOT 150V 10A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 150 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE ARR SCHOT 150V 10A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 150 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1600 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRS10150CTH |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARR SCHOT 150V 10A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 150 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE ARR SCHOT 150V 10A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 150 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1600 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRS10100H |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1600 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SMF58AH |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 58VWM 95VC SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 58V
Supplier Device Package: SOD-123W
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 64.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 95V
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Description: TVS DIODE 58VWM 95VC SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 58V
Supplier Device Package: SOD-123W
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 64.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 95V
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 40000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BZD27C47PW |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 47V 1W SOD123W
Description: DIODE ZENER 47V 1W SOD123W
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 20000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BZD27C47PW |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 47V 1W SOD123W
Description: DIODE ZENER 47V 1W SOD123W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BZD27C47PWH |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 47V 1W SOD123W
Description: DIODE ZENER 47V 1W SOD123W
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 20000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BZD27C47PWH |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 47V 1W SOD123W
Description: DIODE ZENER 47V 1W SOD123W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BZD27C47P MQG |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 47V 1W SUB SMA
Description: DIODE ZENER 47V 1W SUB SMA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BZD27C47P MHG |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 47V 1W SUB SMA
Description: DIODE ZENER 47V 1W SUB SMA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BZD27C47P RTG |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 47V 1W SUB SMA
Description: DIODE ZENER 47V 1W SUB SMA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BZD27C47P R3G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 47V 1W SUB SMA
Description: DIODE ZENER 47V 1W SUB SMA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BZD27C47P RQG |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 47V 1W SUB SMA
Description: DIODE ZENER 47V 1W SUB SMA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BZD27C47P M2G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 47V 1W SUB SMA
Description: DIODE ZENER 47V 1W SUB SMA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BZD27C47P RUG |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 47V 1W SUB SMA
Description: DIODE ZENER 47V 1W SUB SMA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BZD27C47P RFG |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 47V 1W SUB SMA
Description: DIODE ZENER 47V 1W SUB SMA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BZD27C47P RHG |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 47V 1W SUB SMA
Description: DIODE ZENER 47V 1W SUB SMA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BZD27C47P MTG |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 47V 1W SUB SMA
Description: DIODE ZENER 47V 1W SUB SMA
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| TESDL5V0 RWG |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 1005, 5V, 75W, 15PF, ESD PROTECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1005 (2512 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: USB
Capacitance @ Frequency: 15pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: 1005
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 75W
Power Line Protection: No
Description: 1005, 5V, 75W, 15PF, ESD PROTECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1005 (2512 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: USB
Capacitance @ Frequency: 15pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: 1005
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 75W
Power Line Protection: No
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| TESDL12V RWG |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 1005, 12V, 25W, 12PF, ESD PROTEC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1005 (2512 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: USB
Capacitance @ Frequency: 12pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V (Max)
Supplier Device Package: 1005
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 13V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 33V
Power - Peak Pulse: 25W
Power Line Protection: No
Description: 1005, 12V, 25W, 12PF, ESD PROTEC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1005 (2512 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: USB
Capacitance @ Frequency: 12pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V (Max)
Supplier Device Package: 1005
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 13V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 33V
Power - Peak Pulse: 25W
Power Line Protection: No
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| TESDL24V RWG |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 24VWM 51VC 1005
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1005 (2512 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: USB
Capacitance @ Frequency: 10pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V (Max)
Supplier Device Package: 1005
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 25V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 51V
Power - Peak Pulse: 47W
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
Description: TVS DIODE 24VWM 51VC 1005
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1005 (2512 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: USB
Capacitance @ Frequency: 10pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V (Max)
Supplier Device Package: 1005
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 25V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 51V
Power - Peak Pulse: 47W
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SF18G B0G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SF18G R0G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SF18G R1G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SF18GHR0G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SF18GHA0G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SF18GHR1G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SF18GHB0G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SMA4S30AH |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30VWM 48.7VC SOD128
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: SOD-128
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.7V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: TVS DIODE 30VWM 48.7VC SOD128
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: SOD-128
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.7V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P6KE8.2AH |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS 600W 8.2V 5% DO-15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 52A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 7.02V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.79V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12.1V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Description: TVS 600W 8.2V 5% DO-15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 52A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 7.02V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.79V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12.1V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH















