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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
TK10A60W,S4VX(M TK10A60W,S4VX(M TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A384B880A1A97820&compId=TK10A60W.pdf?ci_sign=c43f6bb42aaa9efc7dca3b3aab4cd833cdd9cbf6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 30W; SC67
Mounting: THT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.7A
On-state resistance: 327mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: SC67
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60W5,S5VX(M TK10A60W5,S5VX(M TOSHIBA Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 30W; SC67
Mounting: THT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.7A
On-state resistance: 0.45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: SC67
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 832 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.49 EUR
33+2.23 EUR
42+1.72 EUR
45+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A80W,S4X(S TOSHIBA TK10A80W THT N channel transistors
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.53 EUR
21+3.43 EUR
23+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10E60W,S1VX(S TK10E60W,S1VX(S TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A384B880A1AC3820&compId=TK10E60W.pdf?ci_sign=fc87f83a23621d7c097797273810e715a99ac9aa Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 100W; TO220-3
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.7A
On-state resistance: 0.38Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO220-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110P10PL,RQ(S2 TK110P10PL,RQ(S2 TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8FCF3EFB67E620C4&compId=TK110P10PL.pdf?ci_sign=23704b55e91d1906705b4ebba7ae68a6f2b37490 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 160A; 75W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 781 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
67+1.07 EUR
81+0.88 EUR
93+0.78 EUR
107+0.67 EUR
114+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11P65W,RQ(S TK11P65W,RQ(S TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE896A06520E0BE33D6&compId=TK11P65W.pdf?ci_sign=e11fa6c45df881162a0a6cfdb584902628785808 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11.1A; 100W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.1A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12P60W.RVQ(S TOSHIBA TK12P60W SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12Q60W,S1VQ(S TOSHIBA TK12Q60W THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK13P25D,RQ(S TOSHIBA TK13P25D SMD N channel transistors
auf Bestellung 2690 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.36 EUR
87+0.83 EUR
91+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14A65W,S5X(M TK14A65W,S5X(M TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE896A0840E8A7D33D6&compId=TK14A65W.pdf?ci_sign=85ba79e6c279bdd0b221e086a8b4b57d46f1fb77 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.7A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.7A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.63 EUR
22+3.26 EUR
29+2.5 EUR
31+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15J50D(F) TOSHIBA TK15J50D THT N channel transistors
auf Bestellung 891 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.36 EUR
31+2.32 EUR
33+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK160F10N1L,LQ(O TOSHIBA TK160F10N1L SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16A60W,S4VX(M TK16A60W,S4VX(M TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EB80CAAFC9498BF&compId=TK16A60W.pdf?ci_sign=8f1a73f9031345ca466ee458e56303b918e6b7d4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.29 EUR
25+2.95 EUR
32+2.26 EUR
34+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16A60W5,S4VX(M TK16A60W5,S4VX(M TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EB73C5BBD3E38BF&compId=TK16A60W5.pdf?ci_sign=9042031ac700d6208e996187a469ec28c97584a7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 600 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16E60W,S1VX(S TOSHIBA TK16E60W THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16N60W,S1VF(S TK16N60W,S1VF(S TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE896A09AE534F4F3D6&compId=TK16N60W.pdf?ci_sign=14d919ccb13730055bd69860730f3609a5a5fe77 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 130W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16N60W5,S1VF(S TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8FD018677F1AA0C4&compId=TK16N60W5.pdf?ci_sign=c6fb5f0834270b5b933e430f414031b47ad79699 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; Idm: 63.2A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Pulsed drain current: 63.2A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK18A30D,S5X(M TOSHIBA TK18A30D THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK20A60W,S5VX(M TK20A60W,S5VX(M TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885F9BD7143C82A18&compId=TK20A60W.pdf?ci_sign=2d033c669903900ec48336f8ceb5004a58a0d505 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.15 EUR
20+3.72 EUR
24+3.1 EUR
25+2.93 EUR
250+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK20G60W,RVQ(S TK20G60W,RVQ(S TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885F9EF8859632A18&compId=TK20G60W.pdf?ci_sign=f63079b43d620741c3f3658a20731053357a5ed6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 165W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 165W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK20N60W,S1VF(S TK20N60W,S1VF(S TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89DC3811EDF6713D7&compId=TK20N60W.pdf?ci_sign=f502d49ea81b250e8f5fb3bff77b5d640590a69b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 165W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 55nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 341 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+7.02 EUR
14+5.13 EUR
15+4.93 EUR
23+3.25 EUR
24+3.07 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK20P04M1,RQ(S TK20P04M1,RQ(S TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A384B880A1B05820&compId=TK20P04M1.pdf?ci_sign=dcdb312d8417e945986fc5b1aad0d1ec002f094f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 27W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
Power dissipation: 27W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK22E10N1,S1X(S TK22E10N1,S1X(S TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885FA07696DE3EA18&compId=TK22E10N1.pdf?ci_sign=32e97cc616b7f12d6e68551f185a9fc0e17142a5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 72W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Power dissipation: 72W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
63+1.14 EUR
70+1.03 EUR
79+0.91 EUR
91+0.79 EUR
97+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25S06N1L,LQ(O TOSHIBA TK25S06N1L SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK2K2A60F,S4X(S TOSHIBA TK2K2A60F THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK30E06N1,S1X(S TOSHIBA TK30E06N1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK31E60W,S1VX(S TK31E60W,S1VX(S TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7979737AEDD9DC748&compId=TK31E60W.pdf?ci_sign=03d231e8cf6337c0e8d3e776418f169461dce538 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30.8A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30.8A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 230W
Gate charge: 86nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.42 EUR
15+4.88 EUR
20+3.73 EUR
21+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK31V60W5,LVQ(S TOSHIBA TK31V60W5 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK32E12N1,S1X(S TK32E12N1,S1X(S TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE896A0A665FE4F33D6&compId=TK32E12N1.pdf?ci_sign=68de0fe190e5007618ec57abf567a23048d0bef0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 32A; 98W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 32A
Power dissipation: 98W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK33S10N1L,LQ(O TK33S10N1L,LQ(O TOSHIBA Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 125W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 125W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 378 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+2.03 EUR
40+1.83 EUR
50+1.46 EUR
53+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK34E10N1,S1X(S TK34E10N1,S1X(S TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A384B96BD221F820&compId=TK34E10N1.pdf?ci_sign=eb28cecc78e148e75c60151993e386db50c2788d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 103W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 103W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 722 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
64+1.13 EUR
72+1 EUR
79+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK35E08N1,S1X(S TOSHIBA TK35E08N1 THT N channel transistors
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.3 EUR
87+0.82 EUR
250+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK380A60Y,S4X TOSHIBA TK380A60Y_datasheet_en_20161115.pdf?did=53796&prodName=TK380A60Y TK380A60Y THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK39J60W,S1VQ(O TOSHIBA TK39J60W THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK39N60X,S1F(S TK39N60X,S1F(S TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A18363E33AF36143&compId=TK39N60X.pdf?ci_sign=7a24b4333102215aac6dba410abc1dfda65fb281 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38.8A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 85nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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TK3A65D TOSHIBA TK3A65D THT N channel transistors
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TK3P50D,RQ TOSHIBA TK3P50D SMD N channel transistors
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TK40E06N1,S1X(S TOSHIBA TK40E06N1 THT N channel transistors
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TK40E10N1,S1X(S TOSHIBA TK40E10N1 THT N channel transistors
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TK42A12N1,S4X(S TOSHIBA TK42A12N1 THT N channel transistors
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TK430A60F,S4X(S TK430A60F,S4X(S TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCA7F5DA4A40AB80CE&compId=TK430A60F.pdf?ci_sign=8bbd372a9bca02aad00cace09c323c17e3104aff Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 52A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 850 Stücke
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TK49N65W,S1F(S TOSHIBA TK49N65W THT N channel transistors
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TK4A60DA(STA4,Q,M) TK4A60DA(STA4,Q,M) TOSHIBA Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 35W; SC67
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 35W
Case: SC67
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 11nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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TK56E12N1,S1X(S TOSHIBA TK56E12N1 THT N channel transistors
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TK58E06N1,S1X TOSHIBA TK58E06N1_datasheet_en_20140630.pdf?did=13212&prodName=TK58E06N1 TK58E06N1 THT N channel transistors
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TK60S06K3L(T6L1,NQ TOSHIBA TK60S06K3L SMD N channel transistors
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TK60S10N1L,LQ(O TOSHIBA TK60S10N1L SMD N channel transistors
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TK62J60W,S1VQ(O TOSHIBA TK62J60W THT N channel transistors
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TK62N60W,S1VF(S TK62N60W,S1VF(S TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885FA7093DE8F2A18&compId=TK62N60W.pdf?ci_sign=41c61b8701ff99dd3347896f2374b3eeed2d2814 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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TK62N60W5,S1VF(S TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA83EC15521C42C0C4&compId=TK62N60W5.pdf?ci_sign=bed247333d238ad7a3e84a6e178bc1d8885936c6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; Idm: 247A; 400W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Pulsed drain current: 247A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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TK62N60X,S1F(S TK62N60X,S1F(S TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA83EC25672E8FC0C4&compId=TK62N60X.pdf?ci_sign=29247c40d2a24020e5ee13a4cea6db8c17c7e0fe Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; Idm: 247A; 400W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Pulsed drain current: 247A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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TK650A60F,S4X(S TOSHIBA TK650A60F THT N channel transistors
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TK65A10N1,S4X(S TOSHIBA TK65A10N1 THT N channel transistors
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TK65E10N1,S1X(S TOSHIBA TK65E10N1 THT N channel transistors
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TK65G10N1,RQ(S TOSHIBA TK65G10N1 SMD N channel transistors
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TK65S04K3L(T6L1,NQ TK65S04K3L(T6L1,NQ TOSHIBA docget.jsp?did=11262&prodName=TK65S04K3L Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 65A; 88W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 65A
Power dissipation: 88W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65S04N1L,LQ(O TOSHIBA TK65S04N1L SMD N channel transistors
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TK6A50D(STA4,Q,M) TOSHIBA docget.jsp?did=1082&prodName=TK6A50D TK6A50D THT N channel transistors
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TK6A60W,S4VX(M TK6A60W,S4VX(M TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885FA80E9F41C8A18&compId=TK6A60W.pdf?ci_sign=e003858dff5164ea2edb25a7c4c9aab6ec204db8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1200 Stücke
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TK6A65D(STA4,Q,M) TK6A65D(STA4,Q,M) TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA83EC930C90CD60C4&compId=TK6A65D.pdf?ci_sign=a7f8faeb0d9c3e63e5b25ee89d09c2fcf1c8ee4e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 24A; 45W; TO220FP
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
On-state resistance: 0.95Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 24A
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
37+1.94 EUR
48+1.5 EUR
74+0.97 EUR
5000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60W,S4VX(M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A384B880A1A97820&compId=TK10A60W.pdf?ci_sign=c43f6bb42aaa9efc7dca3b3aab4cd833cdd9cbf6
TK10A60W,S4VX(M
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 30W; SC67
Mounting: THT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.7A
On-state resistance: 327mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: SC67
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A60W5,S5VX(M
TK10A60W5,S5VX(M
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 30W; SC67
Mounting: THT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.7A
On-state resistance: 0.45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: SC67
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 832 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.49 EUR
33+2.23 EUR
42+1.72 EUR
45+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A80W,S4X(S
Hersteller: TOSHIBA
TK10A80W THT N channel transistors
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.53 EUR
21+3.43 EUR
23+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10E60W,S1VX(S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A384B880A1AC3820&compId=TK10E60W.pdf?ci_sign=fc87f83a23621d7c097797273810e715a99ac9aa
TK10E60W,S1VX(S
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 100W; TO220-3
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.7A
On-state resistance: 0.38Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO220-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110P10PL,RQ(S2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8FCF3EFB67E620C4&compId=TK110P10PL.pdf?ci_sign=23704b55e91d1906705b4ebba7ae68a6f2b37490
TK110P10PL,RQ(S2
Hersteller: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 160A; 75W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 781 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
81+0.88 EUR
93+0.78 EUR
107+0.67 EUR
114+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11P65W,RQ(S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE896A06520E0BE33D6&compId=TK11P65W.pdf?ci_sign=e11fa6c45df881162a0a6cfdb584902628785808
TK11P65W,RQ(S
Hersteller: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11.1A; 100W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.1A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12P60W.RVQ(S
Hersteller: TOSHIBA
TK12P60W SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12Q60W,S1VQ(S
Hersteller: TOSHIBA
TK12Q60W THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK13P25D,RQ(S
Hersteller: TOSHIBA
TK13P25D SMD N channel transistors
auf Bestellung 2690 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.36 EUR
87+0.83 EUR
91+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14A65W,S5X(M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE896A0840E8A7D33D6&compId=TK14A65W.pdf?ci_sign=85ba79e6c279bdd0b221e086a8b4b57d46f1fb77
TK14A65W,S5X(M
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.7A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.7A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.63 EUR
22+3.26 EUR
29+2.5 EUR
31+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK15J50D(F)
Hersteller: TOSHIBA
TK15J50D THT N channel transistors
auf Bestellung 891 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.36 EUR
31+2.32 EUR
33+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK160F10N1L,LQ(O
Hersteller: TOSHIBA
TK160F10N1L SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16A60W,S4VX(M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EB80CAAFC9498BF&compId=TK16A60W.pdf?ci_sign=8f1a73f9031345ca466ee458e56303b918e6b7d4
TK16A60W,S4VX(M
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.29 EUR
25+2.95 EUR
32+2.26 EUR
34+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16A60W5,S4VX(M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EB73C5BBD3E38BF&compId=TK16A60W5.pdf?ci_sign=9042031ac700d6208e996187a469ec28c97584a7
TK16A60W5,S4VX(M
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 600 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16E60W,S1VX(S
Hersteller: TOSHIBA
TK16E60W THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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TK16N60W,S1VF(S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE896A09AE534F4F3D6&compId=TK16N60W.pdf?ci_sign=14d919ccb13730055bd69860730f3609a5a5fe77
TK16N60W,S1VF(S
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 130W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16N60W5,S1VF(S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8FD018677F1AA0C4&compId=TK16N60W5.pdf?ci_sign=c6fb5f0834270b5b933e430f414031b47ad79699
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; Idm: 63.2A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Pulsed drain current: 63.2A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK18A30D,S5X(M
Hersteller: TOSHIBA
TK18A30D THT N channel transistors
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TK20A60W,S5VX(M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885F9BD7143C82A18&compId=TK20A60W.pdf?ci_sign=2d033c669903900ec48336f8ceb5004a58a0d505
TK20A60W,S5VX(M
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.15 EUR
20+3.72 EUR
24+3.1 EUR
25+2.93 EUR
250+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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TK20G60W,RVQ(S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885F9EF8859632A18&compId=TK20G60W.pdf?ci_sign=f63079b43d620741c3f3658a20731053357a5ed6
TK20G60W,RVQ(S
Hersteller: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 165W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 165W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK20N60W,S1VF(S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89DC3811EDF6713D7&compId=TK20N60W.pdf?ci_sign=f502d49ea81b250e8f5fb3bff77b5d640590a69b
TK20N60W,S1VF(S
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 165W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 55nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 341 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+7.02 EUR
14+5.13 EUR
15+4.93 EUR
23+3.25 EUR
24+3.07 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK20P04M1,RQ(S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A384B880A1B05820&compId=TK20P04M1.pdf?ci_sign=dcdb312d8417e945986fc5b1aad0d1ec002f094f
TK20P04M1,RQ(S
Hersteller: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 27W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
Power dissipation: 27W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK22E10N1,S1X(S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885FA07696DE3EA18&compId=TK22E10N1.pdf?ci_sign=32e97cc616b7f12d6e68551f185a9fc0e17142a5
TK22E10N1,S1X(S
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 72W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Power dissipation: 72W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.14 EUR
70+1.03 EUR
79+0.91 EUR
91+0.79 EUR
97+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 63
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TK25S06N1L,LQ(O
Hersteller: TOSHIBA
TK25S06N1L SMD N channel transistors
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TK2K2A60F,S4X(S
Hersteller: TOSHIBA
TK2K2A60F THT N channel transistors
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TK30E06N1,S1X(S
Hersteller: TOSHIBA
TK30E06N1 THT N channel transistors
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TK31E60W,S1VX(S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7979737AEDD9DC748&compId=TK31E60W.pdf?ci_sign=03d231e8cf6337c0e8d3e776418f169461dce538
TK31E60W,S1VX(S
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30.8A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30.8A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 230W
Gate charge: 86nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.42 EUR
15+4.88 EUR
20+3.73 EUR
21+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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TK31V60W5,LVQ(S
Hersteller: TOSHIBA
TK31V60W5 SMD N channel transistors
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TK32E12N1,S1X(S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE896A0A665FE4F33D6&compId=TK32E12N1.pdf?ci_sign=68de0fe190e5007618ec57abf567a23048d0bef0
TK32E12N1,S1X(S
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 32A; 98W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 32A
Power dissipation: 98W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK33S10N1L,LQ(O
TK33S10N1L,LQ(O
Hersteller: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 125W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 125W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 378 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+2.03 EUR
40+1.83 EUR
50+1.46 EUR
53+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK34E10N1,S1X(S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A384B96BD221F820&compId=TK34E10N1.pdf?ci_sign=eb28cecc78e148e75c60151993e386db50c2788d
TK34E10N1,S1X(S
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 103W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 103W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 722 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
64+1.13 EUR
72+1 EUR
79+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK35E08N1,S1X(S
Hersteller: TOSHIBA
TK35E08N1 THT N channel transistors
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.3 EUR
87+0.82 EUR
250+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK380A60Y,S4X TK380A60Y_datasheet_en_20161115.pdf?did=53796&prodName=TK380A60Y
Hersteller: TOSHIBA
TK380A60Y THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK39J60W,S1VQ(O
Hersteller: TOSHIBA
TK39J60W THT N channel transistors
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TK39N60X,S1F(S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A18363E33AF36143&compId=TK39N60X.pdf?ci_sign=7a24b4333102215aac6dba410abc1dfda65fb281
TK39N60X,S1F(S
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38.8A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 85nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.45 EUR
12+6.06 EUR
30+6.03 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK3A65D
Hersteller: TOSHIBA
TK3A65D THT N channel transistors
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.46 EUR
29+2.46 EUR
50+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK3P50D,RQ
Hersteller: TOSHIBA
TK3P50D SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK40E06N1,S1X(S
Hersteller: TOSHIBA
TK40E06N1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK40E10N1,S1X(S
Hersteller: TOSHIBA
TK40E10N1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK42A12N1,S4X(S
Hersteller: TOSHIBA
TK42A12N1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK430A60F,S4X(S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCA7F5DA4A40AB80CE&compId=TK430A60F.pdf?ci_sign=8bbd372a9bca02aad00cace09c323c17e3104aff
TK430A60F,S4X(S
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 52A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 850 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK49N65W,S1F(S
Hersteller: TOSHIBA
TK49N65W THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK4A60DA(STA4,Q,M)
TK4A60DA(STA4,Q,M)
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 35W; SC67
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 35W
Case: SC67
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 11nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 534 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
75+0.96 EUR
101+0.71 EUR
114+0.63 EUR
115+0.62 EUR
125+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK56E12N1,S1X(S
Hersteller: TOSHIBA
TK56E12N1 THT N channel transistors
auf Bestellung 489 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.73 EUR
40+1.8 EUR
42+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK58E06N1,S1X TK58E06N1_datasheet_en_20140630.pdf?did=13212&prodName=TK58E06N1
Hersteller: TOSHIBA
TK58E06N1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60S06K3L(T6L1,NQ
Hersteller: TOSHIBA
TK60S06K3L SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60S10N1L,LQ(O
Hersteller: TOSHIBA
TK60S10N1L SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62J60W,S1VQ(O
Hersteller: TOSHIBA
TK62J60W THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60W,S1VF(S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885FA7093DE8F2A18&compId=TK62N60W.pdf?ci_sign=41c61b8701ff99dd3347896f2374b3eeed2d2814
TK62N60W,S1VF(S
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60W5,S1VF(S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA83EC15521C42C0C4&compId=TK62N60W5.pdf?ci_sign=bed247333d238ad7a3e84a6e178bc1d8885936c6
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; Idm: 247A; 400W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Pulsed drain current: 247A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60X,S1F(S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA83EC25672E8FC0C4&compId=TK62N60X.pdf?ci_sign=29247c40d2a24020e5ee13a4cea6db8c17c7e0fe
TK62N60X,S1F(S
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; Idm: 247A; 400W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Pulsed drain current: 247A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK650A60F,S4X(S
Hersteller: TOSHIBA
TK650A60F THT N channel transistors
auf Bestellung 1012 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.62 EUR
40+1.79 EUR
43+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65A10N1,S4X(S
Hersteller: TOSHIBA
TK65A10N1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65E10N1,S1X(S
Hersteller: TOSHIBA
TK65E10N1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65G10N1,RQ(S
Hersteller: TOSHIBA
TK65G10N1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65S04K3L(T6L1,NQ docget.jsp?did=11262&prodName=TK65S04K3L
TK65S04K3L(T6L1,NQ
Hersteller: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 65A; 88W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 65A
Power dissipation: 88W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65S04N1L,LQ(O
Hersteller: TOSHIBA
TK65S04N1L SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6A50D(STA4,Q,M) docget.jsp?did=1082&prodName=TK6A50D
Hersteller: TOSHIBA
TK6A50D THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6A60W,S4VX(M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885FA80E9F41C8A18&compId=TK6A60W.pdf?ci_sign=e003858dff5164ea2edb25a7c4c9aab6ec204db8
TK6A60W,S4VX(M
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1200 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6A65D(STA4,Q,M) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA83EC930C90CD60C4&compId=TK6A65D.pdf?ci_sign=a7f8faeb0d9c3e63e5b25ee89d09c2fcf1c8ee4e
TK6A65D(STA4,Q,M)
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 24A; 45W; TO220FP
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
On-state resistance: 0.95Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 24A
Mounting: THT
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