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TCR2EF30,LM(CT | TOSHIBA |
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TCR2EF33,LM(CT | TOSHIBA |
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TCR2EF41,LM(CT | TOSHIBA |
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TCR2EF45,LM(CT | TOSHIBA |
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TCR2LE18,LM(CT | TOSHIBA |
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TCR2LF18,LM(CT | TOSHIBA |
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TCR2LF25,LM(CT | TOSHIBA |
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TCR2LF30,LM(CT | TOSHIBA |
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TCR2LF36,LM(CT | TOSHIBA |
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TCR3UG12A,LF(S | TOSHIBA | TCR3UG12A LDO unregulated voltage regulators |
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TCR3UG30A,LF(S | TOSHIBA | TCR3UG30A LDO unregulated voltage regulators |
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TCR3UG33A,LF(S | TOSHIBA | TCR3UG33A LDO unregulated voltage regulators |
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TCR5AM10,LF(S | TOSHIBA | TCR5AM10 LDO unregulated voltage regulators |
auf Bestellung 992 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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TCR5AM11,LF(S | TOSHIBA | TCR5AM11 LDO unregulated voltage regulators |
auf Bestellung 57 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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TCR5AM12,LF(S | TOSHIBA | TCR5AM12 LDO unregulated voltage regulators |
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TDTA114E,LM(T | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.32W; SOT23; R1: 10kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.32W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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TDTA123J,LM(T | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.32W; SOT23; R1: 2.2kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.32W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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TDTA124E,LM(T | TOSHIBA | TDTA124E PNP SMD transistors |
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TDTA143E,LM(T | TOSHIBA | TDTA143E PNP SMD transistors |
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TDTA144E,LM(T | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.32W; SOT23; R1: 47kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.32W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 47kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 48610 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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TDTC114E,LM(T | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.32W; SOT23; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Power dissipation: 0.32W Frequency: 250MHz Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 3570 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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TDTC114Y,LM(T | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; SOT23; R1: 10kΩ; R2: 47kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 6580 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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TDTC123J,LM(T | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.32W; SOT23; R1: 2.2kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.32W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 4629 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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TDTC124E,LM(T | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.32W; SOT23; R1: 22kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.32W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 22kΩ Base-emitter resistor: 22kΩ Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 7460 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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TDTC143E,LM(T | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.32W; SOT23; R1: 4.7kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.32W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 4.7kΩ Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 4340 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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TDTC143Z,LM(T | TOSHIBA | TDTC143Z NPN SMD transistors |
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TDTC144E,LM(T | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.32W; SOT23; R1: 47kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.32W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 47kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 10640 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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TJ15S06M3L(T6L1,NQ | TOSHIBA |
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TJ30S06M3L,LXHQ(O | TOSHIBA | TJ30S06M3L SMD P channel transistors |
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TJ60S06M3L(T6L1,NQ | TOSHIBA |
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TJ9A10M3,S4Q | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -9A; 19W; TO220FP Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -9A Power dissipation: 19W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Gate charge: 47nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
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TK040N65Z,S1F(S | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 57A; Idm: 228A; 360W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 360W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 228A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 650V Polarisation: unipolar On-state resistance: 33mΩ Drain current: 57A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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TK100A06N1,S4X(S | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 263A; 45W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 263A Power dissipation: 45W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 506 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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TK100E06N1,S1X(S | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 255W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 255W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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TK100E10N1,S1X(S | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 255W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 255W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Drain current: 100A On-state resistance: 2.8mΩ Gate charge: 0.14µC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 612 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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TK10A60W,S4VX(M | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 30W; SC67 Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 20nC On-state resistance: 327mΩ Drain current: 9.7A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 30W Drain-source voltage: 600V Kind of package: tube Case: SC67 Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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TK10A60W5,S5VX(M | TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 30W; SC67 Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 25nC On-state resistance: 0.45Ω Drain current: 9.7A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 30W Drain-source voltage: 600V Case: SC67 Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 826 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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TK10A80W,S4X(S | TOSHIBA | TK10A80W THT N channel transistors |
auf Bestellung 115 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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TK10E60W,S1VX(S | TOSHIBA | TK10E60W THT N channel transistors |
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TK110P10PL,RQ(S2 | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 160A; 75W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 75W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 777 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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TK11P65W,RQ(S | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11.1A; 100W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11.1A Power dissipation: 100W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 440mΩ Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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TK12P60W.RVQ(S | TOSHIBA | TK12P60W SMD N channel transistors |
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TK12Q60W,S1VQ(S | TOSHIBA | TK12Q60W THT N channel transistors |
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TK13P25D,RQ(S | TOSHIBA | TK13P25D SMD N channel transistors |
auf Bestellung 2690 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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TK14A65W,S5X(M | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.7A; 40W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 13.7A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 68 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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TK15J50D(F) | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 210W; TO3PN Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate charge: 38nC On-state resistance: 0.4Ω Drain current: 15A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 210W Drain-source voltage: 500V Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Case: TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 857 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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TK160F10N1L,LQ(O | TOSHIBA | TK160F10N1L SMD N channel transistors |
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TK16A60W,S4VX(M | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 40W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15.8A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 62 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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TK16A60W5,S4VX(M | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 40W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15.8A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 600 Stücke |
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TK16E60W,S1VX(S | TOSHIBA | TK16E60W THT N channel transistors |
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TK16N60W,S1VF(S | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 130W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15.8A Power dissipation: 130W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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TK16N60W5,S1VF(S | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; Idm: 63.2A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15.8A Pulsed drain current: 63.2A Power dissipation: 130W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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TK18A30D,S5X(M | TOSHIBA | TK18A30D THT N channel transistors |
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TK20A60W,S5VX(M | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 45W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 45W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: THT Gate charge: 48nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 83 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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TK20G60W,RVQ(S | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 165W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 165W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
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TK20N60W,S1VF(S | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 165W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 165W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 55nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 336 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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TK20P04M1,RQ(S | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 27W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 20A Power dissipation: 27W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 34mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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TK22E10N1,S1X(S | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 72W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 22A Power dissipation: 72W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 28nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 490 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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TK25S06N1L,LQ(O | TOSHIBA | TK25S06N1L SMD N channel transistors |
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TK2K2A60F,S4X(S | TOSHIBA | TK2K2A60F THT N channel transistors |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
TCR2EF30,LM(CT |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
TCR2EF30 LDO unregulated voltage regulators
TCR2EF30 LDO unregulated voltage regulators
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
TCR2EF33,LM(CT |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
TCR2EF33 LDO unregulated voltage regulators
TCR2EF33 LDO unregulated voltage regulators
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
TCR2EF41,LM(CT |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
TCR2EF41 LDO unregulated voltage regulators
TCR2EF41 LDO unregulated voltage regulators
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
TCR2EF45,LM(CT |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
TCR2EF45.LMCT LDO unregulated voltage regulators
TCR2EF45.LMCT LDO unregulated voltage regulators
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
TCR2LE18,LM(CT |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
TCR2LE18 LDO unregulated voltage regulators
TCR2LE18 LDO unregulated voltage regulators
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
TCR2LF18,LM(CT |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
TCR2LF18 LDO unregulated voltage regulators
TCR2LF18 LDO unregulated voltage regulators
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
TCR2LF25,LM(CT |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
TCR2LF25 LDO unregulated voltage regulators
TCR2LF25 LDO unregulated voltage regulators
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
TCR2LF30,LM(CT |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
TCR2LF30 LDO unregulated voltage regulators
TCR2LF30 LDO unregulated voltage regulators
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
TCR2LF36,LM(CT |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
TCR2LF36 LDO unregulated voltage regulators
TCR2LF36 LDO unregulated voltage regulators
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
TCR3UG12A,LF(S |
Hersteller: TOSHIBA
TCR3UG12A LDO unregulated voltage regulators
TCR3UG12A LDO unregulated voltage regulators
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
TCR3UG30A,LF(S |
Hersteller: TOSHIBA
TCR3UG30A LDO unregulated voltage regulators
TCR3UG30A LDO unregulated voltage regulators
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
TCR3UG33A,LF(S |
Hersteller: TOSHIBA
TCR3UG33A LDO unregulated voltage regulators
TCR3UG33A LDO unregulated voltage regulators
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
TCR5AM10,LF(S |
Hersteller: TOSHIBA
TCR5AM10 LDO unregulated voltage regulators
TCR5AM10 LDO unregulated voltage regulators
auf Bestellung 992 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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72+ | 1 EUR |
266+ | 0.27 EUR |
283+ | 0.25 EUR |
TCR5AM11,LF(S |
Hersteller: TOSHIBA
TCR5AM11 LDO unregulated voltage regulators
TCR5AM11 LDO unregulated voltage regulators
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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57+ | 1.26 EUR |
82+ | 0.87 EUR |
100+ | 0.72 EUR |
TCR5AM12,LF(S |
Hersteller: TOSHIBA
TCR5AM12 LDO unregulated voltage regulators
TCR5AM12 LDO unregulated voltage regulators
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Stück im Wert von UAH
TDTA114E,LM(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.32W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.32W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
TDTA123J,LM(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.32W; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.32W; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
TDTA124E,LM(T |
Hersteller: TOSHIBA
TDTA124E PNP SMD transistors
TDTA124E PNP SMD transistors
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TDTA143E,LM(T |
Hersteller: TOSHIBA
TDTA143E PNP SMD transistors
TDTA143E PNP SMD transistors
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Stück im Wert von UAH
TDTA144E,LM(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.32W; SOT23; R1: 47kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.32W; SOT23; R1: 47kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 48610 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1790+ | 0.04 EUR |
2580+ | 0.028 EUR |
2910+ | 0.025 EUR |
2950+ | 0.024 EUR |
3110+ | 0.023 EUR |
3230+ | 0.022 EUR |
TDTC114E,LM(T |
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Hersteller: TOSHIBA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.32W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.32W
Frequency: 250MHz
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.32W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.32W
Frequency: 250MHz
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 3570 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1520+ | 0.047 EUR |
2170+ | 0.033 EUR |
2460+ | 0.029 EUR |
2830+ | 0.025 EUR |
2980+ | 0.024 EUR |
TDTC114Y,LM(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; SOT23; R1: 10kΩ; R2: 47kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; SOT23; R1: 10kΩ; R2: 47kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 6580 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1790+ | 0.04 EUR |
2565+ | 0.028 EUR |
2910+ | 0.025 EUR |
2945+ | 0.024 EUR |
3110+ | 0.023 EUR |
3230+ | 0.022 EUR |
TDTC123J,LM(T |
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Hersteller: TOSHIBA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.32W; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.32W; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 4629 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1790+ | 0.04 EUR |
2580+ | 0.028 EUR |
2910+ | 0.025 EUR |
2950+ | 0.024 EUR |
3110+ | 0.023 EUR |
3230+ | 0.022 EUR |
TDTC124E,LM(T |
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Hersteller: TOSHIBA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.32W; SOT23; R1: 22kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.32W; SOT23; R1: 22kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 7460 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1790+ | 0.04 EUR |
2580+ | 0.028 EUR |
2910+ | 0.025 EUR |
2950+ | 0.024 EUR |
3110+ | 0.023 EUR |
3230+ | 0.022 EUR |
TDTC143E,LM(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.32W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.32W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 4340 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1520+ | 0.047 EUR |
2170+ | 0.033 EUR |
2460+ | 0.029 EUR |
2830+ | 0.025 EUR |
2980+ | 0.024 EUR |
TDTC143Z,LM(T |
Hersteller: TOSHIBA
TDTC143Z NPN SMD transistors
TDTC143Z NPN SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
TDTC144E,LM(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.32W; SOT23; R1: 47kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.32W; SOT23; R1: 47kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10640 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1790+ | 0.04 EUR |
2580+ | 0.028 EUR |
2910+ | 0.025 EUR |
2950+ | 0.024 EUR |
3110+ | 0.023 EUR |
3230+ | 0.022 EUR |
TJ15S06M3L(T6L1,NQ |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
TJ15S06M3L SMD P channel transistors
TJ15S06M3L SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
TJ30S06M3L,LXHQ(O |
Hersteller: TOSHIBA
TJ30S06M3L SMD P channel transistors
TJ30S06M3L SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
TJ60S06M3L(T6L1,NQ |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
TJ60S06M3L SMD P channel transistors
TJ60S06M3L SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
TJ9A10M3,S4Q |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -9A; 19W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -9A
Power dissipation: 19W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -9A; 19W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -9A
Power dissipation: 19W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
TK040N65Z,S1F(S |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 57A; Idm: 228A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 228A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 33mΩ
Drain current: 57A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 57A; Idm: 228A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 228A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 33mΩ
Drain current: 57A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
TK100A06N1,S4X(S |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 263A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 263A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 263A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 263A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 506 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
31+ | 2.32 EUR |
35+ | 2.07 EUR |
36+ | 2 EUR |
40+ | 1.83 EUR |
50+ | 1.82 EUR |
TK100E06N1,S1X(S |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 255W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 255W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 255W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 255W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
TK100E10N1,S1X(S |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 255W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 255W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.8mΩ
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 255W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 255W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.8mΩ
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 612 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
26+ | 2.85 EUR |
28+ | 2.57 EUR |
37+ | 1.96 EUR |
39+ | 1.86 EUR |
TK10A60W,S4VX(M |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 30W; SC67
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 327mΩ
Drain current: 9.7A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 30W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: tube
Case: SC67
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 30W; SC67
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 327mΩ
Drain current: 9.7A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 30W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: tube
Case: SC67
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
TK10A60W5,S5VX(M |
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 30W; SC67
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 0.45Ω
Drain current: 9.7A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 30W
Drain-source voltage: 600V
Case: SC67
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 30W; SC67
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 0.45Ω
Drain current: 9.7A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 30W
Drain-source voltage: 600V
Case: SC67
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 826 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
24+ | 3.1 EUR |
46+ | 1.56 EUR |
TK10A80W,S4X(S |
Hersteller: TOSHIBA
TK10A80W THT N channel transistors
TK10A80W THT N channel transistors
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
16+ | 4.53 EUR |
21+ | 3.43 EUR |
23+ | 3.25 EUR |
TK10E60W,S1VX(S |
Hersteller: TOSHIBA
TK10E60W THT N channel transistors
TK10E60W THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
TK110P10PL,RQ(S2 |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 160A; 75W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 160A; 75W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 777 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
67+ | 1.07 EUR |
81+ | 0.88 EUR |
93+ | 0.78 EUR |
107+ | 0.67 EUR |
114+ | 0.63 EUR |
TK11P65W,RQ(S |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11.1A; 100W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.1A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11.1A; 100W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.1A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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TK12P60W.RVQ(S |
Hersteller: TOSHIBA
TK12P60W SMD N channel transistors
TK12P60W SMD N channel transistors
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TK12Q60W,S1VQ(S |
Hersteller: TOSHIBA
TK12Q60W THT N channel transistors
TK12Q60W THT N channel transistors
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TK13P25D,RQ(S |
Hersteller: TOSHIBA
TK13P25D SMD N channel transistors
TK13P25D SMD N channel transistors
auf Bestellung 2690 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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53+ | 1.36 EUR |
87+ | 0.83 EUR |
91+ | 0.79 EUR |
TK14A65W,S5X(M |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.7A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.7A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.7A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.7A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 3.63 EUR |
22+ | 3.26 EUR |
29+ | 2.5 EUR |
31+ | 2.36 EUR |
TK15J50D(F) |
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Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 210W; TO3PN
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 0.4Ω
Drain current: 15A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 210W
Drain-source voltage: 500V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Case: TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 210W; TO3PN
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 0.4Ω
Drain current: 15A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 210W
Drain-source voltage: 500V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Case: TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 857 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
28+ | 2.56 EUR |
31+ | 2.33 EUR |
33+ | 2.2 EUR |
TK160F10N1L,LQ(O |
Hersteller: TOSHIBA
TK160F10N1L SMD N channel transistors
TK160F10N1L SMD N channel transistors
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TK16A60W,S4VX(M |
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Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
16+ | 4.55 EUR |
20+ | 3.69 EUR |
24+ | 3.09 EUR |
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33+ | 2.23 EUR |
34+ | 2.14 EUR |
35+ | 2.09 EUR |
TK16A60W5,S4VX(M |
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Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 600 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 600 Stücke
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Stück im Wert von UAH
TK16E60W,S1VX(S |
Hersteller: TOSHIBA
TK16E60W THT N channel transistors
TK16E60W THT N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
TK16N60W,S1VF(S |
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Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 130W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 130W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
TK16N60W5,S1VF(S |
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Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; Idm: 63.2A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Pulsed drain current: 63.2A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; Idm: 63.2A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Pulsed drain current: 63.2A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
TK18A30D,S5X(M |
Hersteller: TOSHIBA
TK18A30D THT N channel transistors
TK18A30D THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
TK20A60W,S5VX(M |
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Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
18+ | 4.15 EUR |
20+ | 3.72 EUR |
24+ | 3.1 EUR |
25+ | 2.93 EUR |
250+ | 2.8 EUR |
TK20G60W,RVQ(S |
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Hersteller: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 165W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 165W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 165W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 165W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
TK20N60W,S1VF(S |
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Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 165W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 55nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 165W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 55nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 336 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
11+ | 7.02 EUR |
14+ | 5.13 EUR |
15+ | 4.93 EUR |
23+ | 3.25 EUR |
24+ | 3.07 EUR |
TK20P04M1,RQ(S |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 27W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
Power dissipation: 27W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 27W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
Power dissipation: 27W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
TK22E10N1,S1X(S |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 72W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Power dissipation: 72W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 72W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Power dissipation: 72W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
63+ | 1.14 EUR |
70+ | 1.03 EUR |
79+ | 0.91 EUR |
91+ | 0.79 EUR |
97+ | 0.74 EUR |
TK25S06N1L,LQ(O |
Hersteller: TOSHIBA
TK25S06N1L SMD N channel transistors
TK25S06N1L SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
TK2K2A60F,S4X(S |
Hersteller: TOSHIBA
TK2K2A60F THT N channel transistors
TK2K2A60F THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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