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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
TK160F10N1L,LQ(O TK160F10N1L,LQ(O TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE896A091EAD1E033D6&compId=TK160F10N1L.pdf?ci_sign=f12113e1a7d82815d93c981aae30c911719dfc66 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 375W; TO220SM
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 375W
Case: TO220SM
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 121nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16A60W,S4VX(M TK16A60W,S4VX(M TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EB80CAAFC9498BF&compId=TK16A60W.pdf?ci_sign=8f1a73f9031345ca466ee458e56303b918e6b7d4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.55 EUR
20+3.69 EUR
24+3.09 EUR
32+2.26 EUR
33+2.23 EUR
34+2.14 EUR
35+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16A60W5,S4VX(M TK16A60W5,S4VX(M TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EB73C5BBD3E38BF&compId=TK16A60W5.pdf?ci_sign=9042031ac700d6208e996187a469ec28c97584a7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 600 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16E60W,S1VX(S TOSHIBA TK16E60W THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16N60W,S1VF(S TK16N60W,S1VF(S TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE896A09AE534F4F3D6&compId=TK16N60W.pdf?ci_sign=14d919ccb13730055bd69860730f3609a5a5fe77 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 130W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16N60W5,S1VF(S TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8FD018677F1AA0C4&compId=TK16N60W5.pdf?ci_sign=c6fb5f0834270b5b933e430f414031b47ad79699 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; Idm: 63.2A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Pulsed drain current: 63.2A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK18A30D,S5X(M TOSHIBA TK18A30D THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK20A60W,S5VX(M TK20A60W,S5VX(M TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885F9BD7143C82A18&compId=TK20A60W.pdf?ci_sign=2d033c669903900ec48336f8ceb5004a58a0d505 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK20G60W,RVQ(S TOSHIBA TK20G60W SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK20N60W,S1VF(S TK20N60W,S1VF(S TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89DC3811EDF6713D7&compId=TK20N60W.pdf?ci_sign=f502d49ea81b250e8f5fb3bff77b5d640590a69b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 165W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 55nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK20P04M1,RQ(S TOSHIBA TK20P04M1_datasheet_en_20160316.pdf?did=3451&prodName=TK20P04M1 TK20P04M1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK22E10N1,S1X(S TK22E10N1,S1X(S TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885FA07696DE3EA18&compId=TK22E10N1.pdf?ci_sign=32e97cc616b7f12d6e68551f185a9fc0e17142a5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 72W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Power dissipation: 72W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
63+1.14 EUR
70+1.03 EUR
79+0.91 EUR
91+0.79 EUR
97+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25S06N1L,LQ(O TOSHIBA TK25S06N1L SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK2K2A60F,S4X(S TK2K2A60F,S4X(S TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCA7F5F101784340CE&compId=TK2K2A60F.pdf?ci_sign=7afa4be1b738e0b1d16a671d37d0206d8cc63389 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; Idm: 14A; 30W; TO220FP
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 2.2Ω
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 30W
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK30E06N1,S1X(S TOSHIBA TK30E06N1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK31E60W,S1VX(S TK31E60W,S1VX(S TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7979737AEDD9DC748&compId=TK31E60W.pdf?ci_sign=03d231e8cf6337c0e8d3e776418f169461dce538 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30.8A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30.8A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.42 EUR
15+4.88 EUR
20+3.73 EUR
21+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK31V60W5,LVQ(S TOSHIBA TK31V60W5 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK32E12N1,S1X(S TOSHIBA TK32E12N1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK33S10N1L,LQ(O TOSHIBA TK33S10N1L SMD N channel transistors
auf Bestellung 411 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
34+2.13 EUR
50+1.44 EUR
53+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK34E10N1,S1X(S TOSHIBA TK34E10N1 THT N channel transistors
auf Bestellung 746 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
51+1.42 EUR
70+1.03 EUR
71+1.02 EUR
74+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK35E08N1,S1X(S TOSHIBA TK35E08N1 THT N channel transistors
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.3 EUR
87+0.82 EUR
250+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK380A60Y,S4X TOSHIBA TK380A60Y_datasheet_en_20161115.pdf?did=53796&prodName=TK380A60Y TK380A60Y THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK39J60W,S1VQ(O TOSHIBA TK39J60W THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK39N60X,S1F(S TK39N60X,S1F(S TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A18363E33AF36143&compId=TK39N60X.pdf?ci_sign=7a24b4333102215aac6dba410abc1dfda65fb281 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38.8A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 85nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.45 EUR
12+6.05 EUR
30+6.03 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK3A65D TOSHIBA TK3A65D THT N channel transistors
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.46 EUR
29+2.46 EUR
50+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK3P50D,RQ TOSHIBA TK3P50D SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK40E06N1,S1X(S TOSHIBA TK40E06N1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK40E10N1,S1X(S TK40E10N1,S1X(S TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE896A0D3F5EADEF3D6&compId=TK40E10N1.pdf?ci_sign=d3c1191a38082b9b8a721323cf416e37205b7a3b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 126W; TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 49nC
On-state resistance: 8.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 40A
Power dissipation: 126W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1450 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK42A12N1,S4X(S TOSHIBA TK42A12N1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK430A60F,S4X(S TK430A60F,S4X(S TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCA7F5DA4A40AB80CE&compId=TK430A60F.pdf?ci_sign=8bbd372a9bca02aad00cace09c323c17e3104aff Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 52A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 850 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK49N65W,S1F(S TK49N65W,S1F(S TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE896A0D6CEA65DB3D6&compId=TK49N65W.pdf?ci_sign=3f565eb02f605358df80fc37f50853b90c824906 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 49.2A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 49.2A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 160nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK4A60DA(STA4,Q,M) TK4A60DA(STA4,Q,M) TOSHIBA Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 35W; SC67
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 35W
Case: SC67
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 11nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 517 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.96 EUR
101+0.71 EUR
114+0.63 EUR
115+0.62 EUR
125+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK56E12N1,S1X(S TOSHIBA TK56E12N1 THT N channel transistors
auf Bestellung 489 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.73 EUR
40+1.8 EUR
42+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK58E06N1,S1X TOSHIBA TK58E06N1_datasheet_en_20140630.pdf?did=13212&prodName=TK58E06N1 TK58E06N1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60S06K3L(T6L1,NQ TOSHIBA TK60S06K3L SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60S10N1L,LQ(O TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA83EB998788CC80C4&compId=TK60S10N1L.pdf?ci_sign=c047b145e6c2abde92a6f827206423edd6401d29 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 180A; 180W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 180W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62J60W,S1VQ(O TOSHIBA TK62J60W THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60W,S1VF(S TK62N60W,S1VF(S TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885FA7093DE8F2A18&compId=TK62N60W.pdf?ci_sign=41c61b8701ff99dd3347896f2374b3eeed2d2814 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60W5,S1VF(S TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA83EC15521C42C0C4&compId=TK62N60W5.pdf?ci_sign=bed247333d238ad7a3e84a6e178bc1d8885936c6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; Idm: 247A; 400W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Pulsed drain current: 247A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60X,S1F(S TK62N60X,S1F(S TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA83EC25672E8FC0C4&compId=TK62N60X.pdf?ci_sign=29247c40d2a24020e5ee13a4cea6db8c17c7e0fe Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; Idm: 247A; 400W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Pulsed drain current: 247A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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TK6A60W,S4VX(M TK6A60W,S4VX(M TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885FA80E9F41C8A18&compId=TK6A60W.pdf?ci_sign=e003858dff5164ea2edb25a7c4c9aab6ec204db8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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TK6A65D(STA4,Q,M) TK6A65D(STA4,Q,M) TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA83EC930C90CD60C4&compId=TK6A65D.pdf?ci_sign=a7f8faeb0d9c3e63e5b25ee89d09c2fcf1c8ee4e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 24A; 45W; TO220FP
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 0.95Ω
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 45W
Drain-source voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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TK72E12N1,S1X(S TK72E12N1,S1X(S TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE896A102F566F893D6&compId=TK72E12N1.pdf?ci_sign=dde88a3bec80ce356ad75a2fdd0fbe57cfafbf11 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 72A; 255W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 72A
Power dissipation: 255W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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TK8A50D(STA4,Q,M) TOSHIBA TK8A50D_datasheet_en_20131101.pdf?did=21785&prodName=TK8A50D TK8A50D THT N channel transistors
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TK8P60W,RVQ TK8P60W,RVQ TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B18D723C26A8EA15&compId=TK8P60W.pdf?ci_sign=1a7cf64a9d6a2e5d58d69518a68d4b2b15a6d635 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 80W; DPAK
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 18.5nC
Drain current: 8A
Power dissipation: 80W
On-state resistance: 0.5Ω
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
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55+1.3 EUR
62+1.16 EUR
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TK160F10N1L,LQ(O pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE896A091EAD1E033D6&compId=TK160F10N1L.pdf?ci_sign=f12113e1a7d82815d93c981aae30c911719dfc66
TK160F10N1L,LQ(O
Hersteller: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 375W; TO220SM
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 375W
Case: TO220SM
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 121nC
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TK16A60W,S4VX(M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EB80CAAFC9498BF&compId=TK16A60W.pdf?ci_sign=8f1a73f9031345ca466ee458e56303b918e6b7d4
TK16A60W,S4VX(M
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
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Anzahl Preis
16+4.55 EUR
20+3.69 EUR
24+3.09 EUR
32+2.26 EUR
33+2.23 EUR
34+2.14 EUR
35+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 16
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TK16A60W5,S4VX(M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EB73C5BBD3E38BF&compId=TK16A60W5.pdf?ci_sign=9042031ac700d6208e996187a469ec28c97584a7
TK16A60W5,S4VX(M
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 600 Stücke
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TK16E60W,S1VX(S
Hersteller: TOSHIBA
TK16E60W THT N channel transistors
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TK16N60W,S1VF(S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE896A09AE534F4F3D6&compId=TK16N60W.pdf?ci_sign=14d919ccb13730055bd69860730f3609a5a5fe77
TK16N60W,S1VF(S
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 130W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16N60W5,S1VF(S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8FD018677F1AA0C4&compId=TK16N60W5.pdf?ci_sign=c6fb5f0834270b5b933e430f414031b47ad79699
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; Idm: 63.2A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Pulsed drain current: 63.2A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK18A30D,S5X(M
Hersteller: TOSHIBA
TK18A30D THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK20A60W,S5VX(M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885F9BD7143C82A18&compId=TK20A60W.pdf?ci_sign=2d033c669903900ec48336f8ceb5004a58a0d505
TK20A60W,S5VX(M
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK20G60W,RVQ(S
Hersteller: TOSHIBA
TK20G60W SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK20N60W,S1VF(S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89DC3811EDF6713D7&compId=TK20N60W.pdf?ci_sign=f502d49ea81b250e8f5fb3bff77b5d640590a69b
TK20N60W,S1VF(S
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 165W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 55nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK20P04M1,RQ(S TK20P04M1_datasheet_en_20160316.pdf?did=3451&prodName=TK20P04M1
Hersteller: TOSHIBA
TK20P04M1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK22E10N1,S1X(S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885FA07696DE3EA18&compId=TK22E10N1.pdf?ci_sign=32e97cc616b7f12d6e68551f185a9fc0e17142a5
TK22E10N1,S1X(S
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 72W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Power dissipation: 72W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.14 EUR
70+1.03 EUR
79+0.91 EUR
91+0.79 EUR
97+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK25S06N1L,LQ(O
Hersteller: TOSHIBA
TK25S06N1L SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK2K2A60F,S4X(S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCA7F5F101784340CE&compId=TK2K2A60F.pdf?ci_sign=7afa4be1b738e0b1d16a671d37d0206d8cc63389
TK2K2A60F,S4X(S
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; Idm: 14A; 30W; TO220FP
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 2.2Ω
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 30W
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK30E06N1,S1X(S
Hersteller: TOSHIBA
TK30E06N1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK31E60W,S1VX(S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7979737AEDD9DC748&compId=TK31E60W.pdf?ci_sign=03d231e8cf6337c0e8d3e776418f169461dce538
TK31E60W,S1VX(S
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30.8A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30.8A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.42 EUR
15+4.88 EUR
20+3.73 EUR
21+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK31V60W5,LVQ(S
Hersteller: TOSHIBA
TK31V60W5 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK32E12N1,S1X(S
Hersteller: TOSHIBA
TK32E12N1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK33S10N1L,LQ(O
Hersteller: TOSHIBA
TK33S10N1L SMD N channel transistors
auf Bestellung 411 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.13 EUR
50+1.44 EUR
53+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK34E10N1,S1X(S
Hersteller: TOSHIBA
TK34E10N1 THT N channel transistors
auf Bestellung 746 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
51+1.42 EUR
70+1.03 EUR
71+1.02 EUR
74+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK35E08N1,S1X(S
Hersteller: TOSHIBA
TK35E08N1 THT N channel transistors
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.3 EUR
87+0.82 EUR
250+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK380A60Y,S4X TK380A60Y_datasheet_en_20161115.pdf?did=53796&prodName=TK380A60Y
Hersteller: TOSHIBA
TK380A60Y THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK39J60W,S1VQ(O
Hersteller: TOSHIBA
TK39J60W THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK39N60X,S1F(S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A18363E33AF36143&compId=TK39N60X.pdf?ci_sign=7a24b4333102215aac6dba410abc1dfda65fb281
TK39N60X,S1F(S
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38.8A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 85nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.45 EUR
12+6.05 EUR
30+6.03 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK3A65D
Hersteller: TOSHIBA
TK3A65D THT N channel transistors
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.46 EUR
29+2.46 EUR
50+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK3P50D,RQ
Hersteller: TOSHIBA
TK3P50D SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK40E06N1,S1X(S
Hersteller: TOSHIBA
TK40E06N1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK40E10N1,S1X(S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE896A0D3F5EADEF3D6&compId=TK40E10N1.pdf?ci_sign=d3c1191a38082b9b8a721323cf416e37205b7a3b
TK40E10N1,S1X(S
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 126W; TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 49nC
On-state resistance: 8.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 40A
Power dissipation: 126W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1450 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK42A12N1,S4X(S
Hersteller: TOSHIBA
TK42A12N1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK430A60F,S4X(S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCA7F5DA4A40AB80CE&compId=TK430A60F.pdf?ci_sign=8bbd372a9bca02aad00cace09c323c17e3104aff
TK430A60F,S4X(S
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 52A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 850 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK49N65W,S1F(S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE896A0D6CEA65DB3D6&compId=TK49N65W.pdf?ci_sign=3f565eb02f605358df80fc37f50853b90c824906
TK49N65W,S1F(S
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 49.2A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 49.2A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 160nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK4A60DA(STA4,Q,M)
TK4A60DA(STA4,Q,M)
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 35W; SC67
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 35W
Case: SC67
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 11nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 517 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
75+0.96 EUR
101+0.71 EUR
114+0.63 EUR
115+0.62 EUR
125+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK56E12N1,S1X(S
Hersteller: TOSHIBA
TK56E12N1 THT N channel transistors
auf Bestellung 489 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.73 EUR
40+1.8 EUR
42+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK58E06N1,S1X TK58E06N1_datasheet_en_20140630.pdf?did=13212&prodName=TK58E06N1
Hersteller: TOSHIBA
TK58E06N1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60S06K3L(T6L1,NQ
Hersteller: TOSHIBA
TK60S06K3L SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK60S10N1L,LQ(O pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA83EB998788CC80C4&compId=TK60S10N1L.pdf?ci_sign=c047b145e6c2abde92a6f827206423edd6401d29
Hersteller: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 180A; 180W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 180W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62J60W,S1VQ(O
Hersteller: TOSHIBA
TK62J60W THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60W,S1VF(S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885FA7093DE8F2A18&compId=TK62N60W.pdf?ci_sign=41c61b8701ff99dd3347896f2374b3eeed2d2814
TK62N60W,S1VF(S
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60W5,S1VF(S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA83EC15521C42C0C4&compId=TK62N60W5.pdf?ci_sign=bed247333d238ad7a3e84a6e178bc1d8885936c6
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; Idm: 247A; 400W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Pulsed drain current: 247A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK62N60X,S1F(S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA83EC25672E8FC0C4&compId=TK62N60X.pdf?ci_sign=29247c40d2a24020e5ee13a4cea6db8c17c7e0fe
TK62N60X,S1F(S
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; Idm: 247A; 400W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Pulsed drain current: 247A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK650A60F,S4X(S
Hersteller: TOSHIBA
TK650A60F THT N channel transistors
auf Bestellung 1012 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.62 EUR
40+1.79 EUR
43+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65A10N1,S4X(S
Hersteller: TOSHIBA
TK65A10N1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65E10N1,S1X(S
Hersteller: TOSHIBA
TK65E10N1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65G10N1,RQ(S
Hersteller: TOSHIBA
TK65G10N1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65S04K3L(T6L1,NQ docget.jsp?did=11262&prodName=TK65S04K3L
Hersteller: TOSHIBA
TK65S04K3L SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65S04N1L,LQ(O
Hersteller: TOSHIBA
TK65S04N1L SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6A50D(STA4,Q,M) docget.jsp?did=1082&prodName=TK6A50D
Hersteller: TOSHIBA
TK6A50D THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6A60W,S4VX(M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885FA80E9F41C8A18&compId=TK6A60W.pdf?ci_sign=e003858dff5164ea2edb25a7c4c9aab6ec204db8
TK6A60W,S4VX(M
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1200 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6A65D(STA4,Q,M) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA83EC930C90CD60C4&compId=TK6A65D.pdf?ci_sign=a7f8faeb0d9c3e63e5b25ee89d09c2fcf1c8ee4e
TK6A65D(STA4,Q,M)
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 24A; 45W; TO220FP
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 0.95Ω
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 45W
Drain-source voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6A65W,S5X(M
Hersteller: TOSHIBA
TK6A65W THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6A80E,S4X(S
Hersteller: TOSHIBA
TK6A80E THT N channel transistors
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.29 EUR
48+1.52 EUR
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6P60W,RVQ(S
Hersteller: TOSHIBA
TK6P60W SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6P65W,RQ(S
Hersteller: TOSHIBA
TK6P65W SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6Q60W,S1VQ(S
Hersteller: TOSHIBA
TK6Q60W THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6Q65W,S1Q(S
Hersteller: TOSHIBA
TK6Q65W THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6R7P06PL,RQ(S2
Hersteller: TOSHIBA
TK6R7P06PL SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK72E12N1,S1X(S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE896A102F566F893D6&compId=TK72E12N1.pdf?ci_sign=dde88a3bec80ce356ad75a2fdd0fbe57cfafbf11
TK72E12N1,S1X(S
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 72A; 255W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 72A
Power dissipation: 255W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.36 EUR
23+3.19 EUR
36+2.03 EUR
38+1.92 EUR
500+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7A60W,S4VX(M
Hersteller: TOSHIBA
TK7A60W THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8A50D(STA4,Q,M) TK8A50D_datasheet_en_20131101.pdf?did=21785&prodName=TK8A50D
Hersteller: TOSHIBA
TK8A50D THT N channel transistors
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
43+1.69 EUR
59+1.22 EUR
65+1.12 EUR
68+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8P60W,RVQ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B18D723C26A8EA15&compId=TK8P60W.pdf?ci_sign=1a7cf64a9d6a2e5d58d69518a68d4b2b15a6d635
TK8P60W,RVQ
Hersteller: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 80W; DPAK
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 18.5nC
Drain current: 8A
Power dissipation: 80W
On-state resistance: 0.5Ω
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1963 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.3 EUR
62+1.16 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 55
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