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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
CRS09(TE85L,Q,M) CRS09(TE85L,Q,M) TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885F5C56039D7EA18&compId=CRS09.pdf?ci_sign=ffff03d179bee094b3a29577c9d9a9184ddda96c Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD123F; SMD; 30V; 1A; reel,tape
Mounting: SMD
Case: SOD123F
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.46V
Load current: 1A
Type of diode: Schottky rectifying
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3480 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
193+0.37 EUR
205+0.35 EUR
264+0.27 EUR
304+0.24 EUR
486+0.15 EUR
511+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CRS13(TE85L,Q,M) TOSHIBA CRS13_datasheet_en_20201014.pdf?did=56762&prodName=CRS13 CRS13 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CRS14(TE85L,Q,M) TOSHIBA CRS14_datasheet_en_20181115.pdf?did=22737&prodName=CRS14 CRS14 SMD Schottky diodes
auf Bestellung 3005 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
190+0.38 EUR
329+0.22 EUR
348+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 190
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CRS15I30B(TE85L,QM CRS15I30B(TE85L,QM TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A0EE1AB6925F8143&compId=CRS15I30B.pdf?ci_sign=9b8abae770863a0f28948676f5123702526d4848 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; S-FLAT; SMD; 30V; 1.5A; reel,tape
Semiconductor structure: single diode
Case: S-FLAT
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky rectifying
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 0.4V
Load current: 1.5A
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
148+0.49 EUR
219+0.33 EUR
298+0.24 EUR
596+0.12 EUR
633+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CRS20I40A(TE85L,QM TOSHIBA CRS20I40A_datasheet_en_20140328.pdf?did=15096&prodName=CRS20I40A CRS20I40A SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CUS10F30,H3F CUS10F30,H3F TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A0EE37070AF86143&compId=CUS10F30.pdf?ci_sign=b9e756c5ea3e2113db019ed407fb80f922388417 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD323; SMD; 30V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.43V
Max. forward impulse current: 5A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5910 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
313+0.23 EUR
417+0.17 EUR
463+0.15 EUR
658+0.11 EUR
1137+0.063 EUR
1202+0.059 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CUS10S30,H3F(T TOSHIBA CUS10S30 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CUS520,H3F(T CUS520,H3F(T TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE8969EF30DA89193D6&compId=CUS520.pdf?ci_sign=ac3f5486b0902f85c6db44cca1cb9c831e923896 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Max. load current: 0.3A
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
305+0.23 EUR
503+0.14 EUR
663+0.11 EUR
870+0.082 EUR
1391+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 305
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DF10G5M4N,LF(D DF10G5M4N,LF(D TOSHIBA Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5V; 2A; 30W; bidirectional; DFN10; Ch: 4; reel,tape
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of diode: TVS array
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.1µA
Max. forward impulse current: 2A
Max. off-state voltage: 3.6V
Number of channels: 4
Breakdown voltage: 5V
Peak pulse power dissipation: 30W
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN10
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DF2B36FU,H3F(T TOSHIBA DF2B36FU Bidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 1015 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
358+0.2 EUR
658+0.11 EUR
695+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DF5A3.6JE,LM(T TOSHIBA DF5A3.6JE Protection diodes - arrays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DF5A5.6F(TE85L,F) TOSHIBA DF5A5.6F Protection diodes - arrays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DF5A6.2CJE,LM TOSHIBA DF5A6.2CJE_datasheet_en_20140301.pdf?did=353&prodName=DF5A6.2CJE DF5A6.2CJE Protection diodes - arrays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMPP008Z TOSHIBA EMPP008Z One Phase Inverters
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
2+35.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT15J341,S4X(S GT15J341,S4X(S TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885F631B66B346A18&compId=GT15J341.pdf?ci_sign=0d0b411747ad2f17bdcb13377286b19d7f990abe Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 30W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 320ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.29 EUR
35+2.04 EUR
40+1.82 EUR
46+1.57 EUR
49+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT20J341,S4X(S TOSHIBA GT20J341_datasheet_en_20140107.pdf?did=12743&prodName=GT20J341 GT20J341 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT30J121(Q) GT30J121(Q) TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885C53148E9BEEA18&compId=GT30J121.pdf?ci_sign=80967d37a1ea108188bdec79fae801876b175f14 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 170W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 170W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 240ns
Turn-off time: 430ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.76 EUR
16+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT40QR21(STA1,E,D GT40QR21(STA1,E,D TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD92A908EA940BE0D3&compId=GT40QR21.pdf?ci_sign=57cbfd5d6f446f8bf4ab116348eb16851092c8ef Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 35A; 230W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 35A
Power dissipation: 230W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.3µs
Turn-off time: 0.6µs
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.52 EUR
23+3.15 EUR
25+2.97 EUR
500+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT40WR21,Q(O TOSHIBA GT40WR21 THT IGBT transistors
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.44 EUR
7+11.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT50JR21(STA1,E,S) TOSHIBA GT50JR21_datasheet_en_20140107.pdf?did=13656&prodName=GT50JR21 GT50JR21 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT50JR22(STA1,E,S) GT50JR22(STA1,E,S) TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE895A3D659C47F53D5&compId=GT50JR22.pdf?ci_sign=026d365175e456f12f7385da2d4d267b6f3fba95 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 115W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 250ns
Turn-off time: 330ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 139 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.46 EUR
17+4.23 EUR
18+3.99 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B04FE-GR,LF(T HN1B04FE-GR,LF(T TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8E8D9B8FB43380C4&compId=HN1B04FE.pdf?ci_sign=f7044e216a5a1fdc6ba7b0230c32e50bd98f6248 Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 50V; 0.15A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.1W
Case: SOT563F
Current gain: 200...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 80MHz
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
auf Bestellung 8020 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1100+0.066 EUR
1220+0.059 EUR
1600+0.045 EUR
1680+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 1100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B04FU-GR(L,F,T) HN1B04FU-GR(L,F,T) TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EB4E82889BAD8BF&compId=HN1B04FU.pdf?ci_sign=eaa46c87ad81af521689ff2eeebeff1f8e68a633 Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 50V; 0.15A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC88
Current gain: 120...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 1445 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
600+0.12 EUR
1375+0.052 EUR
1445+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 600
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN2S01FU(TE85L,F) TOSHIBA HN2S01FU SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JDH3D01FV(TPL3) TOSHIBA JDH3D01FV SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFM04U6P(TE12L,F) TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8FB66A67166A80C4&compId=RFM04U6P.pdf?ci_sign=c71cf34ab52313064b7182ac4fed80f0371bfc73 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 16V; 2A; 7W; PW-Mini; Pout: 4.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Drain-source voltage: 16V
Drain current: 2A
Power dissipation: 7W
Case: PW-Mini
Gate-source voltage: ±3V
Kind of package: reel; tape
Frequency: 470MHz
Kind of channel: depletion
Output power: 4.3W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 13.3dB
Efficiency: 70%
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1401,LF(T TOSHIBA RN1401 NPN SMD transistors
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1316+0.054 EUR
2794+0.026 EUR
2959+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 1316
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1402(TE85L,F) TOSHIBA RN1402 NPN SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1406(TE85L,F) TOSHIBA RN1406 NPN SMD transistors
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
358+0.2 EUR
480+0.14 EUR
860+0.083 EUR
3000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1411(TE85L,F) TOSHIBA RN1411 NPN SMD transistors
auf Bestellung 1585 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
447+0.16 EUR
1548+0.046 EUR
3000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 447
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1427(TE85L,F) TOSHIBA RN1427 NPN SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1604(TE85L,F) TOSHIBA docget.jsp?did=18809&prodName=RN1601 RN1604 NPN SMD transistors
auf Bestellung 2985 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
336+0.21 EUR
747+0.096 EUR
782+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 336
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1910FE,LF(CT TOSHIBA RN1910FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1910FE RN1910FE NPN SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2405,LXGF(T RN2405,LXGF(T TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B18EBE7967D06A15&compId=RN2410_11.pdf?ci_sign=0a45f3cb08b5f1ab58eb892e37e5328ba0c539e3 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC59; R1: 2.2kΩ
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SC59
Frequency: 200MHz
Anzahl je Verpackung: 30000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2410(TE85L,F) TOSHIBA RN2410 PNP SMD transistors
auf Bestellung 2630 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
447+0.16 EUR
1516+0.047 EUR
1603+0.045 EUR
3000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 447
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4982FE,LF(CT TOSHIBA docget.jsp?did=19043&prodName=RN4982FE RN4982FE Complementary transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J16FS(TE85L,F) TOSHIBA SSM3J16FS SMD P channel transistors
auf Bestellung 1805 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
309+0.23 EUR
676+0.11 EUR
715+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 309
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J327R,LF(B TOSHIBA SSM3J327R SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J328R,LF(T TOSHIBA SSM3J328R SMD P channel transistors
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
188+0.38 EUR
650+0.11 EUR
685+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 188
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J331R,LF TOSHIBA SSM3J331R_datasheet_en_20160824.pdf?did=13019&prodName=SSM3J331R SSM3J331R SMD P channel transistors
auf Bestellung 2740 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
358+0.2 EUR
575+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J332R,LF(T TOSHIBA SSM3J332R SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J334R,LF(T TOSHIBA SSM3J334R SMD P channel transistors
auf Bestellung 1715 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
358+0.2 EUR
550+0.13 EUR
582+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J355R,LF(T TOSHIBA SSM3J355R SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35CTC,L3F(T TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EB6EBD2B2ED78BF&compId=SSM3J35CTC.pdf?ci_sign=6c8cfa37fa6f63f491473e50f7a13961b4afbe5c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.25A; 500mW; CST3C
Case: CST3C
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.25A
On-state resistance: 20Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFS,LF(T SSM3K15AFS,LF(T TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EB84BF03AED38BF&compId=SSM3K15AFS.pdf?ci_sign=4cf2148939eda462d90fe118342302a7c93ad284 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.1A; 100mW; SC75; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.1W
Case: SC75
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFS,LF(B TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0EDCBAC27767820&compId=SSM3K15AFS_datasheet_en_20140301.pdf?ci_sign=0b331e78eb5d601541cb4c04527f903635e98a6a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.1A; 100mW; SC75; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.1W
Case: SC75
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFU,LF(T SSM3K15AFU,LF(T TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EB7E31E4B79D8BF&compId=SSM3K15AFU.pdf?ci_sign=0162fd9c39c4f519fd180d233a494b605fc0e36e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.1A; 150mW; SC70; ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: SC70
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 15975 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
450+0.16 EUR
1360+0.053 EUR
1520+0.047 EUR
1590+0.045 EUR
1720+0.042 EUR
3000+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 450
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K16FU(TE85L,F) SSM3K16FU(TE85L,F) TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE8969FE3A91B8693D6&compId=SSM3K16FU.pdf?ci_sign=19448e9897e3e53029f3002af2a8dee92a1d2f14 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.1A; 150mW; SC70; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K324R,LF(T TOSHIBA SSM3K324R SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K329R,LF(B TOSHIBA SSM3K329R SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K333R,LF(B TOSHIBA SSM3K333R SMD N channel transistors
auf Bestellung 5820 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
358+0.2 EUR
582+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K339R
+1
 		SSM3K339R TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79796D5664DB8E748&compId=SSM3K339R.pdf?ci_sign=6af2657c08e2b2ec049d3ab0b313cc1a912209c0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 2A; 1W; SOT23F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 2A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
81+0.89 EUR
100+0.72 EUR
182+0.39 EUR
499+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K341R,LF(T
+1
 		SSM3K341R,LF(T TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8FBE0E7E111EC0C4&compId=SSM3K341R.pdf?ci_sign=dcbcd920219df6689eb070440d938f499a880f17 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6A; Idm: 24A; 2.4W; SOT23F
Case: SOT23F
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6A
On-state resistance: 69mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 24A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 665 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
97+0.74 EUR
183+0.39 EUR
265+0.27 EUR
280+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 97
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35MFV,L3F(T TOSHIBA SSM3K35MFV SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36FS,LF(T TOSHIBA SSM3K36FS SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37MFV,L3F TOSHIBA SSM3K37MFV_datasheet_en_20140301.pdf?did=1892&prodName=SSM3K37MFV SSM3K37MFV SMD N channel transistors
auf Bestellung 14200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
296+0.24 EUR
1363+0.052 EUR
1441+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 296
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K7002KFU,LF(T SSM3K7002KFU,LF(T TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EB8418698AA58BF&compId=SSM3K7002KFU.pdf?ci_sign=7362b09bc762162bc09d5c125bf050439dbcd48c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; 150mW; SC70; ESD
Case: SC70
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.39nC
Power dissipation: 0.15W
Drain current: 0.4A
On-state resistance: 1.75Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 37765 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
865+0.083 EUR
1150+0.062 EUR
1275+0.056 EUR
1380+0.052 EUR
1460+0.049 EUR
3000+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 865
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K72CFS,LF(T TOSHIBA SSM3K72CFS SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K72KCT,L3F(T TOSHIBA SSM3K72KCT SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K72KFS,LF(T TOSHIBA SSM3K72KFS SMD N channel transistors
auf Bestellung 10310 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
618+0.12 EUR
1593+0.045 EUR
1684+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 618
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CRS09(TE85L,Q,M) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885F5C56039D7EA18&compId=CRS09.pdf?ci_sign=ffff03d179bee094b3a29577c9d9a9184ddda96c
CRS09(TE85L,Q,M)
Hersteller: TOSHIBA
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD123F; SMD; 30V; 1A; reel,tape
Mounting: SMD
Case: SOD123F
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.46V
Load current: 1A
Type of diode: Schottky rectifying
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3480 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
193+0.37 EUR
205+0.35 EUR
264+0.27 EUR
304+0.24 EUR
486+0.15 EUR
511+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CRS13(TE85L,Q,M) CRS13_datasheet_en_20201014.pdf?did=56762&prodName=CRS13
Hersteller: TOSHIBA
CRS13 SMD Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CRS14(TE85L,Q,M) CRS14_datasheet_en_20181115.pdf?did=22737&prodName=CRS14
Hersteller: TOSHIBA
CRS14 SMD Schottky diodes
auf Bestellung 3005 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
190+0.38 EUR
329+0.22 EUR
348+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 190
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CRS15I30B(TE85L,QM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A0EE1AB6925F8143&compId=CRS15I30B.pdf?ci_sign=9b8abae770863a0f28948676f5123702526d4848
CRS15I30B(TE85L,QM
Hersteller: TOSHIBA
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; S-FLAT; SMD; 30V; 1.5A; reel,tape
Semiconductor structure: single diode
Case: S-FLAT
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky rectifying
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 0.4V
Load current: 1.5A
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
148+0.49 EUR
219+0.33 EUR
298+0.24 EUR
596+0.12 EUR
633+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CRS20I40A(TE85L,QM CRS20I40A_datasheet_en_20140328.pdf?did=15096&prodName=CRS20I40A
Hersteller: TOSHIBA
CRS20I40A SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CUS10F30,H3F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A0EE37070AF86143&compId=CUS10F30.pdf?ci_sign=b9e756c5ea3e2113db019ed407fb80f922388417
CUS10F30,H3F
Hersteller: TOSHIBA
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD323; SMD; 30V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.43V
Max. forward impulse current: 5A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5910 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
313+0.23 EUR
417+0.17 EUR
463+0.15 EUR
658+0.11 EUR
1137+0.063 EUR
1202+0.059 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CUS10S30,H3F(T
Hersteller: TOSHIBA
CUS10S30 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CUS520,H3F(T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE8969EF30DA89193D6&compId=CUS520.pdf?ci_sign=ac3f5486b0902f85c6db44cca1cb9c831e923896
CUS520,H3F(T
Hersteller: TOSHIBA
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Max. load current: 0.3A
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
305+0.23 EUR
503+0.14 EUR
663+0.11 EUR
870+0.082 EUR
1391+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 305
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DF10G5M4N,LF(D
DF10G5M4N,LF(D
Hersteller: TOSHIBA
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5V; 2A; 30W; bidirectional; DFN10; Ch: 4; reel,tape
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of diode: TVS array
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.1µA
Max. forward impulse current: 2A
Max. off-state voltage: 3.6V
Number of channels: 4
Breakdown voltage: 5V
Peak pulse power dissipation: 30W
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN10
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DF2B36FU,H3F(T
Hersteller: TOSHIBA
DF2B36FU Bidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 1015 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
358+0.2 EUR
658+0.11 EUR
695+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DF5A3.6JE,LM(T
Hersteller: TOSHIBA
DF5A3.6JE Protection diodes - arrays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DF5A5.6F(TE85L,F)
Hersteller: TOSHIBA
DF5A5.6F Protection diodes - arrays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DF5A6.2CJE,LM DF5A6.2CJE_datasheet_en_20140301.pdf?did=353&prodName=DF5A6.2CJE
Hersteller: TOSHIBA
DF5A6.2CJE Protection diodes - arrays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMPP008Z
Hersteller: TOSHIBA
EMPP008Z One Phase Inverters
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
2+35.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT15J341,S4X(S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885F631B66B346A18&compId=GT15J341.pdf?ci_sign=0d0b411747ad2f17bdcb13377286b19d7f990abe
GT15J341,S4X(S
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 30W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 320ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.29 EUR
35+2.04 EUR
40+1.82 EUR
46+1.57 EUR
49+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT20J341,S4X(S GT20J341_datasheet_en_20140107.pdf?did=12743&prodName=GT20J341
Hersteller: TOSHIBA
GT20J341 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT30J121(Q) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885C53148E9BEEA18&compId=GT30J121.pdf?ci_sign=80967d37a1ea108188bdec79fae801876b175f14
GT30J121(Q)
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 170W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 170W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 240ns
Turn-off time: 430ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.76 EUR
16+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT40QR21(STA1,E,D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD92A908EA940BE0D3&compId=GT40QR21.pdf?ci_sign=57cbfd5d6f446f8bf4ab116348eb16851092c8ef
GT40QR21(STA1,E,D
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 35A; 230W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 35A
Power dissipation: 230W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.3µs
Turn-off time: 0.6µs
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.52 EUR
23+3.15 EUR
25+2.97 EUR
500+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT40WR21,Q(O
Hersteller: TOSHIBA
GT40WR21 THT IGBT transistors
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.44 EUR
7+11.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT50JR21(STA1,E,S) GT50JR21_datasheet_en_20140107.pdf?did=13656&prodName=GT50JR21
Hersteller: TOSHIBA
GT50JR21 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT50JR22(STA1,E,S) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE895A3D659C47F53D5&compId=GT50JR22.pdf?ci_sign=026d365175e456f12f7385da2d4d267b6f3fba95
GT50JR22(STA1,E,S)
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 115W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 250ns
Turn-off time: 330ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 139 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.46 EUR
17+4.23 EUR
18+3.99 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B04FE-GR,LF(T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8E8D9B8FB43380C4&compId=HN1B04FE.pdf?ci_sign=f7044e216a5a1fdc6ba7b0230c32e50bd98f6248
HN1B04FE-GR,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 50V; 0.15A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.1W
Case: SOT563F
Current gain: 200...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 80MHz
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
auf Bestellung 8020 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1100+0.066 EUR
1220+0.059 EUR
1600+0.045 EUR
1680+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 1100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B04FU-GR(L,F,T) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EB4E82889BAD8BF&compId=HN1B04FU.pdf?ci_sign=eaa46c87ad81af521689ff2eeebeff1f8e68a633
HN1B04FU-GR(L,F,T)
Hersteller: TOSHIBA
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 50V; 0.15A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC88
Current gain: 120...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 1445 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
600+0.12 EUR
1375+0.052 EUR
1445+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 600
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN2S01FU(TE85L,F)
Hersteller: TOSHIBA
HN2S01FU SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JDH3D01FV(TPL3)
Hersteller: TOSHIBA
JDH3D01FV SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RFM04U6P(TE12L,F) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8FB66A67166A80C4&compId=RFM04U6P.pdf?ci_sign=c71cf34ab52313064b7182ac4fed80f0371bfc73
Hersteller: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 16V; 2A; 7W; PW-Mini; Pout: 4.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Drain-source voltage: 16V
Drain current: 2A
Power dissipation: 7W
Case: PW-Mini
Gate-source voltage: ±3V
Kind of package: reel; tape
Frequency: 470MHz
Kind of channel: depletion
Output power: 4.3W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 13.3dB
Efficiency: 70%
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1401,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
RN1401 NPN SMD transistors
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1316+0.054 EUR
2794+0.026 EUR
2959+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 1316
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1402(TE85L,F)
Hersteller: TOSHIBA
RN1402 NPN SMD transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1406(TE85L,F)
Hersteller: TOSHIBA
RN1406 NPN SMD transistors
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
358+0.2 EUR
480+0.14 EUR
860+0.083 EUR
3000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1411(TE85L,F)
Hersteller: TOSHIBA
RN1411 NPN SMD transistors
auf Bestellung 1585 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
447+0.16 EUR
1548+0.046 EUR
3000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 447
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1427(TE85L,F)
Hersteller: TOSHIBA
RN1427 NPN SMD transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1604(TE85L,F) docget.jsp?did=18809&prodName=RN1601
Hersteller: TOSHIBA
RN1604 NPN SMD transistors
auf Bestellung 2985 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
336+0.21 EUR
747+0.096 EUR
782+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 336
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1910FE,LF(CT RN1910FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1910FE
Hersteller: TOSHIBA
RN1910FE NPN SMD transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2405,LXGF(T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B18EBE7967D06A15&compId=RN2410_11.pdf?ci_sign=0a45f3cb08b5f1ab58eb892e37e5328ba0c539e3
RN2405,LXGF(T
Hersteller: TOSHIBA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC59; R1: 2.2kΩ
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SC59
Frequency: 200MHz
Anzahl je Verpackung: 30000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2410(TE85L,F)
Hersteller: TOSHIBA
RN2410 PNP SMD transistors
auf Bestellung 2630 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
447+0.16 EUR
1516+0.047 EUR
1603+0.045 EUR
3000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 447
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4982FE,LF(CT docget.jsp?did=19043&prodName=RN4982FE
Hersteller: TOSHIBA
RN4982FE Complementary transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J16FS(TE85L,F)
Hersteller: TOSHIBA
SSM3J16FS SMD P channel transistors
auf Bestellung 1805 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
309+0.23 EUR
676+0.11 EUR
715+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 309
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J327R,LF(B
Hersteller: TOSHIBA
SSM3J327R SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J328R,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
SSM3J328R SMD P channel transistors
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
188+0.38 EUR
650+0.11 EUR
685+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 188
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J331R,LF SSM3J331R_datasheet_en_20160824.pdf?did=13019&prodName=SSM3J331R
Hersteller: TOSHIBA
SSM3J331R SMD P channel transistors
auf Bestellung 2740 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
358+0.2 EUR
575+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J332R,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
SSM3J332R SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J334R,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
SSM3J334R SMD P channel transistors
auf Bestellung 1715 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
358+0.2 EUR
550+0.13 EUR
582+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J355R,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
SSM3J355R SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35CTC,L3F(T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EB6EBD2B2ED78BF&compId=SSM3J35CTC.pdf?ci_sign=6c8cfa37fa6f63f491473e50f7a13961b4afbe5c
Hersteller: TOSHIBA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.25A; 500mW; CST3C
Case: CST3C
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.25A
On-state resistance: 20Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFS,LF(T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EB84BF03AED38BF&compId=SSM3K15AFS.pdf?ci_sign=4cf2148939eda462d90fe118342302a7c93ad284
SSM3K15AFS,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.1A; 100mW; SC75; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.1W
Case: SC75
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFS,LF(B pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0EDCBAC27767820&compId=SSM3K15AFS_datasheet_en_20140301.pdf?ci_sign=0b331e78eb5d601541cb4c04527f903635e98a6a
Hersteller: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.1A; 100mW; SC75; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.1W
Case: SC75
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AFU,LF(T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EB7E31E4B79D8BF&compId=SSM3K15AFU.pdf?ci_sign=0162fd9c39c4f519fd180d233a494b605fc0e36e
SSM3K15AFU,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.1A; 150mW; SC70; ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: SC70
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 15975 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
450+0.16 EUR
1360+0.053 EUR
1520+0.047 EUR
1590+0.045 EUR
1720+0.042 EUR
3000+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 450
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K16FU(TE85L,F) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE8969FE3A91B8693D6&compId=SSM3K16FU.pdf?ci_sign=19448e9897e3e53029f3002af2a8dee92a1d2f14
SSM3K16FU(TE85L,F)
Hersteller: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.1A; 150mW; SC70; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K324R,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
SSM3K324R SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K329R,LF(B
Hersteller: TOSHIBA
SSM3K329R SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K333R,LF(B
Hersteller: TOSHIBA
SSM3K333R SMD N channel transistors
auf Bestellung 5820 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
358+0.2 EUR
582+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K339R pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79796D5664DB8E748&compId=SSM3K339R.pdf?ci_sign=6af2657c08e2b2ec049d3ab0b313cc1a912209c0
SSM3K339R
+1
Hersteller: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 2A; 1W; SOT23F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 2A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
81+0.89 EUR
100+0.72 EUR
182+0.39 EUR
499+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K341R,LF(T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8FBE0E7E111EC0C4&compId=SSM3K341R.pdf?ci_sign=dcbcd920219df6689eb070440d938f499a880f17
SSM3K341R,LF(T
+1
Hersteller: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6A; Idm: 24A; 2.4W; SOT23F
Case: SOT23F
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6A
On-state resistance: 69mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 24A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 665 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
97+0.74 EUR
183+0.39 EUR
265+0.27 EUR
280+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 97
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35MFV,L3F(T
Hersteller: TOSHIBA
SSM3K35MFV SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36FS,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
SSM3K36FS SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37MFV,L3F SSM3K37MFV_datasheet_en_20140301.pdf?did=1892&prodName=SSM3K37MFV
Hersteller: TOSHIBA
SSM3K37MFV SMD N channel transistors
auf Bestellung 14200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
296+0.24 EUR
1363+0.052 EUR
1441+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 296
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K7002KFU,LF(T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EB8418698AA58BF&compId=SSM3K7002KFU.pdf?ci_sign=7362b09bc762162bc09d5c125bf050439dbcd48c
SSM3K7002KFU,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; 150mW; SC70; ESD
Case: SC70
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.39nC
Power dissipation: 0.15W
Drain current: 0.4A
On-state resistance: 1.75Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 37765 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
865+0.083 EUR
1150+0.062 EUR
1275+0.056 EUR
1380+0.052 EUR
1460+0.049 EUR
3000+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 865
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K72CFS,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
SSM3K72CFS SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K72KCT,L3F(T
Hersteller: TOSHIBA
SSM3K72KCT SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K72KFS,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
SSM3K72KFS SMD N channel transistors
auf Bestellung 10310 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
618+0.12 EUR
1593+0.045 EUR
1684+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 618
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