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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TK7A65D(STA4,Q,M) TK7A65D(STA4,Q,M) TOSHIBA TK7A65D_datasheet_en_20131101.pdf?did=2386&prodName=TK7A65D Description: TOSHIBA - TK7A65D(STA4,Q,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.8 ohm, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: SC-67
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2186 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.18 EUR
82+2.86 EUR
100+2.33 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK560A65Y,S4X(S TK560A65Y,S4X(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK560A65Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 30W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK560P65Y,RQ(S TK560P65Y,RQ(S TOSHIBA 3934729.pdf Description: TOSHIBA - TK560P65Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 60W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
auf Bestellung 747 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+5.3 EUR
73+3.18 EUR
119+1.81 EUR
500+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7J90E,S1E(S TK7J90E,S1E(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK7J90E,S1E(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 7 A, 1.6 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7A60W,S4VX(M TK7A60W,S4VX(M TOSHIBA 3934758.pdf Description: TOSHIBA - TK7A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 30W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12A60D(STA4,Q,M) TK12A60D(STA4,Q,M) TOSHIBA 3934629.pdf Description: TOSHIBA - TK12A60D(STA4,Q,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.45 ohm, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: SC-67
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.75 EUR
64+3.64 EUR
100+2.89 EUR
500+2.38 EUR
1000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPHR9203PL1,LQ(M TPHR9203PL1,LQ(M TOSHIBA 3934820.pdf Description: TOSHIBA - TPHR9203PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 320 A, 610 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 320A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 610µohm
auf Bestellung 3445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+4.47 EUR
87+2.69 EUR
130+1.67 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPHR9203PL1,LQ(M TPHR9203PL1,LQ(M TOSHIBA 3934820.pdf Description: TOSHIBA - TPHR9203PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 320 A, 610 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 320A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 610µohm
auf Bestellung 3445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.69 EUR
130+1.67 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH6R003NL,LQ(S TPH6R003NL,LQ(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH6R003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 57 A, 5200 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1574 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+3.7 EUR
107+2.19 EUR
160+1.34 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLP2761(E(T TLP2761(E(T TOSHIBA 2017826.pdf Description: TOSHIBA - TLP2761(E(T - Optokoppler, Digitalausgang, 1 Kanal, 5 kV, 15 Mbaud, LSOP, 6 Pin(s), TLP276
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: LSOP
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate: 15Mbaud
usEccn: EAR99
Produktpalette: TLP276
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+2.38 EUR
141+1.65 EUR
144+1.49 EUR
148+1.45 EUR
163+1.32 EUR
500+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R306P1,L1Q(M TPH1R306P1,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH1R306P1,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 A, 960 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.68 EUR
500+2.27 EUR
1000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R306P1,L1Q(M TPH1R306P1,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH1R306P1,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 A, 960 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.9 EUR
56+4.18 EUR
100+2.68 EUR
500+2.27 EUR
1000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6R9P08QM,RQ(S2 TK6R9P08QM,RQ(S2 TOSHIBA 3934754.pdf Description: TOSHIBA - TK6R9P08QM,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 83 A, 5500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 89W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
auf Bestellung 2330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.69 EUR
129+1.67 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6R9P08QM,RQ(S2 TK6R9P08QM,RQ(S2 TOSHIBA 3934754.pdf Description: TOSHIBA - TK6R9P08QM,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 83 A, 5500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 89W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
auf Bestellung 2330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+4.52 EUR
87+2.69 EUR
129+1.67 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AMFV,L3F(T SSM3K15AMFV,L3F(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM3K15AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
auf Bestellung 35633 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
443+0.56 EUR
1045+0.23 EUR
1339+0.15 EUR
1993+0.11 EUR
4000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 443 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK099V65Z,LQ(S TK099V65Z,LQ(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK099V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.08 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 230W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 166 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.87 EUR
24+9.96 EUR
100+6.94 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK099V65Z,LQ(S TK099V65Z,LQ(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK099V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.08 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 166 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.87 EUR
24+9.96 EUR
100+6.94 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK055U60Z1,RQ(S TK055U60Z1,RQ(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK055U60Z1,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.046 ohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 270W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: DTMOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+16.87 EUR
22+11 EUR
100+8.22 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK055U60Z1,RQ(S TK055U60Z1,RQ(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK055U60Z1,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.046 ohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 270W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: DTMOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+16.87 EUR
22+11 EUR
100+8.22 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J511NU,LF(T SSM6J511NU,LF(T TOSHIBA 3622446.pdf Description: TOSHIBA - SSM6J511NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 14 A, 6500 µohm, UDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: UDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
169+1.49 EUR
274+0.84 EUR
426+0.5 EUR
565+0.38 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK22A65X5,S5X(M TK22A65X5,S5X(M TOSHIBA 3934664.pdf Description: TOSHIBA - TK22A65X5,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.135 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.7 EUR
41+5.66 EUR
100+4.74 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK22E10N1,S1X(S TK22E10N1,S1X(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK22E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 52 A, 0.0115 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 72W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
auf Bestellung 2621 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+4.97 EUR
103+2.26 EUR
111+1.94 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCKE805NL,RF(S TCKE805NL,RF(S TOSHIBA 3999375.pdf Description: TOSHIBA - TCKE805NL,RF(S - Hot-Swap-Controller, elektronische Sicherung, 4.4V bis 18V Versorgung, 1 Kanal, WSON-10, -40-85°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.4V
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Leistungsschalter: MOSFET
auf Bestellung 3182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.75 EUR
126+1.84 EUR
140+1.54 EUR
144+1.49 EUR
250+1.45 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.37 EUR
2500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3LM33A,RF(T TCR3LM33A,RF(T TOSHIBA 3985392.pdf Description: TOSHIBA - TCR3LM33A,RF(T - LDO-Spannungsregler, fest, 1.4V bis 5.5Vin, 3.3V/300mAout, DFN-D-EP-4, 85°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: DFN-D-EP
Nennausgangsspannung: 3.3V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.4V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 200mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 177mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 177mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 9700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+0.9 EUR
453+0.51 EUR
650+0.33 EUR
736+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
5000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCKE805NL,RF(S TCKE805NL,RF(S TOSHIBA 3999375.pdf Description: TOSHIBA - TCKE805NL,RF(S - Hot-Swap-Controller, elektronische Sicherung, 4.4V bis 18V Versorgung, 1 Kanal, WSON-10, -40-85°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.4V
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Leistungsschalter: MOSFET
auf Bestellung 3182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+2.75 EUR
126+1.84 EUR
140+1.54 EUR
144+1.49 EUR
250+1.45 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.37 EUR
2500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3LM08A,RF(T TCR3LM08A,RF(T TOSHIBA 3985392.pdf Description: TOSHIBA - TCR3LM08A,RF(T - LDO-Spannungsregler, fest, 1.4V bis 5.5Vin, 800mV/300mAout, DFN-D-EP-4, 85°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: DFN-D-EP
Nennausgangsspannung: 800mV
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.4V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 800mV 200mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 800mV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
562+0.44 EUR
725+0.32 EUR
736+0.29 EUR
863+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
5000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 562 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3LM08A,RF(T TCR3LM08A,RF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - TCR3LM08A,RF(T - LDO-Spannungsregler, fest, 1.4V bis 5.5Vin, 800mV/300mAout, DFN-D-EP-4, 85°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: DFN-D-EP
Nennausgangsspannung: 800mV
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.4V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 800mV 200mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 800mV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
562+0.44 EUR
725+0.32 EUR
736+0.29 EUR
863+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
5000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 562 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3LM33A,RF(T TCR3LM33A,RF(T TOSHIBA 3985392.pdf Description: TOSHIBA - TCR3LM33A,RF(T - LDO-Spannungsregler, fest, 1.4V bis 5.5Vin, 3.3V/300mAout, DFN-D-EP-4, 85°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: DFN-D-EP
Nennausgangsspannung: 3.3V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.4V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 200mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 177mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 177mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 9700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+0.9 EUR
453+0.51 EUR
650+0.33 EUR
736+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
5000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK750A60F,S4X(S TK750A60F,S4X(S TOSHIBA 3934757.pdf Description: TOSHIBA - TK750A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.62 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
auf Bestellung 569 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.72 EUR
64+3.67 EUR
100+2.57 EUR
500+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8R2A06PL,S4X(S TK8R2A06PL,S4X(S TOSHIBA 3621104.pdf Description: TOSHIBA - TK8R2A06PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6100 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 36W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
auf Bestellung 789 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+4.97 EUR
79+2.98 EUR
126+1.7 EUR
500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7R4A10PL,S4X(S TK7R4A10PL,S4X(S TOSHIBA 3934770.pdf Description: TOSHIBA - TK7R4A10PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 6300 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 42W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
auf Bestellung 1240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.55 EUR
70+3.32 EUR
113+1.9 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK4R1A10PL,S4X(S TK4R1A10PL,S4X(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK4R1A10PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 3500 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 54W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 408 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.79 EUR
61+3.83 EUR
100+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK090A65Z,S4X(S TK090A65Z,S4X(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK090A65Z,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
auf Bestellung 281 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.81 EUR
18+13.63 EUR
100+8.08 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK4A80E,S4X(S TK4A80E,S4X(S TOSHIBA 3934723.pdf Description: TOSHIBA - TK4A80E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 2.8 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK380A60Y,S4X(S TK380A60Y,S4X(S TOSHIBA TOSC-S-A0002811081-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TOSHIBA - TK380A60Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 30W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
auf Bestellung 528 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.34 EUR
69+3.39 EUR
100+2.38 EUR
500+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK3R1A04PL,S4X(S TK3R1A04PL,S4X(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK3R1A04PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 82 A, 2500 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 36W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK100A06N1,S4X(S TK100A06N1,S4X(S TOSHIBA 3934610.pdf Description: TOSHIBA - TK100A06N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 263 A, 0.0022 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Dauer-Drainstrom Id: 263A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.12 EUR
59+3.96 EUR
100+2.95 EUR
500+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7A80W,S4X(S TK7A80W,S4X(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK7A80W,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6.5 A, 0.795 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 800V
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Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 35W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.795ohm
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.45 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110A10PL,S4X(S TK110A10PL,S4X(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK110A10PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 41 A, 9100 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Dauer-Drainstrom Id: 41A
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 36W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm
auf Bestellung 1570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+4.05 EUR
97+2.42 EUR
136+1.58 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK430A60F,S4X(S TK430A60F,S4X(S TOSHIBA TK430A60F_datasheet_en_20181120.pdf?did=63673&prodName=TK430A60F Description: TOSHIBA - TK430A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.36 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 600V
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
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Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
auf Bestellung 324 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.17 EUR
45+5.25 EUR
100+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK100A10N1,S4X(S TK100A10N1,S4X(S TOSHIBA 3934612.pdf Description: TOSHIBA - TK100A10N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 207 A, 0.0031 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.77 EUR
39+6.06 EUR
100+4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK380A65Y,S4X(S TK380A65Y,S4X(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK380A65Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 30W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.9 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK2R4A08QM,S4X(S TK2R4A08QM,S4X(S TOSHIBA 3934684.pdf Description: TOSHIBA - TK2R4A08QM,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 0.00188 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
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Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00188ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5A90E,S4X(S TK5A90E,S4X(S TOSHIBA 3934733.pdf Description: TOSHIBA - TK5A90E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 4.5 A, 2.5 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6A80E,S4X(S TK6A80E,S4X(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK6A80E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 1.35 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 800V
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Dauer-Drainstrom Id: 6A
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16A60W5,S4VX(M TK16A60W5,S4VX(M TOSHIBA 3934647.pdf Description: TOSHIBA - TK16A60W5,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.18 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 40W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
auf Bestellung 294 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.25 EUR
45+5.25 EUR
100+3.67 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK2K2A60F,S4X(S TK2K2A60F,S4X(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK2K2A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.82 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 30W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.82ohm
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12A80W,S4X(S TK12A80W,S4X(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK12A80W,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11.5 A, 0.38 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
auf Bestellung 447 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.07 EUR
37+6.33 EUR
100+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5R1A08QM,S4X(S TK5R1A08QM,S4X(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK5R1A08QM,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 71 A, 4100 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 45W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
auf Bestellung 917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.75 EUR
58+4.03 EUR
100+2.31 EUR
500+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A80W,S4X(S TK10A80W,S4X(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK10A80W,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9.5 A, 0.46 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1K0A60F,S4X(S TK1K0A60F,S4X(S TOSHIBA 3934654.pdf Description: TOSHIBA - TK1K0A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.5 A, 0.83 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.83ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK3R2A10PL,S4X(S TK3R2A10PL,S4X(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK3R2A10PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 106 A, 2600 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 54W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
auf Bestellung 539 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.9 EUR
42+5.59 EUR
100+3.58 EUR
500+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17A80W,S4X(S TK17A80W,S4X(S TOSHIBA 3934650.pdf Description: TOSHIBA - TK17A80W,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
auf Bestellung 361 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.95 EUR
34+6.94 EUR
100+5.74 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1K2A60F,S4X(S TK1K2A60F,S4X(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK1K2A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 1 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 35W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
auf Bestellung 419 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+3.88 EUR
101+2.31 EUR
162+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5A80E,S4X(S TK5A80E,S4X(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK5A80E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 1.9 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.9ohm
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6A60W,S4VX(M TK6A60W,S4VX(M TOSHIBA 3934746.pdf Description: TOSHIBA - TK6A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 0.68 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 30W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
auf Bestellung 1199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.22 EUR
72+3.22 EUR
100+2.63 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK39A60W,S4VX(M TK39A60W,S4VX(M TOSHIBA TOSCS48803-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TOSHIBA - TK39A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 50W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
auf Bestellung 546 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+30.21 EUR
13+18.86 EUR
15+14.59 EUR
50+11.76 EUR
100+10.28 EUR
250+9.48 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK3A90E,S4X(S TK3A90E,S4X(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK3A90E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.5 A, 3.7 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 35W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
auf Bestellung 999 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+4.32 EUR
98+2.39 EUR
135+1.59 EUR
500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK31A60W,S4VX(M TK31A60W,S4VX(M TOSHIBA 3934687.pdf Description: TOSHIBA - TK31A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 45W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
auf Bestellung 317 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+17.92 EUR
26+9.01 EUR
100+7.71 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6R8A08QM,S4X(S TK6R8A08QM,S4X(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK6R8A08QM,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 58 A, 5300 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 41W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
auf Bestellung 1110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.77 EUR
82+2.86 EUR
132+1.63 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7A65D(STA4,Q,M) TK7A65D_datasheet_en_20131101.pdf?did=2386&prodName=TK7A65D
TK7A65D(STA4,Q,M)
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK7A65D(STA4,Q,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.8 ohm, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: SC-67
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2186 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
41+6.18 EUR
82+2.86 EUR
100+2.33 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK560A65Y,S4X(S
TK560A65Y,S4X(S
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK560A65Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 30W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK560P65Y,RQ(S 3934729.pdf
TK560P65Y,RQ(S
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK560P65Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 60W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
auf Bestellung 747 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
48+5.3 EUR
73+3.18 EUR
119+1.81 EUR
500+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7J90E,S1E(S
TK7J90E,S1E(S
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK7J90E,S1E(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 7 A, 1.6 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7A60W,S4VX(M 3934758.pdf
TK7A60W,S4VX(M
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK7A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 30W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12A60D(STA4,Q,M) 3934629.pdf
TK12A60D(STA4,Q,M)
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK12A60D(STA4,Q,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.45 ohm, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: SC-67
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
33+7.75 EUR
64+3.64 EUR
100+2.89 EUR
500+2.38 EUR
1000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPHR9203PL1,LQ(M 3934820.pdf
TPHR9203PL1,LQ(M
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPHR9203PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 320 A, 610 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 320A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 610µohm
auf Bestellung 3445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
56+4.47 EUR
87+2.69 EUR
130+1.67 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPHR9203PL1,LQ(M 3934820.pdf
TPHR9203PL1,LQ(M
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPHR9203PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 320 A, 610 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 320A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 610µohm
auf Bestellung 3445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.69 EUR
130+1.67 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH6R003NL,LQ(S
TPH6R003NL,LQ(S
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH6R003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 57 A, 5200 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1574 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
68+3.7 EUR
107+2.19 EUR
160+1.34 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLP2761(E(T 2017826.pdf
TLP2761(E(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP2761(E(T - Optokoppler, Digitalausgang, 1 Kanal, 5 kV, 15 Mbaud, LSOP, 6 Pin(s), TLP276
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: LSOP
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate: 15Mbaud
usEccn: EAR99
Produktpalette: TLP276
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
106+2.38 EUR
141+1.65 EUR
144+1.49 EUR
148+1.45 EUR
163+1.32 EUR
500+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R306P1,L1Q(M
TPH1R306P1,L1Q(M
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH1R306P1,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 A, 960 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.68 EUR
500+2.27 EUR
1000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R306P1,L1Q(M
TPH1R306P1,L1Q(M
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH1R306P1,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 A, 960 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
37+6.9 EUR
56+4.18 EUR
100+2.68 EUR
500+2.27 EUR
1000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6R9P08QM,RQ(S2 3934754.pdf
TK6R9P08QM,RQ(S2
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK6R9P08QM,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 83 A, 5500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 89W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
auf Bestellung 2330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.69 EUR
129+1.67 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6R9P08QM,RQ(S2 3934754.pdf
TK6R9P08QM,RQ(S2
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK6R9P08QM,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 83 A, 5500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 89W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
auf Bestellung 2330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
56+4.52 EUR
87+2.69 EUR
129+1.67 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K15AMFV,L3F(T
SSM3K15AMFV,L3F(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K15AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
auf Bestellung 35633 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
443+0.56 EUR
1045+0.23 EUR
1339+0.15 EUR
1993+0.11 EUR
4000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 443 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK099V65Z,LQ(S
TK099V65Z,LQ(S
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK099V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.08 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 230W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 166 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+15.87 EUR
24+9.96 EUR
100+6.94 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK099V65Z,LQ(S
TK099V65Z,LQ(S
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK099V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.08 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 166 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+15.87 EUR
24+9.96 EUR
100+6.94 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK055U60Z1,RQ(S
TK055U60Z1,RQ(S
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK055U60Z1,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.046 ohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 270W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: DTMOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+16.87 EUR
22+11 EUR
100+8.22 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK055U60Z1,RQ(S
TK055U60Z1,RQ(S
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK055U60Z1,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.046 ohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 270W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: DTMOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+16.87 EUR
22+11 EUR
100+8.22 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J511NU,LF(T 3622446.pdf
SSM6J511NU,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6J511NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 14 A, 6500 µohm, UDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: UDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
169+1.49 EUR
274+0.84 EUR
426+0.5 EUR
565+0.38 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK22A65X5,S5X(M 3934664.pdf
TK22A65X5,S5X(M
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK22A65X5,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.135 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
22+11.7 EUR
41+5.66 EUR
100+4.74 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK22E10N1,S1X(S
TK22E10N1,S1X(S
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK22E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 52 A, 0.0115 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 72W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
auf Bestellung 2621 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
51+4.97 EUR
103+2.26 EUR
111+1.94 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCKE805NL,RF(S 3999375.pdf
TCKE805NL,RF(S
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TCKE805NL,RF(S - Hot-Swap-Controller, elektronische Sicherung, 4.4V bis 18V Versorgung, 1 Kanal, WSON-10, -40-85°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.4V
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Leistungsschalter: MOSFET
auf Bestellung 3182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.75 EUR
126+1.84 EUR
140+1.54 EUR
144+1.49 EUR
250+1.45 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.37 EUR
2500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3LM33A,RF(T 3985392.pdf
TCR3LM33A,RF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TCR3LM33A,RF(T - LDO-Spannungsregler, fest, 1.4V bis 5.5Vin, 3.3V/300mAout, DFN-D-EP-4, 85°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: DFN-D-EP
Nennausgangsspannung: 3.3V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.4V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 200mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 177mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 177mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 9700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
278+0.9 EUR
453+0.51 EUR
650+0.33 EUR
736+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
5000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCKE805NL,RF(S 3999375.pdf
TCKE805NL,RF(S
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TCKE805NL,RF(S - Hot-Swap-Controller, elektronische Sicherung, 4.4V bis 18V Versorgung, 1 Kanal, WSON-10, -40-85°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.4V
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Leistungsschalter: MOSFET
auf Bestellung 3182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
91+2.75 EUR
126+1.84 EUR
140+1.54 EUR
144+1.49 EUR
250+1.45 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.37 EUR
2500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3LM08A,RF(T 3985392.pdf
TCR3LM08A,RF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TCR3LM08A,RF(T - LDO-Spannungsregler, fest, 1.4V bis 5.5Vin, 800mV/300mAout, DFN-D-EP-4, 85°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: DFN-D-EP
Nennausgangsspannung: 800mV
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.4V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 800mV 200mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 800mV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
562+0.44 EUR
725+0.32 EUR
736+0.29 EUR
863+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
5000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 562 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3LM08A,RF(T
TCR3LM08A,RF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TCR3LM08A,RF(T - LDO-Spannungsregler, fest, 1.4V bis 5.5Vin, 800mV/300mAout, DFN-D-EP-4, 85°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: DFN-D-EP
Nennausgangsspannung: 800mV
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.4V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 800mV 200mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 800mV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
562+0.44 EUR
725+0.32 EUR
736+0.29 EUR
863+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
5000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 562 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3LM33A,RF(T 3985392.pdf
TCR3LM33A,RF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TCR3LM33A,RF(T - LDO-Spannungsregler, fest, 1.4V bis 5.5Vin, 3.3V/300mAout, DFN-D-EP-4, 85°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: DFN-D-EP
Nennausgangsspannung: 3.3V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.4V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 200mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 177mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 177mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 9700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
278+0.9 EUR
453+0.51 EUR
650+0.33 EUR
736+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
5000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK750A60F,S4X(S 3934757.pdf
TK750A60F,S4X(S
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK750A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.62 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
auf Bestellung 569 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
38+6.72 EUR
64+3.67 EUR
100+2.57 EUR
500+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8R2A06PL,S4X(S 3621104.pdf
TK8R2A06PL,S4X(S
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK8R2A06PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6100 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 36W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
auf Bestellung 789 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
51+4.97 EUR
79+2.98 EUR
126+1.7 EUR
500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7R4A10PL,S4X(S 3934770.pdf
TK7R4A10PL,S4X(S
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK7R4A10PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 6300 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 42W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
auf Bestellung 1240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
46+5.55 EUR
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Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK4R1A10PL,S4X(S
TK4R1A10PL,S4X(S
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK4R1A10PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 3500 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 85A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 54W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 408 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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37+6.79 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK090A65Z,S4X(S
TK090A65Z,S4X(S
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK090A65Z,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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Dauer-Drainstrom Id: 30A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
auf Bestellung 281 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+21.81 EUR
18+13.63 EUR
100+8.08 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK4A80E,S4X(S 3934723.pdf
TK4A80E,S4X(S
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK4A80E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 2.8 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
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Dauer-Drainstrom Id: 4A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK380A60Y,S4X(S TOSC-S-A0002811081-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TK380A60Y,S4X(S
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK380A60Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 600V
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 30W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
auf Bestellung 528 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
47+5.34 EUR
69+3.39 EUR
100+2.38 EUR
500+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK3R1A04PL,S4X(S
TK3R1A04PL,S4X(S
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK3R1A04PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 82 A, 2500 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 36W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK100A06N1,S4X(S 3934610.pdf
TK100A06N1,S4X(S
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK100A06N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 263 A, 0.0022 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 263A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
31+8.12 EUR
59+3.96 EUR
100+2.95 EUR
500+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK7A80W,S4X(S
TK7A80W,S4X(S
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK7A80W,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6.5 A, 0.795 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 800V
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Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 35W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.795ohm
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
34+7.45 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110A10PL,S4X(S
TK110A10PL,S4X(S
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK110A10PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 41 A, 9100 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Dauer-Drainstrom Id: 41A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 36W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm
auf Bestellung 1570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
62+4.05 EUR
97+2.42 EUR
136+1.58 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK430A60F,S4X(S TK430A60F_datasheet_en_20181120.pdf?did=63673&prodName=TK430A60F
TK430A60F,S4X(S
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK430A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.36 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
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isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
auf Bestellung 324 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
28+9.17 EUR
45+5.25 EUR
100+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK100A10N1,S4X(S 3934612.pdf
TK100A10N1,S4X(S
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK100A10N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 207 A, 0.0031 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
24+10.77 EUR
39+6.06 EUR
100+4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK380A65Y,S4X(S
TK380A65Y,S4X(S
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK380A65Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 30W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
37+6.9 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK2R4A08QM,S4X(S 3934684.pdf
TK2R4A08QM,S4X(S
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK2R4A08QM,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 0.00188 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00188ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5A90E,S4X(S 3934733.pdf
TK5A90E,S4X(S
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK5A90E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 4.5 A, 2.5 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6A80E,S4X(S
TK6A80E,S4X(S
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK6A80E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 1.35 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16A60W5,S4VX(M 3934647.pdf
TK16A60W5,S4VX(M
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK16A60W5,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.18 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 40W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
auf Bestellung 294 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
31+8.25 EUR
45+5.25 EUR
100+3.67 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK2K2A60F,S4X(S
TK2K2A60F,S4X(S
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK2K2A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.82 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 30W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.82ohm
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK12A80W,S4X(S
TK12A80W,S4X(S
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK12A80W,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11.5 A, 0.38 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
auf Bestellung 447 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+10.07 EUR
37+6.33 EUR
100+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5R1A08QM,S4X(S
TK5R1A08QM,S4X(S
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK5R1A08QM,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 71 A, 4100 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 45W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
auf Bestellung 917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
38+6.75 EUR
58+4.03 EUR
100+2.31 EUR
500+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK10A80W,S4X(S
TK10A80W,S4X(S
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK10A80W,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9.5 A, 0.46 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1K0A60F,S4X(S 3934654.pdf
TK1K0A60F,S4X(S
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK1K0A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.5 A, 0.83 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.83ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK3R2A10PL,S4X(S
TK3R2A10PL,S4X(S
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK3R2A10PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 106 A, 2600 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 54W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
auf Bestellung 539 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
29+8.9 EUR
42+5.59 EUR
100+3.58 EUR
500+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17A80W,S4X(S 3934650.pdf
TK17A80W,S4X(S
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK17A80W,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
auf Bestellung 361 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+12.95 EUR
34+6.94 EUR
100+5.74 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1K2A60F,S4X(S
TK1K2A60F,S4X(S
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK1K2A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 1 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 35W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
auf Bestellung 419 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
65+3.88 EUR
101+2.31 EUR
162+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5A80E,S4X(S
TK5A80E,S4X(S
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK5A80E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 1.9 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.9ohm
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6A60W,S4VX(M 3934746.pdf
TK6A60W,S4VX(M
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK6A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 0.68 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 30W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
auf Bestellung 1199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
41+6.22 EUR
72+3.22 EUR
100+2.63 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK39A60W,S4VX(M TOSCS48803-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TK39A60W,S4VX(M
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK39A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 50W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
auf Bestellung 546 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+30.21 EUR
13+18.86 EUR
15+14.59 EUR
50+11.76 EUR
100+10.28 EUR
250+9.48 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK3A90E,S4X(S
TK3A90E,S4X(S
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK3A90E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.5 A, 3.7 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 35W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
auf Bestellung 999 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
58+4.32 EUR
98+2.39 EUR
135+1.59 EUR
500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK31A60W,S4VX(M 3934687.pdf
TK31A60W,S4VX(M
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK31A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 45W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
auf Bestellung 317 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+17.92 EUR
26+9.01 EUR
100+7.71 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6R8A08QM,S4X(S
TK6R8A08QM,S4X(S
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK6R8A08QM,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 58 A, 5300 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 41W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
auf Bestellung 1110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
53+4.77 EUR
82+2.86 EUR
132+1.63 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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