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SI7108DN-T1-E3 VISHAY si7108dn.pdf description SI7108DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7108DN-T1-GE3 VISHAY si7108dn.pdf SI7108DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7110DN-T1-E3 VISHAY si7110dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 21.1A; Idm: 60A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 7.8mΩ
Power dissipation: 3.8W
Drain current: 21.1A
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 20V
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7110DN-T1-GE3 VISHAY si7110dn.pdf SI7110DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Si7111EDN-T1-GE3 VISHAY si7111edn.pdf SI7111EDN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7112DN-T1-E3 VISHAY si7112dn.pdf SI7112DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7112DN-T1-GE3 VISHAY si7112dn.pdf SI7112DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7113ADN-T1-GE3 VISHAY si7113adn.pdf SI7113ADN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7113DN-T1-E3 VISHAY si7113dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -3.5A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.134Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7113DN-T1-GE3 SI7113DN-T1-GE3 VISHAY si7113dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -3.5A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.134Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2553 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.9 EUR
46+1.57 EUR
65+1.1 EUR
69+1.04 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 38
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SI7114ADN-T1-GE3 VISHAY si7114ad.pdf SI7114ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7114DN-T1-E3 VISHAY si7114dn.pdf SI7114DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7115DN-T1-E3 VISHAY si7115dn.pdf SI7115DN-T1-E3 SMD P channel transistors
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SI7115DN-T1-GE3 VISHAY si7115dn.pdf SI7115DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.57 EUR
59+1.22 EUR
62+1.16 EUR
3000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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SI7116BDN-T1-GE3 VISHAY SI7116BDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7116DN-T1-E3 VISHAY si7116dn.pdf SI7116DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7116DN-T1-GE3 VISHAY si7116dn.pdf SI7116DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7117DN-T1-E3 VISHAY si7117dn.pdf SI7117DN-T1-E3 SMD P channel transistors
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SI7117DN-T1-GE3 VISHAY si7117dn.pdf SI7117DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7119DN-T1-E3 VISHAY si7119dn.pdf SI7119DN-T1-E3 SMD P channel transistors
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SI7119DN-T1-GE3 VISHAY si7119dn.pdf SI7119DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Si7120ADN-T1-GE3 VISHAY Si7120ADN.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 9.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 3.8W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7121ADN-T1-GE3 VISHAY si7121adn.pdf SI7121ADN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7121DN-T1-GE3 VISHAY si7121adn.pdf SI7121DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7129DN-T1-GE3 VISHAY si7129dn.pdf SI7129DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7135DP-T1-GE3 VISHAY si7135dp.pdf SI7135DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7137DP-T1-GE3 VISHAY si7137dp.pdf SI7137DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7139DP-T1-GE3 VISHAY si7139dp.pdf SI7139DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7141DP-T1-GE3 VISHAY si7141dp.pdf SI7141DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7143DP-T1-GE3 VISHAY si7143dp.pdf SI7143DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7145DP-T1-GE3 VISHAY si7145dp.pdf SI7145DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7148DP-T1-E3 VISHAY 73314.pdf SI7148DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7148DP-T1-GE3 VISHAY 73314.pdf SI7148DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B88CA235F95D40C4&compId=si7149adp.pdf?ci_sign=f7d6243395fc5c14db861871eff0338269919b8f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -50A; 31W
Technology: TrenchFET®
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: -50A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 43.1nC
On-state resistance: 9.5mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 31W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2127 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
73+0.99 EUR
77+0.94 EUR
138+0.52 EUR
146+0.49 EUR
1000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 73
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SI7149DP-T1-GE3 VISHAY si7149dp.pdf SI7149DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7153DN-T1-GE3 VISHAY si7153dn.pdf SI7153DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 4717 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
198+0.36 EUR
210+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 136
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SI7155DP-T1-GE3 VISHAY si7155dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -100A; Idm: -200A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -100A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 330nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI7157DP-T1-GE3 VISHAY si7157dp.pdf SI7157DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7164DP-T1-GE3 VISHAY si7164dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 60A; Idm: 80A; 104W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 60A
On-state resistance: 6.25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 75nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI7172ADP-T1-RE3 VISHAY si7172adp.pdf SI7172ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SI7172DP-T1-GE3 VISHAY si7172dp.pdf SI7172DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7174DP-T1-GE3 VISHAY si7174dp.pdf SI7174DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7178DP-T1-GE3 VISHAY si7178dp.pdf description SI7178DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7190ADP-T1-RE3 VISHAY vis-si7190adp-t1-re3.pdf SI7190ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SI7190DP-T1-GE3 VISHAY si7190dp.pdf SI7190DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7192DP-T1-GE3 VISHAY si7192dp.pdf SI7192DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7212DN-T1-E3 VISHAY si7212dn.pdf SI7212DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7212DN-T1-GE3 VISHAY si7212dn.pdf SI7212DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7216DN-T1-E3 VISHAY si7216dn.pdf SI7216DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7216DN-T1-GE3 VISHAY si7216dn.pdf SI7216DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7220DN-T1-E3 VISHAY si7220dn.pdf SI7220DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7220DN-T1-GE3 VISHAY si7220dn.pdf SI7220DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7223DN-T1-GE3 VISHAY si7223dn.pdf SI7223DN-T1-GE3 Multi channel transistors
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SI7232DN-T1-GE3 VISHAY si7232dn.pdf SI7232DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7234DP-T1-GE3 VISHAY si7234dp.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 12V; 60A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 46W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7252ADP-T1-GE3 VISHAY si7252adp.pdf SI7252ADP-T1-GE3 Multi channel transistors
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SI7252DP-T1-GE3 VISHAY si7252dp.pdf SI7252DP-T1-GE3 Multi channel transistors
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SI7272DP-T1-GE3 VISHAY si7272dp.pdf SI7272DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7288DP-T1-GE3 VISHAY si7288dp.pdf SI7288DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2963 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
39+1.86 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 39
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SI7108DN-T1-E3 description si7108dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7108DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7108DN-T1-GE3 si7108dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7108DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7110DN-T1-E3 si7110dn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 21.1A; Idm: 60A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 7.8mΩ
Power dissipation: 3.8W
Drain current: 21.1A
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 20V
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7110DN-T1-GE3 si7110dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7110DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si7111EDN-T1-GE3 si7111edn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7111EDN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7112DN-T1-E3 si7112dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7112DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7112DN-T1-GE3 si7112dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7112DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7113ADN-T1-GE3 si7113adn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7113ADN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7113DN-T1-E3 si7113dn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -3.5A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.134Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7113DN-T1-GE3 si7113dn.pdf
SI7113DN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -3.5A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.134Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2553 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.9 EUR
46+1.57 EUR
65+1.1 EUR
69+1.04 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 38
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Hersteller: VISHAY
SI7114ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7114DN-T1-E3 si7114dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7114DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7114DN-T1-GE3 si7114dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7114DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7115DN-T1-E3 si7115dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7115DN-T1-E3 SMD P channel transistors
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SI7115DN-T1-GE3 si7115dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7115DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.57 EUR
59+1.22 EUR
62+1.16 EUR
3000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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SI7116BDN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
SI7116BDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7116DN-T1-E3 si7116dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7116DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7116DN-T1-GE3 si7116dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7116DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7117DN-T1-E3 si7117dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7117DN-T1-E3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7117DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7119DN-T1-E3 SMD P channel transistors
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Si7120ADN-T1-GE3 Si7120ADN.PDF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 9.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 3.8W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Hersteller: VISHAY
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Hersteller: VISHAY
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SI7148DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7149ADP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -50A; 31W
Technology: TrenchFET®
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: -50A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 43.1nC
On-state resistance: 9.5mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 31W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2127 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
73+0.99 EUR
77+0.94 EUR
138+0.52 EUR
146+0.49 EUR
1000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 73
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Hersteller: VISHAY
SI7149DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
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auf Bestellung 4717 Stücke:
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210+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 136
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -100A; Idm: -200A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -100A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 330nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: VISHAY
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 60A; Idm: 80A; 104W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 60A
On-state resistance: 6.25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 75nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: VISHAY
SI7172ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SI7174DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7178DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7190ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7190DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7192DP-T1-GE3 si7192dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7192DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7212DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7212DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7216DN-T1-E3 si7216dn.pdf
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SI7216DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7220DN-T1-E3 si7220dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7220DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7220DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7223DN-T1-GE3 Multi channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7232DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 12V; 60A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 46W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Hersteller: VISHAY
SI7252ADP-T1-GE3 Multi channel transistors
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SI7288DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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