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SI7464DP-T1-GE3 VISHAY si7464dp.pdf SI7464DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7465DP-T1-E3 SI7465DP-T1-E3 VISHAY 73113.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -25A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 0.94W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2363 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
48+1.52 EUR
58+1.24 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7465DP-T1-GE3 VISHAY 73113.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -25A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 0.94W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7469ADP-T1-RE3 VISHAY si7469adp.pdf SI7469ADP-T1-RE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7469DP-T1-E3 VISHAY si7469dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -28A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -28A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 83W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 160nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7469DP-T1-GE3 VISHAY si7469dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -28A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -28A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 53W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 160nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7478DP-T1-E3 VISHAY si7478dp.pdf SI7478DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7478DP-T1-GE3 VISHAY si7478dp.pdf SI7478DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7489DP-T1-E3 VISHAY si7489dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -28A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -28A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 53W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 160nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7489DP-T1-GE3 VISHAY si7489dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -28A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -28A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 53W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 160nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7540ADP-T1-GE3 VISHAY si7540adp.pdf SI7540ADP-T1-GE3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7611DN-T1-GE3 VISHAY si7611dn.pdf SI7611DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7613DN-T1-GE3 VISHAY si7613dn.pdf SI7613DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY si7615adn.pdf SI7615ADN-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 3579 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
68+1.06 EUR
141+0.51 EUR
148+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7615CDN-T1-GE3 VISHAY si7615cdn.pdf SI7615CDN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7617DN-T1-GE3 SI7617DN-T1-GE3 VISHAY si7617dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -13.9A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -13.9A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2790 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
68+1.06 EUR
84+0.86 EUR
103+0.7 EUR
109+0.66 EUR
1000+0.65 EUR
3000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7619DN-T1-GE3 VISHAY si7619dn.pdf SI7619DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7623DN-T1-GE3 VISHAY si7623dn.pdf SI7623DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7625DN-T1-GE3 VISHAY si7625dn.pdf SI7625DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7629DN-T1-GE3 VISHAY si7629dn.pdf SI7629DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7633DP-T1-GE3 VISHAY si7633dp.pdf SI7633DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7634BDP-T1-E3 VISHAY si7634bd.pdf SI7634BDP-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7634BDP-T1-GE3 VISHAY si7634bd.pdf SI7634BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7636DP-T1-E3 VISHAY si7636dp.pdf SI7636DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7636DP-T1-GE3 VISHAY si7636dp.pdf SI7636DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7655ADN-T1-GE3 SI7655ADN-T1-GE3 VISHAY si7655adn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -40A; Idm: -100A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -100A
Drain current: -40A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 225nC
On-state resistance: 3.6mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 36W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.43 EUR
74+0.97 EUR
124+0.58 EUR
131+0.55 EUR
1000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7655DN-T1-GE3 VISHAY si7655dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -40A; Idm: -100A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -100A
Drain current: -40A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 225nC
On-state resistance: 8.5mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 57W
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7658ADP-T1-GE3 VISHAY si7658adp.pdf SI7658ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7686DP-T1-E3 VISHAY si7686dp.pdf SI7686DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7686DP-T1-GE3 VISHAY si7686dp.pdf SI7686DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7716ADN-T1-GE3 VISHAY SI7716ADN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 16A; Idm: 32A
Power dissipation: 27.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 32A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
On-state resistance: 16.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si7726DN-T1-GE3 VISHAY si7726dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 35A
Type of transistor: N-MOSFET + Schottky
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 52W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7738DP-T1-E3 VISHAY si7738dp.pdf SI7738DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7738DP-T1-GE3 VISHAY si7738dp.pdf SI7738DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7742DP-T1-GE3 VISHAY si7742dp.pdf SI7742DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7772DP-T1-GE3 VISHAY si7772dp.pdf SI7772DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7804DN-T1-E3 VISHAY 72317.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 10A; Idm: 40A; 3.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 3.5W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7806ADN-T1-E3 VISHAY 72995.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 14A; Idm: 40A; 3.7W
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 16mΩ
Power dissipation: 3.7W
Drain current: 14A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7806ADN-T1-GE3 VISHAY 72995.pdf SI7806ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7810DN-T1-E3 VISHAY 70689.pdf SI7810DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7810DN-T1-GE3 VISHAY 70689.pdf SI7810DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7812DN-T1-E3 VISHAY si7812dn.pdf SI7812DN-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7812DN-T1-GE3 VISHAY si7812dn.pdf SI7812DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7818DN-T1-E3 VISHAY si7818dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 2.2A; Idm: 10A
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 135mΩ
Power dissipation: 0.8W
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7818DN-T1-GE3 VISHAY si7818dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 2.2A; Idm: 10A
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 135mΩ
Power dissipation: 0.8W
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7820DN-T1-E3 VISHAY si7820dn.pdf SI7820DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7820DN-T1-GE3 VISHAY si7820dn.pdf SI7820DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7846DP-T1-E3 VISHAY Si7846DP.PDF SI7846DP-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7846DP-T1-GE3 VISHAY 71442.pdf SI7846DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7848BDP-T1-E3 VISHAY si7848bdp.pdf SI7848BDP-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7848BDP-T1-GE3 VISHAY si7848bdp.pdf SI7848BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7850ADP-T1-GE3 VISHAY si7850adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 12A; Idm: 40A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 35.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7850DP-T1-E3 VISHAY 71625.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6.2A; Idm: 40A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 0.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 6.2A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7850DP-T1-GE3 SI7850DP-T1-GE3 VISHAY 71625.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6.2A; Idm: 40A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 0.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 6.2A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2967 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.96 EUR
30+2.4 EUR
34+2.14 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7852ADP-T1-E3 VISHAY si7852ad.pdf SI7852ADP-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7852ADP-T1-GE3 VISHAY si7852ad.pdf description SI7852ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7852DP-T1-E3 VISHAY si7852dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 7.6A; Idm: 50A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41nC
On-state resistance: 16.5mΩ
Power dissipation: 1.2W
Drain current: 7.6A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Drain-source voltage: 80V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7852DP-T1-GE3 VISHAY si7852dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 7.6A; Idm: 50A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41nC
On-state resistance: 16.5mΩ
Power dissipation: 1.2W
Drain current: 7.6A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Drain-source voltage: 80V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7858ADP-T1-E3 VISHAY si7858ad.pdf SI7858ADP-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7858ADP-T1-GE3 VISHAY 73164.pdf SI7858ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7464DP-T1-GE3 si7464dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7464DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7465DP-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -25A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 0.94W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -25A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 0.94W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Hersteller: VISHAY
SI7469ADP-T1-RE3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -28A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -28A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 83W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 160nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -28A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -28A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 53W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 160nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: VISHAY
SI7478DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7478DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -28A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -28A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 53W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 160nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7489DP-T1-GE3 si7489dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -28A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -28A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 53W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 160nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Hersteller: VISHAY
SI7540ADP-T1-GE3 Multi channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7611DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7613DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7615ADN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7615CDN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7617DN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -13.9A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -13.9A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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auf Bestellung 2790 Stücke:
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Hersteller: VISHAY
SI7619DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7623DN-T1-GE3 si7623dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7623DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7625DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7629DN-T1-GE3 si7629dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7629DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7633DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7634BDP-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7634BDP-T1-GE3 si7634bd.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7634BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7636DP-T1-E3 si7636dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7636DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7636DP-T1-GE3 si7636dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7636DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7655ADN-T1-GE3 si7655adn.pdf
SI7655ADN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -40A; Idm: -100A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -100A
Drain current: -40A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 225nC
On-state resistance: 3.6mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 36W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.43 EUR
74+0.97 EUR
124+0.58 EUR
131+0.55 EUR
1000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7655DN-T1-GE3 si7655dn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -40A; Idm: -100A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -100A
Drain current: -40A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 225nC
On-state resistance: 8.5mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 57W
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI7658ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7686DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7686DP-T1-GE3 si7686dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7686DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7716ADN-T1-GE3 SI7716ADN.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 16A; Idm: 32A
Power dissipation: 27.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 32A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
On-state resistance: 16.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 35A
Type of transistor: N-MOSFET + Schottky
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 52W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7738DP-T1-E3 si7738dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7738DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7738DP-T1-GE3 si7738dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7738DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7742DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7772DP-T1-GE3 si7772dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7772DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7804DN-T1-E3 72317.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 10A; Idm: 40A; 3.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 3.5W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7806ADN-T1-E3 72995.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 14A; Idm: 40A; 3.7W
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 16mΩ
Power dissipation: 3.7W
Drain current: 14A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7806ADN-T1-GE3 72995.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7806ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI7810DN-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI7810DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7812DN-T1-E3 si7812dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7812DN-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7812DN-T1-GE3 si7812dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7812DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7818DN-T1-E3 si7818dn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 2.2A; Idm: 10A
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 135mΩ
Power dissipation: 0.8W
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7818DN-T1-GE3 si7818dn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 2.2A; Idm: 10A
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 135mΩ
Power dissipation: 0.8W
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7820DN-T1-E3 si7820dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7820DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7820DN-T1-GE3 si7820dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7820DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7846DP-T1-E3 Si7846DP.PDF
Hersteller: VISHAY
SI7846DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7846DP-T1-GE3 71442.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7846DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7848BDP-T1-E3 si7848bdp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7848BDP-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7848BDP-T1-GE3 si7848bdp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7848BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7850ADP-T1-GE3 si7850adp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 12A; Idm: 40A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 35.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7850DP-T1-E3 71625.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6.2A; Idm: 40A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 0.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 6.2A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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SI7850DP-T1-GE3 71625.pdf
SI7850DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6.2A; Idm: 40A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 0.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 6.2A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2967 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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30+2.4 EUR
34+2.14 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI7852ADP-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7852ADP-T1-GE3 description si7852ad.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7852ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7852DP-T1-E3 si7852dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 7.6A; Idm: 50A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41nC
On-state resistance: 16.5mΩ
Power dissipation: 1.2W
Drain current: 7.6A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Drain-source voltage: 80V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7852DP-T1-GE3 si7852dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 7.6A; Idm: 50A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41nC
On-state resistance: 16.5mΩ
Power dissipation: 1.2W
Drain current: 7.6A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Drain-source voltage: 80V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7858ADP-T1-E3 si7858ad.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7858ADP-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7858ADP-T1-GE3 73164.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7858ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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