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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SI4936CDY-T1-GE3 SI4936CDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABB85D37AA64F60C7&compId=si4936cdy-t1-e3.pdf?ci_sign=90fd2b1e62740aefc82a1551863ac9c65766bedb Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.6A; Idm: 20A
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 20A
Drain current: 4.6A
Gate charge: 9nC
Type of transistor: N-MOSFET x2
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 1.5W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 531 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
63+1.14 EUR
87+0.83 EUR
155+0.46 EUR
164+0.44 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4943BDY-T1-E3 VISHAY si4943bd.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -8.4A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -30A
Drain current: -8.4A
Gate charge: 25nC
Type of transistor: P-MOSFET x2
On-state resistance: 31mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4943CDY-T1-E3 VISHAY si4943cdy.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -8A; Idm: -30A
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -30A
Drain current: -8A
Gate charge: 62nC
Type of transistor: P-MOSFET x2
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 3.1W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4943CDY-T1-GE3 VISHAY si4943cdy.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -8A; Idm: -30A
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -30A
Drain current: -8A
Gate charge: 62nC
Type of transistor: P-MOSFET x2
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 3.1W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F399C181EC411C&compId=SI4946BEY-DTE.pdf?ci_sign=a655ba4d38ffd184a0bcddc24a06cf6b804ecf59 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 4.4A; 3.7W; SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: reel; tape
Drain current: 4.4A
Gate charge: 25nC
Type of transistor: N-MOSFET x2
On-state resistance: 52mΩ
Power dissipation: 3.7W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
37+1.94 EUR
48+1.49 EUR
57+1.26 EUR
67+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4946BEY-T1-GE3 SI4946BEY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F399C181EC411C&compId=SI4946BEY-DTE.pdf?ci_sign=a655ba4d38ffd184a0bcddc24a06cf6b804ecf59 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 4.4A; 3.7W; SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: reel; tape
Drain current: 4.4A
Gate charge: 25nC
Type of transistor: N-MOSFET x2
On-state resistance: 52mΩ
Power dissipation: 3.7W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
34+2.14 EUR
97+0.74 EUR
103+0.7 EUR
2500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4946CDY-T1-GE3 VISHAY si4946cdy.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6.1A; Idm: 25A
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 25A
Drain current: 6.1A
Gate charge: 10nC
Type of transistor: N-MOSFET x2
On-state resistance: 51.6mΩ
Power dissipation: 2.8W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4948BEY-T1-E3 VISHAY si4948be.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.4A; 0.95W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -25A
Drain current: -2.4A
Gate charge: 22nC
Type of transistor: P-MOSFET x2
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.95W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4948BEY-T1-GE3 SI4948BEY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0928A6A1347E540DF&compId=SI4948BEY.pdf?ci_sign=238d2536006e9317b5f25d4bdf26d23435775940 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.4A; 0.95W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -25A
Drain current: -2.4A
Gate charge: 22nC
Type of transistor: P-MOSFET x2
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.95W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2306 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.6 EUR
62+1.16 EUR
130+0.55 EUR
138+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4963BDY-T1-E3 VISHAY si4963bd.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.5A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -40A
Drain current: -6.5A
Gate charge: 21nC
Type of transistor: P-MOSFET x2
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±12V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4963BDY-T1-GE3 VISHAY si4963bd.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.5A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -40A
Drain current: -6.5A
Gate charge: 21nC
Type of transistor: P-MOSFET x2
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±12V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5403DC-T1-GE3 VISHAY si5403dc.pdf SI5403DC-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5418DU-T1-GE3 VISHAY si5418du.pdf SI5418DU-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5419DU-T1-GE3 VISHAY si5419du.pdf SI5419DU-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5424DC-T1-GE3 VISHAY si5424dc.pdf SI5424DC-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5429DU-T1-GE3 VISHAY si5429du.pdf SI5429DU.pdf SI5429DU-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5441BDC-T1-E3 VISHAY 73207.pdf SI5441BDC-T1-E3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5441BDC-T1-GE3 VISHAY 73207.pdf SI5441BDC-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5442DU-T1-GE3 VISHAY si5442du.pdf SI5442DU-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si5448DU-T1-GE3 VISHAY si5448du.pdf SI5448DU-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5457DC-T1-GE3 VISHAY si5457dc.pdf SI5457DC-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5458DU-T1-GE3 VISHAY si5458du.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6A; Idm: 20A; 10.4W
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerPAK® ChipFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9nC
Drain current: 6A
On-state resistance: 51mΩ
Power dissipation: 10.4W
Pulsed drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5459DU-T1-GE3 VISHAY si5459du.pdf SI5459DU-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5468DC-T1-GE3 VISHAY si5468dc.pdf SI5468DC-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5471DC-T1-GE3 VISHAY si5471dc.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6A; Idm: -25A
Case: PowerPAK® ChipFET
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
On-state resistance: 62mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 6.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 96nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -25A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5476DU-T1-GE3 VISHAY si5476du.pdf SI5476DU-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5504BDC-T1-E3 VISHAY si5504bdc.pdf SI5504BDC-T1-E3 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5504BDC-T1-GE3 VISHAY si5504bdc.pdf SI5504BDC-T1-GE3 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5513CDC-T1-E3 VISHAY si5513cd.pdf SI5513CDC-T1-E3 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5513CDC-T1-GE3 VISHAY si5513cd.pdf SI5513CDC-T1-GE3 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5515CDC-T1-E3 VISHAY si5515cd.pdf SI5515CDC-T1-E3 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5515CDC-T1-GE3 VISHAY si5515cd.pdf SI5515CDC-T1-GE3 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5517DU-T1-GE3 VISHAY si5517du.pdf SI5517DU-T1-GE3 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5902BDC-T1-E3 VISHAY si5902bd.pdf SI5902BDC-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5902BDC-T1-GE3 VISHAY si5902bd.pdf SI5902BDC-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5908DC-T1-E3 VISHAY si5908dc.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 5.9A; Idm: 20A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: ±8V
Gate charge: 7.5nC
Drain current: 5.9A
On-state resistance: 52mΩ
Power dissipation: 2.1W
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 20A
Case: 1206-8 ChipFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5908DC-T1-GE3 VISHAY si5908dc.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 5.9A; Idm: 20A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: ±8V
Gate charge: 7.5nC
Drain current: 5.9A
On-state resistance: 52mΩ
Power dissipation: 2.1W
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 20A
Case: 1206-8 ChipFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si5922DU-T1-GE3 VISHAY SI5922DU-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5935CDC-T1-E3 VISHAY si5935cdc.pdf SI5935CDC-T1-E3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5935CDC-T1-GE3 VISHAY Si5935CDC.PDF SI5935CDC-T1-GE3 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5936DU-T1-GE3 VISHAY si5936du.pdf SI5936DU-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si5948DU-T1-GE3 VISHAY si5948du.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 6A; Idm: 10A; 7W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5nC
On-state resistance: 94mΩ
Drain current: 6A
Power dissipation: 7W
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Case: 1206-8 ChipFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6415DQ-T1-E3 VISHAY 70639.pdf SI6415DQ-T1-E3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6415DQ-T1-GE3 VISHAY si6415dq.pdf SI6415DQ-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6423DQ-T1-E3 VISHAY 72257.pdf SI6423DQ-T1-E3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6423DQ-T1-GE3 VISHAY 72257.pdf SI6423DQ-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6562CDQ-T1-GE3 SI6562CDQ-T1-GE3 VISHAY si6562cd.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 4.2/-4.9A
Case: TSSOP8
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 4.2/-4.9A
On-state resistance: 22/30mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 1/1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23/51nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 30A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6913DQ-T1-E3 VISHAY si6913dq.pdf SI6913DQ-T1-E3 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6913DQ-T1-GE3 VISHAY si6913dq.pdf SI6913DQ-T1-GE3 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6926ADQ-T1-E3 VISHAY 72754.pdf SI6926ADQ-T1-E3 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6926ADQ-T1-GE3 VISHAY 72754.pdf SI6926ADQ-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6954ADQ-T1-E3 VISHAY 71130.pdf SI6954ADQ-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6954ADQ-T1-GE3 VISHAY 71130.pdf SI6954ADQ-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6968BEDQ-T1-E3 VISHAY si6968be.pdf SI6968BEDQ-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6968BEDQ-T1-GE3 VISHAY si6968be.pdf SI6968BEDQ-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7101DN-T1-GE3 VISHAY si7101dn.pdf SI7101DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7104DN-T1-E3 VISHAY si7104dn.pdf SI7104DN-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7104DN-T1-GE3 VISHAY si7104dn.pdf SI7104DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7106DN-T1-E3 VISHAY si7106dn.pdf SI7106DN-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7106DN-T1-GE3 VISHAY si7106dn.pdf SI7106DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4936CDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABB85D37AA64F60C7&compId=si4936cdy-t1-e3.pdf?ci_sign=90fd2b1e62740aefc82a1551863ac9c65766bedb
SI4936CDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.6A; Idm: 20A
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 20A
Drain current: 4.6A
Gate charge: 9nC
Type of transistor: N-MOSFET x2
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 1.5W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 531 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.14 EUR
87+0.83 EUR
155+0.46 EUR
164+0.44 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4943BDY-T1-E3 si4943bd.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -8.4A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -30A
Drain current: -8.4A
Gate charge: 25nC
Type of transistor: P-MOSFET x2
On-state resistance: 31mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4943CDY-T1-E3 si4943cdy.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -8A; Idm: -30A
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -30A
Drain current: -8A
Gate charge: 62nC
Type of transistor: P-MOSFET x2
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 3.1W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4943CDY-T1-GE3 si4943cdy.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -8A; Idm: -30A
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -30A
Drain current: -8A
Gate charge: 62nC
Type of transistor: P-MOSFET x2
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 3.1W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4946BEY-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F399C181EC411C&compId=SI4946BEY-DTE.pdf?ci_sign=a655ba4d38ffd184a0bcddc24a06cf6b804ecf59
SI4946BEY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 4.4A; 3.7W; SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: reel; tape
Drain current: 4.4A
Gate charge: 25nC
Type of transistor: N-MOSFET x2
On-state resistance: 52mΩ
Power dissipation: 3.7W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.94 EUR
48+1.49 EUR
57+1.26 EUR
67+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4946BEY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F399C181EC411C&compId=SI4946BEY-DTE.pdf?ci_sign=a655ba4d38ffd184a0bcddc24a06cf6b804ecf59
SI4946BEY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 4.4A; 3.7W; SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: reel; tape
Drain current: 4.4A
Gate charge: 25nC
Type of transistor: N-MOSFET x2
On-state resistance: 52mΩ
Power dissipation: 3.7W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.14 EUR
97+0.74 EUR
103+0.7 EUR
2500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4946CDY-T1-GE3 si4946cdy.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6.1A; Idm: 25A
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 25A
Drain current: 6.1A
Gate charge: 10nC
Type of transistor: N-MOSFET x2
On-state resistance: 51.6mΩ
Power dissipation: 2.8W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4948BEY-T1-E3 si4948be.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.4A; 0.95W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -25A
Drain current: -2.4A
Gate charge: 22nC
Type of transistor: P-MOSFET x2
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.95W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4948BEY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0928A6A1347E540DF&compId=SI4948BEY.pdf?ci_sign=238d2536006e9317b5f25d4bdf26d23435775940
SI4948BEY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.4A; 0.95W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -25A
Drain current: -2.4A
Gate charge: 22nC
Type of transistor: P-MOSFET x2
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.95W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2306 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.6 EUR
62+1.16 EUR
130+0.55 EUR
138+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4963BDY-T1-E3 si4963bd.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.5A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -40A
Drain current: -6.5A
Gate charge: 21nC
Type of transistor: P-MOSFET x2
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±12V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4963BDY-T1-GE3 si4963bd.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.5A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -40A
Drain current: -6.5A
Gate charge: 21nC
Type of transistor: P-MOSFET x2
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±12V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5403DC-T1-GE3 si5403dc.pdf
Hersteller: VISHAY
SI5403DC-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5418DU-T1-GE3 si5418du.pdf
Hersteller: VISHAY
SI5418DU-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5419DU-T1-GE3 si5419du.pdf
Hersteller: VISHAY
SI5419DU-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5424DC-T1-GE3 si5424dc.pdf
Hersteller: VISHAY
SI5424DC-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5429DU-T1-GE3 si5429du.pdf SI5429DU.pdf
Hersteller: VISHAY
SI5429DU-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5441BDC-T1-E3 73207.pdf
Hersteller: VISHAY
SI5441BDC-T1-E3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5441BDC-T1-GE3 73207.pdf
Hersteller: VISHAY
SI5441BDC-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5442DU-T1-GE3 si5442du.pdf
Hersteller: VISHAY
SI5442DU-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si5448DU-T1-GE3 si5448du.pdf
Hersteller: VISHAY
SI5448DU-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5457DC-T1-GE3 si5457dc.pdf
Hersteller: VISHAY
SI5457DC-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5458DU-T1-GE3 si5458du.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6A; Idm: 20A; 10.4W
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerPAK® ChipFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9nC
Drain current: 6A
On-state resistance: 51mΩ
Power dissipation: 10.4W
Pulsed drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5459DU-T1-GE3 si5459du.pdf
Hersteller: VISHAY
SI5459DU-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5468DC-T1-GE3 si5468dc.pdf
Hersteller: VISHAY
SI5468DC-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5471DC-T1-GE3 si5471dc.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6A; Idm: -25A
Case: PowerPAK® ChipFET
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
On-state resistance: 62mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 6.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 96nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -25A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5476DU-T1-GE3 si5476du.pdf
Hersteller: VISHAY
SI5476DU-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5504BDC-T1-E3 si5504bdc.pdf
Hersteller: VISHAY
SI5504BDC-T1-E3 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5504BDC-T1-GE3 si5504bdc.pdf
Hersteller: VISHAY
SI5504BDC-T1-GE3 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5513CDC-T1-E3 si5513cd.pdf
Hersteller: VISHAY
SI5513CDC-T1-E3 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5513CDC-T1-GE3 si5513cd.pdf
Hersteller: VISHAY
SI5513CDC-T1-GE3 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5515CDC-T1-E3 si5515cd.pdf
Hersteller: VISHAY
SI5515CDC-T1-E3 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5515CDC-T1-GE3 si5515cd.pdf
Hersteller: VISHAY
SI5515CDC-T1-GE3 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5517DU-T1-GE3 si5517du.pdf
Hersteller: VISHAY
SI5517DU-T1-GE3 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5902BDC-T1-E3 si5902bd.pdf
Hersteller: VISHAY
SI5902BDC-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5902BDC-T1-GE3 si5902bd.pdf
Hersteller: VISHAY
SI5902BDC-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5908DC-T1-E3 si5908dc.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 5.9A; Idm: 20A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: ±8V
Gate charge: 7.5nC
Drain current: 5.9A
On-state resistance: 52mΩ
Power dissipation: 2.1W
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 20A
Case: 1206-8 ChipFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5908DC-T1-GE3 si5908dc.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 5.9A; Idm: 20A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: ±8V
Gate charge: 7.5nC
Drain current: 5.9A
On-state resistance: 52mΩ
Power dissipation: 2.1W
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 20A
Case: 1206-8 ChipFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si5922DU-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
SI5922DU-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5935CDC-T1-E3 si5935cdc.pdf
Hersteller: VISHAY
SI5935CDC-T1-E3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5935CDC-T1-GE3 Si5935CDC.PDF
Hersteller: VISHAY
SI5935CDC-T1-GE3 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5936DU-T1-GE3 si5936du.pdf
Hersteller: VISHAY
SI5936DU-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si5948DU-T1-GE3 si5948du.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 6A; Idm: 10A; 7W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5nC
On-state resistance: 94mΩ
Drain current: 6A
Power dissipation: 7W
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Case: 1206-8 ChipFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6415DQ-T1-E3 70639.pdf
Hersteller: VISHAY
SI6415DQ-T1-E3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6415DQ-T1-GE3 si6415dq.pdf
Hersteller: VISHAY
SI6415DQ-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6423DQ-T1-E3 72257.pdf
Hersteller: VISHAY
SI6423DQ-T1-E3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6423DQ-T1-GE3 72257.pdf
Hersteller: VISHAY
SI6423DQ-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6562CDQ-T1-GE3 si6562cd.pdf
SI6562CDQ-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 4.2/-4.9A
Case: TSSOP8
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 4.2/-4.9A
On-state resistance: 22/30mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 1/1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23/51nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 30A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6913DQ-T1-E3 si6913dq.pdf
Hersteller: VISHAY
SI6913DQ-T1-E3 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6913DQ-T1-GE3 si6913dq.pdf
Hersteller: VISHAY
SI6913DQ-T1-GE3 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6926ADQ-T1-E3 72754.pdf
Hersteller: VISHAY
SI6926ADQ-T1-E3 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6926ADQ-T1-GE3 72754.pdf
Hersteller: VISHAY
SI6926ADQ-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6954ADQ-T1-E3 71130.pdf
Hersteller: VISHAY
SI6954ADQ-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6954ADQ-T1-GE3 71130.pdf
Hersteller: VISHAY
SI6954ADQ-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6968BEDQ-T1-E3 si6968be.pdf
Hersteller: VISHAY
SI6968BEDQ-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6968BEDQ-T1-GE3 si6968be.pdf
Hersteller: VISHAY
SI6968BEDQ-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7101DN-T1-GE3 si7101dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7101DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7104DN-T1-E3 si7104dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7104DN-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7104DN-T1-GE3 si7104dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7104DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7106DN-T1-E3 si7106dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7106DN-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7106DN-T1-GE3 si7106dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7106DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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