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Si3493DDV-T1-GE3 VISHAY si3493ddv.pdf SI3493DDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI3499DV-T1-BE3 VISHAY si3499dv.pdf SI3499DV-T1-BE3 SMD P channel transistors
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SI3499DV-T1-GE3 VISHAY si3499dv.pdf SI3499DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI3552DV-T1-E3 VISHAY si3552dv.pdf SI3552DV-T1-E3 Multi channel transistors
auf Bestellung 2973 Stücke:
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84+0.86 EUR
151+0.48 EUR
159+0.45 EUR
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Mindestbestellmenge: 84
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Si3552DV-T1-GE3 VISHAY si3552dv.pdf SI3552DV-T1-GE3 Multi channel transistors
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SI3585CDV-T1-GE3 VISHAY si3585cd.pdf SI3585CDV-T1-GE3 Multi channel transistors
auf Bestellung 1835 Stücke:
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280+0.26 EUR
296+0.24 EUR
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SI3590DV-T1-E3 VISHAY si3590dv.pdf SI3590DV-T1-E3 Multi channel transistors
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SI3865DDV-T1-GE3 VISHAY Si3865DDV.pdf SI3865DDV-T1-GE3 Power switches - integrated circuits
auf Bestellung 2466 Stücke:
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SI3900DV-T1-E3 VISHAY si3900dv.pdf SI3900DV-T1-E3 SMD N channel transistors
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Si3900DV-T1-GE3 VISHAY si3900dv.pdf SI3900DV-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Si3932DV-T1-GE3 VISHAY si3932dv.pdf SI3932DV-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI3993CDV-T1-GE3 VISHAY Si3993CDV.PDF SI3993CDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI4038DY-T1-GE3 VISHAY SI4038DY.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 42.5A; Idm: 150A
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 87nC
On-state resistance: 3.2mΩ
Power dissipation: 7.8W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42.5A
Pulsed drain current: 150A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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SI4056ADY-T1-GE3 VISHAY si4056ady.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 8.3A; Idm: 40A; 5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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SI4056DY-T1-GE3 SI4056DY-T1-GE3 VISHAY si4056dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 11.1A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11.1A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 3.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Si4058DY-T1-GE3 VISHAY si4058dy.pdf SI4058DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4062DY-T1-GE3 VISHAY si4062dy.pdf SI4062DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4090BDY-T1-GE3 VISHAY si4090bdy.pdf SI4090BDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4090DY-T1-GE3 VISHAY si4090dy.pdf SI4090DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4100DY-T1-E3 VISHAY si4100dy.pdf SI4100DY-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI4100DY-T1-GE3 VISHAY si4100dy.pdf SI4100DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4101DY-T1-GE3 VISHAY si4101dy.pdf SI4101DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI4103DY-T1-GE3 VISHAY si4103dy.pdf SI4103DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI4114DY-T1-E3 VISHAY si4114dy.pdf SI4114DY-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI4114DY-T1-GE3 VISHAY si4114dy.pdf SI4114DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4116DY-T1-E3 VISHAY si4116dy.pdf SI4116DY-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI4116DY-T1-GE3 VISHAY si4116dy.pdf SI4116DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4122DY-T1-GE3 VISHAY si4122dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 27.2A; Idm: 70A; 6W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 27.2A
On-state resistance: 6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 70A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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SI4124DY-T1-E3 VISHAY si4124dy.pdf SI4124DY-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI4124DY-T1-GE3 VISHAY si4124dy.pdf SI4124DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4126DY-T1-GE3 VISHAY si4126dy.pdf SI4126DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4128DY-T1-GE3 VISHAY si4128dy-old.pdf SI4128DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4134DY-T1-GE3 SI4134DY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC7BDC9E5CB8143&compId=si4134dy.pdf?ci_sign=397956513ff99e15eca747d872f8e678d8634a60 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 11.2A; 3.2W; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 7.3nC
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 3.2W
Drain current: 11.2A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6882 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
60+1.2 EUR
83+0.86 EUR
108+0.66 EUR
252+0.28 EUR
266+0.27 EUR
5000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 60
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SI4136DY-T1-GE3 VISHAY si4136dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 46A; Idm: 70A; 7.8W
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 110nC
On-state resistance: 2.5mΩ
Power dissipation: 7.8W
Drain-source voltage: 20V
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 70A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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SI4143DY-T1-GE3 VISHAY si4143dy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -25.3A; Idm: -70A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -25.3A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 167nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4151DY-T1-GE3 VISHAY si4151dy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -20.5A; 5.6W; SO8
Technology: TrenchFET®
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -150A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20.5A
Gate charge: 87nC
On-state resistance: 13mΩ
Power dissipation: 5.6W
Gate-source voltage: ±25V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4153DY-T1-GE3 VISHAY si4153dy.pdf SI4153DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4154DY-T1-GE3 VISHAY si4154dy.pdf SI4154DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4156DY-T1-GE3 VISHAY si4156dy.pdf SI4156DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4160DY-T1-GE3 VISHAY si4160dy.pdf SI4160DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4162DY-T1-GE3 VISHAY si4162dy.pdf SI4162DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2486 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
63+1.14 EUR
182+0.39 EUR
193+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 63
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SI4164DY-T1-GE3 VISHAY si4164dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 70A; 6W
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
On-state resistance: 3.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 95nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4166DY-T1-GE3 VISHAY si4166dy.pdf SI4166DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4168DY-T1-GE3 VISHAY si4168dy.pdf SI4168DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4174DY-T1-GE3 VISHAY si4174dy.pdf SI4174DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1717 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
56+1.29 EUR
135+0.53 EUR
143+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4178DY-T1-GE3 VISHAY si4178dy.pdf SI4178DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2481 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.96 EUR
221+0.32 EUR
233+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4186DY-T1-GE3 VISHAY si4186dy.pdf SI4186DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4190ADY-T1-GE3 VISHAY si4190ady.pdf SI4190ADY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4202DY-T1-GE3 SI4202DY-T1-GE3 VISHAY si4202dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12.1A; Idm: 50A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 2.6W
Drain current: 12.1A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4204DY-T1-GE3 VISHAY si4204dy.pdf SI4204DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4214DDY-T1-E3 VISHAY si4214ddy-t1-e3.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 7.5A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4214DDY-T1-GE3 Si4214DDY-T1-GE3 VISHAY si4214ddy-t1-e3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 7.5A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4228DY-T1-GE3 VISHAY si4228dy.pdf SI4228DY-T1-GE3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4288DY-T1-GE3 VISHAY si4288dy.pdf SI4288DY-T1-GE3 Multi channel transistors
auf Bestellung 4597 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
42+1.72 EUR
64+1.13 EUR
67+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4368DY-T1-E3 VISHAY si4368dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 25A; Idm: 70A; 3.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 3.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4386DY-T1-E3 VISHAY si4386dy.pdf SI4386DY-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4386DY-T1-GE3 VISHAY si4386dy.pdf SI4386DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4392ADY-T1-E3 VISHAY SI4392ADY-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8DD37AB1FACC80D5&compId=si4401bdy.pdf?ci_sign=b309650f46a5ce7c31039e4e0b65bae4c545110a Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -8.3A; Idm: -50A
Case: SO8
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.3A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 55nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -50A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.2 EUR
35+2.04 EUR
500+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si3493DDV-T1-GE3 si3493ddv.pdf
Hersteller: VISHAY
SI3493DDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3499DV-T1-BE3 si3499dv.pdf
Hersteller: VISHAY
SI3499DV-T1-BE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3499DV-T1-GE3 si3499dv.pdf
Hersteller: VISHAY
SI3499DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3552DV-T1-E3 si3552dv.pdf
Hersteller: VISHAY
SI3552DV-T1-E3 Multi channel transistors
auf Bestellung 2973 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
84+0.86 EUR
151+0.48 EUR
159+0.45 EUR
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si3552DV-T1-GE3 si3552dv.pdf
Hersteller: VISHAY
SI3552DV-T1-GE3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3585CDV-T1-GE3 si3585cd.pdf
Hersteller: VISHAY
SI3585CDV-T1-GE3 Multi channel transistors
auf Bestellung 1835 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
111+0.64 EUR
280+0.26 EUR
296+0.24 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 111
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3590DV-T1-E3 si3590dv.pdf
Hersteller: VISHAY
SI3590DV-T1-E3 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si3590DV-T1-GE3 si3590dv.pdf
Hersteller: VISHAY
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 42.5A; Idm: 150A
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 87nC
On-state resistance: 3.2mΩ
Power dissipation: 7.8W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42.5A
Pulsed drain current: 150A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 8.3A; Idm: 40A; 5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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SI4056DY-T1-GE3
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 11.1A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11.1A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 3.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 27.2A; Idm: 70A; 6W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 27.2A
On-state resistance: 6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 70A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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SI4134DY-T1-GE3
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 11.2A; 3.2W; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 7.3nC
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 3.2W
Drain current: 11.2A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6882 Stücke:
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60+1.2 EUR
83+0.86 EUR
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252+0.28 EUR
266+0.27 EUR
5000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 60
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 46A; Idm: 70A; 7.8W
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 110nC
On-state resistance: 2.5mΩ
Power dissipation: 7.8W
Drain-source voltage: 20V
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 70A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -25.3A; Idm: -70A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -25.3A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 167nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -20.5A; 5.6W; SO8
Technology: TrenchFET®
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -150A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20.5A
Gate charge: 87nC
On-state resistance: 13mΩ
Power dissipation: 5.6W
Gate-source voltage: ±25V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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63+1.14 EUR
182+0.39 EUR
193+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 63
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 70A; 6W
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
On-state resistance: 3.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 95nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SI4166DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4168DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4174DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1717 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
56+1.29 EUR
135+0.53 EUR
143+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 56
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SI4178DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2481 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
75+0.96 EUR
221+0.32 EUR
233+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 75
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SI4186DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4190ADY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4202DY-T1-GE3 si4202dy.pdf
SI4202DY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12.1A; Idm: 50A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 2.6W
Drain current: 12.1A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4204DY-T1-GE3 si4204dy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4204DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 7.5A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4214DDY-T1-GE3 si4214ddy-t1-e3.pdf
Si4214DDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 7.5A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4228DY-T1-GE3 si4228dy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4228DY-T1-GE3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI4288DY-T1-GE3 Multi channel transistors
auf Bestellung 4597 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
42+1.72 EUR
64+1.13 EUR
67+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 25A; Idm: 70A; 3.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 3.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4386DY-T1-E3 si4386dy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4386DY-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4386DY-T1-GE3 si4386dy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4386DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4392ADY-T1-E3
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SI4401BDY-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8DD37AB1FACC80D5&compId=si4401bdy.pdf?ci_sign=b309650f46a5ce7c31039e4e0b65bae4c545110a
SI4401BDY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -8.3A; Idm: -50A
Case: SO8
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.3A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 55nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -50A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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17+4.2 EUR
35+2.04 EUR
500+1.23 EUR
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