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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SI1330EDL-T1-GE3 VISHAY si1330ed.pdf SI1330EDL-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1401EDH-T1-GE3 VISHAY si1401edh.pdf SI1401EDH-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI1403BDL-T1-E3 VISHAY si1403bdl.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.5A; Idm: -5A
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 265mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -5A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1403BDL-T1-GE3 SI1403BDL-T1-GE3 VISHAY si1403bdl.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.5A; Idm: -5A
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 265mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -5A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1403CDL-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90EE4005EC0143&compId=SI1403CDL.pdf?ci_sign=6738b6dc901cf84d7d8d30df78a04d07315611a2 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.6W; SC70-6,SOT363
Case: SC70-6; SOT363
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI1411DH-T1-GE3 VISHAY si1411dh.pdf SI1411DH-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI1416EDH-T1-GE3 VISHAY si1416ed.pdf SI1416EDH-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI1424EDH-T1-GE3 VISHAY si1424ed.pdf SI1424EDH-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI1427EDH-T1-GE3 VISHAY si1427ed.pdf SI1427EDH-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI1428EDH-T1-GE3 VISHAY SI1428EDH-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI1441EDH-T1-GE3 VISHAY si1441ed.pdf SI1441EDH-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI1442DH-T1-GE3 SI1442DH-T1-GE3 VISHAY si1442dh.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 4A; Idm: 20A; 2.8W
Polarisation: unipolar
Case: SC70-6; SOT363
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 33nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 2.8W
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 20A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 12V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2761 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
143+0.5 EUR
353+0.2 EUR
376+0.19 EUR
435+0.16 EUR
463+0.15 EUR
506+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1443EDH-T1-GE3 VISHAY si1443edh.pdf SI1443EDH-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI1467DH-T1-E3 VISHAY si1467dh.pdf SI1467DH-T1-E3 SMD P channel transistors
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SI1467DH-T1-GE3 VISHAY si1467dh.pdf SI1467DH-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI1469DH-T1-E3 VISHAY si1469dh.pdf SI1469DH-T1-E3 SMD P channel transistors
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SI1469DH-T1-GE3 VISHAY si1469dh.pdf SI1469DH-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1480DH-T1-GE3 VISHAY si1480dh.pdf SI1480DH-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1499DH-T1-E3 VISHAY si1499dh.pdf SI1499DH-T1-E3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1499DH-T1-GE3 VISHAY si1499dh.pdf SI1499DH-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI1539CDL-T1-GE3 VISHAY si1539cdl.pdf SI1539CDL-T1-GE3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1553CDL-T1-GE3 VISHAY si1553cdl.pdf SI1553CDL-T1-GE3 Multi channel transistors
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SI1865DDL-T1-GE3 VISHAY Si1865DDL.pdf SI1865DDL-T1-GE3 Power switches - integrated circuits
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SI1869DH-T1-E3 SI1869DH-T1-E3 VISHAY SI1869DH.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.2A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC70
Mounting: SMD
Case: SC70
Supply voltage: 1.8...20V DC
On-state resistance: 132mΩ
Output current: 1.2A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2783 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
82+0.87 EUR
123+0.58 EUR
385+0.19 EUR
407+0.18 EUR
12000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1900DL-T1-E3 VISHAY si1900dl.pdf SI1900DL-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1900DL-T1-GE3 VISHAY SI1900DL-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI1902CDL-T1-GE3 SI1902CDL-T1-GE3 VISHAY si1902cdl.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.9A; 0.27W; SC70-6,SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70-6; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.235Ω
Drain current: 0.9A
Gate charge: 2nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
148+0.49 EUR
191+0.37 EUR
223+0.32 EUR
358+0.2 EUR
435+0.16 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 148
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SI1902DL-T1-E3 SI1902DL-T1-E3 VISHAY si1902dl.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.66A; Idm: 1A; 0.27W
Case: SC70-6; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.8nC
On-state resistance: 0.63Ω
Power dissipation: 0.27W
Drain current: 0.66A
Pulsed drain current: 1A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI1902DL-T1-GE3 SI1902DL-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA9DA0DD87E9700D3&compId=si1902dl.pdf?ci_sign=e376d89ce5fde370925ef8d0fda32e305212c63c Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 0.66A; Idm: 1A
Case: SC70-6; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.8nC
On-state resistance: 0.63Ω
Power dissipation: 0.27W
Drain current: 0.66A
Pulsed drain current: 1A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI1922EDH-T1-GE3 VISHAY si1922edh.pdf SI1922EDH-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI1926DL-T1-E3 VISHAY si1926dl.pdf SI1926DL-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI1926DL-T1-GE3 VISHAY si1926dl.pdf SI1926DL-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI1965DH-T1-E3 VISHAY SI1965DH.pdf SI1965DH-T1-E3 Multi channel transistors
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SI1965DH-T1-GE3 VISHAY si1965dh.pdf SI1965DH-T1-GE3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1967DH-T1-E3 VISHAY si1967dh.pdf SI1967DH-T1-E3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1967DH-T1-GE3 VISHAY si1967dh.pdf SI1967DH-T1-GE3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si2300DS-T1-GE3 Si2300DS-T1-GE3 VISHAY si2300ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; Idm: 15A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 671 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
209+0.34 EUR
298+0.24 EUR
332+0.22 EUR
368+0.19 EUR
388+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301BDS-T1-E3 VISHAY si2301bds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.9W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301BDS-T1-GE3 SI2301BDS-T1-GE3 VISHAY si2301bds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -10A; 0.45W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
80+0.89 EUR
220+0.33 EUR
3000+0.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301CDS-T1-E3 VISHAY si2301cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD839B390EFF83A0D2&compId=si2301cds.pdf?ci_sign=d4aa7f78301d7ab60fad71ebe961198b9879d6ca Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5503 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
132+0.54 EUR
193+0.37 EUR
253+0.28 EUR
281+0.25 EUR
538+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC79935417D6143&compId=si2302cds.pdf?ci_sign=34ad82b4a4e4bbcce1ee89b45eda96c4079cb0b1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4752 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
168+0.43 EUR
202+0.35 EUR
212+0.34 EUR
382+0.19 EUR
407+0.18 EUR
9000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2302DDS-T1-GE3 SI2302DDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC79DE494CA2143&compId=si2302dds.pdf?ci_sign=ffc0abc65cc01b56a97def224c49af6063d8b26c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4229 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
195+0.37 EUR
218+0.33 EUR
278+0.26 EUR
486+0.15 EUR
511+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303CDS-T1-BE3 VISHAY si2303cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -10A
Drain current: -2.7A
Gate charge: 8nC
On-state resistance: 0.33Ω
Power dissipation: 2.3W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303CDS-T1-E3 VISHAY si2303cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -10A
Drain current: -2.7A
Gate charge: 8nC
On-state resistance: 0.33Ω
Power dissipation: 2.3W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303CDS-T1-GE3 SI2303CDS-T1-GE3 VISHAY si2303cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -10A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
107+0.67 EUR
121+0.59 EUR
175+0.41 EUR
198+0.36 EUR
428+0.17 EUR
451+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304BDS-T1-E3 VISHAY si2304bds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 10A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.08W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304BDS-T1-GE3 SI2304BDS-T1-GE3 VISHAY si2304bds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 10A; 1.08W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.08W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AAF8CB0D602D3D7&compId=SI2304DDS.pdf?ci_sign=95ef3ca732170878e414a35ea9ea6f42a08fd886 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4462 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
129+0.56 EUR
194+0.37 EUR
275+0.26 EUR
428+0.17 EUR
455+0.16 EUR
1300+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2305CDS-T1-GE3 SI2305CDS-T1-GE3 VISHAY si2305cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3.5A
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3183 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
125+0.57 EUR
265+0.27 EUR
288+0.25 EUR
319+0.22 EUR
410+0.17 EUR
435+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2305CDS-T1-GE3 SI2305CDS-T1-GE3 VISHAY si2305cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3.5A
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3183 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
125+0.57 EUR
265+0.27 EUR
288+0.25 EUR
319+0.22 EUR
410+0.17 EUR
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Mindestbestellmenge: 125
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SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EC109F31BF4A143&compId=SI2306BDS.pdf?ci_sign=e699881520bc8652df15271140da71df0ec946ac Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 20A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2016 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
122+0.59 EUR
172+0.42 EUR
184+0.39 EUR
195+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 122
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SI2306BDS-T1-GE3 VISHAY si2306bd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307BDS-T1-E3 SI2307BDS-T1-E3 VISHAY si2307bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.5A; Idm: -12A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.5A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307CDS-T1-GE3 SI2307CDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787BCE1F6230D6745&compId=SI2307CDS-T1-GE3.pdf?ci_sign=0e68f187c351520fd9a36877902641072ec5e87d Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.2A; 1.8W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 138mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1151 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
93+0.77 EUR
126+0.57 EUR
136+0.53 EUR
172+0.42 EUR
374+0.19 EUR
394+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 93
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SI2308BDS-T1-E3 SI2308BDS-T1-E3 VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; Idm: 8A; 1.06W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.06W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 192mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
99+0.73 EUR
134+0.54 EUR
262+0.27 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 99
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SI2308BDS-T1-GE3 VISHAY SI2308BDS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 6003 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
105+0.69 EUR
288+0.25 EUR
304+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 VISHAY si2308cds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.6A; Idm: 6A; 1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 144mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2531 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
167+0.43 EUR
226+0.32 EUR
266+0.27 EUR
345+0.21 EUR
455+0.16 EUR
481+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2309CDS-T1-E3 VISHAY si2309cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -1.3A; Idm: -8A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.3A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2309CDS-T1-GE3 SI2309CDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AACAA06089133D7&compId=si2309cds.pdf?ci_sign=5fda44675b522bbf564fe36d914d0dc0ba66599e Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.3A; Idm: -8A; 1.7W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.3A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5341 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
97+0.74 EUR
126+0.57 EUR
169+0.42 EUR
338+0.21 EUR
358+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 97
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1330EDL-T1-GE3 si1330ed.pdf
Hersteller: VISHAY
SI1330EDL-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI1401EDH-T1-GE3 si1401edh.pdf
Hersteller: VISHAY
SI1401EDH-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1403BDL-T1-E3 si1403bdl.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.5A; Idm: -5A
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 265mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -5A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1403BDL-T1-GE3 si1403bdl.pdf
SI1403BDL-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.5A; Idm: -5A
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 265mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -5A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1403CDL-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90EE4005EC0143&compId=SI1403CDL.pdf?ci_sign=6738b6dc901cf84d7d8d30df78a04d07315611a2
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.6W; SC70-6,SOT363
Case: SC70-6; SOT363
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1411DH-T1-GE3 si1411dh.pdf
Hersteller: VISHAY
SI1411DH-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1416EDH-T1-GE3 si1416ed.pdf
Hersteller: VISHAY
SI1416EDH-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1424EDH-T1-GE3 si1424ed.pdf
Hersteller: VISHAY
SI1424EDH-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1427EDH-T1-GE3 si1427ed.pdf
Hersteller: VISHAY
SI1427EDH-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1428EDH-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
SI1428EDH-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1441EDH-T1-GE3 si1441ed.pdf
Hersteller: VISHAY
SI1441EDH-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1442DH-T1-GE3 si1442dh.pdf
SI1442DH-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 4A; Idm: 20A; 2.8W
Polarisation: unipolar
Case: SC70-6; SOT363
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 33nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 2.8W
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 20A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 12V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2761 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
143+0.5 EUR
353+0.2 EUR
376+0.19 EUR
435+0.16 EUR
463+0.15 EUR
506+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1443EDH-T1-GE3 si1443edh.pdf
Hersteller: VISHAY
SI1443EDH-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1467DH-T1-E3 si1467dh.pdf
Hersteller: VISHAY
SI1467DH-T1-E3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1467DH-T1-GE3 si1467dh.pdf
Hersteller: VISHAY
SI1467DH-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1469DH-T1-E3 si1469dh.pdf
Hersteller: VISHAY
SI1469DH-T1-E3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1469DH-T1-GE3 si1469dh.pdf
Hersteller: VISHAY
SI1469DH-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1480DH-T1-GE3 si1480dh.pdf
Hersteller: VISHAY
SI1480DH-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1499DH-T1-E3 si1499dh.pdf
Hersteller: VISHAY
SI1499DH-T1-E3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1499DH-T1-GE3 si1499dh.pdf
Hersteller: VISHAY
SI1499DH-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1539CDL-T1-GE3 si1539cdl.pdf
Hersteller: VISHAY
SI1539CDL-T1-GE3 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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SI1553CDL-T1-GE3 si1553cdl.pdf
Hersteller: VISHAY
SI1553CDL-T1-GE3 Multi channel transistors
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SI1865DDL-T1-GE3 Si1865DDL.pdf
Hersteller: VISHAY
SI1865DDL-T1-GE3 Power switches - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1869DH-T1-E3 SI1869DH.pdf
SI1869DH-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.2A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC70
Mounting: SMD
Case: SC70
Supply voltage: 1.8...20V DC
On-state resistance: 132mΩ
Output current: 1.2A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2783 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
82+0.87 EUR
123+0.58 EUR
385+0.19 EUR
407+0.18 EUR
12000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1900DL-T1-E3 si1900dl.pdf
Hersteller: VISHAY
SI1900DL-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1900DL-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
SI1900DL-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1902CDL-T1-GE3 si1902cdl.pdf
SI1902CDL-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.9A; 0.27W; SC70-6,SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70-6; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.235Ω
Drain current: 0.9A
Gate charge: 2nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
148+0.49 EUR
191+0.37 EUR
223+0.32 EUR
358+0.2 EUR
435+0.16 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1902DL-T1-E3 si1902dl.pdf
SI1902DL-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.66A; Idm: 1A; 0.27W
Case: SC70-6; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.8nC
On-state resistance: 0.63Ω
Power dissipation: 0.27W
Drain current: 0.66A
Pulsed drain current: 1A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1902DL-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA9DA0DD87E9700D3&compId=si1902dl.pdf?ci_sign=e376d89ce5fde370925ef8d0fda32e305212c63c
SI1902DL-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 0.66A; Idm: 1A
Case: SC70-6; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.8nC
On-state resistance: 0.63Ω
Power dissipation: 0.27W
Drain current: 0.66A
Pulsed drain current: 1A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1922EDH-T1-GE3 si1922edh.pdf
Hersteller: VISHAY
SI1922EDH-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1926DL-T1-E3 si1926dl.pdf
Hersteller: VISHAY
SI1926DL-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1926DL-T1-GE3 si1926dl.pdf
Hersteller: VISHAY
SI1926DL-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1965DH-T1-E3 SI1965DH.pdf
Hersteller: VISHAY
SI1965DH-T1-E3 Multi channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI1965DH-T1-GE3 Multi channel transistors
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Hersteller: VISHAY
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Hersteller: VISHAY
SI1967DH-T1-GE3 Multi channel transistors
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Si2300DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; Idm: 15A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 671 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
209+0.34 EUR
298+0.24 EUR
332+0.22 EUR
368+0.19 EUR
388+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301BDS-T1-E3 si2301bds.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.9W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301BDS-T1-GE3 si2301bds.pdf
SI2301BDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -10A; 0.45W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
80+0.89 EUR
220+0.33 EUR
3000+0.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301CDS-T1-E3 si2301cd.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301CDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD839B390EFF83A0D2&compId=si2301cds.pdf?ci_sign=d4aa7f78301d7ab60fad71ebe961198b9879d6ca
SI2301CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5503 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
132+0.54 EUR
193+0.37 EUR
253+0.28 EUR
281+0.25 EUR
538+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 132
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SI2302CDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC79935417D6143&compId=si2302cds.pdf?ci_sign=34ad82b4a4e4bbcce1ee89b45eda96c4079cb0b1
SI2302CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4752 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.6 EUR
168+0.43 EUR
202+0.35 EUR
212+0.34 EUR
382+0.19 EUR
407+0.18 EUR
9000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2302DDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC79DE494CA2143&compId=si2302dds.pdf?ci_sign=ffc0abc65cc01b56a97def224c49af6063d8b26c
SI2302DDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4229 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
195+0.37 EUR
218+0.33 EUR
278+0.26 EUR
486+0.15 EUR
511+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303CDS-T1-BE3 si2303cd.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -10A
Drain current: -2.7A
Gate charge: 8nC
On-state resistance: 0.33Ω
Power dissipation: 2.3W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303CDS-T1-E3 si2303cd.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -10A
Drain current: -2.7A
Gate charge: 8nC
On-state resistance: 0.33Ω
Power dissipation: 2.3W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303CDS-T1-GE3 si2303cd.pdf
SI2303CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -10A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
121+0.59 EUR
175+0.41 EUR
198+0.36 EUR
428+0.17 EUR
451+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304BDS-T1-E3 si2304bds.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 10A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.08W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304BDS-T1-GE3 si2304bds.pdf
SI2304BDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 10A; 1.08W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.08W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AAF8CB0D602D3D7&compId=SI2304DDS.pdf?ci_sign=95ef3ca732170878e414a35ea9ea6f42a08fd886
SI2304DDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4462 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
129+0.56 EUR
194+0.37 EUR
275+0.26 EUR
428+0.17 EUR
455+0.16 EUR
1300+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2305CDS-T1-GE3 si2305cd.pdf
SI2305CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3.5A
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3183 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
265+0.27 EUR
288+0.25 EUR
319+0.22 EUR
410+0.17 EUR
435+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2305CDS-T1-GE3 si2305cd.pdf
SI2305CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3.5A
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3183 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
265+0.27 EUR
288+0.25 EUR
319+0.22 EUR
410+0.17 EUR
435+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2306BDS-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EC109F31BF4A143&compId=SI2306BDS.pdf?ci_sign=e699881520bc8652df15271140da71df0ec946ac
SI2306BDS-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 20A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2016 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
122+0.59 EUR
172+0.42 EUR
184+0.39 EUR
195+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2306BDS-T1-GE3 si2306bd.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307BDS-T1-E3 si2307bd.pdf
SI2307BDS-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.5A; Idm: -12A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.5A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307CDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787BCE1F6230D6745&compId=SI2307CDS-T1-GE3.pdf?ci_sign=0e68f187c351520fd9a36877902641072ec5e87d
SI2307CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.2A; 1.8W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 138mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1151 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
93+0.77 EUR
126+0.57 EUR
136+0.53 EUR
172+0.42 EUR
374+0.19 EUR
394+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 93
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2308BDS-T1-E3
SI2308BDS-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; Idm: 8A; 1.06W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.06W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 192mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
99+0.73 EUR
134+0.54 EUR
262+0.27 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2308BDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
SI2308BDS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 6003 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
105+0.69 EUR
288+0.25 EUR
304+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2308CDS-T1-GE3 si2308cds.pdf
SI2308CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.6A; Idm: 6A; 1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 144mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2531 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.43 EUR
226+0.32 EUR
266+0.27 EUR
345+0.21 EUR
455+0.16 EUR
481+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2309CDS-T1-E3 si2309cd.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -1.3A; Idm: -8A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.3A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2309CDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AACAA06089133D7&compId=si2309cds.pdf?ci_sign=5fda44675b522bbf564fe36d914d0dc0ba66599e
SI2309CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.3A; Idm: -8A; 1.7W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.3A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5341 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
97+0.74 EUR
126+0.57 EUR
169+0.42 EUR
338+0.21 EUR
358+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 97
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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