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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SI4634DY-T1-GE3 VISHAY si4634dy.pdf SI4634DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4670DY-T1-GE3 VISHAY si4670dy.pdf SI4670DY-T1-GE3 Multi channel transistors
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SI4686DY-T1-E3 VISHAY si4686dy.pdf SI4686DY-T1-E3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1229 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.22 EUR
136+0.53 EUR
143+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 59
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SI4686DY-T1-GE3 VISHAY si4686dy.pdf SI4686DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4800BDY-T1-E3 SI4800BDY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C7AE4786FA469&compId=SI4800BDY-E3.pdf?ci_sign=ef227de5271d149492adc5fd67359e1457b08a4a description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 7A; Idm: 40A; 2.5W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 13nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1845 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
95+0.76 EUR
118+0.61 EUR
195+0.37 EUR
206+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 95
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SI4800BDY-T1-GE3 VISHAY si4800bd.pdf SI4800BDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4804CDY-T1-GE3 VISHAY si4804cdy.pdf SI4804CDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4816BDY-T1-E3 SI4816BDY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA992BCCC437B40C7&compId=SI4816BDY.pdf?ci_sign=8bc200295f4cfee228b5eaa8cc6e5d29270ab90a Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; LITTLE FOOT®; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET x2 + Schottky
Technology: LITTLE FOOT®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.6/6.5A
Power dissipation: 0.64/0.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.5/11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10/18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Half-Bridge Power MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4816BDY-T1-GE3 SI4816BDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA992BCCC437B40C7&compId=SI4816BDY.pdf?ci_sign=8bc200295f4cfee228b5eaa8cc6e5d29270ab90a Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; LITTLE FOOT®; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET x2 + Schottky
Technology: LITTLE FOOT®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.6/6.5A
Power dissipation: 0.64/0.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.5/11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10/18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Half-Bridge Power MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4825DDY-T1-GE3 VISHAY si4825ddy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -14.9A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -14.9A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 20.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4835DDY-T1-E3 VISHAY si4835ddy.pdf SI4835DDY-T1-E3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 3986 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.46 EUR
107+0.67 EUR
114+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4835DDY-T1-GE3 VISHAY si4835ddy.pdf SI4835DDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 694 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
61+1.17 EUR
120+0.6 EUR
127+0.56 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4838BDY-T1-GE3 VISHAY si4838bd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 34A; Idm: 70A; 5.7W
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 84nC
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 5.7W
Gate-source voltage: ±8V
Drain current: 34A
Drain-source voltage: 12V
Pulsed drain current: 70A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4838DY-T1-E3 VISHAY si4838dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 25A; Idm: 60A; 3.5W
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 3.5W
Gate-source voltage: ±8V
Drain current: 25A
Drain-source voltage: 12V
Pulsed drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4840BDY-T1-E3 SI4840BDY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD08DA89548B67860DE&compId=si4840bdy.pdf?ci_sign=284ed8913af3f51a5180396dcb920ddc35417f1e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 9.9A; Idm: 50A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Case: SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 3.8W
Drain current: 9.9A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 50A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2231 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
43+1.69 EUR
49+1.46 EUR
53+1.37 EUR
97+0.74 EUR
102+0.7 EUR
7500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 43
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SI4840BDY-T1-GE3 VISHAY si4840bdy.pdf SI4840BDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4842BDY-T1-E3 VISHAY si4842bd.pdf SI4842BDY-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI4848ADY-T1-GE3 VISHAY si4848ady.pdf SI4848ADY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4848DY-T1-E3 SI4848DY-T1-E3 VISHAY si4848dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 3.7A; Idm: 25A; 3W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3.7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2155 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
39+1.84 EUR
50+1.44 EUR
72+1 EUR
75+0.96 EUR
500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848DY-T1-GE3 VISHAY si4848dy.pdf SI4848DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4850BDY-T1-GE3 VISHAY si4850bdy.pdf SI4850BDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4850EY-E3 SI4850EY-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C85083ED3A469&compId=SI4850EY-E3.pdf?ci_sign=c7427b873f0c2aaa0d235feef8f4560d3754ed86 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6A; Idm: 40A; 1.2W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 895 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
70+1.03 EUR
80+0.9 EUR
106+0.68 EUR
112+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 70
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SI4850EY-T1-E3 VISHAY 71146.pdf SI4850EY-T1-E3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1225 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.47 EUR
109+0.66 EUR
117+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4850EY-T1-GE3 VISHAY 71146.pdf SI4850EY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4862DY-T1-E3 VISHAY si4862dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 16V; 25A; Idm: 60A; 3.5W
Drain-source voltage: 16V
Drain current: 25A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 70nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4864DY-T1-E3 VISHAY 71449.pdf SI4864DY-T1-E3 SMD N channel transistors
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Si4874BDY-T1-E3 VISHAY Si4874BDY.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 16A; Idm: 50A; 3W
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 8.5mΩ
Power dissipation: 3W
Drain current: 16A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 50A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4890DY-T1-E3 VISHAY si4890dy.pdf SI4890DY-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4894BDY-T1-E3 SI4894BDY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C884B12280469&compId=SI4894BDY-T1-E3.pdf?ci_sign=d8083397ddd23514ccb8c6017cdd4c6614203a39 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 9.5A; Idm: 40A
Mounting: SMD
Drain current: 9.5A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 38nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4894BDY-T1-GE3 VISHAY si4894bd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 9.5A; Idm: 40A
Mounting: SMD
Drain current: 9.5A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 38nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4896DY-T1-E3 VISHAY 71300.pdf SI4896DY-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4896DY-T1-GE3 VISHAY 71300.pdf SI4896DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4900DY-T1-E3 VISHAY si4900dy.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 5.3A; Idm: 20A
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 20A
Drain current: 5.3A
Gate charge: 20nC
Type of transistor: N-MOSFET x2
On-state resistance: 72mΩ
Power dissipation: 3.1W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4900DY-T1-GE3 VISHAY si4900dy.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 5.3A; Idm: 20A
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 20A
Drain current: 5.3A
Gate charge: 20nC
Type of transistor: N-MOSFET x2
On-state resistance: 72mΩ
Power dissipation: 3.1W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4904DY-T1-E3 VISHAY si4904dy.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 8A; Idm: 20A
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 20A
Drain current: 8A
Gate charge: 85nC
Type of transistor: N-MOSFET x2
On-state resistance: 19mΩ
Power dissipation: 3.25W
Gate-source voltage: ±16V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4904DY-T1-GE3 VISHAY si4904dy.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 8A; Idm: 20A
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 20A
Drain current: 8A
Gate charge: 85nC
Type of transistor: N-MOSFET x2
On-state resistance: 19mΩ
Power dissipation: 3.25W
Gate-source voltage: ±16V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4909DY-T1-GE3 SI4909DY-T1-GE3 VISHAY si4909dy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -6.4A; Idm: -30A
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -30A
Drain current: -6.4A
Gate charge: 63nC
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 27mΩ
Power dissipation: 2.1W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4922BDY-T1-E3 VISHAY si4922bd.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 35A
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 35A
Drain current: 8A
Gate charge: 62nC
Type of transistor: N-MOSFET x2
On-state resistance: 24mΩ
Power dissipation: 3.1W
Gate-source voltage: ±12V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4922BDY-T1-GE3 VISHAY si4922bd.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 35A
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 35A
Drain current: 8A
Gate charge: 62nC
Type of transistor: N-MOSFET x2
On-state resistance: 24mΩ
Power dissipation: 3.1W
Gate-source voltage: ±12V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925BDY-T1-E3 SI4925BDY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C92E232A5C469&compId=SI4925BDY-T1-E3.pdf?ci_sign=eb641e9b7f8dcef9e6fee4fa9bb8c5c0be01552d Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.7A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Kind of package: reel; tape
Drain current: -5.7A
Gate charge: 50nC
Type of transistor: P-MOSFET x2
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C99448EA20469&compId=SI4925DDY-T1-GE3.pdf?ci_sign=247ad2cca8e568a9e5989b1e2e4f6f77ff7828b1 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.9A; 5W; SO8
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Type of transistor: P-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.9A
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 337 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
42+1.72 EUR
51+1.42 EUR
58+1.24 EUR
135+0.53 EUR
143+0.5 EUR
2500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4931DY-T1-E3 VISHAY si4931dy.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8.9A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -30A
Drain current: -8.9A
Gate charge: 52nC
Type of transistor: P-MOSFET x2
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±8V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4931DY-T1-GE3 VISHAY si4931dy.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8.9A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -30A
Drain current: -8.9A
Gate charge: 52nC
Type of transistor: P-MOSFET x2
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±8V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4932DY-T1-GE3 VISHAY si4932dy.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 30A
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 30A
Drain current: 8A
Gate charge: 48nC
Type of transistor: N-MOSFET x2
On-state resistance: 17mΩ
Power dissipation: 3.2W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4936BDY-T1-E3 VISHAY Si4936BDY.PDF Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6.9A; Idm: 30A
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 30A
Drain current: 6.9A
Gate charge: 15nC
Type of transistor: N-MOSFET x2
On-state resistance: 51mΩ
Power dissipation: 2.8W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4936CDY-T1-GE3 SI4936CDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABB85D37AA64F60C7&compId=si4936cdy-t1-e3.pdf?ci_sign=90fd2b1e62740aefc82a1551863ac9c65766bedb Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.6A; Idm: 20A
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 20A
Drain current: 4.6A
Gate charge: 9nC
Type of transistor: N-MOSFET x2
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 1.5W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 531 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
63+1.14 EUR
87+0.83 EUR
155+0.46 EUR
164+0.44 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4943BDY-T1-E3 VISHAY si4943bd.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -8.4A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -30A
Drain current: -8.4A
Gate charge: 25nC
Type of transistor: P-MOSFET x2
On-state resistance: 31mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4943CDY-T1-E3 VISHAY si4943cdy.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -8A; Idm: -30A
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -30A
Drain current: -8A
Gate charge: 62nC
Type of transistor: P-MOSFET x2
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 3.1W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4943CDY-T1-GE3 VISHAY si4943cdy.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -8A; Idm: -30A
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -30A
Drain current: -8A
Gate charge: 62nC
Type of transistor: P-MOSFET x2
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 3.1W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F399C181EC411C&compId=SI4946BEY-DTE.pdf?ci_sign=a655ba4d38ffd184a0bcddc24a06cf6b804ecf59 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 4.4A; 3.7W; SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: reel; tape
Drain current: 4.4A
Gate charge: 25nC
Type of transistor: N-MOSFET x2
On-state resistance: 52mΩ
Power dissipation: 3.7W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
37+1.94 EUR
48+1.49 EUR
57+1.26 EUR
67+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4946BEY-T1-GE3 SI4946BEY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F399C181EC411C&compId=SI4946BEY-DTE.pdf?ci_sign=a655ba4d38ffd184a0bcddc24a06cf6b804ecf59 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 4.4A; 3.7W; SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: reel; tape
Drain current: 4.4A
Gate charge: 25nC
Type of transistor: N-MOSFET x2
On-state resistance: 52mΩ
Power dissipation: 3.7W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
34+2.14 EUR
97+0.74 EUR
103+0.7 EUR
2500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4946CDY-T1-GE3 VISHAY si4946cdy.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6.1A; Idm: 25A
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 25A
Drain current: 6.1A
Gate charge: 10nC
Type of transistor: N-MOSFET x2
On-state resistance: 51.6mΩ
Power dissipation: 2.8W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4948BEY-T1-E3 VISHAY si4948be.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.4A; 0.95W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -25A
Drain current: -2.4A
Gate charge: 22nC
Type of transistor: P-MOSFET x2
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.95W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4948BEY-T1-GE3 SI4948BEY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0928A6A1347E540DF&compId=SI4948BEY.pdf?ci_sign=238d2536006e9317b5f25d4bdf26d23435775940 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.4A; 0.95W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -25A
Drain current: -2.4A
Gate charge: 22nC
Type of transistor: P-MOSFET x2
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.95W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2306 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.6 EUR
62+1.16 EUR
130+0.55 EUR
138+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4963BDY-T1-E3 VISHAY si4963bd.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.5A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -40A
Drain current: -6.5A
Gate charge: 21nC
Type of transistor: P-MOSFET x2
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±12V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4963BDY-T1-GE3 VISHAY si4963bd.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.5A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -40A
Drain current: -6.5A
Gate charge: 21nC
Type of transistor: P-MOSFET x2
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±12V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5403DC-T1-GE3 VISHAY si5403dc.pdf SI5403DC-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5418DU-T1-GE3 VISHAY si5418du.pdf SI5418DU-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5419DU-T1-GE3 VISHAY si5419du.pdf SI5419DU-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5424DC-T1-GE3 VISHAY si5424dc.pdf SI5424DC-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4634DY-T1-GE3 si4634dy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4634DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4670DY-T1-GE3 si4670dy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4670DY-T1-GE3 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4686DY-T1-E3 si4686dy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4686DY-T1-E3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1229 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.22 EUR
136+0.53 EUR
143+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4686DY-T1-GE3 si4686dy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4686DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4800BDY-T1-E3 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C7AE4786FA469&compId=SI4800BDY-E3.pdf?ci_sign=ef227de5271d149492adc5fd67359e1457b08a4a
SI4800BDY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 7A; Idm: 40A; 2.5W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 13nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1845 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
95+0.76 EUR
118+0.61 EUR
195+0.37 EUR
206+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4800BDY-T1-GE3 si4800bd.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4800BDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4804CDY-T1-GE3 si4804cdy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4804CDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4816BDY-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA992BCCC437B40C7&compId=SI4816BDY.pdf?ci_sign=8bc200295f4cfee228b5eaa8cc6e5d29270ab90a
SI4816BDY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; LITTLE FOOT®; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET x2 + Schottky
Technology: LITTLE FOOT®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.6/6.5A
Power dissipation: 0.64/0.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.5/11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10/18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Half-Bridge Power MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4816BDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA992BCCC437B40C7&compId=SI4816BDY.pdf?ci_sign=8bc200295f4cfee228b5eaa8cc6e5d29270ab90a
SI4816BDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; LITTLE FOOT®; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET x2 + Schottky
Technology: LITTLE FOOT®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.6/6.5A
Power dissipation: 0.64/0.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.5/11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10/18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Half-Bridge Power MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4825DDY-T1-GE3 si4825ddy.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -14.9A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -14.9A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 20.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4835DDY-T1-E3 si4835ddy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4835DDY-T1-E3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 3986 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.46 EUR
107+0.67 EUR
114+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4835DDY-T1-GE3 si4835ddy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4835DDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 694 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
61+1.17 EUR
120+0.6 EUR
127+0.56 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4838BDY-T1-GE3 si4838bd.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 34A; Idm: 70A; 5.7W
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 84nC
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 5.7W
Gate-source voltage: ±8V
Drain current: 34A
Drain-source voltage: 12V
Pulsed drain current: 70A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4838DY-T1-E3 si4838dy.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 25A; Idm: 60A; 3.5W
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 3.5W
Gate-source voltage: ±8V
Drain current: 25A
Drain-source voltage: 12V
Pulsed drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4840BDY-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD08DA89548B67860DE&compId=si4840bdy.pdf?ci_sign=284ed8913af3f51a5180396dcb920ddc35417f1e
SI4840BDY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 9.9A; Idm: 50A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Case: SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 3.8W
Drain current: 9.9A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 50A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2231 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
43+1.69 EUR
49+1.46 EUR
53+1.37 EUR
97+0.74 EUR
102+0.7 EUR
7500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4840BDY-T1-GE3 si4840bdy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4840BDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4842BDY-T1-E3 si4842bd.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4842BDY-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848ADY-T1-GE3 si4848ady.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4848ADY-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848DY-T1-E3 si4848dy.pdf
SI4848DY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 3.7A; Idm: 25A; 3W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3.7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2155 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.84 EUR
50+1.44 EUR
72+1 EUR
75+0.96 EUR
500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 39
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Hersteller: VISHAY
SI4848DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4850EY-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6A; Idm: 40A; 1.2W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: VISHAY
SI4850EY-T1-E3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI4850EY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4862DY-T1-E3 si4862dy.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 16V; 25A; Idm: 60A; 3.5W
Drain-source voltage: 16V
Drain current: 25A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 70nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Hersteller: VISHAY
SI4864DY-T1-E3 SMD N channel transistors
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Si4874BDY-T1-E3 Si4874BDY.PDF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 16A; Idm: 50A; 3W
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 8.5mΩ
Power dissipation: 3W
Drain current: 16A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 50A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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SI4890DY-T1-E3 si4890dy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4890DY-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI4894BDY-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C884B12280469&compId=SI4894BDY-T1-E3.pdf?ci_sign=d8083397ddd23514ccb8c6017cdd4c6614203a39
SI4894BDY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 9.5A; Idm: 40A
Mounting: SMD
Drain current: 9.5A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 38nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4894BDY-T1-GE3 si4894bd.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 9.5A; Idm: 40A
Mounting: SMD
Drain current: 9.5A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 38nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4896DY-T1-E3 71300.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4896DY-T1-E3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI4896DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4900DY-T1-E3 si4900dy.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 5.3A; Idm: 20A
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 20A
Drain current: 5.3A
Gate charge: 20nC
Type of transistor: N-MOSFET x2
On-state resistance: 72mΩ
Power dissipation: 3.1W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4900DY-T1-GE3 si4900dy.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 5.3A; Idm: 20A
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 20A
Drain current: 5.3A
Gate charge: 20nC
Type of transistor: N-MOSFET x2
On-state resistance: 72mΩ
Power dissipation: 3.1W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Si4904DY-T1-E3 si4904dy.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 8A; Idm: 20A
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 20A
Drain current: 8A
Gate charge: 85nC
Type of transistor: N-MOSFET x2
On-state resistance: 19mΩ
Power dissipation: 3.25W
Gate-source voltage: ±16V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4904DY-T1-GE3 si4904dy.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 8A; Idm: 20A
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 20A
Drain current: 8A
Gate charge: 85nC
Type of transistor: N-MOSFET x2
On-state resistance: 19mΩ
Power dissipation: 3.25W
Gate-source voltage: ±16V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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SI4909DY-T1-GE3 si4909dy.pdf
SI4909DY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -6.4A; Idm: -30A
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -30A
Drain current: -6.4A
Gate charge: 63nC
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 27mΩ
Power dissipation: 2.1W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4922BDY-T1-E3 si4922bd.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 35A
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 35A
Drain current: 8A
Gate charge: 62nC
Type of transistor: N-MOSFET x2
On-state resistance: 24mΩ
Power dissipation: 3.1W
Gate-source voltage: ±12V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4922BDY-T1-GE3 si4922bd.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 35A
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 35A
Drain current: 8A
Gate charge: 62nC
Type of transistor: N-MOSFET x2
On-state resistance: 24mΩ
Power dissipation: 3.1W
Gate-source voltage: ±12V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925BDY-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C92E232A5C469&compId=SI4925BDY-T1-E3.pdf?ci_sign=eb641e9b7f8dcef9e6fee4fa9bb8c5c0be01552d
SI4925BDY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.7A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Kind of package: reel; tape
Drain current: -5.7A
Gate charge: 50nC
Type of transistor: P-MOSFET x2
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925DDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C99448EA20469&compId=SI4925DDY-T1-GE3.pdf?ci_sign=247ad2cca8e568a9e5989b1e2e4f6f77ff7828b1
SI4925DDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.9A; 5W; SO8
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Type of transistor: P-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.9A
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 337 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
42+1.72 EUR
51+1.42 EUR
58+1.24 EUR
135+0.53 EUR
143+0.5 EUR
2500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4931DY-T1-E3 si4931dy.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8.9A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -30A
Drain current: -8.9A
Gate charge: 52nC
Type of transistor: P-MOSFET x2
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±8V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4931DY-T1-GE3 si4931dy.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8.9A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -30A
Drain current: -8.9A
Gate charge: 52nC
Type of transistor: P-MOSFET x2
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±8V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4932DY-T1-GE3 si4932dy.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 30A
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 30A
Drain current: 8A
Gate charge: 48nC
Type of transistor: N-MOSFET x2
On-state resistance: 17mΩ
Power dissipation: 3.2W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4936BDY-T1-E3 Si4936BDY.PDF
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6.9A; Idm: 30A
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 30A
Drain current: 6.9A
Gate charge: 15nC
Type of transistor: N-MOSFET x2
On-state resistance: 51mΩ
Power dissipation: 2.8W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4936CDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABB85D37AA64F60C7&compId=si4936cdy-t1-e3.pdf?ci_sign=90fd2b1e62740aefc82a1551863ac9c65766bedb
SI4936CDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.6A; Idm: 20A
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 20A
Drain current: 4.6A
Gate charge: 9nC
Type of transistor: N-MOSFET x2
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 1.5W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 531 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.14 EUR
87+0.83 EUR
155+0.46 EUR
164+0.44 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4943BDY-T1-E3 si4943bd.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -8.4A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -30A
Drain current: -8.4A
Gate charge: 25nC
Type of transistor: P-MOSFET x2
On-state resistance: 31mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4943CDY-T1-E3 si4943cdy.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -8A; Idm: -30A
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -30A
Drain current: -8A
Gate charge: 62nC
Type of transistor: P-MOSFET x2
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 3.1W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4943CDY-T1-GE3 si4943cdy.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -8A; Idm: -30A
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -30A
Drain current: -8A
Gate charge: 62nC
Type of transistor: P-MOSFET x2
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 3.1W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4946BEY-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F399C181EC411C&compId=SI4946BEY-DTE.pdf?ci_sign=a655ba4d38ffd184a0bcddc24a06cf6b804ecf59
SI4946BEY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 4.4A; 3.7W; SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: reel; tape
Drain current: 4.4A
Gate charge: 25nC
Type of transistor: N-MOSFET x2
On-state resistance: 52mΩ
Power dissipation: 3.7W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.94 EUR
48+1.49 EUR
57+1.26 EUR
67+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 37
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SI4946BEY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F399C181EC411C&compId=SI4946BEY-DTE.pdf?ci_sign=a655ba4d38ffd184a0bcddc24a06cf6b804ecf59
SI4946BEY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 4.4A; 3.7W; SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: reel; tape
Drain current: 4.4A
Gate charge: 25nC
Type of transistor: N-MOSFET x2
On-state resistance: 52mΩ
Power dissipation: 3.7W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.14 EUR
97+0.74 EUR
103+0.7 EUR
2500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4946CDY-T1-GE3 si4946cdy.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6.1A; Idm: 25A
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 25A
Drain current: 6.1A
Gate charge: 10nC
Type of transistor: N-MOSFET x2
On-state resistance: 51.6mΩ
Power dissipation: 2.8W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4948BEY-T1-E3 si4948be.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.4A; 0.95W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -25A
Drain current: -2.4A
Gate charge: 22nC
Type of transistor: P-MOSFET x2
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.95W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4948BEY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0928A6A1347E540DF&compId=SI4948BEY.pdf?ci_sign=238d2536006e9317b5f25d4bdf26d23435775940
SI4948BEY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.4A; 0.95W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -25A
Drain current: -2.4A
Gate charge: 22nC
Type of transistor: P-MOSFET x2
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.95W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2306 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.6 EUR
62+1.16 EUR
130+0.55 EUR
138+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4963BDY-T1-E3 si4963bd.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.5A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -40A
Drain current: -6.5A
Gate charge: 21nC
Type of transistor: P-MOSFET x2
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±12V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4963BDY-T1-GE3 si4963bd.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.5A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -40A
Drain current: -6.5A
Gate charge: 21nC
Type of transistor: P-MOSFET x2
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±12V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5403DC-T1-GE3 si5403dc.pdf
Hersteller: VISHAY
SI5403DC-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5418DU-T1-GE3 si5418du.pdf
Hersteller: VISHAY
SI5418DU-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5419DU-T1-GE3 si5419du.pdf
Hersteller: VISHAY
SI5419DU-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5424DC-T1-GE3 si5424dc.pdf
Hersteller: VISHAY
SI5424DC-T1-GE3 SMD N channel transistors
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