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SI7858BDP-T1-GE3 VISHAY si7858bd.pdf SI7858BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7862ADP-T1-E3 VISHAY 73165.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 16V; 29A; Idm: 60A; 5.4W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 16V
Drain current: 29A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 80nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7862ADP-T1-GE3 VISHAY 73165.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 16V; 29A; Idm: 60A; 5.4W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 16V
Drain current: 29A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 80nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7868ADP-T1-E3 VISHAY 73384.pdf SI7868ADP-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7880ADP-T1-E3 VISHAY si7880adp.pdf SI7880ADP-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7880ADP-T1-GE3 VISHAY 73414.pdf SI7880ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7884BDP-T1-GE3 VISHAY si7884bd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 58A; Idm: 50A; 46W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 46W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7892BDP-T1-GE3 VISHAY si7892bd.pdf SI7892BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7898DP-T1-E3 VISHAY si7898dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 3A; Idm: 25A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7898DP-T1-GE3 VISHAY si7898dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 3A; Idm: 25A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7900AEDN-T1-E3 VISHAY si7900aedn.pdf SI7900AEDN-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7900AEDN-T1-GE3 VISHAY si7900aedn.pdf SI7900AEDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7904BDN-T1-E3 VISHAY si7904bdn.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 6A; Idm: 20A
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
On-state resistance: 45mΩ
Drain current: 6A
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 17.8W
Pulsed drain current: 20A
Drain-source voltage: 20V
Case: PowerPAK® 1212-8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7904BDN-T1-GE3 VISHAY si7904bdn.pdf SI7904BDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7913DN-T1-E3 VISHAY 72615.pdf SI7913DN-T1-E3 Multi channel transistors
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SI7913DN-T1-GE3 VISHAY 72615.pdf SI7913DN-T1-GE3 Multi channel transistors
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SI7922DN-T1-E3 VISHAY 72031.pdf SI7922DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7922DN-T1-GE3 VISHAY 72031.pdf SI7922DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7923DN-T1-E3 VISHAY 72622.pdf SI7923DN-T1-E3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7923DN-T1-GE3 VISHAY 72622.pdf SI7923DN-T1-GE3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7938DP-T1-GE3 VISHAY si7938dp.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 80A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65nC
On-state resistance: 7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 46W
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 80A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2814 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
37+1.96 EUR
51+1.42 EUR
59+1.22 EUR
62+1.16 EUR
100+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7942DP-T1-E3 VISHAY 72118.pdf SI7942DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7942DP-T1-GE3 VISHAY 72118.pdf SI7942DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7946ADP-T1-GE3 VISHAY si7946adp.pdf SI7946ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7949DP-T1-E3 VISHAY 73130.pdf SI7949DP-T1-E3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7949DP-T1-GE3 VISHAY 73130.pdf SI7949DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7956DP-T1-E3 VISHAY 72960.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 150V; 4.1A; Idm: 20A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 4.1A
On-state resistance: 0.115Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 3.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 26nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7956DP-T1-GE3 VISHAY 72960.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 150V; 4.1A; Idm: 20A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 4.1A
On-state resistance: 0.115Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 3.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 26nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si7972DP-T1-GE3 VISHAY si7972dp.pdf SI7972DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7994DP-T1-GE3 VISHAY si7994dp.pdf SI7994DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7997DP-T1-GE3 VISHAY si7997dp.pdf SI7997DP-T1-GE3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7998DP-T1-GE3 VISHAY si7998dp.pdf SI7998DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8401DB-T1-E1 VISHAY si8401db.pdf SI8401DB-T1-E1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8401DB-T1-E3 VISHAY si8401db.pdf SI8401DB-T1-E3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8406DB-T2-E1 VISHAY si8406db.pdf SI8406DB-T2-E1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8409DB-T1-E1 VISHAY si8409db.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.3A; Idm: -25A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.3A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 2.77W
Case: MICROFOOT® 1.6x1.6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si8410DB-T2-E1 VISHAY si8410db.pdf SI8410DB-T2-E1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8413DB-T1-E1 VISHAY si8413db.pdf SI8413DB-T1-E1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8416DB-T2-E1 VISHAY si8416db.pdf SI8416DB-T2-E1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8424CDB-T1-E1 VISHAY si8424cdb.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 10A; Idm: 25A; 1.8W
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Case: MICROFOOT® 1.6x1.6
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
On-state resistance: 20mΩ
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±5V
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 25A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8425DB-T1-E1 VISHAY si8425db.pdf SI8425DB-T1-E1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8429DB-T1-E1 VISHAY si8429db.pdf SI8429DB-T1-E1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8457DB-T1-E1 VISHAY si8457db.pdf SI8457DB-T1-E1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8466EDB-T2-E1 VISHAY si8466edb.pdf SI8466EDB-T2-E1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8472DB-T2-E1 VISHAY si8472db.pdf SI8472DB-T2-E1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si8481DB-T1-E1 VISHAY SI8481DB-T1-E1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8483DB-T2-E1 VISHAY si8483db.pdf SI8483DB-T2-E1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8487DB-T1-E1 SI8487DB-T1-E1 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE551737A5FB820&compId=si8487db.pdf?ci_sign=c1b22e74a4c347447c92beac4d4a8d58c0cd7dd9 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.4A; 1.8/0.73W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.4A
Power dissipation: 1.8/0.73W
Case: MICROFOOT® 1.6x1.6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 883 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.1 EUR
105+0.68 EUR
229+0.31 EUR
242+0.3 EUR
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8489EDB-T2-E1 VISHAY si8489edb.pdf SI8489EDB-T2-E1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8497DB-T2-E1 VISHAY si8497db.pdf SI8497DB-T2-E1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8499DB-T2-E1 VISHAY si8499db.pdf SI8499DB-T2-E1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8800EDB-T2-E1 VISHAY si8800edb.pdf SI8800EDB-T2-E1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8802DB-T2-E1 VISHAY si8802db.pdf SI8802DB-T2-E1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8806DB-T2-E1 VISHAY si8806db.pdf SI8806DB-T2-E1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8808DB-T2-E1 VISHAY si8808db.pdf SI8808DB-T2-E1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8810EDB-T2-E1 VISHAY si8810edb.pdf SI8810EDB-T2-E1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8812DB-T2-E1 VISHAY si8812db.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 20A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: MICROFOOT®
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 93mΩ
Power dissipation: 0.9W
Drain current: 3.2A
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 20A
Drain-source voltage: 20V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8816EDB-T2-E1 VISHAY si8816edb.pdf SI8816EDB-T2-E1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8817DB-T2-E1 VISHAY si8817db.pdf SI8817DB-T2-E1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8819EDB-T2-E1 VISHAY si8819edb.pdf SI8819EDB-T2-E1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7858BDP-T1-GE3 si7858bd.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7858BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7862ADP-T1-E3 73165.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 16V; 29A; Idm: 60A; 5.4W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 16V
Drain current: 29A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 80nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7862ADP-T1-GE3 73165.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 16V; 29A; Idm: 60A; 5.4W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 16V
Drain current: 29A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 80nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7868ADP-T1-E3 73384.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7868ADP-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7880ADP-T1-E3 si7880adp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7880ADP-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7880ADP-T1-GE3 73414.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7880ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7884BDP-T1-GE3 si7884bd.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 58A; Idm: 50A; 46W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 46W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7892BDP-T1-GE3 si7892bd.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7892BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7898DP-T1-E3 si7898dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 3A; Idm: 25A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7898DP-T1-GE3 si7898dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 3A; Idm: 25A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Hersteller: VISHAY
SI7900AEDN-T1-E3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 6A; Idm: 20A
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
On-state resistance: 45mΩ
Drain current: 6A
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 17.8W
Pulsed drain current: 20A
Drain-source voltage: 20V
Case: PowerPAK® 1212-8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7913DN-T1-E3 Multi channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 80A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65nC
On-state resistance: 7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 46W
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 80A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2814 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.96 EUR
51+1.42 EUR
59+1.22 EUR
62+1.16 EUR
100+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 37
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Hersteller: VISHAY
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SI7942DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7949DP-T1-E3 Multi channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 150V; 4.1A; Idm: 20A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 4.1A
On-state resistance: 0.115Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 3.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 26nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 150V; 4.1A; Idm: 20A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 4.1A
On-state resistance: 0.115Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 3.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 26nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Hersteller: VISHAY
SI7998DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.3A; Idm: -25A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.3A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 2.77W
Case: MICROFOOT® 1.6x1.6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Hersteller: VISHAY
SI8410DB-T2-E1 SMD N channel transistors
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SI8413DB-T1-E1 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI8416DB-T2-E1 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 10A; Idm: 25A; 1.8W
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Case: MICROFOOT® 1.6x1.6
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
On-state resistance: 20mΩ
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±5V
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 25A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI8425DB-T1-E1 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI8429DB-T1-E1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8457DB-T1-E1 si8457db.pdf
Hersteller: VISHAY
SI8457DB-T1-E1 SMD P channel transistors
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SI8466EDB-T2-E1 si8466edb.pdf
Hersteller: VISHAY
SI8466EDB-T2-E1 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI8472DB-T2-E1 SMD N channel transistors
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Si8481DB-T1-E1
Hersteller: VISHAY
SI8481DB-T1-E1 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI8483DB-T2-E1 SMD P channel transistors
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SI8487DB-T1-E1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE551737A5FB820&compId=si8487db.pdf?ci_sign=c1b22e74a4c347447c92beac4d4a8d58c0cd7dd9
SI8487DB-T1-E1
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.4A; 1.8/0.73W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.4A
Power dissipation: 1.8/0.73W
Case: MICROFOOT® 1.6x1.6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 883 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.1 EUR
105+0.68 EUR
229+0.31 EUR
242+0.3 EUR
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI8489EDB-T2-E1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI8497DB-T2-E1 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI8499DB-T2-E1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI8800EDB-T2-E1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI8802DB-T2-E1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI8806DB-T2-E1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI8808DB-T2-E1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI8810EDB-T2-E1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 20A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: MICROFOOT®
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 93mΩ
Power dissipation: 0.9W
Drain current: 3.2A
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 20A
Drain-source voltage: 20V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8816EDB-T2-E1 si8816edb.pdf
Hersteller: VISHAY
SI8816EDB-T2-E1 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI8817DB-T2-E1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8819EDB-T2-E1 si8819edb.pdf
Hersteller: VISHAY
SI8819EDB-T2-E1 SMD P channel transistors
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