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SI7178DP-T1-GE3 VISHAY si7178dp.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7190ADP-T1-RE3 VISHAY si7190adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 14.4A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 14.4A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 56.8W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 6000 Stücke
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SI7190DP-T1-GE3 VISHAY si7190dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 18.4A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 18.4A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 96W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 124mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7192DP-T1-GE3 VISHAY si7192dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 135nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7212DN-T1-E3 VISHAY si7212dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6.8A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.8A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 2.6W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7212DN-T1-GE3 VISHAY si7212dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6.8A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.8A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 2.6W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7216DN-T1-E3 VISHAY si7216dn.pdf SI7216DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7216DN-T1-GE3 VISHAY si7216dn.pdf SI7216DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7220DN-T1-E3 VISHAY si7220dn.pdf SI7220DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7220DN-T1-GE3 VISHAY 73117.pdf SI7220DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7223DN-T1-GE3 VISHAY si7223dn.pdf SI7223DN-T1-GE3 Multi channel transistors
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SI7232DN-T1-GE3 VISHAY si7232dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 25A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 23W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7234DP-T1-GE3 VISHAY si7234dp.pdf SI7234DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7252ADP-T1-GE3 VISHAY si7252adp.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 100V; 23A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 21.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 6000 Stücke
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SI7252DP-T1-GE3 VISHAY si7252dp.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 100V; 29.2A; 29W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 29.2A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 29W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7272DP-T1-GE3 VISHAY si7272dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 25A; Idm: 60A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22W
Gate charge: 26nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 25A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SI7288DP-T1-GE3 VISHAY si7288dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 20A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 15.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI7308DN-T1-E3 VISHAY 73419.pdf SI7308DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7308DN-T1-GE3 VISHAY si7308dn.pdf SI7308DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7309DN-T1-E3 VISHAY si7309dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -8A; Idm: -20A
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 19.8W
Gate charge: 22nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: -8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerPAK® 1212-8
On-state resistance: 146mΩ
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7309DN-T1-GE3 VISHAY si7309dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -8A; Idm: -20A
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 19.8W
Gate charge: 22nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: -8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerPAK® 1212-8
On-state resistance: 146mΩ
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7315DN-T1-GE3 VISHAY si7315dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -8.9A; Idm: -10A; 33W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 33W
Gate charge: 30nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -8.9A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -150V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Case: PowerPAK® 1212-8
On-state resistance: 315mΩ
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7317DN-T1-GE3 VISHAY si7317dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -2.8A; Idm: -2A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 19.8W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 9.8nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: -2A
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -2.8A
On-state resistance: 1.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI7322ADN-T1-GE3 VISHAY si7322adn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7322DN-T1-GE3 VISHAY si7322dn.pdf SI7322DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7326DN-T1-E3 VISHAY si7326dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 10A; Idm: 40A; 3.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 3.5W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SI7326DN-T1-GE3 VISHAY si7326dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 10A; Idm: 40A; 3.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 3.5W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7328DN-T1-E3 VISHAY si7328dn.pdf SI7328DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7328DN-T1-GE3 VISHAY si7328dn.pdf SI7328DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7336ADP-T1-E3 VISHAY si7336adp.pdf SI7336ADP-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
SI7336ADP-T1-GE3 VISHAY si7336adp.pdf SI7336ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
SI7370DP-T1-E3 VISHAY si7370dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 15.8A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15.8A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 5.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SI7370DP-T1-GE3 VISHAY si7370dp.pdf SI7370DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7374DP-T1-E3 VISHAY 73560.pdf SI7374DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7386DP-T1-E3 VISHAY 73108.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 19A; Idm: 50A; 5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 5W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SI7386DP-T1-GE3 VISHAY 73108.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 19A; Idm: 50A; 5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 5W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7390DP-T1-E3 VISHAY si7390dp.pdf SI7390DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7390DP-T1-GE3 VISHAY si7390dp.pdf SI7390DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7414DN-T1-E3 VISHAY 71738.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5.6A; Idm: 30A; 0.8W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5.6A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SI7414DN-T1-GE3 VISHAY 71738.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 8.7A; Idm: 30A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8.7A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SI7415DN-T1-E3 VISHAY si7415dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5.7A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 3.8W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SI7415DN-T1-GE3 VISHAY si7415dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.6A; Idm: -30A; 0.8W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 0.8W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SI7421DN-T1-E3 VISHAY 72416.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SI7421DN-T1-GE3 VISHAY 72416.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SI7423DN-T1-E3 VISHAY Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -30A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11.7A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SI7423DN-T1-GE3 VISHAY 72582.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -30A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11.7A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7430DP-T1-E3 VISHAY si7430dp.pdf SI7430DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7430DP-T1-GE3 VISHAY si7430dp.pdf SI7430DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7431DP-T1-E3 VISHAY si7431dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -200V; -3.8A; Idm: -30A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -3.8A
Drain-source voltage: -200V
Power dissipation: 5.4W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 135nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SI7431DP-T1-GE3 VISHAY si7431dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.2A; Idm: -30A; 1.2W
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -2.2A
Drain-source voltage: -200V
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 135nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
On-state resistance: 174mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SI7434ADP-T1-RE3 VISHAY si7434adp.pdf si7434adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 12.3A; Idm: 25A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Power dissipation: 54.3W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25A
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 12.3A
On-state resistance: 0.17Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SI7434DP-T1-E3 VISHAY si7434dp.pdf SI7434DP-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
SI7434DP-T1-GE3 VISHAY si7434dp.pdf SI7434DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
SI7439DP-T1-E3 VISHAY si7439dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -3A; Idm: -50A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 1.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 135nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SI7439DP-T1-GE3 VISHAY si7439dp.pdf SI7439DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
SI7450DP-T1-E3 VISHAY si7450dp.pdf SI7450DP-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
SI7450DP-T1-GE3 VISHAY si7450dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.2A; Idm: 40A; 1.2W
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.2W
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
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SI7450DP-T1-RE3 VISHAY SI7450DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SI7454DDP-T1-GE3 VISHAY si7454ddp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; Idm: 40A; 19W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 19W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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SI7454DP-T1-E3 VISHAY 71618.pdf SI7454DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7178DP-T1-GE3 description si7178dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7190ADP-T1-RE3 si7190adp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 14.4A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 14.4A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 56.8W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 6000 Stücke
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SI7190DP-T1-GE3 si7190dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 18.4A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 18.4A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 96W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 124mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7192DP-T1-GE3 si7192dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 135nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7212DN-T1-E3 si7212dn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6.8A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.8A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 2.6W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7212DN-T1-GE3 si7212dn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6.8A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.8A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 2.6W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7216DN-T1-E3 si7216dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7216DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7216DN-T1-GE3 si7216dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7216DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7220DN-T1-E3 si7220dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7220DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7220DN-T1-GE3 73117.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7220DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7223DN-T1-GE3 si7223dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7223DN-T1-GE3 Multi channel transistors
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SI7232DN-T1-GE3 si7232dn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 25A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 23W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7234DP-T1-GE3 si7234dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7234DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7252ADP-T1-GE3 si7252adp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 100V; 23A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 21.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 6000 Stücke
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SI7252DP-T1-GE3 si7252dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 100V; 29.2A; 29W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 29.2A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 29W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7272DP-T1-GE3 si7272dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 25A; Idm: 60A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22W
Gate charge: 26nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 25A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7288DP-T1-GE3 si7288dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 20A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 15.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI7308DN-T1-E3 73419.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7308DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7308DN-T1-GE3 si7308dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7308DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7309DN-T1-E3 si7309dn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -8A; Idm: -20A
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 19.8W
Gate charge: 22nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: -8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerPAK® 1212-8
On-state resistance: 146mΩ
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7309DN-T1-GE3 si7309dn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -8A; Idm: -20A
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 19.8W
Gate charge: 22nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: -8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerPAK® 1212-8
On-state resistance: 146mΩ
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7315DN-T1-GE3 si7315dn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -8.9A; Idm: -10A; 33W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 33W
Gate charge: 30nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -8.9A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -150V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Case: PowerPAK® 1212-8
On-state resistance: 315mΩ
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SI7317DN-T1-GE3 si7317dn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -2.8A; Idm: -2A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 19.8W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 9.8nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: -2A
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -2.8A
On-state resistance: 1.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI7322ADN-T1-GE3 si7322adn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SI7322DN-T1-GE3 si7322dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7322DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
SI7326DN-T1-E3 si7326dn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 10A; Idm: 40A; 3.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 3.5W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SI7326DN-T1-GE3 si7326dn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 10A; Idm: 40A; 3.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 3.5W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SI7328DN-T1-E3 si7328dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7328DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7328DN-T1-GE3 si7328dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7328DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
SI7336ADP-T1-E3 si7336adp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7336ADP-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7336ADP-T1-GE3 si7336adp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7336ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7370DP-T1-E3 si7370dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 15.8A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15.8A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 5.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SI7370DP-T1-GE3 si7370dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7370DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
SI7374DP-T1-E3 73560.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7374DP-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
SI7386DP-T1-E3 73108.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 19A; Idm: 50A; 5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 5W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SI7386DP-T1-GE3 73108.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 19A; Idm: 50A; 5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 5W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SI7390DP-T1-E3 si7390dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7390DP-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
SI7390DP-T1-GE3 si7390dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7390DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
SI7414DN-T1-E3 71738.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5.6A; Idm: 30A; 0.8W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5.6A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SI7414DN-T1-GE3 71738.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 8.7A; Idm: 30A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8.7A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI7415DN-T1-E3 si7415dn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5.7A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 3.8W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SI7415DN-T1-GE3 si7415dn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.6A; Idm: -30A; 0.8W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 0.8W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SI7421DN-T1-E3 72416.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SI7421DN-T1-GE3 72416.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SI7423DN-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -30A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11.7A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SI7423DN-T1-GE3 72582.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -30A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11.7A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SI7430DP-T1-E3 si7430dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7430DP-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
SI7430DP-T1-GE3 si7430dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7430DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
SI7431DP-T1-E3 si7431dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -200V; -3.8A; Idm: -30A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -3.8A
Drain-source voltage: -200V
Power dissipation: 5.4W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 135nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SI7431DP-T1-GE3 si7431dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.2A; Idm: -30A; 1.2W
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -2.2A
Drain-source voltage: -200V
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 135nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
On-state resistance: 174mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SI7434ADP-T1-RE3 si7434adp.pdf si7434adp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 12.3A; Idm: 25A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Power dissipation: 54.3W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25A
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 12.3A
On-state resistance: 0.17Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7434DP-T1-E3 si7434dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7434DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7434DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7439DP-T1-E3 si7439dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -3A; Idm: -50A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 1.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 135nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7439DP-T1-GE3 si7439dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7439DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7450DP-T1-E3 si7450dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7450DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7450DP-T1-GE3 si7450dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.2A; Idm: 40A; 1.2W
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.2W
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7450DP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
SI7450DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SI7454DDP-T1-GE3 si7454ddp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; Idm: 40A; 19W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 19W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7454DP-T1-E3 71618.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7454DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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