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SI7858ADP-T1-GE3 VISHAY 73164.pdf SI7858ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7858BDP-T1-GE3 VISHAY si7858bd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 40A; Idm: 70A; 48W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 48W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7862ADP-T1-E3 VISHAY 73165.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 16V; 29A; Idm: 60A; 5.4W
Drain-source voltage: 16V
Drain current: 29A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 80nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7862ADP-T1-GE3 VISHAY 73165.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 16V; 29A; Idm: 60A; 5.4W
Drain-source voltage: 16V
Drain current: 29A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 80nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7868ADP-T1-E3 VISHAY 73384.pdf SI7868ADP-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7880ADP-T1-E3 VISHAY si7880adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 70A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 83W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7880ADP-T1-GE3 VISHAY 73414.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 70A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 83W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7884BDP-T1-GE3 VISHAY si7884bd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 58A; Idm: 50A; 46W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 46W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7892BDP-T1-GE3 VISHAY si7892bd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 25A; Idm: 60A; 5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 5W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7898DP-T1-E3 VISHAY si7898dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 4.8A; Idm: 25A; 5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 5W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7898DP-T1-GE3 VISHAY si7898dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3A; Idm: 25A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7900AEDN-T1-E3 VISHAY si7900aedn.pdf SI7900AEDN-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7900AEDN-T1-GE3 VISHAY si7900aedn.pdf SI7900AEDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7904BDN-T1-E3 VISHAY si7904bd.pdf SI7904BDN-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7904BDN-T1-GE3 VISHAY si7904bd.pdf SI7904BDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7913DN-T1-E3 VISHAY 72615.pdf SI7913DN-T1-E3 Multi channel transistors
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SI7913DN-T1-GE3 VISHAY 72615.pdf SI7913DN-T1-GE3 Multi channel transistors
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SI7922DN-T1-E3 VISHAY 72031.pdf SI7922DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7922DN-T1-GE3 VISHAY 72031.pdf SI7922DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7923DN-T1-E3 VISHAY 72622.pdf SI7923DN-T1-E3 Multi channel transistors
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SI7923DN-T1-GE3 VISHAY 72622.pdf SI7923DN-T1-GE3 Multi channel transistors
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SI7938DP-T1-GE3 VISHAY si7938dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 46W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI7942DP-T1-E3 VISHAY 72118.pdf SI7942DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7942DP-T1-GE3 VISHAY 72118.pdf SI7942DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7946ADP-T1-GE3 VISHAY si7946adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 150V; 7.7A; Idm: 10A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 7.7A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 19.8W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 256mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7949DP-T1-E3 VISHAY 73130.pdf SI7949DP-T1-E3 Multi channel transistors
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SI7949DP-T1-GE3 VISHAY 73130.pdf SI7949DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7956DP-T1-E3 VISHAY 72960.pdf SI7956DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7956DP-T1-GE3 VISHAY 72960.pdf SI7956DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Si7972DP-T1-GE3 VISHAY si7972dp.pdf SI7972DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7994DP-T1-GE3 VISHAY si7994dp.pdf SI7994DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7997DP-T1-GE3 VISHAY si7997dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -60A; 46W
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -60A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 46W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 160nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI7998DP-T1-GE3 VISHAY si7998dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI8401DB-T1-E1 VISHAY si8401db.pdf SI8401DB-T1-E1 SMD P channel transistors
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SI8401DB-T1-E3 VISHAY si8401db.pdf SI8401DB-T1-E3 SMD P channel transistors
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SI8406DB-T2-E1 VISHAY si8406db.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 16A; Idm: 30A; 13W
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 13W
Gate charge: 20nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 16A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI8409DB-T1-E1 VISHAY si8409db.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.3A; Idm: -25A
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Drain current: -6.3A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: MICROFOOT® 1.6x1.6
On-state resistance: 65mΩ
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 2.77W
Gate charge: 26nC
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Si8410DB-T2-E1 VISHAY si8410db.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 5.7A; Idm: 20A
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 20A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 68mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI8413DB-T1-E1 VISHAY si8413db.pdf SI8413DB-T1-E1 SMD P channel transistors
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SI8416DB-T2-E1 VISHAY si8416db.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 16A; Idm: 20A; 13W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 13W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 26nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 20A
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 16A
On-state resistance: 95mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI8424CDB-T1-E1 VISHAY si8424cdb.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 10A; Idm: 25A; 1.8W
Mounting: SMD
Case: MICROFOOT® 1.6x1.6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 25A
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 10A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI8425DB-T1-E1 VISHAY si8425db.pdf SI8425DB-T1-E1 SMD P channel transistors
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SI8429DB-T1-E1 VISHAY si8429db.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -11.7A; Idm: -25A
Mounting: SMD
Case: MICROFOOT® 1.6x1.6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 6.25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 32nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: -25A
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -11.7A
On-state resistance: 98mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI8457DB-T1-E1 VISHAY si8457db.pdf SI8457DB-T1-E1 SMD P channel transistors
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SI8466EDB-T2-E1 VISHAY si8466edb.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 5.4A; Idm: 20A; 1.8W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 20A
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 5.4A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI8472DB-T2-E1 VISHAY si8472db.pdf SI8472DB-T2-E1 SMD N channel transistors
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Si8481DB-T1-E1 VISHAY SI8481DB-T1-E1 SMD P channel transistors
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SI8483DB-T2-E1 VISHAY si8483db.pdf SI8483DB-T2-E1 SMD P channel transistors
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SI8487DB-T1-E1 VISHAY si8487db.pdf SI8487DB-T1-E1 SMD P channel transistors
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Mindestbestellmenge: 66
SI8489EDB-T2-E1 VISHAY si8489edb.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -5.4A; Idm: -20A
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Drain current: -5.4A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 82mΩ
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.8W
Gate charge: 27nC
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI8497DB-T2-E1 VISHAY si8497db.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -13A; Idm: -20A
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Drain current: -13A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.12Ω
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 13W
Gate charge: 49nC
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI8499DB-T2-E1 VISHAY si8499db.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -16A; Idm: -20A
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Drain current: -16A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.12Ω
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 13W
Gate charge: 30nC
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI8800EDB-T2-E1 VISHAY si8800edb.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.8A; Idm: 15A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 0.9W
Gate charge: 8.3nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 2.8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.15Ω
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI8802DB-T2-E1 VISHAY si8802db.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 3.5A; Idm: 15A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 15A
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SI8806DB-T2-E1 VISHAY si8806db.pdf SI8806DB-T2-E1 SMD N channel transistors
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SI8808DB-T2-E1 VISHAY si8808db.pdf SI8808DB-T2-E1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
SI8810EDB-T2-E1 VISHAY si8810edb.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.9A; Idm: 15A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 0.9W
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI8812DB-T2-E1 VISHAY si8812db.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 20A
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 0.9W
Gate charge: 17nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 3.2A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SI8816EDB-T2-E1 VISHAY si8816edb.pdf SI8816EDB-T2-E1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
SI8817DB-T2-E1 VISHAY si8817db.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -2.9A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.9W
On-state resistance: 0.32Ω
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -15A
Gate charge: 19nC
Drain current: -2.9A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7858ADP-T1-GE3 73164.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7858ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7858BDP-T1-GE3 si7858bd.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 40A; Idm: 70A; 48W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 48W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SI7862ADP-T1-E3 73165.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 16V; 29A; Idm: 60A; 5.4W
Drain-source voltage: 16V
Drain current: 29A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 80nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SI7862ADP-T1-GE3 73165.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 16V; 29A; Idm: 60A; 5.4W
Drain-source voltage: 16V
Drain current: 29A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 80nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Hersteller: VISHAY
SI7868ADP-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7880ADP-T1-E3 si7880adp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 70A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 83W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7880ADP-T1-GE3 73414.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 70A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 83W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7884BDP-T1-GE3 si7884bd.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 58A; Idm: 50A; 46W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 46W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7892BDP-T1-GE3 si7892bd.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 25A; Idm: 60A; 5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 5W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7898DP-T1-E3 si7898dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 4.8A; Idm: 25A; 5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 5W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7898DP-T1-GE3 si7898dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3A; Idm: 25A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7900AEDN-T1-E3 si7900aedn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7900AEDN-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7900AEDN-T1-GE3 si7900aedn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7900AEDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7904BDN-T1-E3 si7904bd.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7904BDN-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7904BDN-T1-GE3 si7904bd.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7904BDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7913DN-T1-E3 72615.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7913DN-T1-E3 Multi channel transistors
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SI7913DN-T1-GE3 72615.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7913DN-T1-GE3 Multi channel transistors
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SI7922DN-T1-E3 72031.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7922DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7922DN-T1-GE3 72031.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7922DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7923DN-T1-E3 72622.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7923DN-T1-E3 Multi channel transistors
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SI7923DN-T1-GE3 72622.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7923DN-T1-GE3 Multi channel transistors
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SI7938DP-T1-GE3 si7938dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 46W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI7942DP-T1-E3 72118.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7942DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7942DP-T1-GE3 72118.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7942DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7946ADP-T1-GE3 si7946adp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 150V; 7.7A; Idm: 10A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 7.7A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 19.8W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 256mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7949DP-T1-E3 73130.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7949DP-T1-E3 Multi channel transistors
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SI7949DP-T1-GE3 73130.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7949DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7956DP-T1-E3 72960.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7956DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7956DP-T1-GE3 72960.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7956DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Si7972DP-T1-GE3 si7972dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7972DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7994DP-T1-GE3 si7994dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7994DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7997DP-T1-GE3 si7997dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -60A; 46W
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -60A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 46W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 160nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI7998DP-T1-GE3 si7998dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI8401DB-T1-E1 si8401db.pdf
Hersteller: VISHAY
SI8401DB-T1-E1 SMD P channel transistors
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SI8401DB-T1-E3 si8401db.pdf
Hersteller: VISHAY
SI8401DB-T1-E3 SMD P channel transistors
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SI8406DB-T2-E1 si8406db.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 16A; Idm: 30A; 13W
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 13W
Gate charge: 20nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 16A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI8409DB-T1-E1 si8409db.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.3A; Idm: -25A
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Drain current: -6.3A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: MICROFOOT® 1.6x1.6
On-state resistance: 65mΩ
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 2.77W
Gate charge: 26nC
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Si8410DB-T2-E1 si8410db.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 5.7A; Idm: 20A
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 20A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 68mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI8413DB-T1-E1 si8413db.pdf
Hersteller: VISHAY
SI8413DB-T1-E1 SMD P channel transistors
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SI8416DB-T2-E1 si8416db.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 16A; Idm: 20A; 13W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 13W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 26nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 20A
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 16A
On-state resistance: 95mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SI8424CDB-T1-E1 si8424cdb.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 10A; Idm: 25A; 1.8W
Mounting: SMD
Case: MICROFOOT® 1.6x1.6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 25A
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 10A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SI8425DB-T1-E1 si8425db.pdf
Hersteller: VISHAY
SI8425DB-T1-E1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
SI8429DB-T1-E1 si8429db.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -11.7A; Idm: -25A
Mounting: SMD
Case: MICROFOOT® 1.6x1.6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 6.25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 32nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: -25A
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -11.7A
On-state resistance: 98mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI8457DB-T1-E1 si8457db.pdf
Hersteller: VISHAY
SI8457DB-T1-E1 SMD P channel transistors
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SI8466EDB-T2-E1 si8466edb.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 5.4A; Idm: 20A; 1.8W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 20A
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 5.4A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI8472DB-T2-E1 si8472db.pdf
Hersteller: VISHAY
SI8472DB-T2-E1 SMD N channel transistors
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Si8481DB-T1-E1
Hersteller: VISHAY
SI8481DB-T1-E1 SMD P channel transistors
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SI8483DB-T2-E1 si8483db.pdf
Hersteller: VISHAY
SI8483DB-T2-E1 SMD P channel transistors
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SI8487DB-T1-E1 si8487db.pdf
Hersteller: VISHAY
SI8487DB-T1-E1 SMD P channel transistors
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SI8489EDB-T2-E1 si8489edb.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -5.4A; Idm: -20A
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Drain current: -5.4A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 82mΩ
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.8W
Gate charge: 27nC
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SI8497DB-T2-E1 si8497db.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -13A; Idm: -20A
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Drain current: -13A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.12Ω
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 13W
Gate charge: 49nC
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SI8499DB-T2-E1 si8499db.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -16A; Idm: -20A
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Drain current: -16A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.12Ω
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 13W
Gate charge: 30nC
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SI8800EDB-T2-E1 si8800edb.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.8A; Idm: 15A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 0.9W
Gate charge: 8.3nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 2.8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.15Ω
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SI8802DB-T2-E1 si8802db.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 3.5A; Idm: 15A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 15A
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI8806DB-T2-E1 si8806db.pdf
Hersteller: VISHAY
SI8806DB-T2-E1 SMD N channel transistors
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SI8808DB-T2-E1 si8808db.pdf
Hersteller: VISHAY
SI8808DB-T2-E1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
SI8810EDB-T2-E1 si8810edb.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.9A; Idm: 15A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 0.9W
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SI8812DB-T2-E1 si8812db.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 20A
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 0.9W
Gate charge: 17nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 3.2A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SI8816EDB-T2-E1 si8816edb.pdf
Hersteller: VISHAY
SI8816EDB-T2-E1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
SI8817DB-T2-E1 si8817db.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -2.9A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.9W
On-state resistance: 0.32Ω
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -15A
Gate charge: 19nC
Drain current: -2.9A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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