Produkte > WEEN SEMICONDUCTORS > Alle Produkte des Herstellers WEEN SEMICONDUCTORS (6259) > Seite 86 nach 105
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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NXPSC06650B6J | WeEn Semiconductors |
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NXPSC06650D6J | WeEn Semiconductors |
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NXPSC06650X6Q | WeEn Semiconductors |
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NXPSC086506Q | WeEn Semiconductors |
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NXPSC08650B6J | WeEn Semiconductors |
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NXPSC08650D6J | WeEn Semiconductors |
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NXPSC08650X6Q | WeEn Semiconductors |
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NXPSC106506Q | WeEn Semiconductors |
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NXPSC10650B6J | WeEn Semiconductors |
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NXPSC10650D6J | WeEn Semiconductors |
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NXPSC10650X6Q | WeEn Semiconductors |
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NXPSC126506Q | WeEn Semiconductors |
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NXPSC12650B6J | WeEn Semiconductors |
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NXPSC166506Q | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; TO220AC; tube Max. off-state voltage: 650V Load current: 16A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 96A Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Case: TO220AC Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
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NXPSC16650B6J | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 16A; reel,tape Max. off-state voltage: 650V Load current: 16A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 96A Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Case: D2PAK Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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NXPSC206506Q | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220AC; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: TO220AC Max. forward impulse current: 100A Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
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NXPSC20650W-AQ | WeEn Semiconductors |
![]() ![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Max. forward impulse current: 50A Kind of package: tube Max. load current: 20A Max. forward voltage: 2.1V Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 240 Stücke |
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NXPSC20650W6Q | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Max. forward impulse current: 50A Kind of package: tube Max. load current: 20A Anzahl je Verpackung: 240 Stücke |
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OT407,116 | WeEn Semiconductors |
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OT412,115 | WeEn Semiconductors |
Category: Triacs Description: Triac; 1A; SOT223; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. load current: 1A Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: sensitive gate Technology: 4Q Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 780 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P1KSMBJ27AJ | WeEn Semiconductors |
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P1KSMBJ27CAJ | WeEn Semiconductors |
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P1KSMBJ68AJ | WeEn Semiconductors |
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P1KSMBJ68CAJ | WeEn Semiconductors |
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P4SOD33CAX | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 400W; 36.7÷40.6V; 7.5A; bidirectional; SOD123F; P4SOD Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.4kW Max. off-state voltage: 33V Breakdown voltage: 36.7...40.6V Max. forward impulse current: 7.5A Semiconductor structure: bidirectional Case: SOD123F Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Manufacturer series: P4SOD Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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P4SOD36AX | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 400W; 40÷44.2V; 6.2A; unidirectional; SOD123F; P4SOD Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.4kW Max. off-state voltage: 36V Breakdown voltage: 40...44.2V Max. forward impulse current: 6.2A Semiconductor structure: unidirectional Case: SOD123F Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Manufacturer series: P4SOD Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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P4SOD58AX | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 400W; 64.4÷71.2V; 4.3A; unidirectional; SOD123F; P4SOD Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.4kW Max. off-state voltage: 58V Breakdown voltage: 64.4...71.2V Max. forward impulse current: 4.3A Semiconductor structure: unidirectional Case: SOD123F Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Manufacturer series: P4SOD Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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P6SMAL36AX | WeEn Semiconductors |
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P6SMAL75AX | WeEn Semiconductors |
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P6SMBJ28CAJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 31.33÷34.16V; 13.3A; bidirectional; SMB Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 28V Breakdown voltage: 31.33...34.16V Max. forward impulse current: 13.3A Semiconductor structure: bidirectional Case: SMB Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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P6SMBJ64CAJ | WeEn Semiconductors |
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PHD13003C,126 | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 1.5A; 2.1W; TO92 Collector-emitter voltage: 700V Current gain: 8...25 Collector current: 1.5A Type of transistor: NPN Power dissipation: 2.1W Polarisation: bipolar Kind of package: Ammo Pack Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Mounting: THT Case: TO92 Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke |
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PHD13005,127 | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB Mounting: THT Collector-emitter voltage: 400V Current gain: 10...40 Collector current: 4A Type of transistor: NPN Power dissipation: 75W Polarisation: bipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Case: TO220AB Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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PHE13003A,412 | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1A; 2.1W; TO92 Collector-emitter voltage: 400V Current gain: 5...30 Collector current: 1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 2.1W Polarisation: bipolar Kind of package: bulk Mounting: THT Case: TO92 Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke |
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PHE13003C,126 | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1.5A; 2.1W; TO92 Collector-emitter voltage: 400V Current gain: 5...25 Collector current: 1.5A Type of transistor: NPN Power dissipation: 2.1W Polarisation: bipolar Kind of package: Ammo Pack Mounting: THT Case: TO92 Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke |
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PHE13003C,412 | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1.5A; 2.1W; TO92 Collector-emitter voltage: 400V Current gain: 5...25 Collector current: 1.5A Type of transistor: NPN Power dissipation: 2.1W Polarisation: bipolar Kind of package: bulk Mounting: THT Case: TO92 Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke |
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PHE13005,127 | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB Mounting: THT Collector-emitter voltage: 400V Current gain: 10...40 Collector current: 4A Type of transistor: NPN Power dissipation: 75W Polarisation: bipolar Kind of package: tube Case: TO220AB Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 793 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PHE13007,127 | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB Case: TO220AB Collector-emitter voltage: 400V Current gain: 8...40 Collector current: 8A Type of transistor: NPN Power dissipation: 80W Polarisation: bipolar Kind of package: tube Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 881 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PHE13009,127 | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB Collector-emitter voltage: 400V Current gain: 8...40 Collector current: 12A Type of transistor: NPN Power dissipation: 80W Polarisation: bipolar Kind of package: tube Mounting: THT Case: TO220AB Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 556 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PHE13009/DG,127 | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB; max.1.3mm Collector-emitter voltage: 400V Current gain: 8...40 Collector current: 12A Type of transistor: NPN Power dissipation: 80W Polarisation: bipolar Kind of package: tube Heatsink thickness: max. 1.3mm Mounting: THT Case: TO220AB Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
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SK8DJ | WeEn Semiconductors | SK8DJ SMD universal diodes |
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SM8S33CAJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 6.6kW; 36.7÷40.6V; 124A; bidirectional; DO218J; SM8S Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 6.6kW Max. off-state voltage: 33V Breakdown voltage: 36.7...40.6V Max. forward impulse current: 124A Semiconductor structure: bidirectional Case: DO218J Mounting: SMD Leakage current: 5µA Kind of package: reel; tape Manufacturer series: SM8S Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SM8S43CAJ | WeEn Semiconductors | SM8S43CAJ Bidirectional TVS SMD diodes |
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SMAJ18AJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 400W; 20.19÷21.9V; 13.7A; unidirectional; SMA; SMAJ Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.4kW Max. off-state voltage: 18V Breakdown voltage: 20.19...21.9V Max. forward impulse current: 13.7A Semiconductor structure: unidirectional Case: SMA Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Manufacturer series: SMAJ Leakage current: 1µA Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke |
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SMAJ30CAJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 400W; 33.55÷36.54V; 8.3A; bidirectional; SMA; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.4kW Max. off-state voltage: 30V Breakdown voltage: 33.55...36.54V Max. forward impulse current: 8.3A Semiconductor structure: bidirectional Case: SMA Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Manufacturer series: SMAJ Leakage current: 1µA Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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SMAJ5.0CAJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 400W; 6.45÷6.98V; 43.5A; bidirectional; SMA; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.4kW Max. off-state voltage: 5V Breakdown voltage: 6.45...6.98V Max. forward impulse current: 43.5A Semiconductor structure: bidirectional Case: SMA Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Manufacturer series: SMAJ Leakage current: 0.4mA Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke |
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SMBJ20AJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 22.41÷24.28V; 18.6A; unidirectional; SMB; SMBJ Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 20V Breakdown voltage: 22.41...24.28V Max. forward impulse current: 18.6A Semiconductor structure: unidirectional Case: SMB Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Manufacturer series: SMBJ Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 660 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SMBJ26AJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 29.12÷31.67V; 14.3A; unidirectional; SMB; SMBJ Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 26V Breakdown voltage: 29.12...31.67V Max. forward impulse current: 14.3A Semiconductor structure: unidirectional Case: SMB Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Manufacturer series: SMBJ Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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SMBJ33AJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 36.98÷40.3V; 11.3A; unidirectional; SMB; SMBJ Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 33V Breakdown voltage: 36.98...40.3V Max. forward impulse current: 11.3A Semiconductor structure: unidirectional Case: SMB Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Manufacturer series: SMBJ Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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SMBJ40CAJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 44.7÷48.8V; 9.3A; bidirectional; SMB; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 40V Breakdown voltage: 44.7...48.8V Max. forward impulse current: 9.3A Semiconductor structure: bidirectional Case: SMB Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Manufacturer series: SMBJ Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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SMBJ60CAJ | WeEn Semiconductors |
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SMBJ78AJ | WeEn Semiconductors |
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SMCJ15CAJ | WeEn Semiconductors |
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SMCJ36CAJ | WeEn Semiconductors |
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SMCJ40CAJ | WeEn Semiconductors |
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SMCJ58AJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 1.5kW; 65÷70.6V; 16.1A; unidirectional; SMC; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Max. off-state voltage: 58V Breakdown voltage: 65...70.6V Max. forward impulse current: 16.1A Semiconductor structure: unidirectional Case: SMC Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Manufacturer series: SMCJ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SMDJ14AJ | WeEn Semiconductors | SMDJ14AJ Unidirectional TVS SMD diodes |
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SMDJ28CAJ | WeEn Semiconductors |
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SMDJ30AJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 3kW; 33.6÷36.59V; 62A; unidirectional; SMC; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 3kW Max. off-state voltage: 30V Breakdown voltage: 33.6...36.59V Max. forward impulse current: 62A Semiconductor structure: unidirectional Case: SMC Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Manufacturer series: SMDJ Leakage current: 1µA Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SMDJ30CAJ | WeEn Semiconductors |
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NXPSC06650B6J |
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Hersteller: WeEn Semiconductors
NXPSC06650B6J SMD Schottky diodes
NXPSC06650B6J SMD Schottky diodes
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NXPSC06650D6J |
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Hersteller: WeEn Semiconductors
NXPSC06650D6J SMD Schottky diodes
NXPSC06650D6J SMD Schottky diodes
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NXPSC06650X6Q |
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Hersteller: WeEn Semiconductors
NXPSC06650X6Q THT Schottky diodes
NXPSC06650X6Q THT Schottky diodes
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NXPSC086506Q |
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Hersteller: WeEn Semiconductors
NXPSC086506Q THT Schottky diodes
NXPSC086506Q THT Schottky diodes
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NXPSC08650B6J |
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Hersteller: WeEn Semiconductors
NXPSC08650B6J SMD Schottky diodes
NXPSC08650B6J SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
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NXPSC08650D6J |
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Hersteller: WeEn Semiconductors
NXPSC08650D6J SMD Schottky diodes
NXPSC08650D6J SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
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NXPSC08650X6Q |
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Hersteller: WeEn Semiconductors
NXPSC08650X6Q THT Schottky diodes
NXPSC08650X6Q THT Schottky diodes
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NXPSC106506Q |
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Hersteller: WeEn Semiconductors
NXPSC106506Q THT Schottky diodes
NXPSC106506Q THT Schottky diodes
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NXPSC10650B6J |
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Hersteller: WeEn Semiconductors
NXPSC10650B6J SMD Schottky diodes
NXPSC10650B6J SMD Schottky diodes
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Stück im Wert von UAH
NXPSC10650D6J |
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Hersteller: WeEn Semiconductors
NXPSC10650D6J SMD Schottky diodes
NXPSC10650D6J SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
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NXPSC10650X6Q |
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Hersteller: WeEn Semiconductors
NXPSC10650X6Q THT Schottky diodes
NXPSC10650X6Q THT Schottky diodes
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NXPSC126506Q |
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Hersteller: WeEn Semiconductors
NXPSC126506Q THT Schottky diodes
NXPSC126506Q THT Schottky diodes
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NXPSC12650B6J |
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Hersteller: WeEn Semiconductors
NXPSC12650B6J SMD Schottky diodes
NXPSC12650B6J SMD Schottky diodes
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NXPSC166506Q |
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Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; TO220AC; tube
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 96A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO220AC
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; TO220AC; tube
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 96A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO220AC
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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NXPSC16650B6J |
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Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 16A; reel,tape
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 96A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 16A; reel,tape
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 96A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen
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NXPSC206506Q |
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Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
NXPSC20650W-AQ |
![]() ![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 2.1V
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 240 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 2.1V
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 240 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NXPSC20650W6Q |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
Max. load current: 20A
Anzahl je Verpackung: 240 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
Max. load current: 20A
Anzahl je Verpackung: 240 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
OT407,116 |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
OT407.116 Triacs
OT407.116 Triacs
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Stück im Wert von UAH
OT412,115 |
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 1A; SOT223; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Technology: 4Q
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Triacs
Description: Triac; 1A; SOT223; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Technology: 4Q
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
221+ | 0.32 EUR |
268+ | 0.27 EUR |
325+ | 0.22 EUR |
343+ | 0.21 EUR |
1000+ | 0.20 EUR |
P1KSMBJ27AJ |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
P1KSMBJ27AJ Unidirectional TVS SMD diodes
P1KSMBJ27AJ Unidirectional TVS SMD diodes
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
P1KSMBJ27CAJ |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
P1KSMBJ27CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
P1KSMBJ27CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
P1KSMBJ68AJ |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
P1KSMBJ68AJ Unidirectional TVS SMD diodes
P1KSMBJ68AJ Unidirectional TVS SMD diodes
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
P1KSMBJ68CAJ |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
P1KSMBJ68CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
P1KSMBJ68CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
P4SOD33CAX |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 36.7÷40.6V; 7.5A; bidirectional; SOD123F; P4SOD
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7...40.6V
Max. forward impulse current: 7.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD123F
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P4SOD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 36.7÷40.6V; 7.5A; bidirectional; SOD123F; P4SOD
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7...40.6V
Max. forward impulse current: 7.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD123F
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P4SOD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P4SOD36AX |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 40÷44.2V; 6.2A; unidirectional; SOD123F; P4SOD
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 40...44.2V
Max. forward impulse current: 6.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD123F
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P4SOD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 40÷44.2V; 6.2A; unidirectional; SOD123F; P4SOD
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 40...44.2V
Max. forward impulse current: 6.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD123F
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P4SOD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P4SOD58AX |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 64.4÷71.2V; 4.3A; unidirectional; SOD123F; P4SOD
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 58V
Breakdown voltage: 64.4...71.2V
Max. forward impulse current: 4.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD123F
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P4SOD
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 64.4÷71.2V; 4.3A; unidirectional; SOD123F; P4SOD
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 58V
Breakdown voltage: 64.4...71.2V
Max. forward impulse current: 4.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD123F
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P4SOD
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P6SMAL36AX |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
P6SMAL36AX Unidirectional TVS SMD diodes
P6SMAL36AX Unidirectional TVS SMD diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P6SMAL75AX |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
P6SMAL75AX Unidirectional TVS SMD diodes
P6SMAL75AX Unidirectional TVS SMD diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P6SMBJ28CAJ |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 31.33÷34.16V; 13.3A; bidirectional; SMB
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 31.33...34.16V
Max. forward impulse current: 13.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 31.33÷34.16V; 13.3A; bidirectional; SMB
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 31.33...34.16V
Max. forward impulse current: 13.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P6SMBJ64CAJ |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
P6SMBJ64CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
P6SMBJ64CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PHD13003C,126 |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 1.5A; 2.1W; TO92
Collector-emitter voltage: 700V
Current gain: 8...25
Collector current: 1.5A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: bipolar
Kind of package: Ammo Pack
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO92
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 1.5A; 2.1W; TO92
Collector-emitter voltage: 700V
Current gain: 8...25
Collector current: 1.5A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: bipolar
Kind of package: Ammo Pack
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO92
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PHD13005,127 |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 400V
Current gain: 10...40
Collector current: 4A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 75W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 400V
Current gain: 10...40
Collector current: 4A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 75W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PHE13003A,412 |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1A; 2.1W; TO92
Collector-emitter voltage: 400V
Current gain: 5...30
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Mounting: THT
Case: TO92
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1A; 2.1W; TO92
Collector-emitter voltage: 400V
Current gain: 5...30
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Mounting: THT
Case: TO92
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PHE13003C,126 |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1.5A; 2.1W; TO92
Collector-emitter voltage: 400V
Current gain: 5...25
Collector current: 1.5A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: bipolar
Kind of package: Ammo Pack
Mounting: THT
Case: TO92
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1.5A; 2.1W; TO92
Collector-emitter voltage: 400V
Current gain: 5...25
Collector current: 1.5A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: bipolar
Kind of package: Ammo Pack
Mounting: THT
Case: TO92
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PHE13003C,412 |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1.5A; 2.1W; TO92
Collector-emitter voltage: 400V
Current gain: 5...25
Collector current: 1.5A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Mounting: THT
Case: TO92
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1.5A; 2.1W; TO92
Collector-emitter voltage: 400V
Current gain: 5...25
Collector current: 1.5A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Mounting: THT
Case: TO92
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PHE13005,127 |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 400V
Current gain: 10...40
Collector current: 4A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 75W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 400V
Current gain: 10...40
Collector current: 4A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 75W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 793 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
88+ | 0.82 EUR |
125+ | 0.57 EUR |
140+ | 0.51 EUR |
180+ | 0.40 EUR |
260+ | 0.28 EUR |
275+ | 0.26 EUR |
PHE13007,127 |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Case: TO220AB
Collector-emitter voltage: 400V
Current gain: 8...40
Collector current: 8A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Case: TO220AB
Collector-emitter voltage: 400V
Current gain: 8...40
Collector current: 8A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 881 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
53+ | 1.37 EUR |
78+ | 0.92 EUR |
153+ | 0.47 EUR |
162+ | 0.44 EUR |
500+ | 0.43 EUR |
PHE13009,127 |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB
Collector-emitter voltage: 400V
Current gain: 8...40
Collector current: 12A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB
Collector-emitter voltage: 400V
Current gain: 8...40
Collector current: 12A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 556 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
74+ | 0.97 EUR |
81+ | 0.89 EUR |
140+ | 0.51 EUR |
148+ | 0.48 EUR |
1000+ | 0.46 EUR |
PHE13009/DG,127 |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB; max.1.3mm
Collector-emitter voltage: 400V
Current gain: 8...40
Collector current: 12A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Heatsink thickness: max. 1.3mm
Mounting: THT
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB; max.1.3mm
Collector-emitter voltage: 400V
Current gain: 8...40
Collector current: 12A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Heatsink thickness: max. 1.3mm
Mounting: THT
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SK8DJ |
Hersteller: WeEn Semiconductors
SK8DJ SMD universal diodes
SK8DJ SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SM8S33CAJ |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 6.6kW; 36.7÷40.6V; 124A; bidirectional; DO218J; SM8S
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 6.6kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7...40.6V
Max. forward impulse current: 124A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO218J
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SM8S
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 6.6kW; 36.7÷40.6V; 124A; bidirectional; DO218J; SM8S
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 6.6kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7...40.6V
Max. forward impulse current: 124A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO218J
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SM8S
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SM8S43CAJ |
Hersteller: WeEn Semiconductors
SM8S43CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
SM8S43CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMAJ18AJ |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 20.19÷21.9V; 13.7A; unidirectional; SMA; SMAJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 18V
Breakdown voltage: 20.19...21.9V
Max. forward impulse current: 13.7A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMAJ
Leakage current: 1µA
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 20.19÷21.9V; 13.7A; unidirectional; SMA; SMAJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 18V
Breakdown voltage: 20.19...21.9V
Max. forward impulse current: 13.7A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMAJ
Leakage current: 1µA
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMAJ30CAJ |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 33.55÷36.54V; 8.3A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 30V
Breakdown voltage: 33.55...36.54V
Max. forward impulse current: 8.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMAJ
Leakage current: 1µA
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 33.55÷36.54V; 8.3A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 30V
Breakdown voltage: 33.55...36.54V
Max. forward impulse current: 8.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMAJ
Leakage current: 1µA
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMAJ5.0CAJ |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 6.45÷6.98V; 43.5A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.45...6.98V
Max. forward impulse current: 43.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMAJ
Leakage current: 0.4mA
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 6.45÷6.98V; 43.5A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.45...6.98V
Max. forward impulse current: 43.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMAJ
Leakage current: 0.4mA
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMBJ20AJ |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 22.41÷24.28V; 18.6A; unidirectional; SMB; SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 20V
Breakdown voltage: 22.41...24.28V
Max. forward impulse current: 18.6A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMBJ
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 22.41÷24.28V; 18.6A; unidirectional; SMB; SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 20V
Breakdown voltage: 22.41...24.28V
Max. forward impulse current: 18.6A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMBJ
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 660 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
380+ | 0.19 EUR |
620+ | 0.12 EUR |
660+ | 0.11 EUR |
3000+ | 0.09 EUR |
SMBJ26AJ |
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Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 29.12÷31.67V; 14.3A; unidirectional; SMB; SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 26V
Breakdown voltage: 29.12...31.67V
Max. forward impulse current: 14.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMBJ
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 29.12÷31.67V; 14.3A; unidirectional; SMB; SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 26V
Breakdown voltage: 29.12...31.67V
Max. forward impulse current: 14.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMBJ
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMBJ33AJ |
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Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 36.98÷40.3V; 11.3A; unidirectional; SMB; SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.98...40.3V
Max. forward impulse current: 11.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMBJ
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 36.98÷40.3V; 11.3A; unidirectional; SMB; SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.98...40.3V
Max. forward impulse current: 11.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMBJ
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMBJ40CAJ |
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Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 44.7÷48.8V; 9.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 40V
Breakdown voltage: 44.7...48.8V
Max. forward impulse current: 9.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMBJ
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 44.7÷48.8V; 9.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 40V
Breakdown voltage: 44.7...48.8V
Max. forward impulse current: 9.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMBJ
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMBJ60CAJ |
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Hersteller: WeEn Semiconductors
SMBJ60CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
SMBJ60CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMBJ78AJ |
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Hersteller: WeEn Semiconductors
SMBJ78AJ Unidirectional TVS SMD diodes
SMBJ78AJ Unidirectional TVS SMD diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMCJ15CAJ |
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Hersteller: WeEn Semiconductors
SMCJ15CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
SMCJ15CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMCJ36CAJ |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
SMCJ36CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
SMCJ36CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMCJ40CAJ |
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Hersteller: WeEn Semiconductors
SMCJ40CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
SMCJ40CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMCJ58AJ |
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Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 65÷70.6V; 16.1A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 58V
Breakdown voltage: 65...70.6V
Max. forward impulse current: 16.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMCJ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 65÷70.6V; 16.1A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 58V
Breakdown voltage: 65...70.6V
Max. forward impulse current: 16.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMCJ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMDJ14AJ |
Hersteller: WeEn Semiconductors
SMDJ14AJ Unidirectional TVS SMD diodes
SMDJ14AJ Unidirectional TVS SMD diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMDJ28CAJ |
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Hersteller: WeEn Semiconductors
SMDJ28CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
SMDJ28CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMDJ30AJ |
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Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 33.6÷36.59V; 62A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 3kW
Max. off-state voltage: 30V
Breakdown voltage: 33.6...36.59V
Max. forward impulse current: 62A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMDJ
Leakage current: 1µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 33.6÷36.59V; 62A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 3kW
Max. off-state voltage: 30V
Breakdown voltage: 33.6...36.59V
Max. forward impulse current: 62A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMDJ
Leakage current: 1µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMDJ30CAJ |
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Hersteller: WeEn Semiconductors
SMDJ30CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
SMDJ30CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH