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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
WNSC2D201200W-B6Q WNSC2D201200W-B6Q WEEN SEMICONDUCTORS Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D201200W-B6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 36 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D10650WQ WNSC2D10650WQ WEEN SEMICONDUCTORS WNSC2D10650WQ.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: NO
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1013 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WG30R135W1Q WG30R135W1Q WEEN SEMICONDUCTORS 4553155.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG30R135W1Q - IGBT, 60 A, 1.7 V, 428 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 428W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WG25R135W1Q WG25R135W1Q WEEN SEMICONDUCTORS 4553158.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG25R135W1Q - IGBT, 50 A, 1.85 V, 300 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WG30N65HAW1Q WG30N65HAW1Q WEEN SEMICONDUCTORS Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG30N65HAW1Q - IGBT, 60 A, 1.55 V, 312 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WG40N120MFW1Q WG40N120MFW1Q WEEN SEMICONDUCTORS Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG40N120MFW1Q - IGBT, 80 A, 1.68 V, 750 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.68V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WG40N120HFW1Q WG40N120HFW1Q WEEN SEMICONDUCTORS Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG40N120HFW1Q - IGBT, 80 A, 2.2 V, 750 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WG30R140W1Q WG30R140W1Q WEEN SEMICONDUCTORS 4553156.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG30R140W1Q - IGBT, 60 A, 1.8 V, 357 W, 1.4 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.4kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WG40N120UFW1Q WG40N120UFW1Q WEEN SEMICONDUCTORS Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG40N120UFW1Q - IGBT, 80 A, 1.75 V, 750 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMSC006H12B2S6T WMSC006H12B2S6T WEEN SEMICONDUCTORS 4553147.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WMSC006H12B2S6T - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 200 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, WeEnPACK-B2
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: WeEnPACK-B2
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D04650Q WNSC2D04650Q WEEN SEMICONDUCTORS 3672593.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D021200D6J WNSC2D021200D6J WEEN SEMICONDUCTORS WNSC2D021200D.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D021200D6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 8 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1967 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D021200D6J WNSC2D021200D6J WEEN SEMICONDUCTORS WNSC2D021200D.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D021200D6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 8 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1967 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D301200W6Q WNSC2D301200W6Q WEEN SEMICONDUCTORS WNSC2D301200W.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D301200W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 30 A, 68 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 68nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D601200W6Q WNSC2D601200W6Q WEEN SEMICONDUCTORS Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D601200W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 60 A, 143 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 143nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BYC30MW-650PT2Q BYC30MW-650PT2Q WEEN SEMICONDUCTORS 4553162.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYC30MW-650PT2Q - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 30 A, Einfach, 2.75 V, 38 ns, 297 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 297A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 2.75V
Sperrverzögerungszeit: 38ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA208S-800E,118 BTA208S-800E,118 WEEN SEMICONDUCTORS bta208-800e.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA208S-800E,118 - Triac, 800 V, 8 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 72 A, 25 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 25mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 72A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BTA208
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2684 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA208S-800E,118 BTA208S-800E,118 WEEN SEMICONDUCTORS bta208-800e.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA208S-800E,118 - Triac, 800 V, 8 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 72 A, 25 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 25mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 72A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BTA208
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2684 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA208S-800E,118 BTA208S-800E,118 WEEN SEMICONDUCTORS bta208-800e.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA208S-800E,118 - Triac, 800 V, 8 A, SOT-428, 1.5 V, 65 A, 25 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: SOT-428
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 25mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 65A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT137S-600D,118 BT137S-600D,118 WEEN SEMICONDUCTORS WEEN-S-A0001703628-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT137S-600D,118 - Triac, 600 V, 8 A, SOT-428, 1.5 V, 65 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: SOT-428
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 65A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 8A
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D04650DJ WNSC2D04650DJ WEEN SEMICONDUCTORS 3204981.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 801 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D04650DJ WNSC2D04650DJ WEEN SEMICONDUCTORS 3204981.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 801 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC6D16650CW6Q WNSC6D16650CW6Q WEEN SEMICONDUCTORS 3689934.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D16650CW6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 36 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ACT108W-600E,135 ACT108W-600E,135 WEEN SEMICONDUCTORS 2623886.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - ACT108W-600E,135 - Triac, Schalter, 600 V, 800 mA, SOT-223, 1 V, 8.8 A, 25 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: SOT-223
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 25mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 8.8A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.3V
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 800mA
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 37255 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR860J MUR860J WEEN SEMICONDUCTORS 3204969.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - MUR860J - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Einfach, 1.25 V, 93 ns, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 93ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC6D16650B6J WNSC6D16650B6J WEEN SEMICONDUCTORS 3689924.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D16650B6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 36 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC6D16650B6J WNSC6D16650B6J WEEN SEMICONDUCTORS 3689924.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D16650B6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 36 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT1308W-600D,115 BT1308W-600D,115 WEEN SEMICONDUCTORS bt1308w-600d.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT1308W-600D,115 - Triac, 600 V, 800 mA, SC-73, 1.5 V, 9 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: SC-73
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 9A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 800mA
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA16-600BQ BTA16-600BQ WeEn Semiconductors BTA16-600B.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 50/70mA; Ifsm: 160A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 50/70mA
Technology: 4Q
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 160A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
auf Bestellung 507 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+1.42 EUR
58+1.25 EUR
67+1.08 EUR
100+1 EUR
500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA16-800BQ BTA16-800BQ WeEn Semiconductors BTA16-800B.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; TO220AB; Igt: 50/70mA; Ifsm: 160A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 50/70mA
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 4Q
Max. forward impulse current: 160A
auf Bestellung 610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+1.4 EUR
72+1 EUR
100+0.77 EUR
500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA408X-1000C0TQ BTA408X-1000C0TQ WeEn Semiconductors bta408x-1000c0t.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 1kV; 8A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 90A; 3Q,Hi-Com
Case: TO220FP
Mounting: THT
Type of thyristor: triac
Gate current: 35mA
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Max. load current: 8A
Max. forward impulse current: 90A
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 1kV
Technology: 3Q; Hi-Com
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+0.9 EUR
114+0.63 EUR
130+0.55 EUR
143+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT152-800R,127 BT152-800R,127 WeEn Semiconductors BT152-800R.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 20A; 13A; Igt: 3mA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 20A
Load current: 13A
Gate current: 3mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 200A
Turn-on time: 2µs
auf Bestellung 2323 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+1.93 EUR
57+1.27 EUR
71+1.01 EUR
100+0.92 EUR
250+0.81 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT169D,112 BT169D,112 WeEn Semiconductors BT169D.pdf _ween_psg2020.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 400V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 50mA; TO92; THT; bulk; 2us
Mounting: THT
Case: TO92
Max. off-state voltage: 0.4kV
Quantity in set/package: 1000pcs.
Kind of package: bulk
Type of thyristor: thyristor
Turn-on time: 2µs
Gate current: 50mA
Load current: 0.5A
Max. load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 8A
auf Bestellung 1030 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
173+0.41 EUR
226+0.32 EUR
244+0.29 EUR
293+0.24 EUR
317+0.23 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PHE13009,127 PHE13009,127 WeEn Semiconductors PHE13009.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: NPN
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 400V
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
auf Bestellung 972 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+0.93 EUR
86+0.84 EUR
105+0.68 EUR
119+0.6 EUR
250+0.51 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PHE13009/DG,127 PHE13009/DG,127 WeEn Semiconductors PHE13009.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB; max.1.3mm
Mounting: THT
Type of transistor: NPN
Case: TO220AB
Heatsink thickness: max. 1.3mm
Current gain: 8...40
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 400V
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MAC97A6,116 MAC97A6,116 WeEn Semiconductors MAC97A6.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 400V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MAC97A6,412 MAC97A6,412 WeEn Semiconductors MAC97A6.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 400V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
auf Bestellung 1334 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
157+0.46 EUR
272+0.26 EUR
317+0.23 EUR
407+0.18 EUR
532+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA204-800B,127 BTA204-800B,127 WeEn Semiconductors BTA204-800B.pdf BTA204-800B__127.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 4A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 25A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 4A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 546 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
173+0.41 EUR
191+0.37 EUR
212+0.34 EUR
239+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT151-500R,127 BT151-500R,127 WeEn Semiconductors BT151-500R.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 12A; 7.5A; Igt: 2mA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 12A
Load current: 7.5A
Gate current: 2mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 120A
Turn-on time: 2µs
auf Bestellung 2735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+1.07 EUR
147+0.49 EUR
172+0.42 EUR
191+0.37 EUR
209+0.34 EUR
214+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT151-500RT,127 BT151-500RT,127 WeEn Semiconductors BT151-500RT.pdf _ween_psg2020.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 12.5A; 8A; Igt: 2mA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 12.5A
Load current: 8A
Gate current: 2mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 120A
Turn-on time: 2µs
auf Bestellung 2621 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+0.8 EUR
137+0.52 EUR
171+0.42 EUR
190+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA41-800BQ BTA41-800BQ WeEn Semiconductors BTA41-800B.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 40A; SOT1292,TO3P; Igt: 50/70mA; Ifsm: 400A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 40A
Case: SOT1292; TO3P
Gate current: 50/70mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Max. forward impulse current: 0.4kA
Technology: 4Q
auf Bestellung 788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+4.49 EUR
18+4.16 EUR
21+3.55 EUR
30+2.92 EUR
450+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT137-600,127 BT137-600,127 WeEn Semiconductors BT137-600.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 35/70mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 35/70mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 867 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+1.2 EUR
102+0.7 EUR
118+0.61 EUR
132+0.54 EUR
146+0.49 EUR
500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT137-600/L01,127 WeEn Semiconductors BT137-600.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 35/70mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 35/70mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT137-600D,127 BT137-600D,127 WeEn Semiconductors BT137-600D.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 5/10mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 5/10mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+1.2 EUR
92+0.79 EUR
110+0.65 EUR
126+0.57 EUR
132+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT137-600E,127 BT137-600E,127 WeEn Semiconductors BT137-600E.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 479 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+1.2 EUR
102+0.7 EUR
118+0.61 EUR
131+0.55 EUR
146+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT137-600E/DG WeEn Semiconductors BT137-600E%20Product%20Rev.02.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT137-600E/L01,127 WeEn Semiconductors BT137-600E.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 25A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT137-600G,127 BT137-600G,127 WeEn Semiconductors BT137-600G.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 50/100mA; Ifsm: 65A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 50/100mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 937 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+1.02 EUR
97+0.74 EUR
137+0.52 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT137-600G0TQ WeEn Semiconductors BT137-600G0T.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 500V; 8A; TO220AB; Igt: 50/100mA; Ifsm: 65A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 50/100mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: high temperature
Mounting: THT
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA416Y-600C,127 BTA416Y-600C,127 WeEn Semiconductors BTA416Y-600C.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 160A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 160A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Technology: 3Q; Hi-Com
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+1.36 EUR
75+0.96 EUR
85+0.84 EUR
100+0.81 EUR
500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA41-600BQ BTA41-600BQ WeEn Semiconductors BTA41-600B.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 40A; SOT1292,TO3P; Igt: 50/70mA; Ifsm: 400A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 40A
Case: SOT1292; TO3P
Gate current: 50/70mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 4Q
Max. forward impulse current: 0.4kA
Features of semiconductor devices: sensitive gate
auf Bestellung 1268 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+4.38 EUR
21+3.56 EUR
30+2.77 EUR
60+2.33 EUR
90+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA410Y-600CT,127 BTA410Y-600CT,127 WeEn Semiconductors BTA410Y-600CT.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 10A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 10A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Technology: 3Q; Hi-Com
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+0.6 EUR
131+0.55 EUR
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Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA410Y-600ET,127 BTA410Y-600ET,127 WeEn Semiconductors BTA410Y-600ET.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 10A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 10A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Technology: 3Q; Hi-Com
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA410Y-800BT,127 BTA410Y-800BT,127 WeEn Semiconductors BTA410Y-800BT.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 10A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 10A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Technology: 3Q; Hi-Com
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA410Y-800CT,127 BTA410Y-800CT,127 WeEn Semiconductors BTA410Y-800CT.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 10A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 10A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA412Y-600B,127 BTA412Y-600B,127 WeEn Semiconductors BTA412Y-600B.pdf BTA412Y-600B-127.PDF Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 140A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Technology: 3Q; Hi-Com
auf Bestellung 801 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+0.84 EUR
95+0.76 EUR
107+0.67 EUR
111+0.65 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA412Y-600C,127 BTA412Y-600C,127 WeEn Semiconductors BTA412Y-600C.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 140A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Technology: 3Q; Hi-Com
auf Bestellung 970 Stücke:
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76+0.94 EUR
85+0.84 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA412Y-600ETQ BTA412Y-600ETQ WeEn Semiconductors BTA412Y-600ET.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 140A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA412Y-800B,127 BTA412Y-800B,127 WeEn Semiconductors BTA412Y_ser.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 140A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Technology: 3Q; Hi-Com
auf Bestellung 559 Stücke:
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43+1.67 EUR
75+0.96 EUR
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100+0.72 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA412Y-800C,127 BTA412Y-800C,127 WeEn Semiconductors 568_BTA412Y-800C127.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 140A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Technology: 3Q; Hi-Com
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WNSC2D201200W-B6Q
WNSC2D201200W-B6Q
Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D201200W-B6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 36 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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WNSC2D10650WQ WNSC2D10650WQ.pdf
WNSC2D10650WQ
Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: NO
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1013 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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WG30R135W1Q 4553155.pdf
WG30R135W1Q
Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG30R135W1Q - IGBT, 60 A, 1.7 V, 428 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 428W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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WG25R135W1Q 4553158.pdf
WG25R135W1Q
Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG25R135W1Q - IGBT, 50 A, 1.85 V, 300 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WG30N65HAW1Q
WG30N65HAW1Q
Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG30N65HAW1Q - IGBT, 60 A, 1.55 V, 312 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WG40N120MFW1Q
WG40N120MFW1Q
Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG40N120MFW1Q - IGBT, 80 A, 1.68 V, 750 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.68V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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WG40N120HFW1Q
WG40N120HFW1Q
Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG40N120HFW1Q - IGBT, 80 A, 2.2 V, 750 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WG30R140W1Q 4553156.pdf
WG30R140W1Q
Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG30R140W1Q - IGBT, 60 A, 1.8 V, 357 W, 1.4 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.4kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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WG40N120UFW1Q
WG40N120UFW1Q
Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG40N120UFW1Q - IGBT, 80 A, 1.75 V, 750 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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WMSC006H12B2S6T 4553147.pdf
WMSC006H12B2S6T
Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WMSC006H12B2S6T - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 200 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, WeEnPACK-B2
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: WeEnPACK-B2
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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WNSC2D04650Q 3672593.pdf
WNSC2D04650Q
Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D021200D6J WNSC2D021200D.pdf
WNSC2D021200D6J
Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D021200D6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 8 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1967 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D021200D6J WNSC2D021200D.pdf
WNSC2D021200D6J
Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D021200D6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 8 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1967 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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WNSC2D301200W6Q WNSC2D301200W.pdf
WNSC2D301200W6Q
Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D301200W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 30 A, 68 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 68nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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WNSC2D601200W6Q
WNSC2D601200W6Q
Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D601200W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 60 A, 143 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 143nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BYC30MW-650PT2Q 4553162.pdf
BYC30MW-650PT2Q
Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYC30MW-650PT2Q - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 30 A, Einfach, 2.75 V, 38 ns, 297 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 297A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 2.75V
Sperrverzögerungszeit: 38ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BTA208S-800E,118 bta208-800e.pdf
BTA208S-800E,118
Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA208S-800E,118 - Triac, 800 V, 8 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 72 A, 25 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 25mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 72A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BTA208
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2684 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA208S-800E,118 bta208-800e.pdf
BTA208S-800E,118
Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA208S-800E,118 - Triac, 800 V, 8 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 72 A, 25 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 25mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 72A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BTA208
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2684 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA208S-800E,118 bta208-800e.pdf
BTA208S-800E,118
Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA208S-800E,118 - Triac, 800 V, 8 A, SOT-428, 1.5 V, 65 A, 25 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: SOT-428
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 25mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 65A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT137S-600D,118 WEEN-S-A0001703628-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BT137S-600D,118
Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT137S-600D,118 - Triac, 600 V, 8 A, SOT-428, 1.5 V, 65 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: SOT-428
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 65A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 8A
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D04650DJ 3204981.pdf
WNSC2D04650DJ
Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 801 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D04650DJ 3204981.pdf
WNSC2D04650DJ
Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 801 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC6D16650CW6Q 3689934.pdf
WNSC6D16650CW6Q
Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D16650CW6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 36 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ACT108W-600E,135 2623886.pdf
ACT108W-600E,135
Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - ACT108W-600E,135 - Triac, Schalter, 600 V, 800 mA, SOT-223, 1 V, 8.8 A, 25 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: SOT-223
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 25mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 8.8A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.3V
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 800mA
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 37255 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR860J 3204969.pdf
MUR860J
Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - MUR860J - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Einfach, 1.25 V, 93 ns, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 93ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC6D16650B6J 3689924.pdf
WNSC6D16650B6J
Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D16650B6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 36 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC6D16650B6J 3689924.pdf
WNSC6D16650B6J
Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D16650B6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 36 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT1308W-600D,115 bt1308w-600d.pdf
BT1308W-600D,115
Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT1308W-600D,115 - Triac, 600 V, 800 mA, SC-73, 1.5 V, 9 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: SC-73
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 9A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 800mA
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA16-600BQ BTA16-600B.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA16-600BQ
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 50/70mA; Ifsm: 160A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 50/70mA
Technology: 4Q
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 160A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
auf Bestellung 507 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
51+1.42 EUR
58+1.25 EUR
67+1.08 EUR
100+1 EUR
500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA16-800BQ BTA16-800B.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA16-800BQ
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; TO220AB; Igt: 50/70mA; Ifsm: 160A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 50/70mA
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 4Q
Max. forward impulse current: 160A
auf Bestellung 610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.4 EUR
72+1 EUR
100+0.77 EUR
500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA408X-1000C0TQ bta408x-1000c0t.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA408X-1000C0TQ
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 1kV; 8A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 90A; 3Q,Hi-Com
Case: TO220FP
Mounting: THT
Type of thyristor: triac
Gate current: 35mA
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Max. load current: 8A
Max. forward impulse current: 90A
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 1kV
Technology: 3Q; Hi-Com
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
80+0.9 EUR
114+0.63 EUR
130+0.55 EUR
143+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT152-800R,127 BT152-800R.pdf
BT152-800R,127
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 20A; 13A; Igt: 3mA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 20A
Load current: 13A
Gate current: 3mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 200A
Turn-on time: 2µs
auf Bestellung 2323 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.93 EUR
57+1.27 EUR
71+1.01 EUR
100+0.92 EUR
250+0.81 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT169D,112 BT169D.pdf _ween_psg2020.pdf
BT169D,112
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 400V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 50mA; TO92; THT; bulk; 2us
Mounting: THT
Case: TO92
Max. off-state voltage: 0.4kV
Quantity in set/package: 1000pcs.
Kind of package: bulk
Type of thyristor: thyristor
Turn-on time: 2µs
Gate current: 50mA
Load current: 0.5A
Max. load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 8A
auf Bestellung 1030 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
226+0.32 EUR
244+0.29 EUR
293+0.24 EUR
317+0.23 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PHE13009,127 PHE13009.pdf
PHE13009,127
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: NPN
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 400V
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
auf Bestellung 972 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.93 EUR
86+0.84 EUR
105+0.68 EUR
119+0.6 EUR
250+0.51 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PHE13009/DG,127 PHE13009.pdf
PHE13009/DG,127
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB; max.1.3mm
Mounting: THT
Type of transistor: NPN
Case: TO220AB
Heatsink thickness: max. 1.3mm
Current gain: 8...40
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 400V
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MAC97A6,116 MAC97A6.pdf
MAC97A6,116
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 400V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MAC97A6,412 MAC97A6.pdf
MAC97A6,412
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 400V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
auf Bestellung 1334 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.46 EUR
272+0.26 EUR
317+0.23 EUR
407+0.18 EUR
532+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA204-800B,127 BTA204-800B.pdf BTA204-800B__127.pdf
BTA204-800B,127
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 4A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 25A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 4A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 546 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
191+0.37 EUR
212+0.34 EUR
239+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT151-500R,127 BT151-500R.pdf
BT151-500R,127
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 12A; 7.5A; Igt: 2mA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 12A
Load current: 7.5A
Gate current: 2mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 120A
Turn-on time: 2µs
auf Bestellung 2735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
147+0.49 EUR
172+0.42 EUR
191+0.37 EUR
209+0.34 EUR
214+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT151-500RT,127 BT151-500RT.pdf _ween_psg2020.pdf
BT151-500RT,127
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 12.5A; 8A; Igt: 2mA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 12.5A
Load current: 8A
Gate current: 2mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 120A
Turn-on time: 2µs
auf Bestellung 2621 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
90+0.8 EUR
137+0.52 EUR
171+0.42 EUR
190+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA41-800BQ BTA41-800B.pdf
BTA41-800BQ
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 40A; SOT1292,TO3P; Igt: 50/70mA; Ifsm: 400A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 40A
Case: SOT1292; TO3P
Gate current: 50/70mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Max. forward impulse current: 0.4kA
Technology: 4Q
auf Bestellung 788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.49 EUR
18+4.16 EUR
21+3.55 EUR
30+2.92 EUR
450+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT137-600,127 BT137-600.pdf _ween_psg2020.pdf
BT137-600,127
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 35/70mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 35/70mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 867 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
60+1.2 EUR
102+0.7 EUR
118+0.61 EUR
132+0.54 EUR
146+0.49 EUR
500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT137-600/L01,127 BT137-600.pdf
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 35/70mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 35/70mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT137-600D,127 BT137-600D.pdf _ween_psg2020.pdf
BT137-600D,127
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 5/10mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 5/10mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
60+1.2 EUR
92+0.79 EUR
110+0.65 EUR
126+0.57 EUR
132+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT137-600E,127 BT137-600E.pdf _ween_psg2020.pdf
BT137-600E,127
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 479 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
60+1.2 EUR
102+0.7 EUR
118+0.61 EUR
131+0.55 EUR
146+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT137-600E/DG BT137-600E%20Product%20Rev.02.pdf
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT137-600E/L01,127 BT137-600E.pdf
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 25A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT137-600G,127 BT137-600G.pdf
BT137-600G,127
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 50/100mA; Ifsm: 65A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 50/100mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 937 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
71+1.02 EUR
97+0.74 EUR
137+0.52 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT137-600G0TQ BT137-600G0T.pdf
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 500V; 8A; TO220AB; Igt: 50/100mA; Ifsm: 65A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 50/100mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: high temperature
Mounting: THT
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA416Y-600C,127 BTA416Y-600C.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA416Y-600C,127
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 160A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 160A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Technology: 3Q; Hi-Com
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.36 EUR
75+0.96 EUR
85+0.84 EUR
100+0.81 EUR
500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA41-600BQ BTA41-600B.pdf
BTA41-600BQ
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 40A; SOT1292,TO3P; Igt: 50/70mA; Ifsm: 400A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 40A
Case: SOT1292; TO3P
Gate current: 50/70mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 4Q
Max. forward impulse current: 0.4kA
Features of semiconductor devices: sensitive gate
auf Bestellung 1268 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.38 EUR
21+3.56 EUR
30+2.77 EUR
60+2.33 EUR
90+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA410Y-600CT,127 BTA410Y-600CT.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA410Y-600CT,127
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 10A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 10A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Technology: 3Q; Hi-Com
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.6 EUR
131+0.55 EUR
147+0.49 EUR
157+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA410Y-600ET,127 BTA410Y-600ET.pdf
BTA410Y-600ET,127
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 10A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 10A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Technology: 3Q; Hi-Com
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA410Y-800BT,127 BTA410Y-800BT.pdf
BTA410Y-800BT,127
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 10A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 10A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Technology: 3Q; Hi-Com
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA410Y-800CT,127 BTA410Y-800CT.pdf
BTA410Y-800CT,127
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 10A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 10A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA412Y-600B,127 BTA412Y-600B.pdf BTA412Y-600B-127.PDF
BTA412Y-600B,127
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 140A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Technology: 3Q; Hi-Com
auf Bestellung 801 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
85+0.84 EUR
95+0.76 EUR
107+0.67 EUR
111+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA412Y-600C,127 BTA412Y-600C.pdf
BTA412Y-600C,127
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 140A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Technology: 3Q; Hi-Com
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
85+0.84 EUR
96+0.75 EUR
107+0.67 EUR
115+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA412Y-600ETQ BTA412Y-600ET.pdf
BTA412Y-600ETQ
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 140A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA412Y-800B,127 BTA412Y_ser.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA412Y-800B,127
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 140A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Technology: 3Q; Hi-Com
auf Bestellung 559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
43+1.67 EUR
75+0.96 EUR
92+0.78 EUR
100+0.72 EUR
250+0.64 EUR
500+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA412Y-800C,127 568_BTA412Y-800C127.pdf
BTA412Y-800C,127
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 140A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Technology: 3Q; Hi-Com
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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