Produkte > WEEN SEMICONDUCTORS > Alle Produkte des Herstellers WEEN SEMICONDUCTORS (6500) > Seite 89 nach 109
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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NXPSC206506Q | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220AC; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: TO220AC Max. forward impulse current: 100A Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
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NXPSC20650W-AQ | WeEn Semiconductors |
![]() ![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Max. forward impulse current: 50A Kind of package: tube Max. forward voltage: 2.1V Max. load current: 20A Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 240 Stücke |
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NXPSC20650W6Q | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Max. forward impulse current: 50A Kind of package: tube Max. load current: 20A Anzahl je Verpackung: 240 Stücke |
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OT407,116 | WeEn Semiconductors |
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OT412,115 | WeEn Semiconductors |
Category: Triacs Description: Triac; 1A; SOT223; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. load current: 1A Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 777 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P1KSMBJ27AJ | WeEn Semiconductors |
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P1KSMBJ27CAJ | WeEn Semiconductors |
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P1KSMBJ68AJ | WeEn Semiconductors |
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P1KSMBJ68CAJ | WeEn Semiconductors |
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P4SOD33CAX | WeEn Semiconductors |
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P4SOD36AX | WeEn Semiconductors | P4SOD36AX Unidirectional TVS SMD diodes |
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P4SOD58AX | WeEn Semiconductors | P4SOD58AX Unidirectional TVS SMD diodes |
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P6SMAL36AX | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 40÷44.2V; 10.4A; unidirectional; SMA flat; P6SMAL Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 36V Breakdown voltage: 40...44.2V Max. forward impulse current: 10.4A Semiconductor structure: unidirectional Case: SMA flat Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Manufacturer series: P6SMAL Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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P6SMAL75AX | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 83.3÷92.1V; 5A; unidirectional; SMA flat; P6SMAL Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 75V Breakdown voltage: 83.3...92.1V Max. forward impulse current: 5A Semiconductor structure: unidirectional Case: SMA flat Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Manufacturer series: P6SMAL Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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P6SMBJ28CAJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 31.33÷34.16V; 13.3A; bidirectional; SMB Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 28V Breakdown voltage: 31.33...34.16V Max. forward impulse current: 13.3A Semiconductor structure: bidirectional Case: SMB Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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P6SMBJ64CAJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 71.6÷78V; 5.9A; bidirectional; SMB; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 64V Breakdown voltage: 71.6...78V Max. forward impulse current: 5.9A Semiconductor structure: bidirectional Case: SMB Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PHD13003C,126 | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 1.5A; 2.1W; TO92 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Type of transistor: NPN Mounting: THT Case: TO92 Collector current: 1.5A Power dissipation: 2.1W Current gain: 8...25 Collector-emitter voltage: 700V Kind of package: Ammo Pack Polarisation: bipolar Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke |
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PHD13005,127 | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Type of transistor: NPN Mounting: THT Case: TO220AB Power dissipation: 75W Collector current: 4A Current gain: 10...40 Collector-emitter voltage: 400V Kind of package: tube Polarisation: bipolar Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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PHE13003A,412 | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1A; 2.1W; TO92 Type of transistor: NPN Mounting: THT Case: TO92 Collector current: 1A Power dissipation: 2.1W Current gain: 5...30 Collector-emitter voltage: 400V Kind of package: bulk Polarisation: bipolar Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke |
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PHE13003C,126 | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1.5A; 2.1W; TO92 Type of transistor: NPN Mounting: THT Case: TO92 Collector current: 1.5A Power dissipation: 2.1W Current gain: 5...25 Collector-emitter voltage: 400V Kind of package: Ammo Pack Polarisation: bipolar Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke |
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PHE13003C,412 | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1.5A; 2.1W; TO92 Type of transistor: NPN Mounting: THT Case: TO92 Collector current: 1.5A Power dissipation: 2.1W Current gain: 5...25 Collector-emitter voltage: 400V Kind of package: bulk Polarisation: bipolar Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke |
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PHE13005,127 | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB Type of transistor: NPN Mounting: THT Case: TO220AB Power dissipation: 75W Collector current: 4A Current gain: 10...40 Collector-emitter voltage: 400V Kind of package: tube Polarisation: bipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1063 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PHE13007,127 | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 8A Power dissipation: 80W Case: TO220AB Current gain: 8...40 Mounting: THT Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 873 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PHE13009,127 | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB Kind of package: tube Type of transistor: NPN Mounting: THT Case: TO220AB Current gain: 8...40 Collector current: 12A Power dissipation: 80W Collector-emitter voltage: 400V Polarisation: bipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 379 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PHE13009/DG,127 | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB; max.1.3mm Kind of package: tube Type of transistor: NPN Mounting: THT Case: TO220AB Heatsink thickness: max. 1.3mm Current gain: 8...40 Collector current: 12A Power dissipation: 80W Collector-emitter voltage: 400V Polarisation: bipolar Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
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SK8DJ | WeEn Semiconductors | SK8DJ SMD universal diodes |
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SM8S33CAJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 6.6kW; 36.7÷40.6V; 124A; bidirectional; DO218J; SM8S Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 6.6kW Max. off-state voltage: 33V Breakdown voltage: 36.7...40.6V Max. forward impulse current: 124A Semiconductor structure: bidirectional Case: DO218J Mounting: SMD Leakage current: 5µA Kind of package: reel; tape Manufacturer series: SM8S Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SM8S43CAJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 6.6kW; 47.8÷52.8V; 95.1A; bidirectional; DO218J; SM8S Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 6.6kW Max. off-state voltage: 43V Breakdown voltage: 47.8...52.8V Max. forward impulse current: 95.1A Semiconductor structure: bidirectional Case: DO218J Mounting: SMD Leakage current: 5µA Kind of package: reel; tape Manufacturer series: SM8S Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SMAJ18AJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 400W; 20.19÷21.9V; 13.7A; unidirectional; SMA; SMAJ Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.4kW Max. off-state voltage: 18V Breakdown voltage: 20.19...21.9V Max. forward impulse current: 13.7A Semiconductor structure: unidirectional Case: SMA Mounting: SMD Leakage current: 1µA Manufacturer series: SMAJ Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke |
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SMAJ30CAJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 400W; 33.55÷36.54V; 8.3A; bidirectional; SMA; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.4kW Max. off-state voltage: 30V Breakdown voltage: 33.55...36.54V Max. forward impulse current: 8.3A Semiconductor structure: bidirectional Case: SMA Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Manufacturer series: SMAJ Leakage current: 1µA Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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SMAJ5.0CAJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 400W; 6.45÷6.98V; 43.5A; bidirectional; SMA; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.4kW Max. off-state voltage: 5V Breakdown voltage: 6.45...6.98V Max. forward impulse current: 43.5A Semiconductor structure: bidirectional Case: SMA Mounting: SMD Leakage current: 0.4mA Manufacturer series: SMAJ Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke |
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SMBJ20AJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 22.41÷24.28V; 18.6A; unidirectional; SMB; SMBJ Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 20V Breakdown voltage: 22.41...24.28V Max. forward impulse current: 18.6A Semiconductor structure: unidirectional Case: SMB Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Manufacturer series: SMBJ Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 510 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SMBJ26AJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 29.12÷31.67V; 14.3A; unidirectional; SMB; SMBJ Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 26V Breakdown voltage: 29.12...31.67V Max. forward impulse current: 14.3A Semiconductor structure: unidirectional Case: SMB Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Manufacturer series: SMBJ Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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SMBJ33AJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 36.98÷40.3V; 11.3A; unidirectional; SMB; SMBJ Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 33V Breakdown voltage: 36.98...40.3V Max. forward impulse current: 11.3A Semiconductor structure: unidirectional Case: SMB Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Manufacturer series: SMBJ Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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SMBJ40CAJ | WeEn Semiconductors |
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SMBJ60CAJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 400W; 67.2÷73.2V; 6.2A; bidirectional; SMA; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.4kW Max. off-state voltage: 60V Breakdown voltage: 67.2...73.2V Max. forward impulse current: 6.2A Semiconductor structure: bidirectional Case: SMA Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Manufacturer series: SMBJ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SMBJ78AJ | WeEn Semiconductors |
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SMCJ15CAJ | WeEn Semiconductors |
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SMCJ36CAJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 1.5kW; 40.3÷43.9V; 25.9A; bidirectional; SMC; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Max. off-state voltage: 36V Breakdown voltage: 40.3...43.9V Max. forward impulse current: 25.9A Semiconductor structure: bidirectional Case: SMC Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Manufacturer series: SMCJ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SMCJ40CAJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 1.5kW; 44.7÷48.8V; 23.3A; bidirectional; SMC; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Max. off-state voltage: 40V Breakdown voltage: 44.7...48.8V Max. forward impulse current: 23.3A Semiconductor structure: bidirectional Case: SMC Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Manufacturer series: SMCJ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SMCJ58AJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 1.5kW; 65÷70.6V; 16.1A; unidirectional; SMC; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Max. off-state voltage: 58V Breakdown voltage: 65...70.6V Max. forward impulse current: 16.1A Semiconductor structure: unidirectional Case: SMC Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Manufacturer series: SMCJ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SMDJ14AJ | WeEn Semiconductors | SMDJ14AJ Unidirectional TVS SMD diodes |
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SMDJ28CAJ | WeEn Semiconductors |
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SMDJ30AJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 3kW; 33.6÷36.59V; 62A; unidirectional; SMC; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 3kW Max. off-state voltage: 30V Breakdown voltage: 33.6...36.59V Max. forward impulse current: 62A Semiconductor structure: unidirectional Case: SMC Mounting: SMD Leakage current: 1µA Manufacturer series: SMDJ Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SMDJ30CAJ | WeEn Semiconductors |
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SMDJ33AJ | WeEn Semiconductors |
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SMDJ33CAJ | WeEn Semiconductors |
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SMDJ40AJ | WeEn Semiconductors |
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SMDJ43CAJ | WeEn Semiconductors | SMDJ43CAJ Bidirectional TVS SMD diodes |
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SMDJ48CAJ | WeEn Semiconductors | SMDJ48CAJ Bidirectional TVS SMD diodes |
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SMDJ51CAJ | WeEn Semiconductors |
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SMDJ58CAJ | WeEn Semiconductors |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
SMDJ64CAJ | WeEn Semiconductors |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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SMDJ70CAJ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 3kW; 78.4÷85.4V; 26.5A; bidirectional; SMC; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 3kW Max. off-state voltage: 70V Breakdown voltage: 78.4...85.4V Max. forward impulse current: 26.5A Semiconductor structure: bidirectional Case: SMC Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Manufacturer series: SMDJ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SOD20AX | WeEn Semiconductors |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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TB100EP | WeEn Semiconductors |
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TB100ML | WeEn Semiconductors | TB100ML NPN THT transistors |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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BT136-600E,127 | WEEN SEMICONDUCTORS |
![]() tariffCode: 85413000 Bauform - Triac: TO-220AB rohsCompliant: Y-EX Haltestrom, max.: 15mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 25A Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 RMS-Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Zündspannung, max.: 1V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Thyristormontage: Durchsteckmontage Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 461 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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BT136X-600E,127 | WEEN SEMICONDUCTORS |
![]() tariffCode: 85413000 Bauform - Triac: TO-220FP rohsCompliant: Y-EX Haltestrom, max.: 15mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 25A Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 RMS-Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Zündspannung, max.: 1V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Thyristormontage: Durchsteckmontage Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 5902 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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BT169D-L,116 | WEEN SEMICONDUCTORS |
![]() tariffCode: 85413000 rohsCompliant: YES Haltestrom, max.: 1mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 8A MSL: - usEccn: EAR99 Durchlassstrom, durchschnittlich: 500mA RMS-Durchlassstrom: 800mA euEccn: NLR Zündspannung, max.: 800mV Periodische Spitzen-Sperrspannung: 400V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Zündstrom, max.: 50µA productTraceability: No Thyristormontage: Durchsteckmontage Bauform - Thyristor: TO-92 Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 974 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
NXPSC206506Q |
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Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NXPSC20650W-AQ |
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Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 2.1V
Max. load current: 20A
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 240 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 2.1V
Max. load current: 20A
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 240 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NXPSC20650W6Q |
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Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
Max. load current: 20A
Anzahl je Verpackung: 240 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
Max. load current: 20A
Anzahl je Verpackung: 240 Stücke
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Stück im Wert von UAH
OT407,116 |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
OT407.116 Triacs
OT407.116 Triacs
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Stück im Wert von UAH
OT412,115 |
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 1A; SOT223; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Triacs
Description: Triac; 1A; SOT223; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 777 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
260+ | 0.28 EUR |
317+ | 0.23 EUR |
338+ | 0.21 EUR |
360+ | 0.2 EUR |
374+ | 0.19 EUR |
P1KSMBJ27AJ |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
P1KSMBJ27AJ Unidirectional TVS SMD diodes
P1KSMBJ27AJ Unidirectional TVS SMD diodes
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Stück im Wert von UAH
P1KSMBJ27CAJ |
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Hersteller: WeEn Semiconductors
P1KSMBJ27CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
P1KSMBJ27CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
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Stück im Wert von UAH
P1KSMBJ68AJ |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
P1KSMBJ68AJ Unidirectional TVS SMD diodes
P1KSMBJ68AJ Unidirectional TVS SMD diodes
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Stück im Wert von UAH
P1KSMBJ68CAJ |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
P1KSMBJ68CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
P1KSMBJ68CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
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Stück im Wert von UAH
P4SOD33CAX |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
P4SOD33CAX Bidirectional TVS SMD diodes
P4SOD33CAX Bidirectional TVS SMD diodes
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Stück im Wert von UAH
P4SOD36AX |
Hersteller: WeEn Semiconductors
P4SOD36AX Unidirectional TVS SMD diodes
P4SOD36AX Unidirectional TVS SMD diodes
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Stück im Wert von UAH
P4SOD58AX |
Hersteller: WeEn Semiconductors
P4SOD58AX Unidirectional TVS SMD diodes
P4SOD58AX Unidirectional TVS SMD diodes
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
P6SMAL36AX |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 40÷44.2V; 10.4A; unidirectional; SMA flat; P6SMAL
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 40...44.2V
Max. forward impulse current: 10.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA flat
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMAL
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 40÷44.2V; 10.4A; unidirectional; SMA flat; P6SMAL
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 40...44.2V
Max. forward impulse current: 10.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA flat
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMAL
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
P6SMAL75AX |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 83.3÷92.1V; 5A; unidirectional; SMA flat; P6SMAL
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 75V
Breakdown voltage: 83.3...92.1V
Max. forward impulse current: 5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA flat
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMAL
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 83.3÷92.1V; 5A; unidirectional; SMA flat; P6SMAL
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 75V
Breakdown voltage: 83.3...92.1V
Max. forward impulse current: 5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA flat
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMAL
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
P6SMBJ28CAJ |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 31.33÷34.16V; 13.3A; bidirectional; SMB
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 31.33...34.16V
Max. forward impulse current: 13.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 31.33÷34.16V; 13.3A; bidirectional; SMB
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 31.33...34.16V
Max. forward impulse current: 13.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
P6SMBJ64CAJ |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 71.6÷78V; 5.9A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 64V
Breakdown voltage: 71.6...78V
Max. forward impulse current: 5.9A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 71.6÷78V; 5.9A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 64V
Breakdown voltage: 71.6...78V
Max. forward impulse current: 5.9A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PHD13003C,126 |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 1.5A; 2.1W; TO92
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO92
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 2.1W
Current gain: 8...25
Collector-emitter voltage: 700V
Kind of package: Ammo Pack
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 1.5A; 2.1W; TO92
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO92
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 2.1W
Current gain: 8...25
Collector-emitter voltage: 700V
Kind of package: Ammo Pack
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
PHD13005,127 |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Power dissipation: 75W
Collector current: 4A
Current gain: 10...40
Collector-emitter voltage: 400V
Kind of package: tube
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Power dissipation: 75W
Collector current: 4A
Current gain: 10...40
Collector-emitter voltage: 400V
Kind of package: tube
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PHE13003A,412 |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1A; 2.1W; TO92
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO92
Collector current: 1A
Power dissipation: 2.1W
Current gain: 5...30
Collector-emitter voltage: 400V
Kind of package: bulk
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1A; 2.1W; TO92
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO92
Collector current: 1A
Power dissipation: 2.1W
Current gain: 5...30
Collector-emitter voltage: 400V
Kind of package: bulk
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PHE13003C,126 |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1.5A; 2.1W; TO92
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO92
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 2.1W
Current gain: 5...25
Collector-emitter voltage: 400V
Kind of package: Ammo Pack
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1.5A; 2.1W; TO92
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO92
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 2.1W
Current gain: 5...25
Collector-emitter voltage: 400V
Kind of package: Ammo Pack
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PHE13003C,412 |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1.5A; 2.1W; TO92
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO92
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 2.1W
Current gain: 5...25
Collector-emitter voltage: 400V
Kind of package: bulk
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1.5A; 2.1W; TO92
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO92
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 2.1W
Current gain: 5...25
Collector-emitter voltage: 400V
Kind of package: bulk
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PHE13005,127 |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Power dissipation: 75W
Collector current: 4A
Current gain: 10...40
Collector-emitter voltage: 400V
Kind of package: tube
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Power dissipation: 75W
Collector current: 4A
Current gain: 10...40
Collector-emitter voltage: 400V
Kind of package: tube
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1063 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
80+ | 0.9 EUR |
103+ | 0.69 EUR |
119+ | 0.6 EUR |
164+ | 0.44 EUR |
260+ | 0.28 EUR |
275+ | 0.26 EUR |
2000+ | 0.25 EUR |
PHE13007,127 |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 873 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
53+ | 1.37 EUR |
78+ | 0.92 EUR |
152+ | 0.47 EUR |
161+ | 0.44 EUR |
500+ | 0.43 EUR |
PHE13009,127 |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 400V
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 400V
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 379 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
70+ | 1.03 EUR |
77+ | 0.94 EUR |
140+ | 0.51 EUR |
148+ | 0.49 EUR |
1000+ | 0.47 EUR |
PHE13009/DG,127 |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB; max.1.3mm
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Heatsink thickness: max. 1.3mm
Current gain: 8...40
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 400V
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB; max.1.3mm
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Heatsink thickness: max. 1.3mm
Current gain: 8...40
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 400V
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SK8DJ |
Hersteller: WeEn Semiconductors
SK8DJ SMD universal diodes
SK8DJ SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SM8S33CAJ |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 6.6kW; 36.7÷40.6V; 124A; bidirectional; DO218J; SM8S
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 6.6kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7...40.6V
Max. forward impulse current: 124A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO218J
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SM8S
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 6.6kW; 36.7÷40.6V; 124A; bidirectional; DO218J; SM8S
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 6.6kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7...40.6V
Max. forward impulse current: 124A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO218J
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SM8S
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SM8S43CAJ |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 6.6kW; 47.8÷52.8V; 95.1A; bidirectional; DO218J; SM8S
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 6.6kW
Max. off-state voltage: 43V
Breakdown voltage: 47.8...52.8V
Max. forward impulse current: 95.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO218J
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SM8S
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 6.6kW; 47.8÷52.8V; 95.1A; bidirectional; DO218J; SM8S
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 6.6kW
Max. off-state voltage: 43V
Breakdown voltage: 47.8...52.8V
Max. forward impulse current: 95.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO218J
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SM8S
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMAJ18AJ |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 20.19÷21.9V; 13.7A; unidirectional; SMA; SMAJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 18V
Breakdown voltage: 20.19...21.9V
Max. forward impulse current: 13.7A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: SMAJ
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 20.19÷21.9V; 13.7A; unidirectional; SMA; SMAJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 18V
Breakdown voltage: 20.19...21.9V
Max. forward impulse current: 13.7A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: SMAJ
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMAJ30CAJ |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 33.55÷36.54V; 8.3A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 30V
Breakdown voltage: 33.55...36.54V
Max. forward impulse current: 8.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMAJ
Leakage current: 1µA
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 33.55÷36.54V; 8.3A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 30V
Breakdown voltage: 33.55...36.54V
Max. forward impulse current: 8.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMAJ
Leakage current: 1µA
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMAJ5.0CAJ |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 6.45÷6.98V; 43.5A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.45...6.98V
Max. forward impulse current: 43.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 0.4mA
Manufacturer series: SMAJ
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 6.45÷6.98V; 43.5A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.45...6.98V
Max. forward impulse current: 43.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 0.4mA
Manufacturer series: SMAJ
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMBJ20AJ |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 22.41÷24.28V; 18.6A; unidirectional; SMB; SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 20V
Breakdown voltage: 22.41...24.28V
Max. forward impulse current: 18.6A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMBJ
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 22.41÷24.28V; 18.6A; unidirectional; SMB; SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 20V
Breakdown voltage: 22.41...24.28V
Max. forward impulse current: 18.6A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMBJ
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
380+ | 0.19 EUR |
510+ | 0.14 EUR |
3000+ | 0.09 EUR |
SMBJ26AJ |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 29.12÷31.67V; 14.3A; unidirectional; SMB; SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 26V
Breakdown voltage: 29.12...31.67V
Max. forward impulse current: 14.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMBJ
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 29.12÷31.67V; 14.3A; unidirectional; SMB; SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 26V
Breakdown voltage: 29.12...31.67V
Max. forward impulse current: 14.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMBJ
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMBJ33AJ |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 36.98÷40.3V; 11.3A; unidirectional; SMB; SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.98...40.3V
Max. forward impulse current: 11.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMBJ
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 36.98÷40.3V; 11.3A; unidirectional; SMB; SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.98...40.3V
Max. forward impulse current: 11.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMBJ
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMBJ40CAJ |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
SMBJ40CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
SMBJ40CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMBJ60CAJ |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 67.2÷73.2V; 6.2A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 60V
Breakdown voltage: 67.2...73.2V
Max. forward impulse current: 6.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMBJ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 67.2÷73.2V; 6.2A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 60V
Breakdown voltage: 67.2...73.2V
Max. forward impulse current: 6.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMBJ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMBJ78AJ |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
SMBJ78AJ Unidirectional TVS SMD diodes
SMBJ78AJ Unidirectional TVS SMD diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMCJ15CAJ |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
SMCJ15CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
SMCJ15CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMCJ36CAJ |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 40.3÷43.9V; 25.9A; bidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 40.3...43.9V
Max. forward impulse current: 25.9A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMCJ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 40.3÷43.9V; 25.9A; bidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 40.3...43.9V
Max. forward impulse current: 25.9A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMCJ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMCJ40CAJ |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 44.7÷48.8V; 23.3A; bidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 40V
Breakdown voltage: 44.7...48.8V
Max. forward impulse current: 23.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMCJ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 44.7÷48.8V; 23.3A; bidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 40V
Breakdown voltage: 44.7...48.8V
Max. forward impulse current: 23.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMCJ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMCJ58AJ |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 65÷70.6V; 16.1A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 58V
Breakdown voltage: 65...70.6V
Max. forward impulse current: 16.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMCJ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 65÷70.6V; 16.1A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 58V
Breakdown voltage: 65...70.6V
Max. forward impulse current: 16.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMCJ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMDJ14AJ |
Hersteller: WeEn Semiconductors
SMDJ14AJ Unidirectional TVS SMD diodes
SMDJ14AJ Unidirectional TVS SMD diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMDJ28CAJ |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
SMDJ28CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
SMDJ28CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMDJ30AJ |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 33.6÷36.59V; 62A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 3kW
Max. off-state voltage: 30V
Breakdown voltage: 33.6...36.59V
Max. forward impulse current: 62A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: SMDJ
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 33.6÷36.59V; 62A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 3kW
Max. off-state voltage: 30V
Breakdown voltage: 33.6...36.59V
Max. forward impulse current: 62A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: SMDJ
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMDJ30CAJ |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
SMDJ30CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
SMDJ30CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMDJ33AJ |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
SMDJ33AJ Unidirectional TVS SMD diodes
SMDJ33AJ Unidirectional TVS SMD diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMDJ33CAJ |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
SMDJ33CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
SMDJ33CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMDJ40AJ |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
SMDJ40AJ Unidirectional TVS SMD diodes
SMDJ40AJ Unidirectional TVS SMD diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMDJ43CAJ |
Hersteller: WeEn Semiconductors
SMDJ43CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
SMDJ43CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMDJ48CAJ |
Hersteller: WeEn Semiconductors
SMDJ48CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
SMDJ48CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMDJ51CAJ |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
SMDJ51CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
SMDJ51CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMDJ58CAJ |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
SMDJ58CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
SMDJ58CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMDJ64CAJ |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
SMDJ64CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
SMDJ64CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMDJ70CAJ |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 78.4÷85.4V; 26.5A; bidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 3kW
Max. off-state voltage: 70V
Breakdown voltage: 78.4...85.4V
Max. forward impulse current: 26.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMDJ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 78.4÷85.4V; 26.5A; bidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 3kW
Max. off-state voltage: 70V
Breakdown voltage: 78.4...85.4V
Max. forward impulse current: 26.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMDJ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SOD20AX |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
SOD20AX Unidirectional TVS SMD diodes
SOD20AX Unidirectional TVS SMD diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
TB100EP |
![]() |
Hersteller: WeEn Semiconductors
TB100EP NPN THT transistors
TB100EP NPN THT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
TB100ML |
Hersteller: WeEn Semiconductors
TB100ML NPN THT transistors
TB100ML NPN THT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BT136-600E,127 |
![]() |
Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136-600E,127 - Triac, 600 V, 4 A, TO-220AB, 1 V, 25 A, 15 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-220AB
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 15mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 25A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136-600E,127 - Triac, 600 V, 4 A, TO-220AB, 1 V, 25 A, 15 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-220AB
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 15mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 25A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 461 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BT136X-600E,127 |
![]() |
Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136X-600E,127 - Triac, 600 V, 4 A, TO-220FP, 1 V, 25 A, 15 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-220FP
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 15mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 25A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136X-600E,127 - Triac, 600 V, 4 A, TO-220FP, 1 V, 25 A, 15 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-220FP
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 15mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 25A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 5902 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BT169D-L,116 |
![]() |
Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT169D-L,116 - Thyristor, 400 V, 50 µA, 500 mA, 800 mA, TO-92, 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 1mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: 500mA
RMS-Durchlassstrom: 800mA
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 800mV
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 50µA
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Bauform - Thyristor: TO-92
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT169D-L,116 - Thyristor, 400 V, 50 µA, 500 mA, 800 mA, TO-92, 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 1mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: 500mA
RMS-Durchlassstrom: 800mA
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 800mV
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 50µA
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Bauform - Thyristor: TO-92
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH