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NCR100W-12LX WeEn Semiconductors ncr100w-12l.pdf NCR100W-12LX SMD/THT thyristors
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NCR125W-125MX WeEn Semiconductors NCR125W-125M.pdf NCR125W-125MX SMD/THT thyristors
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NXPLQSC106506Q WeEn Semiconductors nxplqsc10650.pdf NXPLQSC106506Q THT Schottky diodes
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NXPLQSC20650W6Q WeEn Semiconductors nxplqsc20650w.pdf NXPLQSC20650W6Q THT Schottky diodes
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NXPLQSC30650W6Q WeEn Semiconductors nxplqsc30650w.pdf NXPLQSC30650W6Q THT Schottky diodes
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NXPSC046506Q WeEn Semiconductors nxpsc04650.pdf NXPSC046506Q THT Schottky diodes
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NXPSC04650B NXPSC04650B WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED8808355243183EA18&compId=NXPSC04650B.pdf?ci_sign=2fe46987e1cc9423a6afd4be2cd0aa28fc50fd4e pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5ADF7A47D1E60C7&compId=_ween_psg2020.pdf?ci_sign=468e6aeff5ff673b9b681e7e7132f302dc444c36 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 4A
Max. load current: 8A
Max. forward impulse current: 24A
Max. off-state voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.51 EUR
25+2.86 EUR
31+2.3 EUR
85+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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NXPSC04650B6J WeEn Semiconductors nxpsc04650b.pdf NXPSC04650B6J SMD Schottky diodes
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NXPSC04650D6J WeEn Semiconductors nxpsc04650d.pdf NXPSC04650D6J SMD Schottky diodes
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NXPSC04650Q NXPSC04650Q WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5ADF7A47D1E60C7&compId=_ween_psg2020.pdf?ci_sign=468e6aeff5ff673b9b681e7e7132f302dc444c36 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED782E2961E4B34E259&compId=NXPSC04650.pdf?ci_sign=e9c051ee7b322030c5a68ad03dcf007e06e5002b Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; Ufmax: 1.5V
Case: TO220AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 4A
Max. load current: 8A
Max. forward impulse current: 24A
Max. off-state voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.86 EUR
41+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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NXPSC04650X6Q WeEn Semiconductors nxpsc04650x.pdf NXPSC04650X6Q THT Schottky diodes
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NXPSC066506Q WeEn Semiconductors nxpsc06650.pdf NXPSC066506Q THT Schottky diodes
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NXPSC06650B6J WeEn Semiconductors nxpsc06650b.pdf NXPSC06650B6J SMD Schottky diodes
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NXPSC06650D6J WeEn Semiconductors nxpsc06650d.pdf NXPSC06650D6J SMD Schottky diodes
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NXPSC06650X6Q WeEn Semiconductors nxpsc06650x.pdf NXPSC06650X6Q THT Schottky diodes
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NXPSC086506Q WeEn Semiconductors nxpsc08650.pdf NXPSC086506Q THT Schottky diodes
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NXPSC08650B6J WeEn Semiconductors nxpsc08650b.pdf NXPSC08650B6J SMD Schottky diodes
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NXPSC08650D6J WeEn Semiconductors nxpsc08650d.pdf NXPSC08650D6J SMD Schottky diodes
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NXPSC08650X6Q WeEn Semiconductors nxpsc08650x.pdf NXPSC08650X6Q THT Schottky diodes
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NXPSC106506Q WeEn Semiconductors nxpsc10650.pdf NXPSC106506Q THT Schottky diodes
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NXPSC10650X6Q WeEn Semiconductors nxpsc10650x.pdf NXPSC10650X6Q THT Schottky diodes
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NXPSC126506Q NXPSC126506Q WeEn Semiconductors en Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Load current: 12A
Max. forward impulse current: 72A
Max. off-state voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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NXPSC12650B6J WeEn Semiconductors NXPSC12650B6J.pdf NXPSC12650B6J SMD Schottky diodes
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NXPSC166506Q NXPSC166506Q WeEn Semiconductors NXPSC166506Q.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward impulse current: 96A
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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NXPSC16650B6J NXPSC16650B6J WeEn Semiconductors NXPSC16650B6J.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 16A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward impulse current: 96A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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NXPSC206506Q WeEn Semiconductors nxpsc20650.pdf NXPSC206506Q THT Schottky diodes
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NXPSC20650W-AQ WeEn Semiconductors NXPSC20650W-A.pdf NXPSC20650W-AQ THT Schottky diodes
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NXPSC20650W6Q WeEn Semiconductors nxpsc20650w.pdf NXPSC20650W6Q THT Schottky diodes
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OT407,116 WeEn Semiconductors OT407.pdf OT407.116 Triacs
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OT412,115 OT412,115 WeEn Semiconductors Category: Triacs
Description: Triac; 1A; SOT223; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Technology: 4Q
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 777 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
260+0.28 EUR
317+0.23 EUR
338+0.21 EUR
360+0.2 EUR
374+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 260
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P1KSMBJ27AJ WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB8E603AA2ACDE0D4&compId=P1KSMBJ.pdf?ci_sign=79a0fcbcbecb0d0af3b500b9296556ffc543ba48 Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1kW; 27V; 26.7A; unidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1kW
Max. off-state voltage: 23.1V
Breakdown voltage: 27V
Max. forward impulse current: 26.7A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P1KSMBJ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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P1KSMBJ27CAJ WeEn Semiconductors P1KSMBJ%20Series.pdf P1KSMBJ27CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
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P1KSMBJ68AJ WeEn Semiconductors P1KSMBJ%20Series.pdf P1KSMBJ68AJ Unidirectional TVS SMD diodes
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P1KSMBJ68CAJ WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB8E603AA2ACDE0D4&compId=P1KSMBJ.pdf?ci_sign=79a0fcbcbecb0d0af3b500b9296556ffc543ba48 Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1kW; 68V; 10.9A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1kW
Max. off-state voltage: 58.1V
Breakdown voltage: 68V
Max. forward impulse current: 10.9A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P1KSMBJ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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P4SOD33CAX WeEn Semiconductors P4SOD%20Series_10.pdf P4SOD33CAX Bidirectional TVS SMD diodes
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P4SOD36AX WeEn Semiconductors P4SOD36AX Unidirectional TVS SMD diodes
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P4SOD58AX WeEn Semiconductors P4SOD58AX Unidirectional TVS SMD diodes
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P6SMAL36AX WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB8E65511C67020D4&compId=P6SMAL.pdf?ci_sign=b1e2761b8b0d245cfa39a7a70fcd25fa432f50a7 Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 40÷44.2V; 10.4A; unidirectional; SMA flat; P6SMAL
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 40...44.2V
Max. forward impulse current: 10.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA flat
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMAL
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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P6SMAL75AX WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB8E65511C67020D4&compId=P6SMAL.pdf?ci_sign=b1e2761b8b0d245cfa39a7a70fcd25fa432f50a7 Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 83.3÷92.1V; 5A; unidirectional; SMA flat; P6SMAL
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 75V
Breakdown voltage: 83.3...92.1V
Max. forward impulse current: 5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA flat
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMAL
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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P6SMBJ28CAJ WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF93CADF9A40DCA0D6&compId=P6SMBJ.pdf?ci_sign=549054d3bd78afb23b6bad8a4db93bf1e0463454 Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 31.33÷34.16V; 13.3A; bidirectional; SMB
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 31.33...34.16V
Max. forward impulse current: 13.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6SMBJ64CAJ WeEn Semiconductors P6SMBJ%20Series.pdf P6SMBJ64CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PHD13003C,126 PHD13003C,126 WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD97D4766DC6A0C0D3&compId=phd13003c.pdf?ci_sign=073b9defa3532c4d7f79b957bd794c7ab6381dfb Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 1.5A; 2.1W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 700V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 2.1W
Case: TO92
Current gain: 8...25
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PHD13005,127 PHD13005,127 WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD97D4721B1DE540D3&compId=phd13005.pdf?ci_sign=ef5ed0e56be237208146764160d9e4495d549357 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Power dissipation: 75W
Collector current: 4A
Current gain: 10...40
Collector-emitter voltage: 400V
Kind of package: tube
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PHE13003A,412 PHE13003A,412 WeEn Semiconductors phe13003a.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1A; 2.1W; TO92
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO92
Collector current: 1A
Power dissipation: 2.1W
Current gain: 5...30
Collector-emitter voltage: 400V
Kind of package: bulk
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PHE13003C,126 PHE13003C,126 WeEn Semiconductors phe13003c.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1.5A; 2.1W; TO92
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO92
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 2.1W
Current gain: 5...25
Collector-emitter voltage: 400V
Kind of package: Ammo Pack
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PHE13003C,412 PHE13003C,412 WeEn Semiconductors phe13003c.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1.5A; 2.1W; TO92
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO92
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 2.1W
Current gain: 5...25
Collector-emitter voltage: 400V
Kind of package: bulk
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PHE13005,127 PHE13005,127 WeEn Semiconductors phe13005.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Power dissipation: 75W
Collector current: 4A
Current gain: 10...40
Collector-emitter voltage: 400V
Kind of package: tube
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
103+0.7 EUR
119+0.6 EUR
125+0.57 EUR
168+0.43 EUR
5000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PHE13007,127 PHE13007,127 WeEn Semiconductors phe13007.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 400V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 875 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.37 EUR
78+0.92 EUR
153+0.47 EUR
162+0.44 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 53
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PHE13009,127 PHE13009,127 WeEn Semiconductors phe13009.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 400V
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 463 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
70+1.03 EUR
77+0.94 EUR
140+0.51 EUR
148+0.49 EUR
1000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 70
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PHE13009/DG,127 PHE13009/DG,127 WeEn Semiconductors phe13009.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB; max.1.3mm
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Heatsink thickness: max. 1.3mm
Current gain: 8...40
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 400V
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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SK8DJ WeEn Semiconductors SK8DJ SMD universal diodes
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SM8S33CAJ WeEn Semiconductors SM8S33CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
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SM8S43CAJ WeEn Semiconductors SM8S43CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
Produkt ist nicht verfügbar
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SMAJ18AJ WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE90C9E918179D00D5&compId=SMAJ%20Series.pdf?ci_sign=02ff97b748452aeefee6ed770587255daaa32026 Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 20.19÷21.9V; 13.7A; unidirectional; SMA; SMAJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 18V
Breakdown voltage: 20.19...21.9V
Max. forward impulse current: 13.7A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMAJ
Leakage current: 1µA
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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SMAJ30CAJ SMAJ30CAJ WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE90C9E918179D00D5&compId=SMAJ%20Series.pdf?ci_sign=02ff97b748452aeefee6ed770587255daaa32026 Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 33.55÷36.54V; 8.3A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 30V
Breakdown voltage: 33.55...36.54V
Max. forward impulse current: 8.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMAJ
Leakage current: 1µA
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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SMAJ5.0CAJ WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE90C9E918179D00D5&compId=SMAJ%20Series.pdf?ci_sign=02ff97b748452aeefee6ed770587255daaa32026 Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 6.45÷6.98V; 43.5A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.45...6.98V
Max. forward impulse current: 43.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMAJ
Leakage current: 0.4mA
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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SMBJ20AJ SMBJ20AJ WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA8DF4B0A7CA520D3&compId=SMBJ%20Series.pdf?ci_sign=c2e2639ad995680535099c30dd49aa24a201c471 Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 22.41÷24.28V; 18.6A; unidirectional; SMB; SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 20V
Breakdown voltage: 22.41...24.28V
Max. forward impulse current: 18.6A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMBJ
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 635 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
380+0.19 EUR
620+0.12 EUR
635+0.11 EUR
3000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 380
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SMBJ26AJ WeEn Semiconductors SMBJ%20Series_132.pdf SMBJ26AJ Unidirectional TVS SMD diodes
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NCR100W-12LX ncr100w-12l.pdf
Hersteller: WeEn Semiconductors
NCR100W-12LX SMD/THT thyristors
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NCR125W-125MX NCR125W-125M.pdf
Hersteller: WeEn Semiconductors
NCR125W-125MX SMD/THT thyristors
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NXPLQSC106506Q nxplqsc10650.pdf
Hersteller: WeEn Semiconductors
NXPLQSC106506Q THT Schottky diodes
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NXPLQSC20650W6Q nxplqsc20650w.pdf
Hersteller: WeEn Semiconductors
NXPLQSC20650W6Q THT Schottky diodes
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NXPLQSC30650W6Q nxplqsc30650w.pdf
Hersteller: WeEn Semiconductors
NXPLQSC30650W6Q THT Schottky diodes
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NXPSC046506Q nxpsc04650.pdf
Hersteller: WeEn Semiconductors
NXPSC046506Q THT Schottky diodes
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NXPSC04650B pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED8808355243183EA18&compId=NXPSC04650B.pdf?ci_sign=2fe46987e1cc9423a6afd4be2cd0aa28fc50fd4e pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5ADF7A47D1E60C7&compId=_ween_psg2020.pdf?ci_sign=468e6aeff5ff673b9b681e7e7132f302dc444c36
NXPSC04650B
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 4A
Max. load current: 8A
Max. forward impulse current: 24A
Max. off-state voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.51 EUR
25+2.86 EUR
31+2.3 EUR
85+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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NXPSC04650B6J nxpsc04650b.pdf
Hersteller: WeEn Semiconductors
NXPSC04650B6J SMD Schottky diodes
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Hersteller: WeEn Semiconductors
NXPSC04650D6J SMD Schottky diodes
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NXPSC04650Q pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5ADF7A47D1E60C7&compId=_ween_psg2020.pdf?ci_sign=468e6aeff5ff673b9b681e7e7132f302dc444c36 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED782E2961E4B34E259&compId=NXPSC04650.pdf?ci_sign=e9c051ee7b322030c5a68ad03dcf007e06e5002b
NXPSC04650Q
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; Ufmax: 1.5V
Case: TO220AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 4A
Max. load current: 8A
Max. forward impulse current: 24A
Max. off-state voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.86 EUR
41+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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NXPSC04650X6Q nxpsc04650x.pdf
Hersteller: WeEn Semiconductors
NXPSC04650X6Q THT Schottky diodes
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NXPSC066506Q nxpsc06650.pdf
Hersteller: WeEn Semiconductors
NXPSC066506Q THT Schottky diodes
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NXPSC06650B6J nxpsc06650b.pdf
Hersteller: WeEn Semiconductors
NXPSC06650B6J SMD Schottky diodes
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Hersteller: WeEn Semiconductors
NXPSC06650D6J SMD Schottky diodes
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Hersteller: WeEn Semiconductors
NXPSC06650X6Q THT Schottky diodes
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NXPSC086506Q nxpsc08650.pdf
Hersteller: WeEn Semiconductors
NXPSC086506Q THT Schottky diodes
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NXPSC08650B6J nxpsc08650b.pdf
Hersteller: WeEn Semiconductors
NXPSC08650B6J SMD Schottky diodes
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NXPSC08650D6J nxpsc08650d.pdf
Hersteller: WeEn Semiconductors
NXPSC08650D6J SMD Schottky diodes
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NXPSC08650X6Q nxpsc08650x.pdf
Hersteller: WeEn Semiconductors
NXPSC08650X6Q THT Schottky diodes
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NXPSC106506Q nxpsc10650.pdf
Hersteller: WeEn Semiconductors
NXPSC106506Q THT Schottky diodes
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NXPSC10650B6J nxpsc10650b.pdf
Hersteller: WeEn Semiconductors
NXPSC10650B6J SMD Schottky diodes
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NXPSC10650D6J nxpsc10650d.pdf
Hersteller: WeEn Semiconductors
NXPSC10650D6J SMD Schottky diodes
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NXPSC10650X6Q nxpsc10650x.pdf
Hersteller: WeEn Semiconductors
NXPSC10650X6Q THT Schottky diodes
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NXPSC126506Q en
NXPSC126506Q
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Load current: 12A
Max. forward impulse current: 72A
Max. off-state voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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NXPSC12650B6J NXPSC12650B6J.pdf
Hersteller: WeEn Semiconductors
NXPSC12650B6J SMD Schottky diodes
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NXPSC166506Q NXPSC166506Q.pdf
NXPSC166506Q
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward impulse current: 96A
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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NXPSC16650B6J NXPSC16650B6J.pdf
NXPSC16650B6J
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 16A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward impulse current: 96A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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NXPSC206506Q nxpsc20650.pdf
Hersteller: WeEn Semiconductors
NXPSC206506Q THT Schottky diodes
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NXPSC20650W-AQ NXPSC20650W-A.pdf
Hersteller: WeEn Semiconductors
NXPSC20650W-AQ THT Schottky diodes
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NXPSC20650W6Q nxpsc20650w.pdf
Hersteller: WeEn Semiconductors
NXPSC20650W6Q THT Schottky diodes
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OT407,116 OT407.pdf
Hersteller: WeEn Semiconductors
OT407.116 Triacs
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OT412,115
OT412,115
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 1A; SOT223; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Technology: 4Q
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 777 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
260+0.28 EUR
317+0.23 EUR
338+0.21 EUR
360+0.2 EUR
374+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 260
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P1KSMBJ27AJ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB8E603AA2ACDE0D4&compId=P1KSMBJ.pdf?ci_sign=79a0fcbcbecb0d0af3b500b9296556ffc543ba48
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1kW; 27V; 26.7A; unidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1kW
Max. off-state voltage: 23.1V
Breakdown voltage: 27V
Max. forward impulse current: 26.7A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P1KSMBJ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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P1KSMBJ27CAJ P1KSMBJ%20Series.pdf
Hersteller: WeEn Semiconductors
P1KSMBJ27CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
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P1KSMBJ68AJ P1KSMBJ%20Series.pdf
Hersteller: WeEn Semiconductors
P1KSMBJ68AJ Unidirectional TVS SMD diodes
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P1KSMBJ68CAJ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB8E603AA2ACDE0D4&compId=P1KSMBJ.pdf?ci_sign=79a0fcbcbecb0d0af3b500b9296556ffc543ba48
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1kW; 68V; 10.9A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1kW
Max. off-state voltage: 58.1V
Breakdown voltage: 68V
Max. forward impulse current: 10.9A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P1KSMBJ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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P4SOD33CAX P4SOD%20Series_10.pdf
Hersteller: WeEn Semiconductors
P4SOD33CAX Bidirectional TVS SMD diodes
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P4SOD36AX
Hersteller: WeEn Semiconductors
P4SOD36AX Unidirectional TVS SMD diodes
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P4SOD58AX
Hersteller: WeEn Semiconductors
P4SOD58AX Unidirectional TVS SMD diodes
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P6SMAL36AX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB8E65511C67020D4&compId=P6SMAL.pdf?ci_sign=b1e2761b8b0d245cfa39a7a70fcd25fa432f50a7
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 40÷44.2V; 10.4A; unidirectional; SMA flat; P6SMAL
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 40...44.2V
Max. forward impulse current: 10.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA flat
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMAL
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6SMAL75AX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB8E65511C67020D4&compId=P6SMAL.pdf?ci_sign=b1e2761b8b0d245cfa39a7a70fcd25fa432f50a7
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 83.3÷92.1V; 5A; unidirectional; SMA flat; P6SMAL
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 75V
Breakdown voltage: 83.3...92.1V
Max. forward impulse current: 5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA flat
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMAL
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6SMBJ28CAJ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF93CADF9A40DCA0D6&compId=P6SMBJ.pdf?ci_sign=549054d3bd78afb23b6bad8a4db93bf1e0463454
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 31.33÷34.16V; 13.3A; bidirectional; SMB
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 31.33...34.16V
Max. forward impulse current: 13.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6SMBJ64CAJ P6SMBJ%20Series.pdf
Hersteller: WeEn Semiconductors
P6SMBJ64CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
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PHD13003C,126 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD97D4766DC6A0C0D3&compId=phd13003c.pdf?ci_sign=073b9defa3532c4d7f79b957bd794c7ab6381dfb
PHD13003C,126
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 1.5A; 2.1W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 700V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 2.1W
Case: TO92
Current gain: 8...25
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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PHD13005,127 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD97D4721B1DE540D3&compId=phd13005.pdf?ci_sign=ef5ed0e56be237208146764160d9e4495d549357
PHD13005,127
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Power dissipation: 75W
Collector current: 4A
Current gain: 10...40
Collector-emitter voltage: 400V
Kind of package: tube
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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PHE13003A,412 phe13003a.pdf
PHE13003A,412
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1A; 2.1W; TO92
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO92
Collector current: 1A
Power dissipation: 2.1W
Current gain: 5...30
Collector-emitter voltage: 400V
Kind of package: bulk
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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PHE13003C,126 phe13003c.pdf
PHE13003C,126
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1.5A; 2.1W; TO92
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO92
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 2.1W
Current gain: 5...25
Collector-emitter voltage: 400V
Kind of package: Ammo Pack
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PHE13003C,412 phe13003c.pdf
PHE13003C,412
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1.5A; 2.1W; TO92
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO92
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 2.1W
Current gain: 5...25
Collector-emitter voltage: 400V
Kind of package: bulk
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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PHE13005,127 phe13005.pdf
PHE13005,127
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Power dissipation: 75W
Collector current: 4A
Current gain: 10...40
Collector-emitter voltage: 400V
Kind of package: tube
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 125 Stücke:
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168+0.43 EUR
5000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PHE13007,127 phe13007.pdf
PHE13007,127
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 400V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 875 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.37 EUR
78+0.92 EUR
153+0.47 EUR
162+0.44 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PHE13009,127 phe13009.pdf
PHE13009,127
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 400V
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 463 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
70+1.03 EUR
77+0.94 EUR
140+0.51 EUR
148+0.49 EUR
1000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PHE13009/DG,127 phe13009.pdf
PHE13009/DG,127
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB; max.1.3mm
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Heatsink thickness: max. 1.3mm
Current gain: 8...40
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 400V
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SK8DJ
Hersteller: WeEn Semiconductors
SK8DJ SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SM8S33CAJ
Hersteller: WeEn Semiconductors
SM8S33CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SM8S43CAJ
Hersteller: WeEn Semiconductors
SM8S43CAJ Bidirectional TVS SMD diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMAJ18AJ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE90C9E918179D00D5&compId=SMAJ%20Series.pdf?ci_sign=02ff97b748452aeefee6ed770587255daaa32026
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 20.19÷21.9V; 13.7A; unidirectional; SMA; SMAJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 18V
Breakdown voltage: 20.19...21.9V
Max. forward impulse current: 13.7A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMAJ
Leakage current: 1µA
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMAJ30CAJ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE90C9E918179D00D5&compId=SMAJ%20Series.pdf?ci_sign=02ff97b748452aeefee6ed770587255daaa32026
SMAJ30CAJ
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 33.55÷36.54V; 8.3A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 30V
Breakdown voltage: 33.55...36.54V
Max. forward impulse current: 8.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMAJ
Leakage current: 1µA
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMAJ5.0CAJ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE90C9E918179D00D5&compId=SMAJ%20Series.pdf?ci_sign=02ff97b748452aeefee6ed770587255daaa32026
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 6.45÷6.98V; 43.5A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.45...6.98V
Max. forward impulse current: 43.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMAJ
Leakage current: 0.4mA
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMBJ20AJ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA8DF4B0A7CA520D3&compId=SMBJ%20Series.pdf?ci_sign=c2e2639ad995680535099c30dd49aa24a201c471
SMBJ20AJ
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 22.41÷24.28V; 18.6A; unidirectional; SMB; SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 20V
Breakdown voltage: 22.41...24.28V
Max. forward impulse current: 18.6A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMBJ
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 635 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
380+0.19 EUR
620+0.12 EUR
635+0.11 EUR
3000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 380
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMBJ26AJ SMBJ%20Series_132.pdf
Hersteller: WeEn Semiconductors
SMBJ26AJ Unidirectional TVS SMD diodes
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