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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BTA440Z-1200ATQ BTA440Z-1200ATQ WEEN SEMICONDUCTORS 4553164.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA440Z-1200ATQ - Triac, 1.2 kV, 40 A, IITO-3P, 1.2 V, 440 A, 80 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: IITO-3P
rohsCompliant: TBA
Haltestrom, max.: 80mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 440A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: AT Series
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 402 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA410Y-800CT,127 BTA410Y-800CT,127 WEEN SEMICONDUCTORS 4553165.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA410Y-800CT,127 - Triac, 800 V, 10 A, TO-220, 1 V, 110 A, 35 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-220
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 35mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 110A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CT Series
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC5D20650W6Q WNSC5D20650W6Q WEEN SEMICONDUCTORS Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC5D20650W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 28 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 392 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC5D206506Q WNSC5D206506Q WEEN SEMICONDUCTORS 3928021.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC5D206506Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 28 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 928 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMSC006H12B2P6T WMSC006H12B2P6T WEEN SEMICONDUCTORS Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WMSC006H12B2P6T - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 200 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, WeEnPACK-B2
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: WeEnPACK-B2
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT136S-600D,118 BT136S-600D,118 WEEN SEMICONDUCTORS 2623891.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136S-600D,118 - Triac, 600 V, 4 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 27 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 27A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 4A
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BT136S
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 7887 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT136S-600D,118 BT136S-600D,118 WEEN SEMICONDUCTORS 2623891.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136S-600D,118 - Triac, 600 V, 4 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 27 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 27A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 4A
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BT136S
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 7887 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D501200W6Q WNSC2D501200W6Q WEEN SEMICONDUCTORS 3928023.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D501200W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 50 A, 125 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 125nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 587 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D201200W-B6Q WNSC2D201200W-B6Q WEEN SEMICONDUCTORS 3928024.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D201200W-B6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 36 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D10650WQ WNSC2D10650WQ WEEN SEMICONDUCTORS 3672595.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: NO
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1013 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WG30R135W1Q WG30R135W1Q WEEN SEMICONDUCTORS 4553155.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG30R135W1Q - IGBT, 60 A, 1.7 V, 428 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 428W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WG25R135W1Q WG25R135W1Q WEEN SEMICONDUCTORS 4553158.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG25R135W1Q - IGBT, 50 A, 1.85 V, 300 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WG30N65HAW1Q WG30N65HAW1Q WEEN SEMICONDUCTORS 4553157.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG30N65HAW1Q - IGBT, 60 A, 1.55 V, 312 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WG40N120MFW1Q WG40N120MFW1Q WEEN SEMICONDUCTORS Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG40N120MFW1Q - IGBT, 80 A, 1.68 V, 750 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.68V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WG40N120HFW1Q WG40N120HFW1Q WEEN SEMICONDUCTORS Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG40N120HFW1Q - IGBT, 80 A, 2.2 V, 750 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WG30R140W1Q WG30R140W1Q WEEN SEMICONDUCTORS 4553156.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG30R140W1Q - IGBT, 60 A, 1.8 V, 357 W, 1.4 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.4kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WG40N120UFW1Q WG40N120UFW1Q WEEN SEMICONDUCTORS Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG40N120UFW1Q - IGBT, 80 A, 1.75 V, 750 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMSC006H12B2S6T WMSC006H12B2S6T WEEN SEMICONDUCTORS 4553147.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WMSC006H12B2S6T - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 200 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, WeEnPACK-B2
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: WeEnPACK-B2
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA208S-800E,118 BTA208S-800E,118 WEEN SEMICONDUCTORS 2623927.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA208S-800E,118 - Triac, 800 V, 8 A, SOT-428, 1.5 V, 65 A, 25 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: SOT-428
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 25mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 65A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 8A
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA16-600BQ BTA16-600BQ WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCF947543473E143&compId=BTA16-600B.pdf?ci_sign=bab4264cd3ee4e64cc318f8cba6359ae0bc77aa8 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5ADF7A47D1E60C7&compId=_ween_psg2020.pdf?ci_sign=468e6aeff5ff673b9b681e7e7132f302dc444c36 Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 50/70mA; Ifsm: 160A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 50/70mA
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 160A
Technology: 4Q
auf Bestellung 964 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+1.42 EUR
58+1.25 EUR
67+1.08 EUR
100+1 EUR
500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA16-800BQ BTA16-800BQ WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCF93546E1E76143&compId=BTA16-800B.pdf?ci_sign=5b2d91d3caf329e0f34d317c2e5b68991880ed21 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5ADF7A47D1E60C7&compId=_ween_psg2020.pdf?ci_sign=468e6aeff5ff673b9b681e7e7132f302dc444c36 Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; TO220AB; Igt: 50/70mA; Ifsm: 160A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 50/70mA
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 160A
Technology: 4Q
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+1.4 EUR
72+1 EUR
100+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA408X-1000C0TQ BTA408X-1000C0TQ WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BD979DEEF89F80C4&compId=bta408x-1000c0t.pdf?ci_sign=7ccfb90366096a2bf2d68bf4e4840f57e352d5f0 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5ADF7A47D1E60C7&compId=_ween_psg2020.pdf?ci_sign=468e6aeff5ff673b9b681e7e7132f302dc444c36 Category: Triacs
Description: Triac; 1kV; 8A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 90A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 1kV
Max. load current: 8A
Case: TO220FP
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 90A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT152-800R,127 BT152-800R,127 WeEn Semiconductors bt152-800r.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 20A; 13A; Igt: 3mA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 20A
Load current: 13A
Gate current: 3mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 200A
Turn-on time: 2µs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT169D,112 BT169D,112 WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7829252BF63ADA259&compId=BT169D.pdf?ci_sign=d7beb69c9b24b361ce7cc40b43467e3610086383 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5ADF7A47D1E60C7&compId=_ween_psg2020.pdf?ci_sign=468e6aeff5ff673b9b681e7e7132f302dc444c36 Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 400V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 50mA; TO92; THT; bulk; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.8A
Load current: 0.5A
Gate current: 50mA
Case: TO92
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 8A
Quantity in set/package: 1000pcs.
Turn-on time: 2µs
Kind of package: bulk
auf Bestellung 622 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
193+0.37 EUR
249+0.29 EUR
295+0.24 EUR
317+0.23 EUR
353+0.2 EUR
500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PHE13009,127 PHE13009,127 WeEn Semiconductors phe13009.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 361 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+0.93 EUR
86+0.84 EUR
105+0.68 EUR
119+0.6 EUR
250+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PHE13009/DG,127 PHE13009/DG,127 WeEn Semiconductors phe13009.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB; max.1.3mm
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Mounting: THT
Kind of package: tube
Heatsink thickness: max. 1.3mm
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MAC97A6,116 MAC97A6,116 WeEn Semiconductors mac97a6.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 400V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MAC97A6,412 MAC97A6,412 WeEn Semiconductors mac97a6.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 400V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+0.39 EUR
242+0.3 EUR
307+0.23 EUR
463+0.15 EUR
658+0.11 EUR
1000+0.097 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA225-800B,127 BTA225-800B,127 WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED782E3630A7D5E2259&compId=BTA225-800B.pdf?ci_sign=ede26d34fecd57b49c511c8ba7a0e033d417a336 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5ADF7A47D1E60C7&compId=_ween_psg2020.pdf?ci_sign=468e6aeff5ff673b9b681e7e7132f302dc444c36 Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 25A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 190A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 25A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Technology: 3Q; Hi-Com
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Max. forward impulse current: 190A
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+2.67 EUR
39+1.84 EUR
50+1.46 EUR
100+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA204-800B,127 BTA204-800B,127 WeEn Semiconductors BTA204-800B__127.pdf bta204-800b.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 4A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 25A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 4A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 612 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
173+0.41 EUR
191+0.37 EUR
212+0.34 EUR
240+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT151-500R,127 BT151-500R,127 WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCA987E481E47100CE&compId=BT151-500R.pdf?ci_sign=53021a41efe6df2cfd78be5ab8da85cc9e781cfc Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 12A; 7.5A; Igt: 2mA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 12A
Load current: 7.5A
Gate current: 2mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 120A
Turn-on time: 2µs
auf Bestellung 385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+0.96 EUR
122+0.59 EUR
140+0.51 EUR
156+0.46 EUR
172+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT151-500RT,127 BT151-500RT,127 WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED782E3EC9B411DA259&compId=BT151-500RT.pdf?ci_sign=646a0c0eae3651e074fdbcf9a817b3e0865eac19 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5ADF7A47D1E60C7&compId=_ween_psg2020.pdf?ci_sign=468e6aeff5ff673b9b681e7e7132f302dc444c36 Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 12.5A; 8A; Igt: 2mA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 12.5A
Load current: 8A
Gate current: 2mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 120A
Turn-on time: 2µs
auf Bestellung 3265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+0.8 EUR
137+0.52 EUR
171+0.42 EUR
190+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA41-800BQ BTA41-800BQ WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDC8C995B4B2C5580C8&compId=BTA41-800B.pdf?ci_sign=5b68d00c911742f8412fe3a949d74be2e53ddac5 Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 40A; SOT1292,TO3P; Igt: 50/70mA; Ifsm: 400A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 40A
Case: SOT1292; TO3P
Gate current: 50/70mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 4Q
Max. forward impulse current: 0.4kA
Features of semiconductor devices: sensitive gate
auf Bestellung 504 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+3.99 EUR
19+3.79 EUR
22+3.4 EUR
30+2.93 EUR
90+2.49 EUR
450+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT137-600,127 BT137-600,127 WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED782E30FF706BEA259&compId=BT137-600.pdf?ci_sign=038fc1e9dc47e88aa947ca30a5c472badcf7b645 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5ADF7A47D1E60C7&compId=_ween_psg2020.pdf?ci_sign=468e6aeff5ff673b9b681e7e7132f302dc444c36 Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 35/70mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 35/70mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 1011 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+1.09 EUR
76+0.95 EUR
91+0.79 EUR
114+0.63 EUR
146+0.49 EUR
250+0.38 EUR
500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT137-600/L01,127 WeEn Semiconductors bt137-600.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 35/70mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 35/70mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT137-600D,127 BT137-600D,127 WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED782E313107E7EC259&compId=BT137-600D.pdf?ci_sign=572e45dc75af42ffdf75903f8d4c5daf80dc62d4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5ADF7A47D1E60C7&compId=_ween_psg2020.pdf?ci_sign=468e6aeff5ff673b9b681e7e7132f302dc444c36 Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 5/10mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 5/10mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 784 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+1.12 EUR
106+0.67 EUR
120+0.6 EUR
132+0.54 EUR
145+0.5 EUR
250+0.44 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT137-600E,127 BT137-600E,127 WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED782E314B5FC358259&compId=BT137-600E.pdf?ci_sign=2d11090da40b187b5e7f7689c75b0430bf626c78 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5ADF7A47D1E60C7&compId=_ween_psg2020.pdf?ci_sign=468e6aeff5ff673b9b681e7e7132f302dc444c36 Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 1029 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+1.19 EUR
92+0.78 EUR
111+0.64 EUR
128+0.56 EUR
146+0.49 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT137-600E/DG WeEn Semiconductors bt137-600e.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT137-600E/L01,127 WeEn Semiconductors bt137-600e.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 25A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT137-600G,127 BT137-600G,127 WeEn Semiconductors bt137-600g.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 50/100mA; Ifsm: 65A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 50/100mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+1.02 EUR
97+0.74 EUR
137+0.52 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT137-600G0TQ WeEn Semiconductors bt137-600g0t.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 500V; 8A; TO220AB; Igt: 50/100mA; Ifsm: 65A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 50/100mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: high temperature
Mounting: THT
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA416Y-600C,127 BTA416Y-600C,127 WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED782E378FD687E6259&compId=BTA416Y-600C.pdf?ci_sign=75906d40976f0ef203c86b12c5efc10b5b93ce35 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5ADF7A47D1E60C7&compId=_ween_psg2020.pdf?ci_sign=468e6aeff5ff673b9b681e7e7132f302dc444c36 Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 160A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 160A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
auf Bestellung 901 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+1.09 EUR
82+0.88 EUR
94+0.77 EUR
100+0.72 EUR
250+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA41-600BQ BTA41-600BQ WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDC8C996F8521DE60C8&compId=BTA41-600B.pdf?ci_sign=53c2a3ba5b8fe3cb80a0aac194d3d175957a5112 Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 40A; SOT1292,TO3P; Igt: 50/70mA; Ifsm: 400A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 40A
Case: SOT1292; TO3P
Gate current: 50/70mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 4Q
Max. forward impulse current: 0.4kA
Features of semiconductor devices: sensitive gate
auf Bestellung 862 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+3.63 EUR
26+2.82 EUR
30+2.49 EUR
90+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA410Y-600BT,127 BTA410Y-600BT,127 WeEn Semiconductors bta410y-600bt.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 10A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 10A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA410Y-600CT,127 BTA410Y-600CT,127 WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A5F7DFEBC631274A&compId=BTA410Y-600CT.pdf?ci_sign=6f2844dad71462a80bf3b4f6f30c01341720d12a pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5ADF7A47D1E60C7&compId=_ween_psg2020.pdf?ci_sign=468e6aeff5ff673b9b681e7e7132f302dc444c36 Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 10A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 10A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+0.6 EUR
131+0.55 EUR
147+0.49 EUR
157+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 120
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BTA410Y-600ET,127 BTA410Y-600ET,127 WeEn Semiconductors bta410y-600et.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 10A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 10A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
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BTA410Y-800BT,127 BTA410Y-800BT,127 WeEn Semiconductors bta410y-800bt.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 10A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 10A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
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BTA410Y-800CT,127 BTA410Y-800CT,127 WeEn Semiconductors bta410y-800ct.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 10A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 10A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
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BTA412Y-600B,127 BTA412Y-600B,127 WeEn Semiconductors bta412y-600b.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 140A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
auf Bestellung 837 Stücke:
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85+0.84 EUR
95+0.76 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA412Y-600C,127 BTA412Y-600C,127 WeEn Semiconductors bta412y-600c.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 140A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
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BTA412Y-600ETQ BTA412Y-600ETQ WeEn Semiconductors bta412y-600et.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 140A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
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BTA412Y-800B,127 BTA412Y-800B,127 WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA83EE354275B860C4&compId=BTA412Y_ser.pdf?ci_sign=77bf335049caca71bf403956a1751589c636d89a pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5ADF7A47D1E60C7&compId=_ween_psg2020.pdf?ci_sign=468e6aeff5ff673b9b681e7e7132f302dc444c36 Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 140A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
auf Bestellung 874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+1.5 EUR
75+0.96 EUR
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BTA412Y-800C,127 BTA412Y-800C,127 WeEn Semiconductors 568_BTA412Y-800C127.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 140A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
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BT168G,112 BT168G,112 WeEn Semiconductors bt168g.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 50uA; TO92; THT; bulk; 2us
Mounting: THT
Case: TO92
Kind of package: bulk
Type of thyristor: thyristor
Turn-on time: 2µs
Gate current: 50µA
Load current: 0.5A
Max. load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 8A
Max. off-state voltage: 0.6kV
auf Bestellung 1755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+0.36 EUR
315+0.23 EUR
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BT168GW,115 BT168GW,115 WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A5F7AEF30867274A&compId=BT168GW.pdf?ci_sign=f600be21c83b6f813538322e7474bbab7bf5b54f pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5ADF7A47D1E60C7&compId=_ween_psg2020.pdf?ci_sign=468e6aeff5ff673b9b681e7e7132f302dc444c36 Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 1A; 0.63A; Igt: 50uA; SOT223; SMD; reel,tape
Mounting: SMD
Case: SOT223
Kind of package: reel; tape
Type of thyristor: thyristor
Turn-on time: 2µs
Gate current: 50µA
Load current: 0.63A
Max. load current: 1A
Max. forward impulse current: 8A
Max. off-state voltage: 0.6kV
auf Bestellung 949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+0.51 EUR
209+0.34 EUR
244+0.29 EUR
353+0.2 EUR
500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 139
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BT168GWF,115 BT168GWF,115 WeEn Semiconductors bt168gwf.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 1A; 0.63A; Igt: 450uA; SOT223; SMD; reel,tape
Mounting: SMD
Case: SOT223
Kind of package: reel; tape
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 450µA
Load current: 0.63A
Max. load current: 1A
Max. forward impulse current: 9A
Max. off-state voltage: 0.6kV
auf Bestellung 787 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+0.64 EUR
143+0.5 EUR
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291+0.25 EUR
500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT139X-600,127 BT139X-600,127 WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78291DF63C2568259&compId=BT139X-600.pdf?ci_sign=f0865fd3585a8578159a5a5c0d00944dfcf534a0 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5ADF7A47D1E60C7&compId=_ween_psg2020.pdf?ci_sign=468e6aeff5ff673b9b681e7e7132f302dc444c36 Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220FP; Igt: 35/70mA; Ifsm: 155A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220FP
Gate current: 35/70mA
Max. forward impulse current: 155A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+1.24 EUR
73+0.98 EUR
92+0.78 EUR
101+0.71 EUR
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Mindestbestellmenge: 58
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Z0107MA,116 Z0107MA,116 WeEn Semiconductors z0107ma.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 3596 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+0.57 EUR
269+0.27 EUR
451+0.16 EUR
500+0.14 EUR
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2000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Z0107MA,412 WeEn Semiconductors z0107ma.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 7mA; Ifsm: 8.5A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 7mA
Max. forward impulse current: 8.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Z0107MN,135 Z0107MN,135 WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA8DEEAB67E8DC0D3&compId=Z0107MN.pdf?ci_sign=473ebbaa1f9b039849e0262cec111a9a944ed328 description Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 1342 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+0.64 EUR
172+0.42 EUR
262+0.27 EUR
313+0.23 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 112
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BTA440Z-1200ATQ 4553164.pdf
BTA440Z-1200ATQ
Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA440Z-1200ATQ - Triac, 1.2 kV, 40 A, IITO-3P, 1.2 V, 440 A, 80 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: IITO-3P
rohsCompliant: TBA
Haltestrom, max.: 80mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 440A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: AT Series
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 402 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BTA410Y-800CT,127 4553165.pdf
BTA410Y-800CT,127
Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA410Y-800CT,127 - Triac, 800 V, 10 A, TO-220, 1 V, 110 A, 35 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-220
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 35mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 110A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CT Series
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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WNSC5D20650W6Q
WNSC5D20650W6Q
Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC5D20650W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 28 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 392 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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WNSC5D206506Q 3928021.pdf
WNSC5D206506Q
Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC5D206506Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 28 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 928 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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WMSC006H12B2P6T
WMSC006H12B2P6T
Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WMSC006H12B2P6T - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 200 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, WeEnPACK-B2
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: WeEnPACK-B2
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BT136S-600D,118 2623891.pdf
BT136S-600D,118
Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136S-600D,118 - Triac, 600 V, 4 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 27 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 27A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 4A
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BT136S
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 7887 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BT136S-600D,118 2623891.pdf
BT136S-600D,118
Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136S-600D,118 - Triac, 600 V, 4 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 27 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 27A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 4A
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BT136S
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 7887 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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WNSC2D501200W6Q 3928023.pdf
WNSC2D501200W6Q
Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D501200W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 50 A, 125 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 125nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 587 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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WNSC2D201200W-B6Q 3928024.pdf
WNSC2D201200W-B6Q
Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D201200W-B6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 36 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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WNSC2D10650WQ 3672595.pdf
WNSC2D10650WQ
Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: NO
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1013 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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WG30R135W1Q 4553155.pdf
WG30R135W1Q
Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG30R135W1Q - IGBT, 60 A, 1.7 V, 428 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 428W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WG25R135W1Q 4553158.pdf
WG25R135W1Q
Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG25R135W1Q - IGBT, 50 A, 1.85 V, 300 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WG30N65HAW1Q 4553157.pdf
WG30N65HAW1Q
Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG30N65HAW1Q - IGBT, 60 A, 1.55 V, 312 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WG40N120MFW1Q
WG40N120MFW1Q
Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG40N120MFW1Q - IGBT, 80 A, 1.68 V, 750 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.68V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WG40N120HFW1Q
WG40N120HFW1Q
Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG40N120HFW1Q - IGBT, 80 A, 2.2 V, 750 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WG30R140W1Q 4553156.pdf
WG30R140W1Q
Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG30R140W1Q - IGBT, 60 A, 1.8 V, 357 W, 1.4 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.4kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WG40N120UFW1Q
WG40N120UFW1Q
Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG40N120UFW1Q - IGBT, 80 A, 1.75 V, 750 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMSC006H12B2S6T 4553147.pdf
WMSC006H12B2S6T
Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WMSC006H12B2S6T - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 200 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, WeEnPACK-B2
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: WeEnPACK-B2
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA208S-800E,118 2623927.pdf
BTA208S-800E,118
Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA208S-800E,118 - Triac, 800 V, 8 A, SOT-428, 1.5 V, 65 A, 25 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: SOT-428
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 25mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 65A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 8A
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA16-600BQ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCF947543473E143&compId=BTA16-600B.pdf?ci_sign=bab4264cd3ee4e64cc318f8cba6359ae0bc77aa8 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5ADF7A47D1E60C7&compId=_ween_psg2020.pdf?ci_sign=468e6aeff5ff673b9b681e7e7132f302dc444c36
BTA16-600BQ
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 50/70mA; Ifsm: 160A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 50/70mA
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 160A
Technology: 4Q
auf Bestellung 964 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
51+1.42 EUR
58+1.25 EUR
67+1.08 EUR
100+1 EUR
500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA16-800BQ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCF93546E1E76143&compId=BTA16-800B.pdf?ci_sign=5b2d91d3caf329e0f34d317c2e5b68991880ed21 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5ADF7A47D1E60C7&compId=_ween_psg2020.pdf?ci_sign=468e6aeff5ff673b9b681e7e7132f302dc444c36
BTA16-800BQ
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; TO220AB; Igt: 50/70mA; Ifsm: 160A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 50/70mA
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 160A
Technology: 4Q
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.4 EUR
72+1 EUR
100+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA408X-1000C0TQ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BD979DEEF89F80C4&compId=bta408x-1000c0t.pdf?ci_sign=7ccfb90366096a2bf2d68bf4e4840f57e352d5f0 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5ADF7A47D1E60C7&compId=_ween_psg2020.pdf?ci_sign=468e6aeff5ff673b9b681e7e7132f302dc444c36
BTA408X-1000C0TQ
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 1kV; 8A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 90A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 1kV
Max. load current: 8A
Case: TO220FP
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 90A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT152-800R,127 bt152-800r.pdf
BT152-800R,127
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 20A; 13A; Igt: 3mA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 20A
Load current: 13A
Gate current: 3mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 200A
Turn-on time: 2µs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT169D,112 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7829252BF63ADA259&compId=BT169D.pdf?ci_sign=d7beb69c9b24b361ce7cc40b43467e3610086383 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5ADF7A47D1E60C7&compId=_ween_psg2020.pdf?ci_sign=468e6aeff5ff673b9b681e7e7132f302dc444c36
BT169D,112
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 400V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 50mA; TO92; THT; bulk; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.8A
Load current: 0.5A
Gate current: 50mA
Case: TO92
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 8A
Quantity in set/package: 1000pcs.
Turn-on time: 2µs
Kind of package: bulk
auf Bestellung 622 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
193+0.37 EUR
249+0.29 EUR
295+0.24 EUR
317+0.23 EUR
353+0.2 EUR
500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PHE13009,127 phe13009.pdf
PHE13009,127
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 361 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.93 EUR
86+0.84 EUR
105+0.68 EUR
119+0.6 EUR
250+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PHE13009/DG,127 phe13009.pdf
PHE13009/DG,127
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB; max.1.3mm
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Mounting: THT
Kind of package: tube
Heatsink thickness: max. 1.3mm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MAC97A6,116 mac97a6.pdf
MAC97A6,116
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 400V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MAC97A6,412 mac97a6.pdf
MAC97A6,412
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 400V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
242+0.3 EUR
307+0.23 EUR
463+0.15 EUR
658+0.11 EUR
1000+0.097 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA225-800B,127 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED782E3630A7D5E2259&compId=BTA225-800B.pdf?ci_sign=ede26d34fecd57b49c511c8ba7a0e033d417a336 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5ADF7A47D1E60C7&compId=_ween_psg2020.pdf?ci_sign=468e6aeff5ff673b9b681e7e7132f302dc444c36
BTA225-800B,127
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 25A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 190A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 25A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Technology: 3Q; Hi-Com
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Max. forward impulse current: 190A
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.67 EUR
39+1.84 EUR
50+1.46 EUR
100+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA204-800B,127 BTA204-800B__127.pdf bta204-800b.pdf
BTA204-800B,127
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 4A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 25A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 4A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 612 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
191+0.37 EUR
212+0.34 EUR
240+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT151-500R,127 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCA987E481E47100CE&compId=BT151-500R.pdf?ci_sign=53021a41efe6df2cfd78be5ab8da85cc9e781cfc
BT151-500R,127
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 12A; 7.5A; Igt: 2mA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 12A
Load current: 7.5A
Gate current: 2mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 120A
Turn-on time: 2µs
auf Bestellung 385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
75+0.96 EUR
122+0.59 EUR
140+0.51 EUR
156+0.46 EUR
172+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT151-500RT,127 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED782E3EC9B411DA259&compId=BT151-500RT.pdf?ci_sign=646a0c0eae3651e074fdbcf9a817b3e0865eac19 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5ADF7A47D1E60C7&compId=_ween_psg2020.pdf?ci_sign=468e6aeff5ff673b9b681e7e7132f302dc444c36
BT151-500RT,127
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 12.5A; 8A; Igt: 2mA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 12.5A
Load current: 8A
Gate current: 2mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 120A
Turn-on time: 2µs
auf Bestellung 3265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
90+0.8 EUR
137+0.52 EUR
171+0.42 EUR
190+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA41-800BQ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDC8C995B4B2C5580C8&compId=BTA41-800B.pdf?ci_sign=5b68d00c911742f8412fe3a949d74be2e53ddac5
BTA41-800BQ
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 40A; SOT1292,TO3P; Igt: 50/70mA; Ifsm: 400A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 40A
Case: SOT1292; TO3P
Gate current: 50/70mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 4Q
Max. forward impulse current: 0.4kA
Features of semiconductor devices: sensitive gate
auf Bestellung 504 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BT137-600,127
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 35/70mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 35/70mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 1011 Stücke:
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66+1.09 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT137-600/L01,127 bt137-600.pdf
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 35/70mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 35/70mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BT137-600D,127
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 5/10mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 5/10mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 784 Stücke:
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65+1.12 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT137-600E,127 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED782E314B5FC358259&compId=BT137-600E.pdf?ci_sign=2d11090da40b187b5e7f7689c75b0430bf626c78 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5ADF7A47D1E60C7&compId=_ween_psg2020.pdf?ci_sign=468e6aeff5ff673b9b681e7e7132f302dc444c36
BT137-600E,127
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 1029 Stücke:
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61+1.19 EUR
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146+0.49 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT137-600E/DG bt137-600e.pdf
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT137-600E/L01,127 bt137-600e.pdf
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 25A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT137-600G,127 bt137-600g.pdf
BT137-600G,127
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 50/100mA; Ifsm: 65A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 50/100mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 939 Stücke:
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71+1.02 EUR
97+0.74 EUR
137+0.52 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT137-600G0TQ bt137-600g0t.pdf
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 500V; 8A; TO220AB; Igt: 50/100mA; Ifsm: 65A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 50/100mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: high temperature
Mounting: THT
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA416Y-600C,127 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED782E378FD687E6259&compId=BTA416Y-600C.pdf?ci_sign=75906d40976f0ef203c86b12c5efc10b5b93ce35 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5ADF7A47D1E60C7&compId=_ween_psg2020.pdf?ci_sign=468e6aeff5ff673b9b681e7e7132f302dc444c36
BTA416Y-600C,127
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 160A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 160A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
auf Bestellung 901 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
66+1.09 EUR
82+0.88 EUR
94+0.77 EUR
100+0.72 EUR
250+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA41-600BQ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDC8C996F8521DE60C8&compId=BTA41-600B.pdf?ci_sign=53c2a3ba5b8fe3cb80a0aac194d3d175957a5112
BTA41-600BQ
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 40A; SOT1292,TO3P; Igt: 50/70mA; Ifsm: 400A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 40A
Case: SOT1292; TO3P
Gate current: 50/70mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 4Q
Max. forward impulse current: 0.4kA
Features of semiconductor devices: sensitive gate
auf Bestellung 862 Stücke:
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20+3.63 EUR
26+2.82 EUR
30+2.49 EUR
90+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA410Y-600BT,127 bta410y-600bt.pdf
BTA410Y-600BT,127
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 10A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 10A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA410Y-600CT,127 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A5F7DFEBC631274A&compId=BTA410Y-600CT.pdf?ci_sign=6f2844dad71462a80bf3b4f6f30c01341720d12a pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5ADF7A47D1E60C7&compId=_ween_psg2020.pdf?ci_sign=468e6aeff5ff673b9b681e7e7132f302dc444c36
BTA410Y-600CT,127
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 10A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 10A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.6 EUR
131+0.55 EUR
147+0.49 EUR
157+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA410Y-600ET,127 bta410y-600et.pdf
BTA410Y-600ET,127
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 10A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 10A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA410Y-800BT,127 bta410y-800bt.pdf
BTA410Y-800BT,127
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 10A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 10A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA410Y-800CT,127 bta410y-800ct.pdf
BTA410Y-800CT,127
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 10A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 10A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA412Y-600B,127 bta412y-600b.pdf
BTA412Y-600B,127
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 140A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
auf Bestellung 837 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
85+0.84 EUR
95+0.76 EUR
107+0.67 EUR
111+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA412Y-600C,127 bta412y-600c.pdf
BTA412Y-600C,127
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 140A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA412Y-600ETQ bta412y-600et.pdf
BTA412Y-600ETQ
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 140A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA412Y-800B,127 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA83EE354275B860C4&compId=BTA412Y_ser.pdf?ci_sign=77bf335049caca71bf403956a1751589c636d89a pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5ADF7A47D1E60C7&compId=_ween_psg2020.pdf?ci_sign=468e6aeff5ff673b9b681e7e7132f302dc444c36
BTA412Y-800B,127
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 140A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
auf Bestellung 874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.5 EUR
75+0.96 EUR
92+0.78 EUR
100+0.72 EUR
250+0.63 EUR
500+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA412Y-800C,127 568_BTA412Y-800C127.pdf
BTA412Y-800C,127
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 140A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT168G,112 bt168g.pdf
BT168G,112
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 50uA; TO92; THT; bulk; 2us
Mounting: THT
Case: TO92
Kind of package: bulk
Type of thyristor: thyristor
Turn-on time: 2µs
Gate current: 50µA
Load current: 0.5A
Max. load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 8A
Max. off-state voltage: 0.6kV
auf Bestellung 1755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.36 EUR
315+0.23 EUR
385+0.19 EUR
477+0.15 EUR
618+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT168GW,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A5F7AEF30867274A&compId=BT168GW.pdf?ci_sign=f600be21c83b6f813538322e7474bbab7bf5b54f pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5ADF7A47D1E60C7&compId=_ween_psg2020.pdf?ci_sign=468e6aeff5ff673b9b681e7e7132f302dc444c36
BT168GW,115
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 1A; 0.63A; Igt: 50uA; SOT223; SMD; reel,tape
Mounting: SMD
Case: SOT223
Kind of package: reel; tape
Type of thyristor: thyristor
Turn-on time: 2µs
Gate current: 50µA
Load current: 0.63A
Max. load current: 1A
Max. forward impulse current: 8A
Max. off-state voltage: 0.6kV
auf Bestellung 949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
139+0.51 EUR
209+0.34 EUR
244+0.29 EUR
353+0.2 EUR
500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT168GWF,115 bt168gwf.pdf
BT168GWF,115
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 1A; 0.63A; Igt: 450uA; SOT223; SMD; reel,tape
Mounting: SMD
Case: SOT223
Kind of package: reel; tape
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 450µA
Load current: 0.63A
Max. load current: 1A
Max. forward impulse current: 9A
Max. off-state voltage: 0.6kV
auf Bestellung 787 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
112+0.64 EUR
143+0.5 EUR
167+0.43 EUR
291+0.25 EUR
500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BT139X-600,127 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78291DF63C2568259&compId=BT139X-600.pdf?ci_sign=f0865fd3585a8578159a5a5c0d00944dfcf534a0 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5ADF7A47D1E60C7&compId=_ween_psg2020.pdf?ci_sign=468e6aeff5ff673b9b681e7e7132f302dc444c36
BT139X-600,127
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220FP; Igt: 35/70mA; Ifsm: 155A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220FP
Gate current: 35/70mA
Max. forward impulse current: 155A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
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Z0107MA,116 z0107ma.pdf
Z0107MA,116
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 3596 Stücke:
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125+0.57 EUR
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2000+0.12 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Z0107MA,412 z0107ma.pdf
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 7mA; Ifsm: 8.5A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 7mA
Max. forward impulse current: 8.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
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Z0107MN,135 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA8DEEAB67E8DC0D3&compId=Z0107MN.pdf?ci_sign=473ebbaa1f9b039849e0262cec111a9a944ed328
Z0107MN,135
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
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