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GBU406A-B1-0000 GBU406A-B1-0000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GBU4005A%20THRU%20GBU410A.pdf Description: RECT BRIDGE 600V 4A GBU
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GBU406-B1-0000HF GBU406-B1-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GBU4005%20THRU%20GBU410.pdf Description: RECT BRIDGE 600V 4A GBU
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GBU408A GBU408A Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GBU4005A%20THRU%20GBU410A.pdf Description: RECT BRIDGE 800V 4A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-ESIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GBU408A-B1-0000 GBU408A-B1-0000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GBU4005A%20THRU%20GBU410A.pdf Description: RECT BRIDGE 800V 4A GBU
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GBU408-B1-0000 GBU408-B1-0000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GBU4005%20THRU%20GBU410.pdf Description: RECT BRIDGE 800V 4A GBU
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GBU410A GBU410A Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GBU4005A%20THRU%20GBU410A.pdf Description: RECT BRIDGE 1000V 4A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-ESIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GBU410A-B1-0000 GBU410A-B1-0000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GBU4005A%20THRU%20GBU410A.pdf Description: RECT BRIDGE 1000V 4A GBU
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GBU410-B1-0000 GBU410-B1-0000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GBU4005%20THRU%20GBU410.pdf Description: RECT BRIDGE 1000V 4A GBU
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GBU606-B1-0000HF GBU606-B1-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GBU6005%20THRU%20GBU610.pdf Description: RECT BRIDGE 600V 6A GBU
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GBU608-B1-0000 GBU608-B1-0000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GBU6005%20THRU%20GBU610.pdf Description: RECT BRIDGE 800V 6A GBU
auf Bestellung 861 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.62 EUR
13+1.43 EUR
100+1.10 EUR
500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GBU610A GBU610A Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GBU6005A%20THRU%20GBU610A.pdf Description: RECT BRIDGE 1000V 6A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-ESIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GBU610A-B1-0000 GBU610A-B1-0000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GBU6005A%20THRU%20GBU610A.pdf Description: RECT BRIDGE 1000V 6A GBU
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GBU610-B1-0000 GBU610-B1-0000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GBU6005%20THRU%20GBU610.pdf Description: RECT BRIDGE 1000V 6A GBU
auf Bestellung 979 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.74 EUR
12+1.54 EUR
100+1.18 EUR
500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GBU806A GBU806A Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GBU8005A%20THRU%20GBU810A.pdf Description: RECT BRIDGE 600V 8A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-ESIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GBU808-B1-0000 GBU808-B1-0000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GBU8005%20THRU%20GBU810.pdf Description: RECT BRIDGE 800V 8A GBU
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GBU810A GBU810A Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GBU8005A%20THRU%20GBU810A.pdf Description: RECT BRIDGE 1000V 8A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-ESIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GBU810A-B1-0000 GBU810A-B1-0000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GBU8005A%20THRU%20GBU810A.pdf Description: RECT BRIDGE 1000V 8A GBU
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GBU810-B1-3000 GBU810-B1-3000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GBU8005%20THRU%20GBU810.pdf Description: RECT BRIDGE 1000V 8A GBU
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GR1D GR1D Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GR1A%20THRU%20GR1M.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GR1D GR1D Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GR1A%20THRU%20GR1M.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GR1D-F1-0000HF GR1D-F1-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GR1A%20THRU%20GR1M.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GR1D-F1-0000HF GR1D-F1-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GR1A%20THRU%20GR1M.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GR1M-F1-0000HF GR1M-F1-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GR1A%20THRU%20GR1M.pdf Description: DIODE GEN PURP 1000V 1A DO214AC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GR1M-F1-0000HF GR1M-F1-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GR1A%20THRU%20GR1M.pdf Description: DIODE GEN PURP 1000V 1A DO214AC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GR2JA-F1-3000HF GR2JA-F1-3000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GS2AA%20THRU%20GS2MA.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GR2JA-F1-3000HF GR2JA-F1-3000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GS2AA%20THRU%20GS2MA.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GR2M GR2M Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GR2A%20THRU%20GR2M.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GR2M GR2M Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GR2A%20THRU%20GR2M.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GR2MA GR2MA Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GS2AA%20THRU%20GS2MA.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GR2MA GR2MA Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GS2AA%20THRU%20GS2MA.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GR2M-F1-0000HF GR2M-F1-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GR2A%20THRU%20GR2M.pdf Description: DIODE GEN PURP 1000V 2A DO214AA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GR2M-F1-0000HF GR2M-F1-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GR2A%20THRU%20GR2M.pdf Description: DIODE GEN PURP 1000V 2A DO214AA
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GR3K GR3K Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GR3A%20THRU%20GR3M.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GR3K GR3K Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GR3A%20THRU%20GR3M.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GR3M GR3M Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GR3A%20THRU%20GR3M.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GR3M GR3M Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GR3A%20THRU%20GR3M.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GR3MB GR3MB Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GR3AB%20THRU%20GR3MB.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GR3MB GR3MB Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GR3AB%20THRU%20GR3MB.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
auf Bestellung 2747 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.58 EUR
41+0.43 EUR
100+0.25 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GR3MB-F1-0000HF GR3MB-F1-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GR3AB%20THRU%20GR3MB.pdf Description: DIODE GEN PURP 1000V 3A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GR3MB-F1-0000HF GR3MB-F1-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GR3AB%20THRU%20GR3MB.pdf Description: DIODE GEN PURP 1000V 3A DO214AA
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.65 EUR
36+0.50 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GR3M-F1-0000 GR3M-F1-0000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GR3A%20THRU%20GR3M.pdf Description: DIODE GEN PURP 1000V 3A DO214AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GR3M-F1-0000 GR3M-F1-0000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GR3A%20THRU%20GR3M.pdf Description: DIODE GEN PURP 1000V 3A DO214AB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GR5J-F1-0000 GR5J-F1-0000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GR5A%20THRU%20GR5M.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GR5J-F1-0000 GR5J-F1-0000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GR5A%20THRU%20GR5M.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS1G-F1-0000HF GS1G-F1-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GS1A%20THRU%20GS1M.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS1G-F1-0000HF GS1G-F1-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GS1A%20THRU%20GS1M.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS1J-F1-0000HF GS1J-F1-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GS1A%20THRU%20GS1M.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS1J-F1-0000HF GS1J-F1-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GS1A%20THRU%20GS1M.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS1K-F1-3000HF GS1K-F1-3000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GS1A%20THRU%20GS1M.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS1K-F1-3000HF GS1K-F1-3000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GS1A%20THRU%20GS1M.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS1M-F1-0000HF GS1M-F1-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GS1A%20THRU%20GS1M.pdf Description: DIODE GEN PURP 1000V 1A DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS1M-F1-0000HF GS1M-F1-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GS1A%20THRU%20GS1M.pdf Description: DIODE GEN PURP 1000V 1A DO214AC
auf Bestellung 4935 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.37 EUR
58+0.30 EUR
110+0.16 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.07 EUR
2000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS2D-F1-0000HF GS2D-F1-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GS2A%20THRU%20GS2M.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS2D-F1-0000HF GS2D-F1-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GS2A%20THRU%20GS2M.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS2MA GS2MA Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GS2AA%20THRU%20GS2MA.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.35 EUR
70+0.25 EUR
129+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS2MA GS2MA Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GS2AA%20THRU%20GS2MA.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
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GS2MA-F1-0000HF GS2MA-F1-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GS2AA%20THRU%20GS2MA.pdf Description: DIODE GEN PURP 1000V 2A DO214AC
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GS2MA-F1-0000HF GS2MA-F1-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GS2AA%20THRU%20GS2MA.pdf Description: DIODE GEN PURP 1000V 2A DO214AC
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GS2M-F1-0000HF GS2M-F1-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GS2A%20THRU%20GS2M.pdf Description: DIODE GEN PURP 1000V 2A DO214AC
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GS2M-F1-0000HF GS2M-F1-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GS2A%20THRU%20GS2M.pdf Description: DIODE GEN PURP 1000V 2A DO214AC
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GBU406A-B1-0000 GBU4005A%20THRU%20GBU410A.pdf
GBU406A-B1-0000
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: RECT BRIDGE 600V 4A GBU
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GBU406-B1-0000HF GBU4005%20THRU%20GBU410.pdf
GBU406-B1-0000HF
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: RECT BRIDGE 600V 4A GBU
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GBU408A GBU4005A%20THRU%20GBU410A.pdf
GBU408A
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: RECT BRIDGE 800V 4A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-ESIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
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GBU408A-B1-0000 GBU4005A%20THRU%20GBU410A.pdf
GBU408A-B1-0000
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: RECT BRIDGE 800V 4A GBU
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GBU408-B1-0000 GBU4005%20THRU%20GBU410.pdf
GBU408-B1-0000
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: RECT BRIDGE 800V 4A GBU
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GBU410A GBU4005A%20THRU%20GBU410A.pdf
GBU410A
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: RECT BRIDGE 1000V 4A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-ESIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
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GBU410A-B1-0000 GBU4005A%20THRU%20GBU410A.pdf
GBU410A-B1-0000
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: RECT BRIDGE 1000V 4A GBU
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GBU410-B1-0000 GBU4005%20THRU%20GBU410.pdf
GBU410-B1-0000
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: RECT BRIDGE 1000V 4A GBU
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GBU606-B1-0000HF GBU6005%20THRU%20GBU610.pdf
GBU606-B1-0000HF
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: RECT BRIDGE 600V 6A GBU
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GBU608-B1-0000 GBU6005%20THRU%20GBU610.pdf
GBU608-B1-0000
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: RECT BRIDGE 800V 6A GBU
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GBU610A GBU6005A%20THRU%20GBU610A.pdf
GBU610A
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: RECT BRIDGE 1000V 6A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-ESIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
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GBU610A-B1-0000 GBU6005A%20THRU%20GBU610A.pdf
GBU610A-B1-0000
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: RECT BRIDGE 1000V 6A GBU
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GBU610-B1-0000 GBU6005%20THRU%20GBU610.pdf
GBU610-B1-0000
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: RECT BRIDGE 1000V 6A GBU
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GBU806A GBU8005A%20THRU%20GBU810A.pdf
GBU806A
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: RECT BRIDGE 600V 8A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-ESIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
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GBU808-B1-0000 GBU8005%20THRU%20GBU810.pdf
GBU808-B1-0000
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: RECT BRIDGE 800V 8A GBU
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GBU810A GBU8005A%20THRU%20GBU810A.pdf
GBU810A
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: RECT BRIDGE 1000V 8A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-ESIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
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GBU810A-B1-0000 GBU8005A%20THRU%20GBU810A.pdf
GBU810A-B1-0000
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: RECT BRIDGE 1000V 8A GBU
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GBU810-B1-3000 GBU8005%20THRU%20GBU810.pdf
GBU810-B1-3000
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: RECT BRIDGE 1000V 8A GBU
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GR1D GR1A%20THRU%20GR1M.pdf
GR1D
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
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GR1D GR1A%20THRU%20GR1M.pdf
GR1D
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
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GR1D-F1-0000HF GR1A%20THRU%20GR1M.pdf
GR1D-F1-0000HF
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
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GR1D-F1-0000HF GR1A%20THRU%20GR1M.pdf
GR1D-F1-0000HF
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GR1M-F1-0000HF GR1A%20THRU%20GR1M.pdf
GR1M-F1-0000HF
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 1000V 1A DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GR1M-F1-0000HF GR1A%20THRU%20GR1M.pdf
GR1M-F1-0000HF
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 1000V 1A DO214AC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GR2JA-F1-3000HF GS2AA%20THRU%20GS2MA.pdf
GR2JA-F1-3000HF
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GR2JA-F1-3000HF GS2AA%20THRU%20GS2MA.pdf
GR2JA-F1-3000HF
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GR2M GR2A%20THRU%20GR2M.pdf
GR2M
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GR2M GR2A%20THRU%20GR2M.pdf
GR2M
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AA
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GR2MA GS2AA%20THRU%20GS2MA.pdf
GR2MA
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GR2MA GS2AA%20THRU%20GS2MA.pdf
GR2MA
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GR2M-F1-0000HF GR2A%20THRU%20GR2M.pdf
GR2M-F1-0000HF
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 1000V 2A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GR2M-F1-0000HF GR2A%20THRU%20GR2M.pdf
GR2M-F1-0000HF
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 1000V 2A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GR3K GR3A%20THRU%20GR3M.pdf
GR3K
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GR3K GR3A%20THRU%20GR3M.pdf
GR3K
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GR3M GR3A%20THRU%20GR3M.pdf
GR3M
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GR3M GR3A%20THRU%20GR3M.pdf
GR3M
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GR3MB GR3AB%20THRU%20GR3MB.pdf
GR3MB
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GR3MB GR3AB%20THRU%20GR3MB.pdf
GR3MB
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
auf Bestellung 2747 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+0.58 EUR
41+0.43 EUR
100+0.25 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.13 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GR3MB-F1-0000HF GR3AB%20THRU%20GR3MB.pdf
GR3MB-F1-0000HF
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 1000V 3A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GR3MB-F1-0000HF GR3AB%20THRU%20GR3MB.pdf
GR3MB-F1-0000HF
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 1000V 3A DO214AA
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+0.65 EUR
36+0.50 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GR3M-F1-0000 GR3A%20THRU%20GR3M.pdf
GR3M-F1-0000
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 1000V 3A DO214AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GR3M-F1-0000 GR3A%20THRU%20GR3M.pdf
GR3M-F1-0000
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 1000V 3A DO214AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GR5J-F1-0000 GR5A%20THRU%20GR5M.pdf
GR5J-F1-0000
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GR5J-F1-0000 GR5A%20THRU%20GR5M.pdf
GR5J-F1-0000
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS1G-F1-0000HF GS1A%20THRU%20GS1M.pdf
GS1G-F1-0000HF
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS1G-F1-0000HF GS1A%20THRU%20GS1M.pdf
GS1G-F1-0000HF
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS1J-F1-0000HF GS1A%20THRU%20GS1M.pdf
GS1J-F1-0000HF
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS1J-F1-0000HF GS1A%20THRU%20GS1M.pdf
GS1J-F1-0000HF
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS1K-F1-3000HF GS1A%20THRU%20GS1M.pdf
GS1K-F1-3000HF
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS1K-F1-3000HF GS1A%20THRU%20GS1M.pdf
GS1K-F1-3000HF
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS1M-F1-0000HF GS1A%20THRU%20GS1M.pdf
GS1M-F1-0000HF
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 1000V 1A DO214AC
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GS1M-F1-0000HF
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 1000V 1A DO214AC
auf Bestellung 4935 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+0.37 EUR
58+0.30 EUR
110+0.16 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.07 EUR
2000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 48
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GS2D-F1-0000HF GS2A%20THRU%20GS2M.pdf
GS2D-F1-0000HF
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AC
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GS2D-F1-0000HF GS2A%20THRU%20GS2M.pdf
GS2D-F1-0000HF
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AC
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GS2MA GS2AA%20THRU%20GS2MA.pdf
GS2MA
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.35 EUR
70+0.25 EUR
129+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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GS2MA
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
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Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 1000V 2A DO214AC
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GS2MA-F1-0000HF GS2AA%20THRU%20GS2MA.pdf
GS2MA-F1-0000HF
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 1000V 2A DO214AC
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+0.58 EUR
41+0.43 EUR
100+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 31
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GS2M-F1-0000HF
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 1000V 2A DO214AC
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GS2M-F1-0000HF GS2A%20THRU%20GS2M.pdf
GS2M-F1-0000HF
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 1000V 2A DO214AC
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