Produkte > ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR > Alle Produkte des Herstellers ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR (2099) > Seite 13 nach 35
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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AOK40B60D1 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
 Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 111W; TO247; Eoff: 0.3mJ; Eon: 1.55mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 111W Case: TO247 Mounting: THT Kind of package: tube Pulsed collector current: 140A Turn-on time: 53ns Turn-off time: 102ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter saturation voltage: 1.85V Turn-off switching energy: 0.3mJ Turn-on switching energy: 1.55mJ Gate charge: 45nC |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| AOK40B65GQ1 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 113W; TO247 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 113W Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 86nC Kind of package: tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
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AOK40B65H1 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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AOK40B65H1 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 150W; TO247; Eoff: 0.46mJ; Eon: 1.27mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 150W Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Turn-on time: 82ns Turn-off time: 173ns Collector-emitter saturation voltage: 1.9V Turn-off switching energy: 0.46mJ Turn-on switching energy: 1.27mJ |
auf Bestellung 118 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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AOK40B65H2AL | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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AOK40B65H2AL | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 105W; TO247; Eoff: 0.54mJ; Eon: 1.17mJ Type of transistor: IGBT Power dissipation: 105W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 61nC Pulsed collector current: 120A Turn-on time: 64ns Kind of package: tube Turn-off time: 152ns Gate-emitter voltage: ±30V Collector-emitter saturation voltage: 2.05V Collector current: 40A Turn-off switching energy: 0.54mJ Turn-on switching energy: 1.17mJ Collector-emitter voltage: 650V |
auf Bestellung 208 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| AOK40B65H2AL_002 | Alpha & Omega Semiconductor | AOK40B65H2AL_002 |
auf Bestellung 32640 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOK40B65HQ2 | Alpha & Omega Semiconductor |
Alpha IGBT and Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode |
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| AOK40B65HQ3 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 156W; TO247 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 156W Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 74nC Kind of package: tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
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AOK40B65M3 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 150W; TO247; Eoff: 0.5mJ; Eon: 1.3mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 150W Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 59nC Kind of package: tube Turn-on time: 80ns Turn-off time: 175ns Collector-emitter saturation voltage: 1.95V Turn-off switching energy: 0.5mJ Turn-on switching energy: 1.3mJ |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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AOK40N30L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 25A; TO247 Mounting: THT Gate charge: 60nC On-state resistance: 85mΩ Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±30V Drain current: 25A Type of transistor: N-MOSFET Case: TO247 Drain-source voltage: 300V Kind of channel: enhancement |
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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AOK42S60L | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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AOK50B60D1 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 125W; TO247; Eoff: 0.5mJ; Eon: 2.37mJ Mounting: THT Turn-on time: 98ns Kind of package: tube Case: TO247 Turn-off time: 104ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter saturation voltage: 1.85V Collector current: 50A Turn-off switching energy: 0.5mJ Turn-on switching energy: 2.37mJ Collector-emitter voltage: 600V Power dissipation: 125W Gate charge: 64nC Pulsed collector current: 168A Type of transistor: IGBT |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| AOK50B60D1 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 312000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
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AOK50B65H1 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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AOK53S60 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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AOK60B60D1 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 417mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| AOK60B65H2AL | Alpha & Omega Semiconductor |
650V, 60A Alpha IGBT With soft and fast recovery anti-parallel diode |
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
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AOK60B65H2AL | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 166W; TO247; Eoff: 1.17mJ; Eon: 2.36mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60A Power dissipation: 166W Case: TO247 Mounting: THT Kind of package: tube Pulsed collector current: 180A Turn-on time: 113ns Turn-off time: 270ns Gate-emitter voltage: ±30V Collector-emitter saturation voltage: 1.95V Turn-off switching energy: 1.17mJ Turn-on switching energy: 2.36mJ Gate charge: 84nC |
auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| AOK60N30L | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 300V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
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AOK8N80 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.4A; Idm: 26A; 245W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7.4A Power dissipation: 245W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.63Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 26A Gate charge: 26nC |
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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AOK9N90 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; Idm: 34A; 368W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 9A Power dissipation: 368W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 34A |
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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AOKS40B65H2AL | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 105W; TO247; Eoff: 0.54mJ; Eon: 1.17mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 105W Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 61nC Kind of package: tube Turn-on time: 64ns Turn-off time: 151ns Collector-emitter saturation voltage: 2.05V Turn-off switching energy: 0.54mJ Turn-on switching energy: 1.17mJ |
auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| AOL1240 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 69A 3-Pin Ultra SO T/R |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
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AOL1404G | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 46A 3-Pin Ultra SO T/R |
auf Bestellung 141000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOL1404G | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 46A; 20W; UltraSO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 46A Power dissipation: 20W Case: UltraSO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 4.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 31nC Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 30000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
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AOL1404G | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 46A 3-Pin Ultra SO T/R |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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AOL1404G | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 46A 3-Pin Ultra SO T/R |
auf Bestellung 141000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOL1454 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 3-Pin Ultra SO T/R |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
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AOL1454G | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 46A; 20.5W; UltraSO8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: UltraSO8 Mounting: SMD Gate charge: 20nC On-state resistance: 5.9mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 20.5W Drain-source voltage: 40V Drain current: 46A Polarisation: unipolar |
auf Bestellung 1206 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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AOM015V65X2 | Alpha & Omega Semiconductor |
SiC Silicon Carbide Power MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| AOM015V65X2 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 67A; Idm: 200A; 312W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 67A Power dissipation: 312W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -5...15V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Gate charge: 152nC Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Pulsed drain current: 200A Technology: SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| AOM015V75X2Q | Alpha & Omega Semiconductor |
Silicon Carbide (SiC) MOSFETs Automotive AEC-Q101 |
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| AOM020V120X2 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 348W Mounting: THT Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 348W Gate charge: 166nC Polarisation: unipolar Technology: SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Drain current: 63A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1.2kV Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -5...15V Kind of package: tube Case: TO247-4 On-state resistance: 32mΩ |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
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AOM020V120X2Q | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A |
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| AOM033V120X2 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 120A; 300W Mounting: THT Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 300W Gate charge: 104nC Polarisation: unipolar Technology: SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Drain current: 48A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1.2kV Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -5...15V Kind of package: tube Case: TO247-4 On-state resistance: 45mΩ |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
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AOM033V120X2Q | Alpha & Omega Semiconductor |
SiC Silicon Carbide Power MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| AOM033V120X2Q | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 120A; 300W Mounting: THT Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 300W Gate charge: 104nC Polarisation: unipolar Technology: SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Drain current: 48A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1.2kV Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -5...15V Kind of package: tube Case: TO247-4 On-state resistance: 45mΩ |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
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AOM060V65X2 | Alpha & Omega Semiconductor |
SiC Silicon Carbide Power MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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AOM065V120X2 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29.6A; Idm: 85A; 187.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 29.6A Power dissipation: 187.5W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -5...15V On-state resistance: 90mΩ Mounting: THT Gate charge: 62.3nC Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Pulsed drain current: 85A Technology: SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
auf Bestellung 237 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| AOM065V120X2Q | Alpha & Omega Semiconductor |
SiC Silicon Carbide Power MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| AOM065V120X2Q | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29.6A; Idm: 85A; 187.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 29.6A Power dissipation: 187.5W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -5...15V On-state resistance: 90mΩ Mounting: THT Gate charge: 62.3nC Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Kind of package: tube Pulsed drain current: 85A Technology: SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| AON1606 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 3-Pin DFN T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
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AON2240 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| AON2260 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 6-Pin DFN-B EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| AON2260 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 6-Pin DFN-B EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
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AON2290 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; 1.8W; DFN2x2B Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.5A Power dissipation: 1.8W Case: DFN2x2B Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 72mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.5nC Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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AON2290 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 6-Pin DFN-B EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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AON2403 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| AON2403 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6A; 1.8W; DFN6 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -6A Power dissipation: 1.8W Case: DFN6 Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Gate charge: 12.7nC Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| AON2405 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| AON2406 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| AON2408 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AON2408 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| AON2408 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AON2409 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
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AON2409 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.3A; 1.8W; DFN6 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -6.3A Power dissipation: 1.8W Case: DFN6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6nC Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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AON2411 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -15.5A; 3.2W; DFN2x2C; ESD Case: DFN2x2C Mounting: SMD On-state resistance: 8mΩ Power dissipation: 3.2W Gate charge: 20nC Polarisation: unipolar Version: ESD Drain current: -15.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -12V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±8V |
auf Bestellung 992 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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AON2801 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2A; 730mW; DFN6 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2A Power dissipation: 0.73W Case: DFN6 Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Gate charge: 5nC Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| AON2802 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 1.6A; 1.3W; DFN6 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.6A Power dissipation: 1.3W Case: DFN6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2.6nC Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| AOK40B60D1 |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 111W; TO247; Eoff: 0.3mJ; Eon: 1.55mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 111W
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 140A
Turn-on time: 53ns
Turn-off time: 102ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter saturation voltage: 1.85V
Turn-off switching energy: 0.3mJ
Turn-on switching energy: 1.55mJ
Gate charge: 45nC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 111W; TO247; Eoff: 0.3mJ; Eon: 1.55mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 111W
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 140A
Turn-on time: 53ns
Turn-off time: 102ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter saturation voltage: 1.85V
Turn-off switching energy: 0.3mJ
Turn-on switching energy: 1.55mJ
Gate charge: 45nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOK40B65GQ1 |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 113W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 113W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 113W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 113W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOK40B65H1 |
|
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOK40B65H1 |
|
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 150W; TO247; Eoff: 0.46mJ; Eon: 1.27mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 82ns
Turn-off time: 173ns
Collector-emitter saturation voltage: 1.9V
Turn-off switching energy: 0.46mJ
Turn-on switching energy: 1.27mJ
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 150W; TO247; Eoff: 0.46mJ; Eon: 1.27mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 82ns
Turn-off time: 173ns
Collector-emitter saturation voltage: 1.9V
Turn-off switching energy: 0.46mJ
Turn-on switching energy: 1.27mJ
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| AOK40B65H2AL |
|
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOK40B65H2AL |
|
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 105W; TO247; Eoff: 0.54mJ; Eon: 1.17mJ
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 105W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 64ns
Kind of package: tube
Turn-off time: 152ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter saturation voltage: 2.05V
Collector current: 40A
Turn-off switching energy: 0.54mJ
Turn-on switching energy: 1.17mJ
Collector-emitter voltage: 650V
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 105W; TO247; Eoff: 0.54mJ; Eon: 1.17mJ
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 105W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 64ns
Kind of package: tube
Turn-off time: 152ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter saturation voltage: 2.05V
Collector current: 40A
Turn-off switching energy: 0.54mJ
Turn-on switching energy: 1.17mJ
Collector-emitter voltage: 650V
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| AOK40B65H2AL_002 |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
AOK40B65H2AL_002
AOK40B65H2AL_002
auf Bestellung 32640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 240+ | 3.31 EUR |
| 8160+ | 3 EUR |
| 16320+ | 2.75 EUR |
| 24480+ | 2.55 EUR |
| AOK40B65HQ2 |
|
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Alpha IGBT and Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode
Alpha IGBT and Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOK40B65HQ3 |
|
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 156W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 156W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 156W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 156W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOK40B65M3 |
|
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 150W; TO247; Eoff: 0.5mJ; Eon: 1.3mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 59nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 80ns
Turn-off time: 175ns
Collector-emitter saturation voltage: 1.95V
Turn-off switching energy: 0.5mJ
Turn-on switching energy: 1.3mJ
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 150W; TO247; Eoff: 0.5mJ; Eon: 1.3mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 59nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 80ns
Turn-off time: 175ns
Collector-emitter saturation voltage: 1.95V
Turn-off switching energy: 0.5mJ
Turn-on switching energy: 1.3mJ
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOK40N30L |
|
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 25A; TO247
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 85mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 25A
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247
Drain-source voltage: 300V
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 25A; TO247
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 85mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 25A
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247
Drain-source voltage: 300V
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOK42S60L |
|
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOK50B60D1 |
|
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 125W; TO247; Eoff: 0.5mJ; Eon: 2.37mJ
Mounting: THT
Turn-on time: 98ns
Kind of package: tube
Case: TO247
Turn-off time: 104ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter saturation voltage: 1.85V
Collector current: 50A
Turn-off switching energy: 0.5mJ
Turn-on switching energy: 2.37mJ
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 125W
Gate charge: 64nC
Pulsed collector current: 168A
Type of transistor: IGBT
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 125W; TO247; Eoff: 0.5mJ; Eon: 2.37mJ
Mounting: THT
Turn-on time: 98ns
Kind of package: tube
Case: TO247
Turn-off time: 104ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter saturation voltage: 1.85V
Collector current: 50A
Turn-off switching energy: 0.5mJ
Turn-on switching energy: 2.37mJ
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 125W
Gate charge: 64nC
Pulsed collector current: 168A
Type of transistor: IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOK50B60D1 |
|
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 312000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 312000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOK50B65H1 |
|
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOK53S60 |
|
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOK60B60D1 |
|
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 417mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 417mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOK60B65H2AL |
|
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
650V, 60A Alpha IGBT With soft and fast recovery anti-parallel diode
650V, 60A Alpha IGBT With soft and fast recovery anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOK60B65H2AL |
|
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 166W; TO247; Eoff: 1.17mJ; Eon: 2.36mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 180A
Turn-on time: 113ns
Turn-off time: 270ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter saturation voltage: 1.95V
Turn-off switching energy: 1.17mJ
Turn-on switching energy: 2.36mJ
Gate charge: 84nC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 166W; TO247; Eoff: 1.17mJ; Eon: 2.36mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 180A
Turn-on time: 113ns
Turn-off time: 270ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter saturation voltage: 1.95V
Turn-off switching energy: 1.17mJ
Turn-on switching energy: 2.36mJ
Gate charge: 84nC
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| AOK60N30L |
|
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 300V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH 300V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOK8N80 |
|
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.4A; Idm: 26A; 245W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.4A
Power dissipation: 245W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.63Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 26A
Gate charge: 26nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.4A; Idm: 26A; 245W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.4A
Power dissipation: 245W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.63Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 26A
Gate charge: 26nC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOK9N90 |
|
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; Idm: 34A; 368W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Power dissipation: 368W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 34A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; Idm: 34A; 368W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Power dissipation: 368W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 34A
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOKS40B65H2AL |
|
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 105W; TO247; Eoff: 0.54mJ; Eon: 1.17mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 105W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 151ns
Collector-emitter saturation voltage: 2.05V
Turn-off switching energy: 0.54mJ
Turn-on switching energy: 1.17mJ
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 105W; TO247; Eoff: 0.54mJ; Eon: 1.17mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 105W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 151ns
Collector-emitter saturation voltage: 2.05V
Turn-off switching energy: 0.54mJ
Turn-on switching energy: 1.17mJ
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| AOL1240 |
|
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 69A 3-Pin Ultra SO T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 69A 3-Pin Ultra SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOL1404G |
|
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 46A 3-Pin Ultra SO T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 46A 3-Pin Ultra SO T/R
auf Bestellung 141000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.18 EUR |
| AOL1404G |
|
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 46A; 20W; UltraSO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 46A
Power dissipation: 20W
Case: UltraSO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 46A; 20W; UltraSO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 46A
Power dissipation: 20W
Case: UltraSO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOL1404G |
|
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 46A 3-Pin Ultra SO T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 46A 3-Pin Ultra SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOL1404G |
|
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 46A 3-Pin Ultra SO T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 46A 3-Pin Ultra SO T/R
auf Bestellung 141000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.18 EUR |
| AOL1454 |
|
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 3-Pin Ultra SO T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 3-Pin Ultra SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOL1454G |
|
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 46A; 20.5W; UltraSO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: UltraSO8
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 5.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 20.5W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 46A
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 46A; 20.5W; UltraSO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: UltraSO8
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 5.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 20.5W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 46A
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 1206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| AOM015V65X2 |
|
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
SiC Silicon Carbide Power MOSFET
SiC Silicon Carbide Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOM015V65X2 |
|
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 67A; Idm: 200A; 312W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 67A
Power dissipation: 312W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 200A
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 67A; Idm: 200A; 312W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 67A
Power dissipation: 312W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 200A
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOM015V75X2Q |
|
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Silicon Carbide (SiC) MOSFETs Automotive AEC-Q101
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| AOM020V120X2 |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 348W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 348W
Gate charge: 166nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 63A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 32mΩ
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 348W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 348W
Gate charge: 166nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 63A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 32mΩ
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| AOM020V120X2Q |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A
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Stück im Wert von UAH
| AOM033V120X2 |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 120A; 300W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Gate charge: 104nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 48A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 45mΩ
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 120A; 300W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Gate charge: 104nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 48A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 45mΩ
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| AOM033V120X2Q |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
SiC Silicon Carbide Power MOSFET
SiC Silicon Carbide Power MOSFET
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Stück im Wert von UAH
| AOM033V120X2Q |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 120A; 300W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Gate charge: 104nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 48A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 45mΩ
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 120A; 300W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Gate charge: 104nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 48A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 45mΩ
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| AOM060V65X2 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
SiC Silicon Carbide Power MOSFET
SiC Silicon Carbide Power MOSFET
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Stück im Wert von UAH
| AOM065V120X2 |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29.6A; Idm: 85A; 187.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29.6A
Power dissipation: 187.5W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62.3nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 85A
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29.6A; Idm: 85A; 187.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29.6A
Power dissipation: 187.5W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62.3nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 85A
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
auf Bestellung 237 Stücke:
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| AOM065V120X2Q |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
SiC Silicon Carbide Power MOSFET
SiC Silicon Carbide Power MOSFET
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Stück im Wert von UAH
| AOM065V120X2Q |
|
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29.6A; Idm: 85A; 187.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29.6A
Power dissipation: 187.5W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62.3nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 85A
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29.6A; Idm: 85A; 187.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29.6A
Power dissipation: 187.5W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62.3nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 85A
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
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| AON1606 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 3-Pin DFN T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 3-Pin DFN T/R
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Stück im Wert von UAH
| AON2240 |
|
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R
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Stück im Wert von UAH
| AON2260 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 6-Pin DFN-B EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 6-Pin DFN-B EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| AON2260 |
|
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 6-Pin DFN-B EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 6-Pin DFN-B EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| AON2290 |
|
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; 1.8W; DFN2x2B
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 1.8W
Case: DFN2x2B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; 1.8W; DFN2x2B
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 1.8W
Case: DFN2x2B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| AON2290 |
|
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 6-Pin DFN-B EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 6-Pin DFN-B EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| AON2403 |
|
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R
Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AON2403 |
|
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6A; 1.8W; DFN6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -6A
Power dissipation: 1.8W
Case: DFN6
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Gate charge: 12.7nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6A; 1.8W; DFN6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -6A
Power dissipation: 1.8W
Case: DFN6
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Gate charge: 12.7nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| AON2405 |
|
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AON2406 |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AON2408 |
|
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.5 EUR |
| AON2408 |
|
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AON2408 |
|
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.71 EUR |
| AON2409 |
|
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AON2409 |
|
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.3A; 1.8W; DFN6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.3A
Power dissipation: 1.8W
Case: DFN6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.3A; 1.8W; DFN6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.3A
Power dissipation: 1.8W
Case: DFN6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AON2411 |
|
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -15.5A; 3.2W; DFN2x2C; ESD
Case: DFN2x2C
Mounting: SMD
On-state resistance: 8mΩ
Power dissipation: 3.2W
Gate charge: 20nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: -15.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -12V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -15.5A; 3.2W; DFN2x2C; ESD
Case: DFN2x2C
Mounting: SMD
On-state resistance: 8mΩ
Power dissipation: 3.2W
Gate charge: 20nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: -15.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -12V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
auf Bestellung 992 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| AON2801 |
|
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2A; 730mW; DFN6
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.73W
Case: DFN6
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of channel: enhancement
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2A; 730mW; DFN6
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.73W
Case: DFN6
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AON2802 |
|
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 1.6A; 1.3W; DFN6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: DFN6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.6nC
Kind of channel: enhancement
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 1.6A; 1.3W; DFN6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: DFN6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.6nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH