Produkte > ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR > Alle Produkte des Herstellers ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR (1786) > Seite 13 nach 30
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AOK60B65H2AL | Alpha & Omega Semiconductor |
650V, 60A Alpha IGBT With soft and fast recovery anti-parallel diode |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
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AOK60B65H2AL | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 166W; TO247; Eoff: 1.17mJ; Eon: 2.36mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60A Power dissipation: 166W Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 180A Mounting: THT Gate charge: 84nC Kind of package: tube Turn-off time: 270ns Turn-on time: 113ns Turn-off switching energy: 1.17mJ Turn-on switching energy: 2.36mJ Collector-emitter saturation voltage: 1.95V |
auf Bestellung 333 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOK60B65H2AL | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 166W; TO247; Eoff: 1.17mJ; Eon: 2.36mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60A Power dissipation: 166W Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 180A Mounting: THT Gate charge: 84nC Kind of package: tube Turn-off time: 270ns Turn-on time: 113ns Turn-off switching energy: 1.17mJ Turn-on switching energy: 2.36mJ Collector-emitter saturation voltage: 1.95V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 333 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AOK60B65M3 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 250W; TO247; Eoff: 1.3mJ; Eon: 2.6mJ Type of transistor: IGBT Power dissipation: 250W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 106nC Kind of package: tube Turn-on time: 125ns Turn-off time: 285ns Turn-off switching energy: 1.3mJ Turn-on switching energy: 2.6mJ Collector-emitter saturation voltage: 1.94V Collector current: 60A Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 180A Collector-emitter voltage: 650V |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOK60B65M3 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 250W; TO247; Eoff: 1.3mJ; Eon: 2.6mJ Type of transistor: IGBT Power dissipation: 250W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 106nC Kind of package: tube Turn-on time: 125ns Turn-off time: 285ns Turn-off switching energy: 1.3mJ Turn-on switching energy: 2.6mJ Collector-emitter saturation voltage: 1.94V Collector current: 60A Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 180A Collector-emitter voltage: 650V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOK60N30L | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 300V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| AOK75B60D1 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
AOK75B60D1 THT IGBT transistors |
auf Bestellung 190 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOK75B65H1 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
AOK75B65H1 THT IGBT transistors |
auf Bestellung 194 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOK8N80 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.4A; Idm: 26A; 245W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7.4A Power dissipation: 245W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.63Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 26A Gate charge: 26nC |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| AOK9N90 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; Idm: 34A; 368W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 9A Pulsed drain current: 34A Power dissipation: 368W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| AOKS40B65H2AL | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
AOKS40B65H2AL THT IGBT transistors |
auf Bestellung 174 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOL1240 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 69A 3-Pin Ultra SO T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
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AOL1404G | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 46A 3-Pin Ultra SO T/R |
auf Bestellung 141000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOL1404G | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 46A; 20W; UltraSO8 Case: UltraSO8 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Power dissipation: 20W Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V Drain current: 46A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 31nC On-state resistance: 4.6mΩ |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
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AOL1404G | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 46A 3-Pin Ultra SO T/R |
auf Bestellung 141000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOL1404G | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 46A 3-Pin Ultra SO T/R |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| AOL1454 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 3-Pin Ultra SO T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| AOL1454G | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
AOL1454G SMD N channel transistors |
auf Bestellung 1207 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AOM015V65X2 | Alpha & Omega Semiconductor |
SiC Silicon Carbide Power MOSFET |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| AOM015V75X2Q | Alpha & Omega Semiconductor |
Silicon Carbide (SiC) MOSFETs Automotive AEC-Q101 |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| AOM020V120X2 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 348W Kind of channel: enhancement Mounting: THT Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Case: TO247-4 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...15V Gate charge: 166nC On-state resistance: 32mΩ Drain current: 63A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 348W Drain-source voltage: 1.2kV |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
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AOM020V120X2Q | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A |
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| AOM033V120X2 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 120A; 300W Kind of package: tube Mounting: THT Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Case: TO247-4 Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...15V Gate charge: 104nC On-state resistance: 45mΩ Drain current: 48A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 300W Drain-source voltage: 1.2kV |
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AOM033V120X2Q | Alpha & Omega Semiconductor |
SiC Silicon Carbide Power MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| AOM033V120X2Q | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 120A; 300W Application: automotive industry Kind of package: tube Mounting: THT Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Case: TO247-4 Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...15V Gate charge: 104nC On-state resistance: 45mΩ Drain current: 48A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 300W Drain-source voltage: 1.2kV |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
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AOM060V65X2 | Alpha & Omega Semiconductor |
SiC Silicon Carbide Power MOSFET |
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AOM065V120X2 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29.6A; Idm: 85A; 187.5W Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Case: TO247-4 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...15V Gate charge: 62.3nC On-state resistance: 90mΩ Drain current: 29.6A Pulsed drain current: 85A Power dissipation: 187.5W Drain-source voltage: 1.2kV |
auf Bestellung 237 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOM065V120X2 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29.6A; Idm: 85A; 187.5W Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Case: TO247-4 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...15V Gate charge: 62.3nC On-state resistance: 90mΩ Drain current: 29.6A Pulsed drain current: 85A Power dissipation: 187.5W Drain-source voltage: 1.2kV Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 237 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOM065V120X2Q | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29.6A; Idm: 85A; 187.5W Kind of channel: enhancement Mounting: THT Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Case: TO247-4 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...15V Gate charge: 62.3nC On-state resistance: 90mΩ Drain current: 29.6A Pulsed drain current: 85A Power dissipation: 187.5W Drain-source voltage: 1.2kV Application: automotive industry |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| AOM065V120X2Q | Alpha & Omega Semiconductor |
SiC Silicon Carbide Power MOSFET |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| AON1606 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 3-Pin DFN T/R |
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AON2240 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| AON2240 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 6A; 1.8W; DFN2x2B Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 6A Power dissipation: 1.8W Case: DFN2x2B Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 21mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.5nC Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| AON2260 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 6-Pin DFN-B EP T/R |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
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AON2260 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.7A; 1.8W; DFN2x2B Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.7A Power dissipation: 1.8W Case: DFN2x2B Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| AON2260 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 6-Pin DFN-B EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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AON2290 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 6-Pin DFN-B EP T/R |
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AON2290 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; 1.8W; DFN2x2B Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.5A Power dissipation: 1.8W Case: DFN2x2B Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 72mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.5nC Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 2520 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AON2290 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 6-Pin DFN-B EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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AON2290 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; 1.8W; DFN2x2B Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.5A Power dissipation: 1.8W Case: DFN2x2B Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 72mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.5nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2520 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AON2403 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| AON2403 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| AON2405 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| AON2406 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6A; 1.8W; DFN2x2B Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 6A Power dissipation: 1.8W Case: DFN2x2B Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 12.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12.5nC Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| AON2406 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| AON2408 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6A; 1.8W; DFN2x2B Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 6A Power dissipation: 1.8W Case: DFN2x2B Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 14.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7nC Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| AON2408 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| AON2408 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AON2408 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AON2409 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| AON2410 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; 1.8W; DFN2x2B Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 6A Power dissipation: 1.8W Case: DFN2x2B Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 21mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8nC Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
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AON2411 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -15.5A; 3.2W; DFN2x2C; ESD Case: DFN2x2C Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Drain current: -15.5A Drain-source voltage: -12V Gate charge: 20nC On-state resistance: 8mΩ Power dissipation: 3.2W Gate-source voltage: ±8V Polarisation: unipolar |
auf Bestellung 1925 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AON2411 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -15.5A; 3.2W; DFN2x2C; ESD Case: DFN2x2C Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Drain current: -15.5A Drain-source voltage: -12V Gate charge: 20nC On-state resistance: 8mΩ Power dissipation: 3.2W Gate-source voltage: ±8V Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1925 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AON2420 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; 1.8W; DFN2x2B Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 6A Power dissipation: 1.8W Case: DFN2x2B Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.3nC Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| AON2803 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin DFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| AON2810 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2A 6-Pin DFN-A EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
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AON2812 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin DFN-A EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| AON3402 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
AON3402 SMD N channel transistors |
auf Bestellung 2535 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AON3414 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-Pin DFN T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| AON3414 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
AON3414 SMD N channel transistors |
auf Bestellung 2995 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOK60B65H2AL |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
650V, 60A Alpha IGBT With soft and fast recovery anti-parallel diode
650V, 60A Alpha IGBT With soft and fast recovery anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOK60B65H2AL |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 166W; TO247; Eoff: 1.17mJ; Eon: 2.36mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 270ns
Turn-on time: 113ns
Turn-off switching energy: 1.17mJ
Turn-on switching energy: 2.36mJ
Collector-emitter saturation voltage: 1.95V
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 166W; TO247; Eoff: 1.17mJ; Eon: 2.36mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 270ns
Turn-on time: 113ns
Turn-off switching energy: 1.17mJ
Turn-on switching energy: 2.36mJ
Collector-emitter saturation voltage: 1.95V
auf Bestellung 333 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 23+ | 3.25 EUR |
| 25+ | 2.92 EUR |
| 28+ | 2.57 EUR |
| 90+ | 2.33 EUR |
| 240+ | 2.16 EUR |
| AOK60B65H2AL |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 166W; TO247; Eoff: 1.17mJ; Eon: 2.36mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 270ns
Turn-on time: 113ns
Turn-off switching energy: 1.17mJ
Turn-on switching energy: 2.36mJ
Collector-emitter saturation voltage: 1.95V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 166W; TO247; Eoff: 1.17mJ; Eon: 2.36mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 270ns
Turn-on time: 113ns
Turn-off switching energy: 1.17mJ
Turn-on switching energy: 2.36mJ
Collector-emitter saturation voltage: 1.95V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 333 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 23+ | 3.25 EUR |
| 25+ | 2.92 EUR |
| 28+ | 2.57 EUR |
| 90+ | 2.33 EUR |
| 240+ | 2.16 EUR |
| AOK60B65M3 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 250W; TO247; Eoff: 1.3mJ; Eon: 2.6mJ
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 285ns
Turn-off switching energy: 1.3mJ
Turn-on switching energy: 2.6mJ
Collector-emitter saturation voltage: 1.94V
Collector current: 60A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 650V
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 250W; TO247; Eoff: 1.3mJ; Eon: 2.6mJ
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 285ns
Turn-off switching energy: 1.3mJ
Turn-on switching energy: 2.6mJ
Collector-emitter saturation voltage: 1.94V
Collector current: 60A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 650V
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 35.75 EUR |
| AOK60B65M3 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 250W; TO247; Eoff: 1.3mJ; Eon: 2.6mJ
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 285ns
Turn-off switching energy: 1.3mJ
Turn-on switching energy: 2.6mJ
Collector-emitter saturation voltage: 1.94V
Collector current: 60A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 250W; TO247; Eoff: 1.3mJ; Eon: 2.6mJ
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 285ns
Turn-off switching energy: 1.3mJ
Turn-on switching energy: 2.6mJ
Collector-emitter saturation voltage: 1.94V
Collector current: 60A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 35.75 EUR |
| 3+ | 23.84 EUR |
| 10+ | 7.15 EUR |
| 90+ | 4.66 EUR |
| 240+ | 4.33 EUR |
| AOK60N30L |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 300V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH 300V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOK75B60D1 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
AOK75B60D1 THT IGBT transistors
AOK75B60D1 THT IGBT transistors
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 9+ | 7.98 EUR |
| 13+ | 5.58 EUR |
| 240+ | 5.49 EUR |
| AOK75B65H1 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
AOK75B65H1 THT IGBT transistors
AOK75B65H1 THT IGBT transistors
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 11+ | 6.75 EUR |
| 16+ | 4.49 EUR |
| 17+ | 4.25 EUR |
| AOK8N80 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.4A; Idm: 26A; 245W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.4A
Power dissipation: 245W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.63Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 26A
Gate charge: 26nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.4A; Idm: 26A; 245W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.4A
Power dissipation: 245W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.63Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 26A
Gate charge: 26nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOK9N90 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; Idm: 34A; 368W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 368W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; Idm: 34A; 368W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 368W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOKS40B65H2AL |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
AOKS40B65H2AL THT IGBT transistors
AOKS40B65H2AL THT IGBT transistors
auf Bestellung 174 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 21+ | 3.46 EUR |
| 32+ | 2.26 EUR |
| 34+ | 2.13 EUR |
| AOL1240 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 69A 3-Pin Ultra SO T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 69A 3-Pin Ultra SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOL1404G |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 46A 3-Pin Ultra SO T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 46A 3-Pin Ultra SO T/R
auf Bestellung 141000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.15 EUR |
| AOL1404G |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 46A; 20W; UltraSO8
Case: UltraSO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 20W
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 46A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 31nC
On-state resistance: 4.6mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 46A; 20W; UltraSO8
Case: UltraSO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 20W
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 46A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 31nC
On-state resistance: 4.6mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOL1404G |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 46A 3-Pin Ultra SO T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 46A 3-Pin Ultra SO T/R
auf Bestellung 141000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.15 EUR |
| AOL1404G |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 46A 3-Pin Ultra SO T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 46A 3-Pin Ultra SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOL1454 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 3-Pin Ultra SO T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 3-Pin Ultra SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOL1454G |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
AOL1454G SMD N channel transistors
AOL1454G SMD N channel transistors
auf Bestellung 1207 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 72+ | 1 EUR |
| 220+ | 0.33 EUR |
| 232+ | 0.31 EUR |
| AOM015V65X2 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
SiC Silicon Carbide Power MOSFET
SiC Silicon Carbide Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOM015V75X2Q |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Silicon Carbide (SiC) MOSFETs Automotive AEC-Q101
Silicon Carbide (SiC) MOSFETs Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOM020V120X2 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 348W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 166nC
On-state resistance: 32mΩ
Drain current: 63A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 348W
Drain-source voltage: 1.2kV
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 348W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 166nC
On-state resistance: 32mΩ
Drain current: 63A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 348W
Drain-source voltage: 1.2kV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOM020V120X2Q |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOM033V120X2 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 120A; 300W
Kind of package: tube
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Case: TO247-4
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 104nC
On-state resistance: 45mΩ
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Drain-source voltage: 1.2kV
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 120A; 300W
Kind of package: tube
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Case: TO247-4
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 104nC
On-state resistance: 45mΩ
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Drain-source voltage: 1.2kV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOM033V120X2Q |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
SiC Silicon Carbide Power MOSFET
SiC Silicon Carbide Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOM033V120X2Q |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 120A; 300W
Application: automotive industry
Kind of package: tube
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Case: TO247-4
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 104nC
On-state resistance: 45mΩ
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Drain-source voltage: 1.2kV
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 120A; 300W
Application: automotive industry
Kind of package: tube
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Case: TO247-4
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 104nC
On-state resistance: 45mΩ
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Drain-source voltage: 1.2kV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOM060V65X2 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
SiC Silicon Carbide Power MOSFET
SiC Silicon Carbide Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOM065V120X2 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29.6A; Idm: 85A; 187.5W
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 62.3nC
On-state resistance: 90mΩ
Drain current: 29.6A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 187.5W
Drain-source voltage: 1.2kV
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29.6A; Idm: 85A; 187.5W
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 62.3nC
On-state resistance: 90mΩ
Drain current: 29.6A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 187.5W
Drain-source voltage: 1.2kV
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 14.73 EUR |
| 6+ | 13.21 EUR |
| 10+ | 12.3 EUR |
| 30+ | 12 EUR |
| AOM065V120X2 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29.6A; Idm: 85A; 187.5W
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 62.3nC
On-state resistance: 90mΩ
Drain current: 29.6A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 187.5W
Drain-source voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29.6A; Idm: 85A; 187.5W
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 62.3nC
On-state resistance: 90mΩ
Drain current: 29.6A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 187.5W
Drain-source voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 14.73 EUR |
| 6+ | 13.21 EUR |
| 10+ | 12.3 EUR |
| 30+ | 12 EUR |
| AOM065V120X2Q |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29.6A; Idm: 85A; 187.5W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 62.3nC
On-state resistance: 90mΩ
Drain current: 29.6A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 187.5W
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29.6A; Idm: 85A; 187.5W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 62.3nC
On-state resistance: 90mΩ
Drain current: 29.6A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 187.5W
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOM065V120X2Q |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
SiC Silicon Carbide Power MOSFET
SiC Silicon Carbide Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AON1606 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 3-Pin DFN T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 3-Pin DFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AON2240 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AON2240 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 6A; 1.8W; DFN2x2B
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 6A
Power dissipation: 1.8W
Case: DFN2x2B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 6A; 1.8W; DFN2x2B
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 6A
Power dissipation: 1.8W
Case: DFN2x2B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AON2260 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 6-Pin DFN-B EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 6-Pin DFN-B EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AON2260 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.7A; 1.8W; DFN2x2B
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.7A
Power dissipation: 1.8W
Case: DFN2x2B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.7A; 1.8W; DFN2x2B
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.7A
Power dissipation: 1.8W
Case: DFN2x2B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AON2260 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 6-Pin DFN-B EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 6-Pin DFN-B EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AON2290 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 6-Pin DFN-B EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 6-Pin DFN-B EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AON2290 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; 1.8W; DFN2x2B
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 1.8W
Case: DFN2x2B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; 1.8W; DFN2x2B
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 1.8W
Case: DFN2x2B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 250+ | 0.29 EUR |
| 368+ | 0.19 EUR |
| 394+ | 0.18 EUR |
| 414+ | 0.17 EUR |
| 500+ | 0.15 EUR |
| AON2290 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 6-Pin DFN-B EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 6-Pin DFN-B EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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| AON2290 |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; 1.8W; DFN2x2B
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 1.8W
Case: DFN2x2B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; 1.8W; DFN2x2B
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 1.8W
Case: DFN2x2B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2520 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 250+ | 0.29 EUR |
| 368+ | 0.19 EUR |
| 394+ | 0.18 EUR |
| 414+ | 0.17 EUR |
| 500+ | 0.15 EUR |
| AON2403 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| AON2403 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R
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| AON2405 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| AON2406 |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6A; 1.8W; DFN2x2B
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6A
Power dissipation: 1.8W
Case: DFN2x2B
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.5nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6A; 1.8W; DFN2x2B
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6A
Power dissipation: 1.8W
Case: DFN2x2B
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.5nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
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| AON2406 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| AON2408 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6A; 1.8W; DFN2x2B
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6A
Power dissipation: 1.8W
Case: DFN2x2B
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6A; 1.8W; DFN2x2B
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6A
Power dissipation: 1.8W
Case: DFN2x2B
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| AON2408 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AON2408 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.4 EUR |
| AON2408 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.58 EUR |
| AON2409 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AON2410 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; 1.8W; DFN2x2B
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
Power dissipation: 1.8W
Case: DFN2x2B
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; 1.8W; DFN2x2B
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
Power dissipation: 1.8W
Case: DFN2x2B
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AON2411 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -15.5A; 3.2W; DFN2x2C; ESD
Case: DFN2x2C
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: -15.5A
Drain-source voltage: -12V
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 8mΩ
Power dissipation: 3.2W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -15.5A; 3.2W; DFN2x2C; ESD
Case: DFN2x2C
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: -15.5A
Drain-source voltage: -12V
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 8mΩ
Power dissipation: 3.2W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 1925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 228+ | 0.31 EUR |
| 256+ | 0.28 EUR |
| 290+ | 0.25 EUR |
| 500+ | 0.24 EUR |
| AON2411 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -15.5A; 3.2W; DFN2x2C; ESD
Case: DFN2x2C
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: -15.5A
Drain-source voltage: -12V
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 8mΩ
Power dissipation: 3.2W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -15.5A; 3.2W; DFN2x2C; ESD
Case: DFN2x2C
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: -15.5A
Drain-source voltage: -12V
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 8mΩ
Power dissipation: 3.2W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1925 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 228+ | 0.31 EUR |
| 256+ | 0.28 EUR |
| 290+ | 0.25 EUR |
| 500+ | 0.24 EUR |
| AON2420 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; 1.8W; DFN2x2B
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
Power dissipation: 1.8W
Case: DFN2x2B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; 1.8W; DFN2x2B
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
Power dissipation: 1.8W
Case: DFN2x2B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AON2803 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin DFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AON2810 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2A 6-Pin DFN-A EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 2A 6-Pin DFN-A EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AON2812 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin DFN-A EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin DFN-A EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AON3402 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
AON3402 SMD N channel transistors
AON3402 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2535 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 143+ | 0.5 EUR |
| 180+ | 0.4 EUR |
| 190+ | 0.38 EUR |
| 3000+ | 0.37 EUR |
| AON3414 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-Pin DFN T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-Pin DFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AON3414 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
AON3414 SMD N channel transistors
AON3414 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 208+ | 0.34 EUR |
| 424+ | 0.17 EUR |
| 447+ | 0.16 EUR |














