Produkte > ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR > Alle Produkte des Herstellers ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR (1924) > Seite 12 nach 33
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| AOI7N65 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-251A Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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AOI8N25 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5A; TO251A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 5A Case: TO251A Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.56Ω Mounting: THT Gate charge: 6nC Kind of channel: enhancement |
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Mindestbestellmenge: 3500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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AOI950A70 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.2A; 56.5W; TO251A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 3.2A Power dissipation: 56.5W Case: TO251A Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.95Ω Mounting: THT Gate charge: 10nC Kind of channel: enhancement |
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Mindestbestellmenge: 3500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AOK015V65X2 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 67A; Idm: 200A; 312W Mounting: THT Case: TO247-3 Power dissipation: 312W Gate charge: 152nC Polarisation: unipolar Technology: SiC Drain current: 67A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 650V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -5...15V Kind of package: tube On-state resistance: 23mΩ Pulsed drain current: 200A |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| AOK065A60 | Alpha & Omega Semiconductor |
High Voltage MOSFETs (500V - 1000V) |
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| AOK065V120X2 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1200V; 40A; 187.5W; TO247 Mounting: THT Case: TO247 Power dissipation: 187.5W Gate charge: 155nC Polarisation: unipolar Drain current: 40A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1.2kV Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: 15V Kind of package: tube On-state resistance: 65mΩ |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| AOK065V120X2Q | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29.6A; Idm: 85A; 187.5W Mounting: THT Case: TO247-3 Power dissipation: 187.5W Gate charge: 62.3nC Polarisation: unipolar Technology: SiC Drain current: 29.6A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1.2kV Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -5...15V Kind of package: tube On-state resistance: 90mΩ Pulsed drain current: 85A |
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| AOK125A60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; Idm: 100A; 357W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: TO247 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 39nC On-state resistance: 0.125Ω Gate-source voltage: ±20V Drain current: 28A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 357W Drain-source voltage: 600V Kind of channel: enhancement |
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| AOK15B60D | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 83.3W; TO247 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 15A Power dissipation: 83.3W Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 25.4nC Kind of package: tube |
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| AOK160A60 | Alpha & Omega Semiconductor |
N Channel Power Transistor |
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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AOK20B135D1 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.35kV; 20A; 170W; TO247; 1.05mJ Turn-off switching energy: 1.05mJ Mounting: THT Collector-emitter voltage: 1.35kV Power dissipation: 170W Gate charge: 66nC Pulsed collector current: 80A Type of transistor: IGBT Kind of package: tube Case: TO247 Turn-off time: 480ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter saturation voltage: 1.57V Collector current: 20A |
auf Bestellung 139 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOK20S60L | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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AOK29S50L | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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AOK30B120D2 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 170W; TO247; 1.28mJ Collector current: 30A Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 120A Turn-off time: 340ns Turn-off switching energy: 1.28mJ Collector-emitter saturation voltage: 1.77V Power dissipation: 170W Collector-emitter voltage: 1.2kV Type of transistor: IGBT Kind of package: tube Mounting: THT Gate charge: 67nC |
auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOK30B135C1 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.35kV; 30A; 144W; TO247 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 1.35kV Power dissipation: 144W Gate charge: 65nC Pulsed collector current: 120A Type of transistor: IGBT Kind of package: tube Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 30A |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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AOK30B135W1 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 340W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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AOK30B135W1 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 340W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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AOK30B135W1 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.35kV; 30A; 170W; TO247; 1.47mJ Turn-off switching energy: 1.47mJ Mounting: THT Collector-emitter voltage: 1.35kV Power dissipation: 170W Gate charge: 62nC Pulsed collector current: 120A Type of transistor: IGBT Kind of package: tube Case: TO247 Turn-off time: 362ns Gate-emitter voltage: ±30V Collector-emitter saturation voltage: 1.8V Collector current: 30A |
auf Bestellung 164 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOK30B60D | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 278W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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AOK30B60D1 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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AOK40B120H1 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247; Eoff: 1.24mJ; Eon: 2.45mJ Mounting: THT Turn-on time: 133ns Turn-off time: 375ns Turn-off switching energy: 1.24mJ Turn-on switching energy: 2.45mJ Kind of package: tube Case: TO247 Collector-emitter saturation voltage: 1.8V Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 40A Power dissipation: 250W Pulsed collector current: 120A Collector-emitter voltage: 1.2kV Type of transistor: IGBT Gate charge: 128nC |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AOK40B120N1 | Alpha & Omega Semiconductor |
Alpha IGBT With Soft and Fast Recovery Anti Parallel Diode |
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| AOK40B120N1 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247 Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 40A Power dissipation: 300W Pulsed collector current: 160A Collector-emitter voltage: 1.2kV Type of transistor: IGBT Gate charge: 0.1µC |
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| AOK40B120P1 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247 Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 40A Power dissipation: 300W Pulsed collector current: 160A Collector-emitter voltage: 1.2kV Type of transistor: IGBT Gate charge: 202nC |
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| AOK40B120P1 | Alpha & Omega Semiconductor |
Alpha IGBT and Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode |
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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AOK40B60D | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 312.5mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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AOK40B60D1 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 111W; TO247; Eoff: 0.3mJ; Eon: 1.55mJ Mounting: THT Turn-on time: 53ns Turn-off time: 102ns Turn-off switching energy: 0.3mJ Turn-on switching energy: 1.55mJ Kind of package: tube Case: TO247 Collector-emitter saturation voltage: 1.85V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 40A Power dissipation: 111W Pulsed collector current: 140A Collector-emitter voltage: 600V Type of transistor: IGBT Gate charge: 45nC |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AOK40B65GQ1 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 113W; TO247 Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 40A Power dissipation: 113W Pulsed collector current: 120A Collector-emitter voltage: 650V Type of transistor: IGBT Gate charge: 86nC |
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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AOK40B65H1 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 150W; TO247; Eoff: 0.46mJ; Eon: 1.27mJ Mounting: THT Turn-on time: 82ns Turn-off time: 173ns Turn-off switching energy: 0.46mJ Turn-on switching energy: 1.27mJ Kind of package: tube Case: TO247 Collector-emitter saturation voltage: 1.9V Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 40A Power dissipation: 150W Pulsed collector current: 120A Collector-emitter voltage: 650V Type of transistor: IGBT Gate charge: 63nC |
auf Bestellung 143 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOK40B65H1 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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AOK40B65H2AL | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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AOK40B65H2AL | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 105W; TO247; Eoff: 0.54mJ; Eon: 1.17mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 105W Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 61nC Kind of package: tube Turn-on time: 64ns Turn-off time: 152ns Collector-emitter saturation voltage: 2.05V Turn-off switching energy: 0.54mJ Turn-on switching energy: 1.17mJ |
auf Bestellung 182 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOK40B65H2AL_002 | Alpha & Omega Semiconductor | AOK40B65H2AL_002 |
auf Bestellung 32640 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOK40B65HQ2 | Alpha & Omega Semiconductor |
Alpha IGBT and Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode |
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| AOK40B65HQ3 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 156W; TO247 Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 40A Power dissipation: 156W Pulsed collector current: 120A Collector-emitter voltage: 650V Type of transistor: IGBT Gate charge: 74nC |
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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AOK40B65M3 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 150W; TO247; Eoff: 0.5mJ; Eon: 1.3mJ Mounting: THT Turn-on time: 80ns Turn-off time: 175ns Turn-off switching energy: 0.5mJ Turn-on switching energy: 1.3mJ Kind of package: tube Case: TO247 Collector-emitter saturation voltage: 1.95V Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 40A Power dissipation: 150W Pulsed collector current: 120A Collector-emitter voltage: 650V Type of transistor: IGBT Gate charge: 59nC |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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AOK40N30L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 25A; TO247 Mounting: THT Gate charge: 60nC On-state resistance: 85mΩ Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±30V Drain current: 25A Type of transistor: N-MOSFET Case: TO247 Drain-source voltage: 300V Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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AOK42S60L | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AOK50B60D1 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 312000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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AOK50B60D1 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 125W; TO247; Eoff: 0.5mJ; Eon: 2.37mJ Case: TO247 Gate charge: 64nC Turn-on time: 98ns Turn-off time: 104ns Turn-off switching energy: 0.5mJ Turn-on switching energy: 2.37mJ Collector-emitter saturation voltage: 1.85V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Power dissipation: 125W Pulsed collector current: 168A Collector-emitter voltage: 600V Kind of package: tube Type of transistor: IGBT Mounting: THT |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOK50B65H1 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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AOK53S60 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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AOK60B60D1 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 417mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AOK60B65H2AL | Alpha & Omega Semiconductor |
650V, 60A Alpha IGBT With soft and fast recovery anti-parallel diode |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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AOK60B65H2AL | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 166W; TO247; Eoff: 1.17mJ; Eon: 2.36mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60A Power dissipation: 166W Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 180A Mounting: THT Gate charge: 84nC Kind of package: tube Collector-emitter saturation voltage: 1.95V Turn-off switching energy: 1.17mJ Turn-on switching energy: 2.36mJ Turn-on time: 113ns Turn-off time: 270ns |
auf Bestellung 118 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOK60N30L | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 300V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| AOK9N90 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; Idm: 34A; 368W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 9A Pulsed drain current: 34A Power dissipation: 368W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| AOL1240 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 69A 3-Pin Ultra SO T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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AOL1404G | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 46A 3-Pin Ultra SO T/R |
auf Bestellung 141000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOL1404G | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 46A 3-Pin Ultra SO T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AOL1404G | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 46A; 20W; UltraSO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 46A Power dissipation: 20W Case: UltraSO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 4.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 31nC Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 30000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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AOL1404G | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 46A 3-Pin Ultra SO T/R |
auf Bestellung 141000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOL1454 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 3-Pin Ultra SO T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| AOL1454G | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 46A; 20.5W; UltraSO8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: UltraSO8 Mounting: SMD Gate charge: 20nC On-state resistance: 5.9mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 20.5W Drain-source voltage: 40V Drain current: 46A Polarisation: unipolar |
auf Bestellung 1206 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOM015V65X2 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 67A; Idm: 200A; 312W Mounting: THT Case: TO247-4 Power dissipation: 312W Gate charge: 152nC Polarisation: unipolar Technology: SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Drain current: 67A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 650V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -5...15V Kind of package: tube On-state resistance: 23mΩ Pulsed drain current: 200A |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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AOM015V65X2 | Alpha & Omega Semiconductor |
SiC Silicon Carbide Power MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AOM015V75X2Q | Alpha & Omega Semiconductor |
Silicon Carbide (SiC) MOSFETs Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| AOM020V120X2 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 348W Mounting: THT Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 348W Gate charge: 166nC Polarisation: unipolar Technology: SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Drain current: 63A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1.2kV Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -5...15V Kind of package: tube Case: TO247-4 On-state resistance: 32mΩ |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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AOM020V120X2Q | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AOM033V120X2 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 120A; 300W Mounting: THT Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 300W Gate charge: 104nC Polarisation: unipolar Technology: SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Drain current: 48A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1.2kV Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -5...15V Kind of package: tube Case: TO247-4 On-state resistance: 45mΩ |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| AOI7N65 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-251A Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-251A Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOI8N25 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5A; TO251A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 5A
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.56Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5A; TO251A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 5A
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.56Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOI950A70 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.2A; 56.5W; TO251A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 56.5W
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.2A; 56.5W; TO251A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 56.5W
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOK015V65X2 |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 67A; Idm: 200A; 312W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 312W
Gate charge: 152nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 67A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
On-state resistance: 23mΩ
Pulsed drain current: 200A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 67A; Idm: 200A; 312W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 312W
Gate charge: 152nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 67A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
On-state resistance: 23mΩ
Pulsed drain current: 200A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOK065A60 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
High Voltage MOSFETs (500V - 1000V)
High Voltage MOSFETs (500V - 1000V)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOK065V120X2 |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1200V; 40A; 187.5W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Power dissipation: 187.5W
Gate charge: 155nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 15V
Kind of package: tube
On-state resistance: 65mΩ
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1200V; 40A; 187.5W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Power dissipation: 187.5W
Gate charge: 155nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 15V
Kind of package: tube
On-state resistance: 65mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOK065V120X2Q |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29.6A; Idm: 85A; 187.5W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 187.5W
Gate charge: 62.3nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 29.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
On-state resistance: 90mΩ
Pulsed drain current: 85A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29.6A; Idm: 85A; 187.5W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 187.5W
Gate charge: 62.3nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 29.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
On-state resistance: 90mΩ
Pulsed drain current: 85A
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOK125A60 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; Idm: 100A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 39nC
On-state resistance: 0.125Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 357W
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; Idm: 100A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 39nC
On-state resistance: 0.125Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 357W
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOK15B60D |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 83.3W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 83.3W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 25.4nC
Kind of package: tube
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 83.3W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 83.3W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 25.4nC
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOK160A60 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
N Channel Power Transistor
N Channel Power Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOK20B135D1 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.35kV; 20A; 170W; TO247; 1.05mJ
Turn-off switching energy: 1.05mJ
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Power dissipation: 170W
Gate charge: 66nC
Pulsed collector current: 80A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247
Turn-off time: 480ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter saturation voltage: 1.57V
Collector current: 20A
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.35kV; 20A; 170W; TO247; 1.05mJ
Turn-off switching energy: 1.05mJ
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Power dissipation: 170W
Gate charge: 66nC
Pulsed collector current: 80A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247
Turn-off time: 480ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter saturation voltage: 1.57V
Collector current: 20A
auf Bestellung 139 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14+ | 6.18 EUR |
| 16+ | 5.57 EUR |
| 18+ | 4.91 EUR |
| 90+ | 4.4 EUR |
| AOK20S60L |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOK29S50L |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOK30B120D2 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 170W; TO247; 1.28mJ
Collector current: 30A
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Turn-off time: 340ns
Turn-off switching energy: 1.28mJ
Collector-emitter saturation voltage: 1.77V
Power dissipation: 170W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 170W; TO247; 1.28mJ
Collector current: 30A
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Turn-off time: 340ns
Turn-off switching energy: 1.28mJ
Collector-emitter saturation voltage: 1.77V
Power dissipation: 170W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14+ | 6.44 EUR |
| 15+ | 5.78 EUR |
| 17+ | 5.12 EUR |
| AOK30B135C1 |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.35kV; 30A; 144W; TO247
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Power dissipation: 144W
Gate charge: 65nC
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 30A
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.35kV; 30A; 144W; TO247
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Power dissipation: 144W
Gate charge: 65nC
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 30A
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOK30B135W1 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 340W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 340W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| AOK30B135W1 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 340W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 340W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOK30B135W1 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.35kV; 30A; 170W; TO247; 1.47mJ
Turn-off switching energy: 1.47mJ
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Power dissipation: 170W
Gate charge: 62nC
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247
Turn-off time: 362ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter saturation voltage: 1.8V
Collector current: 30A
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.35kV; 30A; 170W; TO247; 1.47mJ
Turn-off switching energy: 1.47mJ
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Power dissipation: 170W
Gate charge: 62nC
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247
Turn-off time: 362ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter saturation voltage: 1.8V
Collector current: 30A
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 16+ | 5.33 EUR |
| 19+ | 4.7 EUR |
| 21+ | 4.22 EUR |
| 90+ | 3.96 EUR |
| AOK30B60D |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 278W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 278W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOK30B60D1 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOK40B120H1 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247; Eoff: 1.24mJ; Eon: 2.45mJ
Mounting: THT
Turn-on time: 133ns
Turn-off time: 375ns
Turn-off switching energy: 1.24mJ
Turn-on switching energy: 2.45mJ
Kind of package: tube
Case: TO247
Collector-emitter saturation voltage: 1.8V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 128nC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247; Eoff: 1.24mJ; Eon: 2.45mJ
Mounting: THT
Turn-on time: 133ns
Turn-off time: 375ns
Turn-off switching energy: 1.24mJ
Turn-on switching energy: 2.45mJ
Kind of package: tube
Case: TO247
Collector-emitter saturation voltage: 1.8V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 128nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOK40B120N1 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Alpha IGBT With Soft and Fast Recovery Anti Parallel Diode
Alpha IGBT With Soft and Fast Recovery Anti Parallel Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOK40B120N1 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 0.1µC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 0.1µC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOK40B120P1 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 202nC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 202nC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOK40B120P1 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Alpha IGBT and Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode
Alpha IGBT and Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOK40B60D |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 312.5mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 312.5mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOK40B60D1 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 111W; TO247; Eoff: 0.3mJ; Eon: 1.55mJ
Mounting: THT
Turn-on time: 53ns
Turn-off time: 102ns
Turn-off switching energy: 0.3mJ
Turn-on switching energy: 1.55mJ
Kind of package: tube
Case: TO247
Collector-emitter saturation voltage: 1.85V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Power dissipation: 111W
Pulsed collector current: 140A
Collector-emitter voltage: 600V
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 45nC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 111W; TO247; Eoff: 0.3mJ; Eon: 1.55mJ
Mounting: THT
Turn-on time: 53ns
Turn-off time: 102ns
Turn-off switching energy: 0.3mJ
Turn-on switching energy: 1.55mJ
Kind of package: tube
Case: TO247
Collector-emitter saturation voltage: 1.85V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Power dissipation: 111W
Pulsed collector current: 140A
Collector-emitter voltage: 600V
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 45nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOK40B65GQ1 |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 113W; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Power dissipation: 113W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 650V
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 86nC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 113W; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Power dissipation: 113W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 650V
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 86nC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOK40B65H1 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 150W; TO247; Eoff: 0.46mJ; Eon: 1.27mJ
Mounting: THT
Turn-on time: 82ns
Turn-off time: 173ns
Turn-off switching energy: 0.46mJ
Turn-on switching energy: 1.27mJ
Kind of package: tube
Case: TO247
Collector-emitter saturation voltage: 1.9V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Power dissipation: 150W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 650V
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 63nC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 150W; TO247; Eoff: 0.46mJ; Eon: 1.27mJ
Mounting: THT
Turn-on time: 82ns
Turn-off time: 173ns
Turn-off switching energy: 0.46mJ
Turn-on switching energy: 1.27mJ
Kind of package: tube
Case: TO247
Collector-emitter saturation voltage: 1.9V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Power dissipation: 150W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 650V
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 63nC
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 17+ | 5.18 EUR |
| 19+ | 4.58 EUR |
| 21+ | 4.12 EUR |
| 90+ | 3.84 EUR |
| AOK40B65H1 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOK40B65H2AL |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOK40B65H2AL |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 105W; TO247; Eoff: 0.54mJ; Eon: 1.17mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 105W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 152ns
Collector-emitter saturation voltage: 2.05V
Turn-off switching energy: 0.54mJ
Turn-on switching energy: 1.17mJ
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 105W; TO247; Eoff: 0.54mJ; Eon: 1.17mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 105W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 152ns
Collector-emitter saturation voltage: 2.05V
Turn-off switching energy: 0.54mJ
Turn-on switching energy: 1.17mJ
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 28+ | 3.05 EUR |
| 34+ | 2.57 EUR |
| 38+ | 2.28 EUR |
| 40+ | 2.13 EUR |
| 60+ | 2.07 EUR |
| 90+ | 2.05 EUR |
| 150+ | 2.01 EUR |
| AOK40B65H2AL_002 |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
AOK40B65H2AL_002
AOK40B65H2AL_002
auf Bestellung 32640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 240+ | 3.27 EUR |
| 8160+ | 2.96 EUR |
| 16320+ | 2.71 EUR |
| 24480+ | 2.51 EUR |
| AOK40B65HQ2 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Alpha IGBT and Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode
Alpha IGBT and Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOK40B65HQ3 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 156W; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Power dissipation: 156W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 650V
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 74nC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 156W; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Power dissipation: 156W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 650V
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 74nC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOK40B65M3 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 150W; TO247; Eoff: 0.5mJ; Eon: 1.3mJ
Mounting: THT
Turn-on time: 80ns
Turn-off time: 175ns
Turn-off switching energy: 0.5mJ
Turn-on switching energy: 1.3mJ
Kind of package: tube
Case: TO247
Collector-emitter saturation voltage: 1.95V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Power dissipation: 150W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 650V
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 59nC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 150W; TO247; Eoff: 0.5mJ; Eon: 1.3mJ
Mounting: THT
Turn-on time: 80ns
Turn-off time: 175ns
Turn-off switching energy: 0.5mJ
Turn-on switching energy: 1.3mJ
Kind of package: tube
Case: TO247
Collector-emitter saturation voltage: 1.95V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Power dissipation: 150W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 650V
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 59nC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOK40N30L |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 25A; TO247
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 85mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 25A
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247
Drain-source voltage: 300V
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 25A; TO247
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 85mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 25A
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247
Drain-source voltage: 300V
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOK42S60L |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOK50B60D1 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 312000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 312000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOK50B60D1 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 125W; TO247; Eoff: 0.5mJ; Eon: 2.37mJ
Case: TO247
Gate charge: 64nC
Turn-on time: 98ns
Turn-off time: 104ns
Turn-off switching energy: 0.5mJ
Turn-on switching energy: 2.37mJ
Collector-emitter saturation voltage: 1.85V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 125W
Pulsed collector current: 168A
Collector-emitter voltage: 600V
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 125W; TO247; Eoff: 0.5mJ; Eon: 2.37mJ
Case: TO247
Gate charge: 64nC
Turn-on time: 98ns
Turn-off time: 104ns
Turn-off switching energy: 0.5mJ
Turn-on switching energy: 2.37mJ
Collector-emitter saturation voltage: 1.85V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 125W
Pulsed collector current: 168A
Collector-emitter voltage: 600V
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14+ | 6.18 EUR |
| 16+ | 5.45 EUR |
| 18+ | 4.9 EUR |
| AOK50B65H1 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOK53S60 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOK60B60D1 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 417mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 417mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOK60B65H2AL |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
650V, 60A Alpha IGBT With soft and fast recovery anti-parallel diode
650V, 60A Alpha IGBT With soft and fast recovery anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOK60B65H2AL |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 166W; TO247; Eoff: 1.17mJ; Eon: 2.36mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Collector-emitter saturation voltage: 1.95V
Turn-off switching energy: 1.17mJ
Turn-on switching energy: 2.36mJ
Turn-on time: 113ns
Turn-off time: 270ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 166W; TO247; Eoff: 1.17mJ; Eon: 2.36mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Collector-emitter saturation voltage: 1.95V
Turn-off switching energy: 1.17mJ
Turn-on switching energy: 2.36mJ
Turn-on time: 113ns
Turn-off time: 270ns
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 23+ | 3.87 EUR |
| 25+ | 3.47 EUR |
| 28+ | 3.06 EUR |
| 90+ | 2.77 EUR |
| AOK60N30L |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 300V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH 300V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOK9N90 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; Idm: 34A; 368W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 368W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; Idm: 34A; 368W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 368W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOL1240 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 69A 3-Pin Ultra SO T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 69A 3-Pin Ultra SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOL1404G |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 46A 3-Pin Ultra SO T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 46A 3-Pin Ultra SO T/R
auf Bestellung 141000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.18 EUR |
| AOL1404G |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 46A 3-Pin Ultra SO T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 46A 3-Pin Ultra SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOL1404G |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 46A; 20W; UltraSO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 46A
Power dissipation: 20W
Case: UltraSO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 46A; 20W; UltraSO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 46A
Power dissipation: 20W
Case: UltraSO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOL1404G |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 46A 3-Pin Ultra SO T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 46A 3-Pin Ultra SO T/R
auf Bestellung 141000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.18 EUR |
| AOL1454 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 3-Pin Ultra SO T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 3-Pin Ultra SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOL1454G |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 46A; 20.5W; UltraSO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: UltraSO8
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 5.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 20.5W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 46A
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 46A; 20.5W; UltraSO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: UltraSO8
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 5.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 20.5W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 46A
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 1206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 81+ | 1.06 EUR |
| 195+ | 0.44 EUR |
| 220+ | 0.39 EUR |
| 246+ | 0.35 EUR |
| AOM015V65X2 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 67A; Idm: 200A; 312W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Power dissipation: 312W
Gate charge: 152nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 67A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
On-state resistance: 23mΩ
Pulsed drain current: 200A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 67A; Idm: 200A; 312W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Power dissipation: 312W
Gate charge: 152nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 67A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
On-state resistance: 23mΩ
Pulsed drain current: 200A
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOM015V65X2 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
SiC Silicon Carbide Power MOSFET
SiC Silicon Carbide Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOM015V75X2Q |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Silicon Carbide (SiC) MOSFETs Automotive AEC-Q101
Silicon Carbide (SiC) MOSFETs Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOM020V120X2 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 348W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 348W
Gate charge: 166nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 63A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 32mΩ
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 348W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 348W
Gate charge: 166nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 63A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 32mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOM020V120X2Q |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AOM033V120X2 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 120A; 300W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Gate charge: 104nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 48A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 45mΩ
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 120A; 300W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Gate charge: 104nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 48A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 45mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH












