| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| NE5550979A-EV04-A | CEL |
 RF MOSFET Transistors Pout 39.5dBm PAE 66% Eval Brd for 460MHz |
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NE5550979A-EV09-A | CEL |
Description: EVAL BOARD NE5550979A Packaging: Box For Use With/Related Products: NE5550979A Frequency: 915MHz Type: FET Supplied Contents: Board(s) Part Status: Obsolete |
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NE5550979A-T1-A | CEL |
Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V 79A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 79A Current Rating (Amps): 3A Frequency: 900MHz Power - Output: 38.6dBm Gain: 22dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: 79A Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 30 V Voltage - Test: 7.5 V Current - Test: 200 mA |
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| NE5820M53-A | CEL |
Description: TRANS P CH 6V 17MA 3 PIN Packaging: Bag Voltage - Rated: 6V Package / Case: 3-SMD, Flat Lead Current Rating (Amps): 17mA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: P-Channel Applications: Microphone |
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| NE5820M53-T1-A | CEL |
Description: TRANS P CH 6V 17MA 3 PIN Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Rated: 6V Package / Case: 3-SMD, Flat Lead Current Rating (Amps): 17mA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: P-Channel Applications: Microphone |
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NE58219-T1-A | CEL |
Description: RF TRANS NPN 12V 5GHZ 3-MINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 60mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 5GHz Supplier Device Package: 3-SuperMiniMold (19) |
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| NE650103M-A | CEL |
Description: RF MOSFET 10V 3M Packaging: Tray Package / Case: SOT-445 Variant Current Rating (Amps): 5A Frequency: 2.3GHz Power - Output: 40dBm Gain: 11dB Technology: MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device Package: 3M Voltage - Rated: 15 V Voltage - Test: 10 V Current - Test: 1.5 A |
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NE6510179A-A | CEL |
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 3.5V 79A Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Current Rating (Amps): 2.8A Frequency: 1.9GHz Power - Output: 32.5dBm Gain: 10dB Technology: GaAs HJ-FET Supplier Device Package: 79A Voltage - Rated: 8 V Voltage - Test: 3.5 V Current - Test: 200 mA |
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| NE6510179A-EVPW19 | CEL |
Description: EVAL BOARD NE6510179A 1.9GHZ |
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| NE6510179A-EVPW24 | CEL |
Description: EVAL BOARD NE6510179A 2.4GHZ |
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| NE6510179A-EVPW26 | CEL |
Description: EVAL BOARD NE6510179A 2.6GHZ |
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| NE6510179A-EVPW35 | CEL |
Description: EVAL BOARD NE6510179A 3.5GHZ |
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NE6510179A-T1-A | CEL |
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 3.5V 79A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Current Rating (Amps): 2.8A Frequency: 1.9GHz Power - Output: 32.5dBm Gain: 10dB Technology: GaAs HJ-FET Supplier Device Package: 79A Voltage - Rated: 8 V Voltage - Test: 3.5 V Current - Test: 200 mA |
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NE651R479A-A | CEL |
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 3.5V 79A Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Current Rating (Amps): 1A Frequency: 1.9GHz Power - Output: 27dBm Gain: 12dB Technology: GaAs HJ-FET Supplier Device Package: 79A Voltage - Rated: 8 V Voltage - Test: 3.5 V Current - Test: 50 mA |
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| NE651R479A-EVPW19 | CEL |
Description: EVAL BOARD NE651R479A 1.9GHZ |
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| NE651R479A-EVPW24 | CEL |
Description: EVAL BOARD NE651R479A 2.4GHZ |
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| NE651R479A-EVPW35 | CEL |
Description: EVAL BOARD NE651R479A 3.5GHZ |
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NE651R479A-T1-A | CEL |
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 3.5V 79A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Current Rating (Amps): 1A Frequency: 1.9GHz Power - Output: 27dBm Gain: 12dB Technology: GaAs HJ-FET Supplier Device Package: 79A Voltage - Rated: 8 V Voltage - Test: 3.5 V Current - Test: 50 mA |
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NE66219-A | CEL |
Description: RF TRANS NPN 3.3V 21GHZ SOT523 |
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NE66219-T1-A | CEL |
Description: RF TRANS NPN 3.3V 21GHZ SOT523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 14dB Power - Max: 115mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 2V Frequency - Transition: 21GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Obsolete |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NE662M04-A | CEL |
Description: RF TRANS NPN 3.3V 25GHZ SOT343F Packaging: Bulk Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 18dB Power - Max: 115mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 2V Frequency - Transition: 25GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz Supplier Device Package: SOT-343F Part Status: Obsolete |
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NE662M04-A | CEL |
RF Bipolar Transistors NPN High Frequency |
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| NE662M04-EVGA09 | CEL |
Mobile Development Tools For NE662M04-A Gain at 900 MHz |
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NE662M04-EVGA09 | CEL |
Description: EVAL BOARD FOR NE662M04 900MHZ |
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| NE662M04-EVGA09-A | CEL |
Description: EVAL BOARD FOR NE5550779A Packaging: Bulk For Use With/Related Products: NE662M04 Frequency: 900MHz Type: Transistor Supplied Contents: Board(s) |
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| NE662M04-EVGA19 | CEL |
RF Development Tools For NE662M04-A Gain at 1.9 GHz |
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| NE662M04-EVGA19 | CEL |
Description: EVAL BOARD FOR NE662M04 1.9GHZ |
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| NE662M04-EVIP09 | CEL |
Description: EVAL BOARD FOR NE662M04 900MHZ |
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NE662M04-EVNF09 | CEL |
Description: EVAL BOARD FOR NE662M04 900MHZ |
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| NE662M04-EVNF09 | CEL |
Mobile Development Tools For NE662M04-A Noise Figure at 900 MHz |
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| NE662M04-EVNF09-A | CEL |
Description: EVAL BOARD FOR NE662M04 900MHZ |
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| NE662M04-EVNF16 | CEL |
RF Development Tools For NE662M04-A Noise Figure at 1.6 GHz |
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NE662M04-EVNF16 | CEL |
Description: EVAL BOARD FOR NE662M04 1.6GHZ |
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| NE662M04-EVNF19 | CEL |
Description: EVAL BOARD FOR NE662M04 1.9GHZ |
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| NE662M04-EVNF19 | CEL |
RF Development Tools For NE662M04-A Noise Figure at 1.9 GHz |
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NE662M04-EVNF24 | CEL |
Description: EVAL BOARD NE662M04 2.4GHZ |
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| NE662M04-EVNF24 | CEL |
RF Development Tools For NE662M04-A Noise Figure at 2.4 GHz |
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NE662M04-T2-A | CEL |
RF Bipolar Transistors NPN High Frequency |
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NE662M04-T2-A | CEL |
Description: SAME AS 2SC5508 NPN SILICON AMPL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 17dB Power - Max: 115mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 2V Frequency - Transition: 25GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz Supplier Device Package: M04 Part Status: Last Time Buy |
auf Bestellung 135000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NE663M04-A | CEL |
Description: RF TRANSISTOR NPN SOT-343F |
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| NE663M04-EVPW08 | CEL |
Description: EVAL BOARD NE663M04 800MHZ |
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| NE663M04-EVPW08 | CEL |
RF Development Tools For NE663M04-A Power at 800 MHz |
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| NE663M04-EVPW19 | CEL |
RF Development Tools For NE663M04-A Power at 1.9 GHz |
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| NE663M04-EVPW19 | CEL |
Description: EVAL BOARD NE663M04 1.9GHZ |
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NE663M04-T2-A | CEL |
Description: RF TRANSISTOR NPN SOT-343F |
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NE663M04-T2-A | CEL |
RF Bipolar Transistors NPN High Frequency |
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NE664M04-A | CEL |
Description: RF TRANSISTOR NPN SOT-343F |
auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NE664M04-EV04-A | CEL |
Description: EVAL BOARD NE664M04 |
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| NE664M04-EVPW09 | CEL |
Amplifier IC Development Tools For NE664M04-A Power at 900 MHz |
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| NE664M04-EVPW09-A | CEL |
Description: EVAL BOARD NE664M04 900MHZ |
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NE664M04-EVPW24 | CEL |
Description: EVAL BOARD NE664M04 2.4GHZ |
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| NE664M04-EVPW24 | CEL |
Amplifier IC Development Tools For NE664M04-A Power at 2.4 GHz |
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NE664M04-T2-A | CEL |
Description: RF TRANSISTOR NPN SOT-343F |
auf Bestellung 3085 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NE664M04-T2-A | CEL |
Description: RF TRANSISTOR NPN SOT-343F |
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NE664M04-T2-A | CEL |
Description: RF TRANSISTOR NPN SOT-343F |
auf Bestellung 3085 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NE67718-A | CEL |
Description: RF TRANS NPN 6V 15GHZ SOT343 |
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NE67718-T1-A | CEL |
Description: RF TRANS NPN 6V 15GHZ SOT343 |
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NE67739-A | CEL |
Description: RF TRANS NPN 6V 14.5GHZ SOT143 |
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NE67739-T1-A | CEL |
Description: RF TRANS NPN 6V 14.5GHZ SOT143 |
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NE677M04-A | CEL |
Description: RF TRANS NPN 6V 15GHZ SOT343F |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NE5550979A-EV04-A |
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Hersteller: CEL
RF MOSFET Transistors Pout 39.5dBm PAE 66% Eval Brd for 460MHz
RF MOSFET Transistors Pout 39.5dBm PAE 66% Eval Brd for 460MHz
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NE5550979A-EV09-A |
Hersteller: CEL
Description: EVAL BOARD NE5550979A
Packaging: Box
For Use With/Related Products: NE5550979A
Frequency: 915MHz
Type: FET
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Obsolete
Description: EVAL BOARD NE5550979A
Packaging: Box
For Use With/Related Products: NE5550979A
Frequency: 915MHz
Type: FET
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Obsolete
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NE5550979A-T1-A |
Hersteller: CEL
Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V 79A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 79A
Current Rating (Amps): 3A
Frequency: 900MHz
Power - Output: 38.6dBm
Gain: 22dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: 79A
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 30 V
Voltage - Test: 7.5 V
Current - Test: 200 mA
Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V 79A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 79A
Current Rating (Amps): 3A
Frequency: 900MHz
Power - Output: 38.6dBm
Gain: 22dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: 79A
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 30 V
Voltage - Test: 7.5 V
Current - Test: 200 mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NE5820M53-A |
|
Hersteller: CEL
Description: TRANS P CH 6V 17MA 3 PIN
Packaging: Bag
Voltage - Rated: 6V
Package / Case: 3-SMD, Flat Lead
Current Rating (Amps): 17mA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: P-Channel
Applications: Microphone
Description: TRANS P CH 6V 17MA 3 PIN
Packaging: Bag
Voltage - Rated: 6V
Package / Case: 3-SMD, Flat Lead
Current Rating (Amps): 17mA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: P-Channel
Applications: Microphone
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NE5820M53-T1-A |
|
Hersteller: CEL
Description: TRANS P CH 6V 17MA 3 PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 6V
Package / Case: 3-SMD, Flat Lead
Current Rating (Amps): 17mA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: P-Channel
Applications: Microphone
Description: TRANS P CH 6V 17MA 3 PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 6V
Package / Case: 3-SMD, Flat Lead
Current Rating (Amps): 17mA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: P-Channel
Applications: Microphone
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NE58219-T1-A |
|
Hersteller: CEL
Description: RF TRANS NPN 12V 5GHZ 3-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 5GHz
Supplier Device Package: 3-SuperMiniMold (19)
Description: RF TRANS NPN 12V 5GHZ 3-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 5GHz
Supplier Device Package: 3-SuperMiniMold (19)
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NE650103M-A |
Hersteller: CEL
Description: RF MOSFET 10V 3M
Packaging: Tray
Package / Case: SOT-445 Variant
Current Rating (Amps): 5A
Frequency: 2.3GHz
Power - Output: 40dBm
Gain: 11dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: 3M
Voltage - Rated: 15 V
Voltage - Test: 10 V
Current - Test: 1.5 A
Description: RF MOSFET 10V 3M
Packaging: Tray
Package / Case: SOT-445 Variant
Current Rating (Amps): 5A
Frequency: 2.3GHz
Power - Output: 40dBm
Gain: 11dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: 3M
Voltage - Rated: 15 V
Voltage - Test: 10 V
Current - Test: 1.5 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NE6510179A-A |
|
Hersteller: CEL
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 3.5V 79A
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 2.8A
Frequency: 1.9GHz
Power - Output: 32.5dBm
Gain: 10dB
Technology: GaAs HJ-FET
Supplier Device Package: 79A
Voltage - Rated: 8 V
Voltage - Test: 3.5 V
Current - Test: 200 mA
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 3.5V 79A
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 2.8A
Frequency: 1.9GHz
Power - Output: 32.5dBm
Gain: 10dB
Technology: GaAs HJ-FET
Supplier Device Package: 79A
Voltage - Rated: 8 V
Voltage - Test: 3.5 V
Current - Test: 200 mA
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NE6510179A-EVPW19 |
|
Hersteller: CEL
Description: EVAL BOARD NE6510179A 1.9GHZ
Description: EVAL BOARD NE6510179A 1.9GHZ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NE6510179A-EVPW24 |
|
Hersteller: CEL
Description: EVAL BOARD NE6510179A 2.4GHZ
Description: EVAL BOARD NE6510179A 2.4GHZ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NE6510179A-EVPW26 |
|
Hersteller: CEL
Description: EVAL BOARD NE6510179A 2.6GHZ
Description: EVAL BOARD NE6510179A 2.6GHZ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NE6510179A-EVPW35 |
|
Hersteller: CEL
Description: EVAL BOARD NE6510179A 3.5GHZ
Description: EVAL BOARD NE6510179A 3.5GHZ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NE6510179A-T1-A |
|
Hersteller: CEL
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 3.5V 79A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 2.8A
Frequency: 1.9GHz
Power - Output: 32.5dBm
Gain: 10dB
Technology: GaAs HJ-FET
Supplier Device Package: 79A
Voltage - Rated: 8 V
Voltage - Test: 3.5 V
Current - Test: 200 mA
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 3.5V 79A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 2.8A
Frequency: 1.9GHz
Power - Output: 32.5dBm
Gain: 10dB
Technology: GaAs HJ-FET
Supplier Device Package: 79A
Voltage - Rated: 8 V
Voltage - Test: 3.5 V
Current - Test: 200 mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NE651R479A-A |
|
Hersteller: CEL
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 3.5V 79A
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 1A
Frequency: 1.9GHz
Power - Output: 27dBm
Gain: 12dB
Technology: GaAs HJ-FET
Supplier Device Package: 79A
Voltage - Rated: 8 V
Voltage - Test: 3.5 V
Current - Test: 50 mA
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 3.5V 79A
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 1A
Frequency: 1.9GHz
Power - Output: 27dBm
Gain: 12dB
Technology: GaAs HJ-FET
Supplier Device Package: 79A
Voltage - Rated: 8 V
Voltage - Test: 3.5 V
Current - Test: 50 mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NE651R479A-EVPW19 |
|
Hersteller: CEL
Description: EVAL BOARD NE651R479A 1.9GHZ
Description: EVAL BOARD NE651R479A 1.9GHZ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NE651R479A-EVPW24 |
|
Hersteller: CEL
Description: EVAL BOARD NE651R479A 2.4GHZ
Description: EVAL BOARD NE651R479A 2.4GHZ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NE651R479A-EVPW35 |
|
Hersteller: CEL
Description: EVAL BOARD NE651R479A 3.5GHZ
Description: EVAL BOARD NE651R479A 3.5GHZ
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Stück im Wert von UAH
| NE651R479A-T1-A |
|
Hersteller: CEL
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 3.5V 79A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 1A
Frequency: 1.9GHz
Power - Output: 27dBm
Gain: 12dB
Technology: GaAs HJ-FET
Supplier Device Package: 79A
Voltage - Rated: 8 V
Voltage - Test: 3.5 V
Current - Test: 50 mA
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 3.5V 79A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 1A
Frequency: 1.9GHz
Power - Output: 27dBm
Gain: 12dB
Technology: GaAs HJ-FET
Supplier Device Package: 79A
Voltage - Rated: 8 V
Voltage - Test: 3.5 V
Current - Test: 50 mA
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Stück im Wert von UAH
| NE66219-A |
|
Hersteller: CEL
Description: RF TRANS NPN 3.3V 21GHZ SOT523
Description: RF TRANS NPN 3.3V 21GHZ SOT523
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Stück im Wert von UAH
| NE66219-T1-A |
Hersteller: CEL
Description: RF TRANS NPN 3.3V 21GHZ SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 14dB
Power - Max: 115mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 2V
Frequency - Transition: 21GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Obsolete
Description: RF TRANS NPN 3.3V 21GHZ SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 14dB
Power - Max: 115mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 2V
Frequency - Transition: 21GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 4.22 EUR |
| NE662M04-A |
|
Hersteller: CEL
Description: RF TRANS NPN 3.3V 25GHZ SOT343F
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 115mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 2V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-343F
Part Status: Obsolete
Description: RF TRANS NPN 3.3V 25GHZ SOT343F
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 115mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 2V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-343F
Part Status: Obsolete
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Stück im Wert von UAH
| NE662M04-A |
|
Hersteller: CEL
RF Bipolar Transistors NPN High Frequency
RF Bipolar Transistors NPN High Frequency
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Stück im Wert von UAH
| NE662M04-EVGA09 |
|
Hersteller: CEL
Mobile Development Tools For NE662M04-A Gain at 900 MHz
Mobile Development Tools For NE662M04-A Gain at 900 MHz
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Stück im Wert von UAH
| NE662M04-EVGA09 |
|
Hersteller: CEL
Description: EVAL BOARD FOR NE662M04 900MHZ
Description: EVAL BOARD FOR NE662M04 900MHZ
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Stück im Wert von UAH
| NE662M04-EVGA09-A |
|
Hersteller: CEL
Description: EVAL BOARD FOR NE5550779A
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: NE662M04
Frequency: 900MHz
Type: Transistor
Supplied Contents: Board(s)
Description: EVAL BOARD FOR NE5550779A
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: NE662M04
Frequency: 900MHz
Type: Transistor
Supplied Contents: Board(s)
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Stück im Wert von UAH
| NE662M04-EVGA19 |
|
Hersteller: CEL
RF Development Tools For NE662M04-A Gain at 1.9 GHz
RF Development Tools For NE662M04-A Gain at 1.9 GHz
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Stück im Wert von UAH
| NE662M04-EVGA19 |
|
Hersteller: CEL
Description: EVAL BOARD FOR NE662M04 1.9GHZ
Description: EVAL BOARD FOR NE662M04 1.9GHZ
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Stück im Wert von UAH
| NE662M04-EVIP09 |
|
Hersteller: CEL
Description: EVAL BOARD FOR NE662M04 900MHZ
Description: EVAL BOARD FOR NE662M04 900MHZ
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Stück im Wert von UAH
| NE662M04-EVNF09 |
|
Hersteller: CEL
Description: EVAL BOARD FOR NE662M04 900MHZ
Description: EVAL BOARD FOR NE662M04 900MHZ
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Stück im Wert von UAH
| NE662M04-EVNF09 |
|
Hersteller: CEL
Mobile Development Tools For NE662M04-A Noise Figure at 900 MHz
Mobile Development Tools For NE662M04-A Noise Figure at 900 MHz
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Stück im Wert von UAH
| NE662M04-EVNF09-A |
|
Hersteller: CEL
Description: EVAL BOARD FOR NE662M04 900MHZ
Description: EVAL BOARD FOR NE662M04 900MHZ
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Stück im Wert von UAH
| NE662M04-EVNF16 |
|
Hersteller: CEL
RF Development Tools For NE662M04-A Noise Figure at 1.6 GHz
RF Development Tools For NE662M04-A Noise Figure at 1.6 GHz
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Stück im Wert von UAH
| NE662M04-EVNF16 |
|
Hersteller: CEL
Description: EVAL BOARD FOR NE662M04 1.6GHZ
Description: EVAL BOARD FOR NE662M04 1.6GHZ
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Stück im Wert von UAH
| NE662M04-EVNF19 |
|
Hersteller: CEL
Description: EVAL BOARD FOR NE662M04 1.9GHZ
Description: EVAL BOARD FOR NE662M04 1.9GHZ
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Stück im Wert von UAH
| NE662M04-EVNF19 |
|
Hersteller: CEL
RF Development Tools For NE662M04-A Noise Figure at 1.9 GHz
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Stück im Wert von UAH
| NE662M04-EVNF24 |
|
Hersteller: CEL
Description: EVAL BOARD NE662M04 2.4GHZ
Description: EVAL BOARD NE662M04 2.4GHZ
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Stück im Wert von UAH
| NE662M04-EVNF24 |
|
Hersteller: CEL
RF Development Tools For NE662M04-A Noise Figure at 2.4 GHz
RF Development Tools For NE662M04-A Noise Figure at 2.4 GHz
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Stück im Wert von UAH
| NE662M04-T2-A |
|
Hersteller: CEL
RF Bipolar Transistors NPN High Frequency
RF Bipolar Transistors NPN High Frequency
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Stück im Wert von UAH
| NE662M04-T2-A |
|
Hersteller: CEL
Description: SAME AS 2SC5508 NPN SILICON AMPL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 115mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 2V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz
Supplier Device Package: M04
Part Status: Last Time Buy
Description: SAME AS 2SC5508 NPN SILICON AMPL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 115mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 2V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz
Supplier Device Package: M04
Part Status: Last Time Buy
auf Bestellung 135000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 3.52 EUR |
| 15000+ | 2.46 EUR |
| 60000+ | 1.41 EUR |
| NE663M04-A |
|
Hersteller: CEL
Description: RF TRANSISTOR NPN SOT-343F
Description: RF TRANSISTOR NPN SOT-343F
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| NE663M04-EVPW08 |
|
Hersteller: CEL
Description: EVAL BOARD NE663M04 800MHZ
Description: EVAL BOARD NE663M04 800MHZ
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| NE663M04-EVPW08 |
|
Hersteller: CEL
RF Development Tools For NE663M04-A Power at 800 MHz
RF Development Tools For NE663M04-A Power at 800 MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NE663M04-EVPW19 |
|
Hersteller: CEL
RF Development Tools For NE663M04-A Power at 1.9 GHz
RF Development Tools For NE663M04-A Power at 1.9 GHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NE663M04-EVPW19 |
|
Hersteller: CEL
Description: EVAL BOARD NE663M04 1.9GHZ
Description: EVAL BOARD NE663M04 1.9GHZ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NE663M04-T2-A |
|
Hersteller: CEL
Description: RF TRANSISTOR NPN SOT-343F
Description: RF TRANSISTOR NPN SOT-343F
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NE663M04-T2-A |
|
Hersteller: CEL
RF Bipolar Transistors NPN High Frequency
RF Bipolar Transistors NPN High Frequency
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NE664M04-A |
|
Hersteller: CEL
Description: RF TRANSISTOR NPN SOT-343F
Description: RF TRANSISTOR NPN SOT-343F
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NE664M04-EV04-A |
|
Hersteller: CEL
Description: EVAL BOARD NE664M04
Description: EVAL BOARD NE664M04
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NE664M04-EVPW09 |
|
Hersteller: CEL
Amplifier IC Development Tools For NE664M04-A Power at 900 MHz
Amplifier IC Development Tools For NE664M04-A Power at 900 MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NE664M04-EVPW09-A |
|
Hersteller: CEL
Description: EVAL BOARD NE664M04 900MHZ
Description: EVAL BOARD NE664M04 900MHZ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NE664M04-EVPW24 |
|
Hersteller: CEL
Description: EVAL BOARD NE664M04 2.4GHZ
Description: EVAL BOARD NE664M04 2.4GHZ
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| NE664M04-EVPW24 |
|
Hersteller: CEL
Amplifier IC Development Tools For NE664M04-A Power at 2.4 GHz
Amplifier IC Development Tools For NE664M04-A Power at 2.4 GHz
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NE664M04-T2-A |
|
Hersteller: CEL
Description: RF TRANSISTOR NPN SOT-343F
Description: RF TRANSISTOR NPN SOT-343F
auf Bestellung 3085 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NE664M04-T2-A |
|
Hersteller: CEL
Description: RF TRANSISTOR NPN SOT-343F
Description: RF TRANSISTOR NPN SOT-343F
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NE664M04-T2-A |
|
Hersteller: CEL
Description: RF TRANSISTOR NPN SOT-343F
Description: RF TRANSISTOR NPN SOT-343F
auf Bestellung 3085 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NE67718-A |
|
Hersteller: CEL
Description: RF TRANS NPN 6V 15GHZ SOT343
Description: RF TRANS NPN 6V 15GHZ SOT343
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NE67718-T1-A |
|
Hersteller: CEL
Description: RF TRANS NPN 6V 15GHZ SOT343
Description: RF TRANS NPN 6V 15GHZ SOT343
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NE67739-A |
|
Hersteller: CEL
Description: RF TRANS NPN 6V 14.5GHZ SOT143
Description: RF TRANS NPN 6V 14.5GHZ SOT143
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NE67739-T1-A |
|
Hersteller: CEL
Description: RF TRANS NPN 6V 14.5GHZ SOT143
Description: RF TRANS NPN 6V 14.5GHZ SOT143
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NE677M04-A |
|
Hersteller: CEL
Description: RF TRANS NPN 6V 15GHZ SOT343F
Description: RF TRANS NPN 6V 15GHZ SOT343F
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH