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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
DMT12H065LFDF-13	DIODES INCORPORATED	DMT12H065LFDF-13 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT12H065LFDF-7	DIODES INCORPORATED	DMT12H065LFDF-7 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT12H090LFDF4-7	DIODES INCORPORATED	DMT12H090LFDF4-7 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT15H017LPS-13	DIODES INCORPORATED	DMT15H017LPS-13 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT15H017LPSW-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 7.5A; Idm: 230A; 2.3W Mounting: SMD Gate charge: 50nC Drain-source voltage: 150V Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 230A Kind of package: 13 inch reel; tape Case: PowerDI5060-8 Polarisation: unipolar Power dissipation: 2.3W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 25.5mΩ Drain current: 7.5A Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT15H017SK3-13	DIODES INCORPORATED	DMT15H017SK3-13 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT2004UFDF-7	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 11.2A; Idm: 70A; 1.8W Gate charge: 53.7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 70A Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 Drain-source voltage: 24V Drain current: 11.2A On-state resistance: 12.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT2004UFG-7	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 55A; Idm: 90A; 2.3W Gate charge: 53.7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 90A Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 Drain-source voltage: 24V Drain current: 55A On-state resistance: 10mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.3W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT2004UFV-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 55A; Idm: 90A; 2.3W Gate charge: 53.7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 90A Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 Drain-source voltage: 24V Drain current: 55A On-state resistance: 10mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.3W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT2004UFV-7	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 55A; Idm: 90A; 2.3W Gate charge: 53.7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 90A Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 Drain-source voltage: 24V Drain current: 55A On-state resistance: 10mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.3W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT2005UDV-13	DIODES INCORPORATED	DMT2005UDV-13 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3003LFG-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; Idm: 100A; 2.4W Drain-source voltage: 30V Drain current: 18A On-state resistance: 5.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.4W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 44nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 100A Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3003LFG-7	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; Idm: 100A; 2.4W Drain-source voltage: 30V Drain current: 18A On-state resistance: 5.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.4W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 44nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 100A Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3003LFGQ-7	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; Idm: 100A; 2.4W Drain-source voltage: 30V Drain current: 18A On-state resistance: 5.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 2.4W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 44nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 100A Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3004LPS-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 17A; Idm: 180A; 2.7W Drain-source voltage: 30V Drain current: 17A On-state resistance: 6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.7W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 43.7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -16...20V Pulsed drain current: 180A Mounting: SMD Case: PowerDI5060-8 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3006LFDF-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; Idm: 80A; 2.1W Drain-source voltage: 30V Drain current: 12.5A On-state resistance: 15mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.1W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 16.7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3006LFDF-7	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; Idm: 80A; 2.1W Drain-source voltage: 30V Drain current: 12.5A On-state resistance: 15mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.1W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 16.7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3006LFDFQ-7	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; Idm: 80A; 2.1W Drain-source voltage: 30V Drain current: 12.5A On-state resistance: 15mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 2.1W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 16.7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3006LFG-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.8A; Idm: 80A; 27.8W Drain-source voltage: 30V Drain current: 12.8A On-state resistance: 10mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 27.8W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 16.7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3006LFG-7	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.8A; Idm: 80A; 27.8W Drain-source voltage: 30V Drain current: 12.8A On-state resistance: 10mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 27.8W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 16.7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3006LFV-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 45A; Idm: 90A; 2W Drain-source voltage: 30V Drain current: 45A On-state resistance: 11mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 16.7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 90A Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3006LFVQ-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 45A; Idm: 90A; 2W Drain-source voltage: 30V Drain current: 45A On-state resistance: 11mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 16.7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 90A Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3006LPB-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9/11A; Idm: 80÷100A; 1.7W Drain-source voltage: 30V Drain current: 9/11A On-state resistance: 14mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.7W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 12.6nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80...100A Mounting: SMD Case: PowerDI5060-8 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3009LDT-7	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; Idm: 80A; 1.2W Drain-source voltage: 30V Drain current: 11A On-state resistance: 22mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.2W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 20nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -16...20V Pulsed drain current: 80A Mounting: SMD Case: V-DFN3030-8 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3009LFVW-7	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 90A; 2.3W Drain-source voltage: 30V Drain current: 10A On-state resistance: 20mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.3W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 12nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 90A Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3009LFVWQ-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 90A; 2.3W Drain-source voltage: 30V Drain current: 10A On-state resistance: 20mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 2.3W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 12nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 90A Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3009LFVWQ-7	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 90A; 2.3W Drain-source voltage: 30V Drain current: 10A On-state resistance: 20mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 2.3W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 12nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 90A Mounting: SMD Case: PowerDI®3333-8 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3009UFVW-7	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; Idm: 80A; 2.6W Drain-source voltage: 30V Drain current: 8.5A On-state resistance: 13mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.6W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 14.6nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 80A Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3020LDV-7	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; Idm: 50A; 1.9W Drain-source voltage: 30V Drain current: 25A On-state resistance: 32mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.9W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 50A Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3020LFDB-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; Idm: 50A; 1.8W Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.2A On-state resistance: 32mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 50A Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3020LFDB-7	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; Idm: 50A; 1.8W Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.2A On-state resistance: 32mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 50A Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3020LFDBQ-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; Idm: 50A; 1.8W Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.2A On-state resistance: 32mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 50A Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3020LFDBQ-7	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; Idm: 50A; 1.8W Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.2A On-state resistance: 32mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 50A Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3020LFDF-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.4A; Idm: 40A; 1.1W Drain-source voltage: 30V Drain current: 5.4A On-state resistance: 28mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.1W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3020LFDF-7	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.4A; Idm: 40A; 1.1W Drain-source voltage: 30V Drain current: 5.4A On-state resistance: 28mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.1W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3020LFDFQ-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.7A; Idm: 40A; 0.4W Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.7A On-state resistance: 28mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 0.4W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3020LFDFQ-7	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.4A; Idm: 40A; 1.1W Drain-source voltage: 30V Drain current: 5.4A On-state resistance: 28mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 1.1W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3020LSDQ-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 50A; 1.5W; SO8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 13A On-state resistance: 32mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 1.5W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 50A Mounting: SMD Case: SO8 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3020UFDB-13	DIODES INCORPORATED	Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.2A; Idm: 35A; 1.3W Drain-source voltage: 30V Drain current: 5.2A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 1.3W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 8.8nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 35A Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT30M9LPS-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A; 2.6W Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A On-state resistance: 1.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.6W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 160.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Mounting: SMD Case: PowerDI5060-8 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT31M6LPS-13	DIODES INCORPORATED	DMT31M6LPS-13 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT32M5LFG-13	DIODES INCORPORATED	DMT32M5LFG-13 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT32M5LFG-7	DIODES INCORPORATED	DMT32M5LFG-7 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT32M5LPS-13	DIODES INCORPORATED	DMT32M5LPS-13 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT34M1LPS-13	DIODES INCORPORATED	DMT34M1LPS-13 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT35M4LFDF-7	DIODES INCORPORATED	DMT35M4LFDF-7 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT35M4LFVW-7	DIODES INCORPORATED	DMT35M4LFVW-7 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT35M7LFV-13	DIODES INCORPORATED	DMT35M7LFV-13 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT36M1LPS-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; Idm: 100A; 2.6W Mounting: SMD Case: PowerDI5060-8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 12A On-state resistance: 9.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.6W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 16.7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 100A Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT4002LPS-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 200A; 2.3W Case: PowerDI5060-8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A On-state resistance: 3.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.3W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 116.1nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 200A Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT4003SCT	DIODES INCORPORATED	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 164A; Idm: 350A; 156W; TO220AB Case: TO220AB Drain-source voltage: 40V Drain current: 164A On-state resistance: 2.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 156W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 75.6nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 350A Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT4004LPS-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 21A; Idm: 100A; 2.6W Case: PowerDI5060-8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 21A On-state resistance: 4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.6W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 82.2nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 100A Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT4005SCT	DIODES INCORPORATED	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 85A; Idm: 160A; 104W; TO220AB Case: TO220AB Drain-source voltage: 40V Drain current: 85A On-state resistance: 3.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 104W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 49.1nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 160A Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT4008LFV-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 9.7A; Idm: 70A; 1.9W Case: PowerDI3333-8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 9.7A On-state resistance: 12mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.9W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 17.1nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 70A Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT4011LFG-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 8.6A; Idm: 65A; 2W Polarisation: unipolar Mounting: SMD Drain-source voltage: 40V Drain current: 8.6A On-state resistance: 17.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2W Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 15.1nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -16...20V Pulsed drain current: 65A Case: PowerDI3333-8 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT4011LFG-7	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 8.6A; Idm: 65A; 2W Polarisation: unipolar Mounting: SMD Drain-source voltage: 40V Drain current: 8.6A On-state resistance: 17.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2W Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 15.1nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -16...20V Pulsed drain current: 65A Case: PowerDI3333-8 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT47M2LDV-7	DIODES INCORPORATED	DMT47M2LDV-7 Multi channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT47M2LDVQ-7	DIODES INCORPORATED	DMT47M2LDVQ-7 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT47M2SFVW-7	DIODES INCORPORATED	DMT47M2SFVW-7 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT47M2SFVWQ-13	DIODES INCORPORATED	DMT47M2SFVWQ-13 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT12H065LFDF-13