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DMPH6050SSD-13 DIODES INCORPORATED DMPH6050SSD.pdf DMPH6050SSD-13 Multi channel transistors
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DMPH6050SSDQ-13 DIODES INCORPORATED DMPH6050SSDQ.pdf DMPH6050SSDQ-13 SMD P channel transistors
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DMPH6250S-13 DIODES INCORPORATED DMPH6250S.pdf DMPH6250S-13 SMD P channel transistors
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DMPH6250S-7 DMPH6250S-7 DIODES INCORPORATED DMPH6250S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.5A; Idm: -13A; 1.62W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 1.62W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 8.3nC
Pulsed drain current: -13A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
211+0.34 EUR
260+0.28 EUR
400+0.18 EUR
424+0.17 EUR
1000+0.16 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6250SQ-13 DMPH6250SQ-13 DIODES INCORPORATED DMPH6250SQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.5A; Idm: -13A; 1.62W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.5A
Pulsed drain current: -13A
Power dissipation: 1.62W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6250SQ-7 DMPH6250SQ-7 DIODES INCORPORATED DMPH6250SQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.5A; Idm: -13A; 1.62W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.5A
Pulsed drain current: -13A
Power dissipation: 1.62W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMS2085LSD-13 DIODES INCORPORATED DMS2085LSD.pdf DMS2085LSD-13 SMD P channel transistors
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DMS2120LFWB-7 DIODES INCORPORATED ds31667.pdf DMS2120LFWB-7 SMD P channel transistors
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DMS2220LFDB-7 DIODES INCORPORATED ds31546.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; Idm: -12A; 1.4W
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.5A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -12A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMS3014SFG-13 DIODES INCORPORATED DMS3014SFG.pdf DMS3014SFG-13 SMD N channel transistors
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DMS3014SFGQ-13 DIODES INCORPORATED DMS3014SFGQ.pdf DMS3014SFGQ-13 SMD N channel transistors
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DMS3014SFGQ-7 DIODES INCORPORATED DMS3014SFGQ.pdf DMS3014SFGQ-7 SMD N channel transistors
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DMT10H009LCG-7 DIODES INCORPORATED DMT10H009LCG.pdf DMT10H009LCG-7 SMD N channel transistors
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DMT10H009LFG-7 DIODES INCORPORATED DMT10H009LFG.pdf DMT10H009LFG-7 SMD N channel transistors
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DMT10H009LH3 DIODES INCORPORATED DMT10H009LH3.pdf DMT10H009LH3 THT N channel transistors
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DMT10H009LK3-13 DIODES INCORPORATED DMT10H009LK3.pdf DMT10H009LK3-13 SMD N channel transistors
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DMT10H009LPS-13 DIODES INCORPORATED DMT10H009LPS.pdf DMT10H009LPS-13 SMD N channel transistors
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DMT10H009LSS-13 DIODES INCORPORATED DMT10H009LSS.pdf DMT10H009LSS-13 SMD N channel transistors
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DMT10H009SK3-13 DIODES INCORPORATED DMT10H009SK3.pdf DMT10H009SK3-13 SMD N channel transistors
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DMT10H009SPS-13 DIODES INCORPORATED DMT10H009SPS.pdf DMT10H009SPS-13 SMD N channel transistors
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DMT10H010LCT DIODES INCORPORATED DMT10H010LCT.pdf DMT10H010LCT THT N channel transistors
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DMT10H010LK3-13 DMT10H010LK3-13 DIODES INCORPORATED DMT10H010LK3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 55A; Idm: 275A; 3W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 275A
Power dissipation: 3W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53.7nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMT10H010LPS-13 DIODES INCORPORATED DMT10H010LPS.pdf DMT10H010LPS-13 SMD N channel transistors
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DMT10H010LSS-13 DIODES INCORPORATED DMT10H010LSS.pdf DMT10H010LSS-13 SMD N channel transistors
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DMT10H010SPS-13 DIODES INCORPORATED DMT10H010SPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.6A; Idm: 250A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 1.2W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56.4nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 250A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMT10H014LSS-13 DIODES INCORPORATED DMT10H014LSS.pdf DMT10H014LSS-13 SMD N channel transistors
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DMT10H015LCG-13 DIODES INCORPORATED DMT10H015LCG.pdf DMT10H015LCG-13 SMD N channel transistors
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DMT10H015LCG-7 DIODES INCORPORATED DMT10H015LCG.pdf DMT10H015LCG-7 SMD N channel transistors
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DMT10H015LFG-13 DIODES INCORPORATED DMT10H015LFG.pdf DMT10H015LFG-13 SMD N channel transistors
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DMT10H015LFG-7 DIODES INCORPORATED DMT10H015LFG.pdf DMT10H015LFG-7 SMD N channel transistors
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DMT10H015LK3-13 DIODES INCORPORATED DMT10H015LK3.pdf DMT10H015LK3-13 SMD N channel transistors
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DMT10H015LPS-13 DIODES INCORPORATED DMT10H015LPS.pdf DMT10H015LPS-13 SMD N channel transistors
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DMT10H015LSS-13 DIODES INCORPORATED DMT10H015LSS.pdf DMT10H015LSS-13 SMD N channel transistors
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DMT10H015SK3-13 DIODES INCORPORATED DMT10H015SK3.pdf DMT10H015SK3-13 SMD N channel transistors
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DMT10H015SPS-13 DIODES INCORPORATED DMT10H015SPS.pdf DMT10H015SPS-13 SMD N channel transistors
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DMT10H017LPD-13 DIODES INCORPORATED DMT10H017LPD.pdf DMT10H017LPD-13 SMD N channel transistors
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DMT10H025LK3-13 DIODES INCORPORATED DMT10H025LK3.pdf DMT10H025LK3-13 SMD N channel transistors
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DMT10H025LSS-13 DIODES INCORPORATED DMT10H025LSS.pdf DMT10H025LSS-13 SMD N channel transistors
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DMT10H025SK3-13 DIODES INCORPORATED DMT10H025SK3.pdf DMT10H025SK3-13 SMD N channel transistors
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DMT10H025SSS-13 DIODES INCORPORATED DMT10H025SSS.pdf DMT10H025SSS-13 SMD N channel transistors
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DMT10H032LDV-13 DIODES INCORPORATED DMT10H032LDV.pdf DMT10H032LDV-13 SMD N channel transistors
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DMT10H032LFDF-7 DIODES INCORPORATED DMT10H032LFDF.pdf DMT10H032LFDF-7 SMD N channel transistors
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DMT10H032LFVW-7 DIODES INCORPORATED DMT10H032LFVW.pdf DMT10H032LFVW-7 SMD N channel transistors
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DMT10H072LFDF-7 DIODES INCORPORATED DMT10H072LFDF.pdf DMT10H072LFDF-7 SMD N channel transistors
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DMT10H072LFDFQ-7 DIODES INCORPORATED DMT10H072LFDFQ.pdf DMT10H072LFDFQ-7 SMD N channel transistors
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DMT10H072LFV-13 DIODES INCORPORATED DMT10H072LFV.pdf DMT10H072LFV-13 SMD N channel transistors
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DMT10H072LFV-7 DIODES INCORPORATED DMT10H072LFV.pdf DMT10H072LFV-7 SMD N channel transistors
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DMT10H4M5LPS-13 DIODES INCORPORATED DMT10H4M5LPS.pdf DMT10H4M5LPS-13 SMD N channel transistors
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DMT12H007LPS-13 DIODES INCORPORATED DMT12H007LPS.pdf DMT12H007LPS-13 SMD N channel transistors
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DMT12H007SPS-13 DIODES INCORPORATED DMT12H007SPS-13 SMD N channel transistors
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DMT12H060LFDF-7 DIODES INCORPORATED DMT12H060LFDF.pdf DMT12H060LFDF-7 SMD N channel transistors
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DMT12H065LFDF-13 DIODES INCORPORATED DMT12H065LFDF.pdf DMT12H065LFDF-13 SMD N channel transistors
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DMT12H065LFDF-7 DIODES INCORPORATED DMT12H065LFDF.pdf DMT12H065LFDF-7 SMD N channel transistors
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DMT12H090LFDF4-7 DIODES INCORPORATED DMT12H090LFDF4.pdf DMT12H090LFDF4-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT15H017LPS-13 DIODES INCORPORATED DMT15H017LPS.pdf DMT15H017LPS-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT15H017LPSW-13 DIODES INCORPORATED DMT15H017LPSW.pdf DMT15H017LPSW-13 SMD N channel transistors
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DMT15H017SK3-13 DIODES INCORPORATED DMT15H017SK3.pdf DMT15H017SK3-13 SMD N channel transistors
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DMT2004UFDF-7 DIODES INCORPORATED DMT2004UFDF.pdf DMT2004UFDF-7 SMD N channel transistors
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DMT2004UFG-7 DIODES INCORPORATED DMT2004UFG.pdf DMT2004UFG-7 SMD N channel transistors
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DMT2004UFV-13 DIODES INCORPORATED DMT2004UFV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 55A; Idm: 90A; 2.3W
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 53.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 90A
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 55A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SSD-13 DMPH6050SSD.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMPH6050SSD-13 Multi channel transistors
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DMPH6050SSDQ-13 DMPH6050SSDQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMPH6050SSDQ-13 SMD P channel transistors
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DMPH6250S-13 DMPH6250S.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMPH6250S-13 SMD P channel transistors
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DMPH6250S-7 DMPH6250S.pdf
DMPH6250S-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.5A; Idm: -13A; 1.62W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 1.62W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 8.3nC
Pulsed drain current: -13A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
211+0.34 EUR
260+0.28 EUR
400+0.18 EUR
424+0.17 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 136
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DMPH6250SQ-13 DMPH6250SQ.pdf
DMPH6250SQ-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.5A; Idm: -13A; 1.62W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.5A
Pulsed drain current: -13A
Power dissipation: 1.62W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6250SQ-7 DMPH6250SQ.pdf
DMPH6250SQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.5A; Idm: -13A; 1.62W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.5A
Pulsed drain current: -13A
Power dissipation: 1.62W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMS2085LSD-13 DMS2085LSD.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMS2085LSD-13 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMS2120LFWB-7 ds31667.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMS2120LFWB-7 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMS2220LFDB-7 ds31546.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; Idm: -12A; 1.4W
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.5A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -12A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMS3014SFG-13 DMS3014SFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMS3014SFG-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMS3014SFGQ-13 DMS3014SFGQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMS3014SFGQ-13 SMD N channel transistors
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DMS3014SFGQ-7 DMS3014SFGQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMS3014SFGQ-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT10H009LCG-7 DMT10H009LCG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMT10H009LCG-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT10H009LFG-7 DMT10H009LFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMT10H009LFG-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT10H009LH3 DMT10H009LH3.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMT10H009LH3 THT N channel transistors
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DMT10H009LK3-13 DMT10H009LK3.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMT10H009LK3-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT10H009LPS-13 DMT10H009LPS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMT10H009LPS-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT10H009LSS-13 DMT10H009LSS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMT10H009LSS-13 SMD N channel transistors
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DMT10H009SK3-13 DMT10H009SK3.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMT10H009SK3-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT10H009SPS-13 DMT10H009SPS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMT10H009SPS-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT10H010LCT DMT10H010LCT.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMT10H010LCT THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT10H010LK3-13 DMT10H010LK3.pdf
DMT10H010LK3-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 55A; Idm: 275A; 3W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 275A
Power dissipation: 3W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53.7nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.6A; Idm: 250A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 1.2W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56.4nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 250A
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 55A; Idm: 90A; 2.3W
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 53.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 90A
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 55A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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