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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMMT3904WQ-7-F DIODES INCORPORATED DMMT3904W_Rev13-2_Feb2018.pdf DMMT3904WQ-7-F NPN SMD transistors
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DMMT3906-7-F DIODES INCORPORATED ds30293.pdf DMMT3906-7-F PNP SMD transistors
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DMMT3906W-7-f DIODES INCORPORATED ds30312.pdf DMMT3906W-7-F PNP SMD transistors
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DMMT3906WQ-7-F DIODES INCORPORATED ds30312.pdf DMMT3906WQ-7-F PNP SMD transistors
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DMMT5401-7-F DMMT5401-7-F DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED80B73A4DBAA18&compId=DMMT5401.pdf?ci_sign=1460747be56341cf773f1a5c32bd683ecd48fc1f Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 150V; 0.2A; 300mW; SOT26
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT26
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3085 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
247+0.29 EUR
353+0.2 EUR
394+0.18 EUR
575+0.12 EUR
1500+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 173
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DMMT5551-7-F DMMT5551-7-F DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986AC5E03E61C78BF&compId=DMMT5551.pdf?ci_sign=f60cd0e5a12f975d11403171edbc245cb1734cb2 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 300mW; SOT26
Polarisation: bipolar
Case: SOT26
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN x2
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Quantity in set/package: 3000pcs.
Current gain: 50...250
Collector-emitter voltage: 160V
Frequency: 100...300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
143+0.5 EUR
175+0.41 EUR
363+0.2 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 143
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DMMT5551S-7-F DIODES INCORPORATED ds30436.pdf DMMT5551S-7-F NPN SMD transistors
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DMN1001UCA10-7 DIODES INCORPORATED DMN1001UCA10.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 16A; Idm: 90A; 2.4W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: X2-TSN1820-10
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29nC
On-state resistance: 6.9mΩ
Power dissipation: 2.4W
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 90A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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DMN1004UFDF-7 DIODES INCORPORATED DMN1004UFDF.pdf DMN1004UFDF-7 SMD N channel transistors
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DMN1004UFV-13 DIODES INCORPORATED DMN1004UFV.pdf DMN1004UFV-13 SMD N channel transistors
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DMN1004UFV-7 DMN1004UFV-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C82BFAEDEB58BF&compId=DMN1004UFV.pdf?ci_sign=80f39a6efc5433254e7cd1da6aa7ec985baf13f1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 55A; 0.9W; PowerDI®3333-8; ESD
Case: PowerDI®3333-8
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.1mΩ
Power dissipation: 0.9W
Gate-source voltage: ±8V
Drain current: 55A
Drain-source voltage: 12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 836 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
81+0.89 EUR
99+0.73 EUR
112+0.64 EUR
152+0.47 EUR
242+0.3 EUR
257+0.28 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 81
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DMN1006UCA6-7 DIODES INCORPORATED DMN1006UCA6.pdf DMN1006UCA6-7 SMD N channel transistors
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DMN1008UFDF-13 DIODES INCORPORATED DMN1008UFDF.pdf DMN1008UFDF-13 SMD N channel transistors
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DMN1008UFDF-7 DIODES INCORPORATED DMN1008UFDF.pdf DMN1008UFDF-7 SMD N channel transistors
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DMN1008UFDFQ-13 DIODES INCORPORATED DMN1008UFDFQ.pdf DMN1008UFDFQ-13 SMD N channel transistors
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DMN1019UFDE-7 DIODES INCORPORATED DMN1019UFDE.pdf DMN1019UFDE-7 SMD N channel transistors
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DMN1019USN-13 DIODES INCORPORATED DMN1019USN.pdf DMN1019USN-13 SMD N channel transistors
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DMN1019UVT-13 DIODES INCORPORATED DMN1019UVT.pdf DMN1019UVT-13 SMD N channel transistors
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DMN1019UVT-7 DMN1019UVT-7 DIODES INCORPORATED DMN1019UVT.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 10.1A; Idm: 70A; 1.11W; TSOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 10.1A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 1.11W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50.4nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN1025UFDB-7 DMN1025UFDB-7 DIODES INCORPORATED Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: U-DFN2020-6
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23.1nC
On-state resistance: 38mΩ
Power dissipation: 1.7W
Drain current: 5.5A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 12V
Pulsed drain current: 35A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2533 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
250+0.29 EUR
309+0.23 EUR
374+0.19 EUR
414+0.17 EUR
527+0.14 EUR
556+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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DMN1029UFDB-13 DIODES INCORPORATED DMN1029UFDB.pdf DMN1029UFDB-13 SMD N channel transistors
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DMN1029UFDB-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C83C8A641E58BF&compId=DMN1029UFDB.pdf?ci_sign=06a8d04c33c32b3c6cd3e160295c29bb4a2f7bf4 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 3.7A; 1.4W; U-DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.4W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Drain current: 3.7A
On-state resistance: 65mΩ
Drain-source voltage: 12V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN1045UFR4-7 DIODES INCORPORATED DMN1045UFR4.pdf DMN1045UFR4-7 SMD N channel transistors
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DMN1054UCB4-7 DIODES INCORPORATED DMN1054UCB4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 3.2A; Idm: 8A; 1.34W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.34W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 8A
Case: X1-WLB0808-4
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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DMN10H099SFG-13 DIODES INCORPORATED DMN10H099SFG.pdf DMN10H099SFG-13 SMD N channel transistors
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DMN10H099SFG-7 DIODES INCORPORATED DMN10H099SFG.pdf DMN10H099SFG-7 SMD N channel transistors
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DMN10H099SK3-13 DIODES INCORPORATED DMN10H099SK3.pdf DMN10H099SK3-13 SMD N channel transistors
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DMN10H100SK3-13 DIODES INCORPORATED DMN10H100SK3.pdf DMN10H100SK3-13 SMD N channel transistors
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DMN10H120SE-13 DIODES INCORPORATED DMN10H120SE.pdf DMN10H120SE-13 SMD N channel transistors
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DMN10H120SFG-13 DIODES INCORPORATED DMN10H120SFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.2A; Idm: 20A; 1.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.5W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.122Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.6nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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DMN10H120SFG-7 DIODES INCORPORATED DMN10H120SFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.2A; Idm: 20A; 1.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.5W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.122Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.6nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN10H170SFDE-7 DIODES INCORPORATED DMN10H170SFDE.pdf DMN10H170SFDE-7 SMD N channel transistors
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DMN10H170SFG-13 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C884DCA4B818BF&compId=DMN10H170SFG.pdf?ci_sign=2a63843c6e47a1780b34bcc744d2e4ee8147f5a7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 1.3W; PowerDI®3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PowerDI®3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 100V
On-state resistance: 0.133Ω
Power dissipation: 1.3W
Drain current: 2.7A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN10H170SFG-7 DIODES INCORPORATED DMN10H170SFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; Idm: 16A; 1.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 14.9nC
On-state resistance: 0.133Ω
Power dissipation: 1.3W
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 16A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN10H170SK3-13 DIODES INCORPORATED DMN10H170SK3.pdf DMN10H170SK3-13 SMD N channel transistors
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DMN10H170SK3Q-13 DIODES INCORPORATED DMN10H170SK3Q2.pdf DMN10H170SK3Q-13 SMD N channel transistors
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DMN10H170SVT-13 DIODES INCORPORATED DMN10H170SVT.pdf DMN10H170SVT-13 SMD N channel transistors
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DMN10H170SVT-7 DIODES INCORPORATED DMN10H170SVT.pdf DMN10H170SVT-7 SMD N channel transistors
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DMN10H170SVTQ-7 DMN10H170SVTQ-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C8A1966A3A38BF&compId=DMN10H170SVT.pdf?ci_sign=a64b907b6f7bde2e9bcbba1dd386ab3f50d1bb03 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.3A; 1.2W; TSOT26
Mounting: SMD
Case: TSOT26
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.3A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN10H220L-13 DIODES INCORPORATED DMN10H220L.pdf DMN10H220L-13 SMD N channel transistors
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DMN10H220L-7 DMN10H220L-7 DIODES INCORPORATED DMN10H220L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 8A; 1.3W; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.22Ω
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 1.3W
Pulsed drain current: 8A
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 100V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 532 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
143+0.5 EUR
178+0.4 EUR
217+0.33 EUR
237+0.3 EUR
532+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H220LE-13 DIODES INCORPORATED DMN10H220LE.pdf DMN10H220LE-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H220LFDF-7 DIODES INCORPORATED DMN10H220LFDF.pdf DMN10H220LFDF-7 SMD N channel transistors
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DMN10H220LFVW-7 DIODES INCORPORATED DMN10H220LFVW.pdf DMN10H220LFVW-7 SMD N channel transistors
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DMN10H220LK3-13 DIODES INCORPORATED DMN10H220LK3.pdf DMN10H220LK3-13 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1467 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
134+0.54 EUR
345+0.21 EUR
365+0.2 EUR
2500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 134
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H220LPDW-13 DIODES INCORPORATED DMN10H220LPDW.pdf DMN10H220LPDW-13 Multi channel transistors
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DMN10H220LQ-7 DMN10H220LQ-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B3DB375F3E4040C4&compId=DMN10H220LQ-7.pdf?ci_sign=30362d1a88b713f7a86b6972c855a914d4a5c4fd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; 1.3W; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.25Ω
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 100V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1113 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
200+0.36 EUR
234+0.31 EUR
317+0.23 EUR
538+0.13 EUR
676+0.11 EUR
715+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 173
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DMN10H220LVT-7 DIODES INCORPORATED DMN10H220LVT.pdf DMN10H220LVT-7 SMD N channel transistors
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DMN10H700S-13 DIODES INCORPORATED DMN10H700S.pdf DMN10H700S-13 SMD N channel transistors
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DMN10H700S-7 DIODES INCORPORATED DMN10H700S.pdf DMN10H700S-7 SMD N channel transistors
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DMN1150UFB-7B DIODES INCORPORATED DMN1150UFB.pdf DMN1150UFB-7B SMD N channel transistors
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DMN1150UFL3-7 DIODES INCORPORATED DMN1150UFL3.pdf DMN1150UFL3-7 Multi channel transistors
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DMN1250UFEL-7 DIODES INCORPORATED DMN1250UFEL.pdf DMN1250UFEL-7 Multi channel transistors
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DMN1260UFA-7B DIODES INCORPORATED DMN1260UFA.pdf DMN1260UFA-7B SMD N channel transistors
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DMN12M7UCA10-7 DIODES INCORPORATED DMN12M7UCA10.pdf DMN12M7UCA10-7 Multi channel transistors
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DMN13H750S-13 DIODES INCORPORATED DMN13H750S.pdf DMN13H750S-13 SMD N channel transistors
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DMN13H750S-7 DIODES INCORPORATED DMN13H750S.pdf DMN13H750S-7 SMD N channel transistors
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DMN15H310SE-13 DIODES INCORPORATED DMN15H310SE.pdf DMN15H310SE-13 SMD N channel transistors
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DMN15H310SK3-13 DIODES INCORPORATED DMN15H310SK3.pdf DMN15H310SK3-13 SMD N channel transistors
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DMN2004DMK-7 DIODES INCORPORATED ds30937.pdf DMN2004DMK-7 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMMT3904WQ-7-F NPN SMD transistors
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DMMT3906-7-F PNP SMD transistors
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DMMT5401-7-F
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 150V; 0.2A; 300mW; SOT26
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT26
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
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Anzahl Preis
173+0.41 EUR
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DMMT5551-7-F
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 300mW; SOT26
Polarisation: bipolar
Case: SOT26
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN x2
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Quantity in set/package: 3000pcs.
Current gain: 50...250
Collector-emitter voltage: 160V
Frequency: 100...300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 175 Stücke:
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143+0.5 EUR
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMMT5551S-7-F NPN SMD transistors
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DMN1001UCA10-7 DMN1001UCA10.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 16A; Idm: 90A; 2.4W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: X2-TSN1820-10
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29nC
On-state resistance: 6.9mΩ
Power dissipation: 2.4W
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 90A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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DMN1004UFDF-7 DMN1004UFDF.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN1004UFDF-7 SMD N channel transistors
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DMN1004UFV-13 SMD N channel transistors
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DMN1004UFV-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 55A; 0.9W; PowerDI®3333-8; ESD
Case: PowerDI®3333-8
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.1mΩ
Power dissipation: 0.9W
Gate-source voltage: ±8V
Drain current: 55A
Drain-source voltage: 12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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81+0.89 EUR
99+0.73 EUR
112+0.64 EUR
152+0.47 EUR
242+0.3 EUR
257+0.28 EUR
1000+0.27 EUR
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DMN1006UCA6-7 SMD N channel transistors
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DMN1008UFDF-13 SMD N channel transistors
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DMN1008UFDF-7 SMD N channel transistors
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DMN1019UVT-13 SMD N channel transistors
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DMN1019UVT-7 DMN1019UVT.pdf
DMN1019UVT-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 10.1A; Idm: 70A; 1.11W; TSOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 10.1A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 1.11W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50.4nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN1025UFDB-7
DMN1025UFDB-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: U-DFN2020-6
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23.1nC
On-state resistance: 38mΩ
Power dissipation: 1.7W
Drain current: 5.5A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 12V
Pulsed drain current: 35A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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250+0.29 EUR
309+0.23 EUR
374+0.19 EUR
414+0.17 EUR
527+0.14 EUR
556+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
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DMN1029UFDB-13 DMN1029UFDB.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN1029UFDB-13 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 3.7A; 1.4W; U-DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.4W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Drain current: 3.7A
On-state resistance: 65mΩ
Drain-source voltage: 12V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN1045UFR4-7 DMN1045UFR4.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN1045UFR4-7 SMD N channel transistors
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DMN1054UCB4-7 DMN1054UCB4.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 3.2A; Idm: 8A; 1.34W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.34W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 8A
Case: X1-WLB0808-4
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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DMN10H099SFG-13 DMN10H099SFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN10H099SFG-13 SMD N channel transistors
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DMN10H099SFG-7 DMN10H099SFG.pdf
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DMN10H099SFG-7 SMD N channel transistors
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DMN10H099SK3-13 DMN10H099SK3.pdf
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DMN10H099SK3-13 SMD N channel transistors
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DMN10H100SK3-13 DMN10H100SK3.pdf
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DMN10H100SK3-13 SMD N channel transistors
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DMN10H120SE-13 DMN10H120SE.pdf
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DMN10H120SE-13 SMD N channel transistors
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DMN10H120SFG-13 DMN10H120SFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.2A; Idm: 20A; 1.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.5W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.122Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.6nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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DMN10H120SFG-7 DMN10H120SFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.2A; Idm: 20A; 1.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.5W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.122Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.6nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H170SFDE-7 DMN10H170SFDE.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN10H170SFDE-7 SMD N channel transistors
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DMN10H170SFG-13 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C884DCA4B818BF&compId=DMN10H170SFG.pdf?ci_sign=2a63843c6e47a1780b34bcc744d2e4ee8147f5a7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 1.3W; PowerDI®3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PowerDI®3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 100V
On-state resistance: 0.133Ω
Power dissipation: 1.3W
Drain current: 2.7A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H170SFG-7 DMN10H170SFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; Idm: 16A; 1.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 14.9nC
On-state resistance: 0.133Ω
Power dissipation: 1.3W
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 16A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H170SK3-13 DMN10H170SK3.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN10H170SK3-13 SMD N channel transistors
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DMN10H170SK3Q-13 DMN10H170SK3Q2.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN10H170SK3Q-13 SMD N channel transistors
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DMN10H170SVT-13 DMN10H170SVT.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN10H170SVT-13 SMD N channel transistors
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DMN10H170SVT-7 DMN10H170SVT.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN10H170SVT-7 SMD N channel transistors
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DMN10H170SVTQ-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C8A1966A3A38BF&compId=DMN10H170SVT.pdf?ci_sign=a64b907b6f7bde2e9bcbba1dd386ab3f50d1bb03
DMN10H170SVTQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.3A; 1.2W; TSOT26
Mounting: SMD
Case: TSOT26
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.3A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN10H220L-13 DMN10H220L.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN10H220L-13 SMD N channel transistors
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DMN10H220L-7 DMN10H220L.pdf
DMN10H220L-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 8A; 1.3W; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.22Ω
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 1.3W
Pulsed drain current: 8A
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 100V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 532 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
143+0.5 EUR
178+0.4 EUR
217+0.33 EUR
237+0.3 EUR
532+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 143
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DMN10H220LE-13 DMN10H220LE.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN10H220LE-13 SMD N channel transistors
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DMN10H220LFDF-7 DMN10H220LFDF.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN10H220LFDF-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H220LFVW-7 DMN10H220LFVW.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN10H220LFVW-7 SMD N channel transistors
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DMN10H220LK3-13 DMN10H220LK3.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN10H220LK3-13 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1467 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
134+0.54 EUR
345+0.21 EUR
365+0.2 EUR
2500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 134
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DMN10H220LPDW-13 DMN10H220LPDW.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN10H220LPDW-13 Multi channel transistors
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DMN10H220LQ-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B3DB375F3E4040C4&compId=DMN10H220LQ-7.pdf?ci_sign=30362d1a88b713f7a86b6972c855a914d4a5c4fd
DMN10H220LQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; 1.3W; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.25Ω
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 100V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1113 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
200+0.36 EUR
234+0.31 EUR
317+0.23 EUR
538+0.13 EUR
676+0.11 EUR
715+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 173
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DMN10H220LVT-7 DMN10H220LVT.pdf
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DMN10H220LVT-7 SMD N channel transistors
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DMN10H700S-13 DMN10H700S.pdf
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DMN10H700S-13 SMD N channel transistors
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DMN10H700S-7 DMN10H700S.pdf
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DMN10H700S-7 SMD N channel transistors
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DMN1150UFB-7B DMN1150UFB.pdf
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DMN1150UFB-7B SMD N channel transistors
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DMN1150UFL3-7 DMN1150UFL3.pdf
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DMN1150UFL3-7 Multi channel transistors
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DMN1250UFEL-7 DMN1250UFEL.pdf
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DMN1250UFEL-7 Multi channel transistors
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DMN1260UFA-7B DMN1260UFA.pdf
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DMN1260UFA-7B SMD N channel transistors
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DMN12M7UCA10-7 DMN12M7UCA10.pdf
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DMN12M7UCA10-7 Multi channel transistors
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DMN13H750S-13 DMN13H750S.pdf
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DMN13H750S-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN13H750S-7 DMN13H750S.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN13H750S-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN15H310SE-13 DMN15H310SE.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN15H310SE-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN15H310SK3-13 DMN15H310SK3.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN15H310SK3-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004DMK-7 ds30937.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2004DMK-7 SMD N channel transistors
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