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DMN3051L-7 DIODES INCORPORATED ds31347.pdf DMN3051L-7 SMD N channel transistors
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DMN3051LDM-7 DIODES INCORPORATED ds31523.pdf DMN3051LDM-7 SMD N channel transistors
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DMN3053L-13 DIODES INCORPORATED DMN3053L.pdf DMN3053L-13 SMD N channel transistors
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DMN3053L-7 DMN3053L-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C978F625B818BF&compId=DMN3053L.pdf?ci_sign=feb7beb4f5a3c0a1432a1d2c2ada7e4049275519 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; 0.48W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1098 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
261+0.27 EUR
304+0.24 EUR
385+0.19 EUR
468+0.15 EUR
496+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 179
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DMN3055LFDB-13 DIODES INCORPORATED DMN3055LFDB.pdf DMN3055LFDB-13 SMD N channel transistors
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DMN3055LFDB-7 DIODES INCORPORATED DMN3055LFDB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; Idm: 25A; 870mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.87W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 11.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 25A
Drain current: 4A
On-state resistance: 75mΩ
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN3060LCA3-7 DIODES INCORPORATED DMN3060LCA3.pdf DMN3060LCA3-7 SMD N channel transistors
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DMN3060LW-13 DIODES INCORPORATED DMN3060LW.pdf DMN3060LW-13 SMD N channel transistors
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DMN3060LW-7 DIODES INCORPORATED DMN3060LW.pdf DMN3060LW-7 SMD N channel transistors
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DMN3060LWQ-13 DIODES INCORPORATED DMN3060LWQ.pdf DMN3060LWQ-13 SMD N channel transistors
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DMN3060LWQ-7 DIODES INCORPORATED DMN3060LWQ.pdf DMN3060LWQ-7 SMD N channel transistors
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DMN3061LCA3-7 DIODES INCORPORATED DMN3061LCA3.pdf DMN3061LCA3-7 SMD N channel transistors
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DMN3061SWQ-13 DIODES INCORPORATED DMN3061SWQ.pdf DMN3061SWQ-13 SMD N channel transistors
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DMN3065LW-13 DIODES INCORPORATED DMN3065LW.pdf DMN3065LW-13 SMD N channel transistors
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DMN3065LW-7 DIODES INCORPORATED DMN3065LW.pdf DMN3065LW-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2107 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
127+0.56 EUR
662+0.11 EUR
700+0.1 EUR
24000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 127
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DMN3066LQ-13 DIODES INCORPORATED DMN3066LQ.pdf DMN3066LQ-13 SMD N channel transistors
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DMN3067LW-13 DMN3067LW-13 DIODES INCORPORATED DMN3067LW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1A; Idm: 10A; 1.1W; SOT323
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.1A
Gate charge: 4.6nC
On-state resistance: 98mΩ
Power dissipation: 1.1W
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±12V
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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DMN3067LW-7 DMN3067LW-7 DIODES INCORPORATED DMN3067LW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1A; Idm: 10A; 0.5W; SOT323
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.1A
On-state resistance: 67mΩ
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±12V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN3070SSN-7 DIODES INCORPORATED DMN3070SSN.pdf DMN3070SSN-7 SMD N channel transistors
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DMN3071LFR4-7 DIODES INCORPORATED DMN3071LFR4.pdf DMN3071LFR4-7 SMD N channel transistors
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DMN30H14DLY-13 DIODES INCORPORATED DMN30H14DLY.pdf DMN30H14DLY-13 SMD N channel transistors
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DMN30H4D0L-13 DIODES INCORPORATED DMN30H4D0L.pdf DMN30H4D0L-13 SMD N channel transistors
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DMN30H4D0L-7 DIODES INCORPORATED DMN30H4D0L.pdf DMN30H4D0L-7 SMD N channel transistors
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DMN30H4D0LFDE-13 DIODES INCORPORATED DMN30H4D0LFDE.pdf DMN30H4D0LFDE-13 SMD N channel transistors
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DMN30H4D0LFDE-7 DIODES INCORPORATED DMN30H4D0LFDE.pdf DMN30H4D0LFDE-7 SMD N channel transistors
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DMN30H4D1S-13 DIODES INCORPORATED DMN30H4D1S-13 SMD N channel transistors
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DMN30H4D1S-7 DIODES INCORPORATED DMN30H4D1S-7 SMD N channel transistors
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DMN3110S-7 DIODES INCORPORATED DMN3110S.pdf DMN3110S-7 SMD N channel transistors
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DMN3115UDMQ-13 DIODES INCORPORATED DMN3115UDMQ-13 SMD N channel transistors
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DMN3135LVT-7 DIODES INCORPORATED DMN3135LVT.pdf DMN3135LVT-7 SMD N channel transistors
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DMN3135LVTQ-7 DIODES INCORPORATED DMN3135LVTQ.pdf DMN3135LVTQ-7 SMD N channel transistors
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DMN313DLT-7 DIODES INCORPORATED DMN313DLT.pdf DMN313DLT-7 SMD N channel transistors
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DMN3150L-7 DIODES INCORPORATED ds31126.pdf DMN3150L-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
590+0.12 EUR
75000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 136
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DMN3150LW-7 DIODES INCORPORATED ds31514.pdf DMN3150LW-7 SMD N channel transistors
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DMN3190LDW-13 DIODES INCORPORATED DMN3190LDW.pdf DMN3190LDW-13 SMD N channel transistors
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DMN3190LDW-7 DMN3190LDW-7 DIODES INCORPORATED DMN3190LDW.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.9A; Idm: 9.6A; 0.32W; ESD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.9A
On-state resistance: 0.19Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.32W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 9.6A
Mounting: SMD
Case: SOT363
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 553 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
313+0.23 EUR
404+0.18 EUR
468+0.15 EUR
553+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 313
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DMN3190LDWQ-7 DIODES INCORPORATED DMN3190LDWQ.pdf DMN3190LDWQ-7 Multi channel transistors
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DMN31D5L-7 DIODES INCORPORATED DMN31D5L.pdf DMN31D5L-7 SMD N channel transistors
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DMN31D5UDJ-7 DIODES INCORPORATED DMN31D5UDJ.pdf DMN31D5UDJ-7 SMD N channel transistors
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DMN31D5UFO-7B DIODES INCORPORATED DMN31D5UFO.pdf DMN31D5UFO-7B SMD N channel transistors
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DMN31D5UFZ-7B DIODES INCORPORATED DMN31D5UFZ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150mA; Idm: 0.5A; 393mW
On-state resistance: 4.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 393mW
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 0.35nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 0.5A
Mounting: SMD
Case: X2-DFN0606-3
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.15A
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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DMN31D6UT-7 DMN31D6UT-7 DIODES INCORPORATED DMN31D6UT.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 350mA; Idm: 0.8A; 320mW; SOT523
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain current: 0.35A
Gate charge: 0.35nC
Power dissipation: 0.32W
On-state resistance: 2Ω
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 0.8A
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN3200U-7 DIODES INCORPORATED ds31188.pdf DMN3200U-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2605 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
142+0.5 EUR
461+0.16 EUR
488+0.15 EUR
9000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 142
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DMN32D2LDF-7 DMN32D2LDF-7 DIODES INCORPORATED ds31238.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 400mA; 280mW; SOT353; ESD
Mounting: SMD
Semiconductor structure: common source
Case: SOT353
Power dissipation: 0.28W
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 2.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.4A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1747 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
311+0.23 EUR
472+0.15 EUR
807+0.089 EUR
863+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 157
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DMN32D2LFB4-7 DIODES INCORPORATED ds31124.pdf DMN32D2LFB4-7 SMD N channel transistors
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DMN32D4SDW-13 DIODES INCORPORATED DMN32D4SDW.pdf DMN32D4SDW-13 SMD N channel transistors
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DMN32D4SDW-7 DIODES INCORPORATED DMN32D4SDW.pdf DMN32D4SDW-7 SMD N channel transistors
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DMN3300U-7 DIODES INCORPORATED ds31181.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.6A; Idm: 8A; 1.3W; SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 8A
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3300UQ-7 DMN3300UQ-7 DIODES INCORPORATED DMN3300UQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.6A; Idm: 8A; 1.3W; SOT23
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 8A
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN33D8LDW-13 DIODES INCORPORATED DMN33D8LDW.pdf DMN33D8LDW-13 Multi channel transistors
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DMN33D8LDW-7 DIODES INCORPORATED DMN33D8LDW.pdf DMN33D8LDW-7 Multi channel transistors
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DMN33D8LT-13 DIODES INCORPORATED DMN33D8LT.pdf DMN33D8LT-13 SMD N channel transistors
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DMN33D8LT-7 DIODES INCORPORATED DMN33D8LT.pdf DMN33D8LT-7 SMD N channel transistors
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DMN33D9LV-13 DIODES INCORPORATED DMN33D9LV-13 Multi channel transistors
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DMN33D9LV-13A DIODES INCORPORATED DMN33D9LV-13A Multi channel transistors
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DMN33D9LV-7 DIODES INCORPORATED DMN33D9LV.pdf DMN33D9LV-7 Multi channel transistors
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DMN33D9LV-7A DIODES INCORPORATED DMN33D9LV.pdf DMN33D9LV-7A Multi channel transistors
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DMN3401LDW-13 DIODES INCORPORATED DMN3401LDW.pdf DMN3401LDW-13 Multi channel transistors
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DMN3401LDW-7 DIODES INCORPORATED DMN3401LDW.pdf DMN3401LDW-7 Multi channel transistors
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DMN3404L-7 DMN3404L-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797F990459F186748&compId=DMN3404L.pdf?ci_sign=4f363a10b568db54e6fe5a8fa65cec1aeb331181 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3A; 0.72W; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 82mΩ
Power dissipation: 0.72W
Drain current: 3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Case: SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.11 EUR
50+1.43 EUR
100+0.72 EUR
251+0.29 EUR
690+0.1 EUR
24000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3051L-7 ds31347.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3051L-7 SMD N channel transistors
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DMN3051LDM-7 ds31523.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3051LDM-7 SMD N channel transistors
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DMN3053L-13 DMN3053L.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3053L-13 SMD N channel transistors
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DMN3053L-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C978F625B818BF&compId=DMN3053L.pdf?ci_sign=feb7beb4f5a3c0a1432a1d2c2ada7e4049275519
DMN3053L-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; 0.48W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1098 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
261+0.27 EUR
304+0.24 EUR
385+0.19 EUR
468+0.15 EUR
496+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3055LFDB-13 DMN3055LFDB.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3055LFDB-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3055LFDB-7 DMN3055LFDB.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; Idm: 25A; 870mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.87W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 11.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 25A
Drain current: 4A
On-state resistance: 75mΩ
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN3060LCA3-7 DMN3060LCA3.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3060LCA3-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3060LW-13 DMN3060LW.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3060LW-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3060LW-7 DMN3060LW.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3060LW-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3060LWQ-13 DMN3060LWQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3060LWQ-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3060LWQ-7 DMN3060LWQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3060LWQ-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3061LCA3-7 DMN3061LCA3.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3061LCA3-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3061SWQ-13 DMN3061SWQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3061SWQ-13 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3065LW-13 SMD N channel transistors
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DMN3065LW-7 SMD N channel transistors
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127+0.56 EUR
662+0.11 EUR
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DMN3067LW-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1A; Idm: 10A; 1.1W; SOT323
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.1A
Gate charge: 4.6nC
On-state resistance: 98mΩ
Power dissipation: 1.1W
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±12V
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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DMN3067LW-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1A; Idm: 10A; 0.5W; SOT323
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.1A
On-state resistance: 67mΩ
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±12V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN3070SSN-7 SMD N channel transistors
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DMN30H4D1S-13
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DMN30H4D1S-7
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DMN3110S-7 SMD N channel transistors
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DMN3115UDMQ-13
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DMN3115UDMQ-13 SMD N channel transistors
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DMN3135LVT-7 SMD N channel transistors
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DMN3135LVTQ-7 SMD N channel transistors
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DMN313DLT-7 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3150L-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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136+0.53 EUR
590+0.12 EUR
75000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 136
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DMN3150LW-7 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3190LDW-13 SMD N channel transistors
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DMN3190LDW-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.9A; Idm: 9.6A; 0.32W; ESD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.9A
On-state resistance: 0.19Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.32W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 9.6A
Mounting: SMD
Case: SOT363
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 553 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
313+0.23 EUR
404+0.18 EUR
468+0.15 EUR
553+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 313
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3190LDWQ-7 Multi channel transistors
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DMN31D5L-7 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN31D5UDJ-7 SMD N channel transistors
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DMN31D5UFO-7B SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150mA; Idm: 0.5A; 393mW
On-state resistance: 4.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 393mW
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 0.35nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 0.5A
Mounting: SMD
Case: X2-DFN0606-3
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.15A
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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DMN31D6UT-7 DMN31D6UT.pdf
DMN31D6UT-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 350mA; Idm: 0.8A; 320mW; SOT523
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain current: 0.35A
Gate charge: 0.35nC
Power dissipation: 0.32W
On-state resistance: 2Ω
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 0.8A
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN3200U-7 ds31188.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3200U-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2605 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
142+0.5 EUR
461+0.16 EUR
488+0.15 EUR
9000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 142
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DMN32D2LDF-7 ds31238.pdf
DMN32D2LDF-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 400mA; 280mW; SOT353; ESD
Mounting: SMD
Semiconductor structure: common source
Case: SOT353
Power dissipation: 0.28W
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 2.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.4A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1747 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.46 EUR
311+0.23 EUR
472+0.15 EUR
807+0.089 EUR
863+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 157
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DMN32D2LFB4-7 ds31124.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN32D2LFB4-7 SMD N channel transistors
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DMN32D4SDW-7 SMD N channel transistors
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DMN3300U-7 ds31181.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.6A; Idm: 8A; 1.3W; SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 8A
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN3300UQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.6A; Idm: 8A; 1.3W; SOT23
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 8A
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN33D8LDW-13 Multi channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN33D8LDW-7 Multi channel transistors
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DMN33D8LT-13 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN33D8LT-7 SMD N channel transistors
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DMN33D9LV-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN33D9LV-13 Multi channel transistors
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DMN33D9LV-13A
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN33D9LV-13A Multi channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN33D9LV-7 Multi channel transistors
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DMN33D9LV-7A DMN33D9LV.pdf
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DMN33D9LV-7A Multi channel transistors
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DMN3401LDW-13 DMN3401LDW.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3401LDW-13 Multi channel transistors
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DMN3401LDW-7 DMN3401LDW.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3401LDW-7 Multi channel transistors
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DMN3404L-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797F990459F186748&compId=DMN3404L.pdf?ci_sign=4f363a10b568db54e6fe5a8fa65cec1aeb331181
DMN3404L-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3A; 0.72W; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 82mΩ
Power dissipation: 0.72W
Drain current: 3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Case: SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
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50+1.43 EUR
100+0.72 EUR
251+0.29 EUR
690+0.1 EUR
24000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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